Патенты с меткой «монокристаллов»

Номер патента: 50391

Опубликовано: 01.01.1937

Авторы: Егоров, Шаховцев

МПК: C30B 15/02

Метки: аппарат, искусственных, монокристаллов

...ется валиком 50 лентопротяжного механизма, в свою очередь приводимого во вращение часовым механизмом.Штоки 33 при помощи укрепленных на них поршней 35 направляются стенками неподвижных трубок 36, выходящих из кожуха кристаллизационного аппарата через его вращающуюся крышку 37, в которой они закреплены, Через эти же трубки 36 пропущены труоки 38, подводящие воду в полость свечей, и трубки 39, выводящие отработанную воду наружу и присоединенные к водопроводу при помощи гибких шлангов 40. Скорость подачи вверх свечей 26 и скорость вращения цилиндра 27 регулируются соответственно свойствам кристалли. зуемого вещества таким образом, что бы скорость подачи вверх свечи была несколько меньше возможной в данных условиях скорости роста...

Номер патента: 65325

Опубликовано: 01.01.1945

Авторы: Попов, Шефгаль

МПК: C30B 7/00

Метки: монокристаллов, растворов, солей

...с кристаллом и при попытках ускорить рост охлаждением на кристаллах возникают неоднородности.Предлагаемый способ,получения монокристаллов из растворов солей с вращением вырагцйваемого кристалла )в растворе заключается в том, что кристаллу сообщают двойное вращение -- вокруг геометрической оси затравки и вокруг эксцентричной по отношению к кристаллу оси вращения.Кристаллическая затравка в виде пластины, стержня,затравочного кристаллика и т, д. укрепляется эксцентрично )па отношению к оси вращения и )приводится в движение соответствучощим механизмом. Кроме вращения вокруг эксцситри гио расположенной оси, затравка вращается одновременно вокруг собственной оси. Двойное движение обеспечивает быстрое и равномерное поступление свежего...

Номер патента: 66668

Опубликовано: 01.01.1946

Автор: Шефталь

МПК: C30B 7/00

Метки: выращивания, монокристаллов

...а ИИВ с Н И 51 К 1)1 СБ.СОБ 1 Ь) 1): СБ 1) 01 ЧС 1 С)110СКО)(0151 И)01 сссс, Н)ОН 5 ЮТ 11 Кс 1 с)ССТБО ИС (ОД 30(0 01)ЯЗО 1 с НИ Я Г)1(ТО тагОН ЬКОГО К) 1 СТ с 5,1 И К; БЫ )(:с 131 К) ИЗ К)ИС тс, 1, с 1 00,СС К)ИИ)10 (10 Чс 1 СТЬ. ОДс КО Б 51 То)атт О НОТ т КНЗИ 1 И 1, Кс)КИ)1 ОЙ) БЗО) . (0,1 К И;3ЫТЬ БЫ)ОЗс)1 с 1 БТН 1 С 3 Ь ГЬ 35 110 Г(И И 5 )с)г(.Н с),Ь 1 ОГЭ".Ь(1)(10;1, И 11)ИК Г 1 ЧОСКИ Б КСЧ( СТВО .)сТ)1 ВО 3(р 1)ОН(5)Н)Т ) 3"10 СТО)5 СИИИ, тс г КИ , 131) 3 БОССБ БОБ,1( Иэ Зс)Т 3)И)КОИ 110)3 БЛ ЬНО 1 К) ИСТИ 1 Ч(.- СКОБ ИО(103)НОС эИ 1)СГСНБэ)а 1 сОННЫИ С;ОИ 00 а.т ОТ" Я .1) 1 Нэт 11 11 Т66668 1 1 ) )1 си ;1 0 ) 1) сс и и 5 Х 1 омптет по дета)1 и:)о)рстеип 1 и от 1 рыти) пи Совете Мппистроп СССР Редактор Л, К. Лейк)и)а 11 ис...

Номер патента: 106710

Опубликовано: 01.01.1957

Авторы: Богомолов, Купчинский

МПК: C03B 23/20

Метки: герметического, монокристаллов, окон, сваркой, соединения, сосудов, стеклянными, стенками

...соединения и, кроме того, позволяет производить работу в более широком диапазоне температур.Сущность этого способа заключается в том, что соединение окна из монокристалла с колбой осуществляется через металлический штудер, который одним концом сваривается с колбой, а другим вваривается в окно из монокристалла токами высокой частоты, Установив тонкостенный металлический штуцер на окно из монокристалла, помеют его в высокочастотное поле, уцер, разогреваясь, плавит в местах соприкосновения монокристалл и под действием своего веса вплавляется на необходимую глубину.Предлагаемый способ позволяет осуществить температуро-устойчивые, механически прочные и герметичные соединения, не изменяя оптичсских и механических свойств...

