Патенты с меткой «—полупроводник»

Номер патента: 351266

Опубликовано: 01.01.1972

Автор: Рюмшин

МПК: H01L 23/18

Метки: вакуумноплотного, металл, соединения, —полупроводник

...квантовых генераторов, работающих в ИК-области спектра в значительной мере сдерживается технологическими трудностями, связанными с получением вакуумноплотных паяных соединений выходного окна (например, в германии) с металлической (например, коваровой) оправой, выдерживающих нагрев до 250 в 3 С.Известные припои обеспечивают устойчивую работу приборов лишь при температуре не более 60 - 70 С, При использовании известных пластичных тугоплавких припоев на основе свинца и кадмия образующиеся паяные соединения германий - ковар не отвечают требованиям эксплуатации по вакуумной плотности.Трудности получения вакуумноплотных паяных соединений связаны с тем, что скорость взаимодействия этих припоев с германием значительно превышает их скорость...

Номер патента: 1507138

Опубликовано: 30.04.1991

Авторы: Байрамов, Веденеев, Ждан

МПК: H01L 21/66

Метки: ганице, диэлектрик, каналов, проводящих, раздела, характеристик, электрофизических, —полупроводник

...Б- падение напряжения между потенциальными 45контактами к каналу и ЭДС Холла Н.По измеренным величинам рассчитываюткоэФфициент Холла К и электропроводИность проводящего канала МДП-транэистора .1 С- 6= - , - (1)н 1 Вф = Н Ьгде 4 - электролроводность каналаьВ - величина магнитной индукциис 55- отношение расстояния с межЬду потенциальными контактами к ширине Ь проводящегоканала.электрическая емкость единичной площади диэлектрика;заряд электрона. где С,Используемая при измерениях экспериментальная установка обеспечивает воэможности автоматического измерения Ки программного изменения 0 , что необходимо для реализации условия КсопзС. Неравновесное заполнение ЭС создают следующим образом,На затвор подают напряжение +30 В,отвечающее...

Номер патента: 1429848

Опубликовано: 15.12.1991

Авторы: Веденеев, Гольдман, Ждан, Кузнецов

МПК: H01L 21/66

Метки: границе, диэлектрик, параметров, пограничных, раздела, состояний, —полупроводник

...при котором заполнение ПСстановится сильно неравновесным. Обед"30няющий изгиб зон , где о - зарядзэлектрона;- потенциал, соответствующий обедняющему изгибу зон, устанавливают (меняя полевое, напряжение)примерно равным половине запрещеннойЗБзоны полупроводника Е. Точное значение о д можно найти, например, из измерений вйсокочастотной емкости цепизатвор - подложка. Ее величина С (наединицу площади структуры) связана с дошириной слоя пространственного зарядаЧ соотношением 45 65С С - переменные интегрирования;С - решение уравнения47%и Ъеет + иС Сгде 2 - относительная диэлектрическая проницаемость полупроводника;Со - емкость единицы площади диэлектрика.При этом(р =гиц И Чгде Б - концентрация легирующей приРмеси (ее значение...

Номер патента: 1755218

Опубликовано: 15.08.1992

Авторы: Воинов, Гущик, Кураченко, Чернуха

МПК: G01R 31/26

Метки: диэлектрик, зарядовой, переходом, приповерхностным, стабильности, структур, —полупроводник

...достаточно длительном процессе эксплуапробоя, воздействие коронными разрядом, тации, Потенциал электрода выбирается таполярность которого соответствует инвер- кой полярности, чтобы в приповерхностной сии приповерхностной области р-и-перехо- области р-п-перехода возникал инверсный да, изменяют величину потенциала слой. Величина потенциала, необходимая коронногоразрядаиодновременноизмеря для возникновения инверсионного слоя, ют электрический ток, протекающий через тем больше, чем меньше величина заряда .р-п-переход, причем потенциал коронирую- структуры диэлектрик-полупроводник, что щего разряда увеличивают до тех пор, пока иллюстрирует фиг.1. О появлении инверсноток начинает немонотонно увеличиваться, а го слоя судят по возрастаию...

Номер патента: 1108962

Опубликовано: 10.04.1995

Авторы: Мальцев, Милошевский, Нагин, Тюлькин, Чернышев

МПК: H01L 21/04

Метки: двухслойного, дефектности, диэлектрика, кремния, нитрид, окисел, проводник, структуре, уменьшения, —полупроводник

СПОСОБ УМЕНЬШЕНИЯ ДЕФЕКТНОСТИ ДВУХСЛОЙНОГО ДИЭЛЕКТРИКА В СТРУКТУРЕ ПРОВОДНИК НИТРИД КРЕМНИЯ ОКИСЕЛ КРЕМНИЯ ПОЛУПРОВОДНИК, заключающийся в проведении термообработки структуры нитрид кремния окисел кремния - полупроводник в атмосфере кислорода перед нанесением проводника, отличающийся тем, что, с целью увеличения времени хранения информации в структуре, термообработку проводят в атмосфере влажного кислорода при температуре 800 - 1150 oС в пределах одного часа, затем с поверхности нитрида кремния удаляют пленку оксида кремния, образовавшуюся в процессе термообработки, и перед нанесением проводника проводят отжиг в атмосфере водорода при 700 - 1000oС в течение 30 60 мин.2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что отжиг...