Номер патента: 107450

Опубликовано: 01.01.1957

Авторы: Кокориш, Красилов, Шефталь

МПК: C30B 25/02, C30B 29/06

Метки: германия, заданным, кремния, монокристаллов, примесей, содержанием

...еще далеко це совершенны ввиду трудностей регулировки концентрации и распределения примесей.13 этом гаправлеции описываемый спосоо полусци 5 аОцористаялических пленок германия ц крстпия является перспективным,С пинось способа за я в меется возможность гдллическую плсцспределением прибыл получен мо- слоИ германия с иостьо толнной гике чистого гернесколько десятых цокрцстд, иическиидыро иой проводло 40 ,иг ца пластаация толщиной вмиллиметра.Такие пласгиць)леция в гих индиядов типа Р Р игодцы для вила получения три Грсдтст цзобретени овле- соедисокоИФподя ил фазу те га- И, ко- водосте с следующем.Пленки германия и кремния,зующцеся в результатс восставцця волоролом цх хлорисаыхцсций зеС 1 и 51 С 1) при вьтемпературе, кристаллизуются...

Номер патента: 107843

Опубликовано: 01.01.1957

Автор: Завгородний

МПК: B26D 1/48, B28D 5/04

Метки: монокристаллов, станок, сцинтилляционных

...жидкости.Кронштейн 3, ором помещена подвнжнал а 8 прл помощи скользяше 1 ты поворачиваетсл на угол 90 .На кронштейне 2 помещен фиксатор 13. Вертикальный шпиндель 6, закрепленный в подц 1 ипниках, приводится во вращение от электромотора через редуктор 14. На шпинделе 6 укреплена нижняя планшайба 16, на которой устанавлцваетсл обрабатываемый кристалл,сверху прцжимасмый верхней плац- шайбой 16.При резке кристаллов по плоскости его усганавливают на призму 17 и закрепляют при помощи прижима 18. Рекущая цить располагается в строго вертикальном положении в плоскости резания кристаллов. После включения электромотора при движении каретки по направляющим режущая нить углубляется в кристалл и разрезает его.Вода или растворитель подаетсл из...

Номер патента: 108256

Опубликовано: 01.01.1957

Авторы: Попов, Шефталь

МПК: C30B 7/00

Метки: выращивания, динамического, монокристаллов

...промежутками ПОК 051.2, Прием выполнения спосооа по п. 1, о т л и ч а ю щ и 1"1 с я тем, что выращивание монокристаллов производят из расплавов, а также из газовой среды.3, Прием выполнеция способа по П,1 и 2, отличающийся тем, что при кристаллизации из раство ров и газовой фазы в одном кристаллизаторе получают несколько кристаллов. ИСАНИЕАВТОРСКОМУ В известных способах выращиваци 51 крист аллоя . для Оптического, пьсзоэ,н ктрического и иных цазцаеп ццй с укрепленными в крцсталлцза Гор 1:1 дтравочными кристалла ми применяют динамические методы выращивания монокристаллов, со. стоящие во вращении растуцего кристалла или в перемешивани и раствора.К недостаткам известных способов относится однообразный характер движения, что...

Номер патента: 108648

Опубликовано: 01.01.1957

Автор: Добровенский

МПК: C30B 15/26

Метки: выращивания, вытягивания, методом, монокристаллов, по, процесса, расплава, чохральскому

...дополнительного устройства.ДОПОЛНИТЕЛЫНОЕ УСТРОЙСТВО, ЯВЛЯЮ 1 ЦЕЕСЯ ЭТаЛОННОЙ ЧаСТЬЮ СХЕМЫ,состоит из радНоактинного источника 9, аналогечеоо источнику 1, клива 10 поглотителя со стрелкой, приемника излучения 11, аналогичногоприемнИку 6 и формируемого блока 12,РазностныЙ сигнал должен модулиронаться, уоиливаться и подаватьзатем к исполнительно)у механизму 13, который изменяет положениесердечника индукционной катушки 14, являющей:я датчиком телеметрической системы вторичного прибора 15, воздействуОщего лИбо на регуляровочный трансформатор нагрева, либо на скорость )ытягивания кристалла, либо на то и другое одновременно. Необходимый диаметр кристаллаустававлИвается за время процес а один раз рукояткой 6 путем вводсния спбциально пРОт 21)1...

Номер патента: 108804

Опубликовано: 01.01.1957

Авторы: Попов, Шефталь

МПК: C30B 7/00

Метки: выполнения, выращивания, динамического, монокристаллов, прием, способа

...ноябри 1956 г. на имя тел же лин способ динамического 1 я кристаллов для оптиоэектрического н иных с укреплением в крие затравочных нристалсв.108256, где беспоижение раствора по отмонокристал.чу создают сивного вращения криа по горизонта.чьнон льной оси, чередуюшссутками покоя. Эт 11 м доорения роста и пмуце.однородного монокрипособа выпутсм ре- исталгчоносряле случасталлов появляется витнем динамического с ращивания кристаллов, версивного вращения кр ца или мешалки, что в ев получения монокри динамическому способу единственно возможным Известенвыра шиван едмет изобретенн полнения динамическовыращнвания монокрнавт. св.108256, отй с я тем, что хаотиче. ие среды выращиваемоа создают реверсивным криста,члоносца и.чи меПредложен метод...