Номер патента: 1538827

Опубликовано: 10.02.1996

Авторы: Божевольнов, Яфясов

МПК: H01L 21/66

Метки: границы, межфазовой, параметров, электролит, электрофизических, —полупроводник

1. СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ МЕЖФАЗОВОЙ ГРАНИЦЫ ЭЛЕКТРОЛИТ - ПОЛУПРОВОДНИК, включающий пропускание через границу основного импульса тока, измерение приращения напряжения на границе, пропускание дополнительного импульса тока противоположной полярности, длительность и амплитуду которого выбирают из условия обеспечения равенства нулю суммарного заряда, вносимого основным и дополнительным импульсами тока, и определение искомых величин электрофизических параметров по калибровочным зависимостям, отличающийся тем, что, с целью повышения точности, измерение приращения напряжения на межфазовой границе производят в интервале между началом основного и концом дополнительного импульсов, определяют величину интеграла приращения...

Номер патента: 1797411

Опубликовано: 20.04.1996

Авторы: Квасов, Сологуб

МПК: H01L 21/316

Метки: диэлектрик, структуры, формирования, —полупроводник

...Р 2 = 0,15 Па, Рз = 0,2 Па для структуры и-типа кремний - 3102. На фиг.2 кривые 7-9 показывают зависимость плотностиповерхностного заряда на границе р-типакремний - Яза при акустическом давленииР = 0,1 Па, Р 2 = 0,15 Па, Рз = 0,2 Па соответственно, кривые 10-12 - зависимость плотности поверхностного заряда на границеи-типа кремний - 31 зй 4 при акустическомдавлении Р = 0,1 Па, Р 2 = 0,15 Па, Рз = 0,2Па соответственно,Перечисленные существенные отличияприводят к переходу системы дефектов вравновесное состояние, вызывает десорбцию загрязняющих ионов с поверхности, чтосопровождается уменьшением величины отрицательного заряда на границе разделакремний - диэлектрик или изменением знака заряда и соответственно приводят кповышению качества...

Номер патента: 1297428

Опубликовано: 27.05.1999

Авторы: Андреянов, Воробьев, Смирнов, Федоров, Шорин

МПК: C07F 9/94

Метки: 50-тетраимино-5, 60-дииндий, iii», дихлор-6, тетраазациклогексатриаконтин, тетранитрилоктабензо, —полупроводник

54,56 : 58,60-дииндий (III) дихлор-6,11 : 19,24 : 32,37 : 45,50-тетраимино-5,52 : 13,18 : 20,31 : 39,44-тетранитрилооктабензо/с,д,е,р,и,у,D, H/(1,10,19,28)-тетраазациклогексатриаконтин формулыкак полупроводник.

Номер патента: 991878

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Васильев, Герасименко

МПК: H01L 21/423

Метки: варианты, диэлектрик, его, полупроводников, структур, —полупроводник

1. Способ обработки полупроводников и структур полупроводник-диэлектрик, включающий внедрение примесей и нагрев, отличающийся тем, что, с целью повышения однородности нагрева при одновременном сохранении первоначального профиля внедренной примеси и исключения деформации структур, нагрев производят постоянным СВЧ-излучением с основной частотой излучения 100 МГц - 3 ГГц, объемной плотностью поглощенной энергии СВЧ-излучения 500 - 4000 Дж/см3 в течение 10-3 - 10-2 с, причем структуры помещают в максимум распределения поля СВЧ-излучения.2. Способ обработки полупроводников и структур полупроводник-диэлектрик, включающий внедрение примеси и нагрев,...

Номер патента: 1840166

Опубликовано: 27.06.2006

Авторы: Алехин, Егоркин, Емельянов

МПК: H01L 21/20

Метки: диэлектрик, диэлектрика, многокомпонентный, переходной, слой, структура, —полупроводник

Структура многокомпонентный полупроводник - переходной слой диэлектрика - диэлектрик, содержащая в качестве переходного слоя химические соединения одного или нескольких элементов, входящих в состав полупроводника, отличающаяся тем, что, с целью улучшения электрофизических параметров структуры, химические соединения выбраны таким образом, чтобы сумма их нормированных объемов была меньше нормированного объема полупроводника на 1-15å 3.

Номер патента: 1082253

Опубликовано: 27.05.2012

Авторы: Румак, Хатько

МПК: H01L 21/66

Метки: двуокиси, кремния, окисел, пограничного, системе, слоя, структуры, —полупроводник

Способ контроля структуры пограничного слоя двуокиси кремния в системе окисел - полупроводник, основанный на травлении окисла и регистрации электронограмм на отражение, отличающийся тем, что, с целью повышения точности и снижения трудоемкости, травление окисла производят на клин со скоростью 3-4 Å/с, после чего производят дополнительное травление при температуре 1150-1180°С в течение 30-60 с в газообразном хлористом водороде, носителем которого является водород.

Номер патента: 1238630

Опубликовано: 27.06.2012

Авторы: Пухов, Румак, Сакун, Тишкевич, Хатько

МПК: H01L 21/66

Метки: двуокиси, кремния, окисел, пограничного, системах, слоя, структуры, —полупроводник

Способ контроля структуры пограничного слоя двуокиси кремния в системах окисел - полупроводник, включающий травление окисла в газообразном хлористом водороде, носителем которого является водород, и наблюдение структуры в электронном микроскопе, отличающийся тем, что, с целью снижения трудоемкости контроля, травление окисла проводят в течение 1,5 - 7 мин при объемном содержании хлористого водорода в водороде 0,8 - 1,2 об.%, а наблюдение структуры осуществляют в растровом электронном микроскопе, причем о кристаллической структуре судят по наличию темного ореола вокруг фигур травления.