Номер патента: 113495

Опубликовано: 01.01.1958

Авторы: Абрамов, Аветисов, Ильин, Скотников, Соколин

МПК: C30B 11/02, C30B 29/32

Метки: выращивания, монокристаллов, электроустановка

...клапаном с жесткои передачей от электрических часов.Конструкция печи поясняется чертежом.Электропечь состоит из корпуса 1, имеющего теплоизоляцию 2. Печь имеет в качестве нагревательных элементов силитовые стержни 3, Внутри электропечи заключен жаропрс)щяй, например из алунда, глухой в виде цилиндра экран 4, который имеет отверстия с керамическими трубками для впуска и выпуска сжатого воздуха. Внутри экрана проходит воздухопровод 5, в виде спирали, дающей возможность омывать и равномерно охлаждать стенки экрана воздухом.Расход сжатого воздуха, проходящего внутри спирали, обеспечивает программное регулирование температуры рабочего пространства печи.Таким образом, темп;ратура тигля б с расплавом, потоком воздуха в алундовом...

Номер патента: 113806

Опубликовано: 01.01.1958

Автор: Добровенский

МПК: C30B 15/26

Метки: выращивания, монокристаллов, процесса, расплава

...попадает в приемник излучения б, сигнал усиливается усилителем б и попадает в электронный преобразо.ватель 7, где сравнивается с сигналом от эталонного устройства, состоящего из источника 8, приемника 9 излучения, клина-поглотителя 10 и усилителя 11,Скорость кристаллизации задается скоростью вращающихся от мотора 12 винтов 13, с помощью которых перемещаются источник и приемник излучения. Если скорость процесса кристаллизации изменится, то изменится положение границы раздела твердой фазы и расплава В этом случае изменится интенсивность попадающего на приемник излучения, а значит изменится разйостный сигнал на выходе электронного преобразователя. Этот сигнал, воздействуя на исполнительный механизм 14, перемещает сердечник...

Номер патента: 117452

Опубликовано: 01.01.1958

Автор: Бутузов

МПК: C30B 29/18, C30B 7/10

Метки: выращивания, кварца, монокристаллов

...монокристаллы. .С этой целью вьцэатциваниемоъто кристаллов ведут на затравкак, изготовляемых из многих одинаково ОрИЕНТИрОВНННЫХ И МСХЭНИЧССКНскрепленных меэкду собою пластов кварца.Автоклав объемом 9.4 г на 75 заполняют водным БЧЬ растворомсоды. В автоклав помещают квар цевые затравки, вырезанные параллельно большому ромбоэдру. затравки составлены из мгтогнх пластов кварца, скрепленных между собою платиновой проволокотт и прикрепленных к металлической пластинке из нержавеющей стали.растворения тетхапература зоны ЮСТЗСкорость роста в указанных условиях колеблется для разных частей крт-тсга.г 1.па в пределах 1,11,:1 п:.2 в сутки. Составные загравктт растут только в одну сторону. Кристаллы. нметоньттт больптхткз площадь, весит от 350...

Номер патента: 117540

Опубликовано: 01.01.1958

Авторы: Падуров, Селезнев

МПК: C30B 1/02, C30B 29/18

Метки: двойниковых, монокристаллов, сростков

...левые способ получения монокриста перекристаллизации при повыш при нагревании двойниковых уры около 575 они превращаю дении эти монокристаллы снова ричем в решетке кварца возни ностью предлагаемогопроизводят во вращаюриентировкой оси вра особациюющей а.переалловочно оба является то,электрическом поля по отноше.сп ем ни не тол метод может быть приме таллам других веществ,к кристал и зобретен едм Способ п их перекрист ся тем, что рическом пол отношению к лучения монокристаллов из д лизации при повышенной тем ерекристаллизацию производ с соответствующей ориентиро си кристалла.1 оиниковых сростков путем пературе, отл и ч а ю щи йт во вращающемся электкой оси вращения поля по Предлагаетсясростков путем ихИзвестно, чтокварца, до...

Номер патента: 121237

Опубликовано: 01.01.1959

Авторы: Бутузов, Добровенский

МПК: C30B 15/22

Метки: выращивания, монокристаллов, процесса, расплава

...для его осуществления поясняются чертежом, на котором изображена блок-схема автоматического регулирования процесса кристаллизации по заданной программе.В тигле 1 находится расплав вещества 2 с температурой несколько ВьШе ТЙМПераТуры КРИСТЯЛЛИЗЯЦИИ И Поддержнвае.110 ПОСТоянной С ПО- мощью соответствующего нагревания.ГА 121237 Предмет изобретения1. Способ регулирования процесса выращивания монокристаллов из расплава путем поддержания определенного температурного режима на границе жидкой и твердой фаз (расплав - кристалл) изменением тока жидкости в холодильнике, охлаждающей верхний конец выращиваемого кристалла, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью улучшения процесса кристаллизации, границу расплав - кристалл удерживают на...

Номер патента: 121438

Опубликовано: 01.01.1959

Авторы: Александров, Спендиаров

МПК: C30B 11/02, C30B 29/54

Метки: антрацена, монокристаллов

...свойствами.С этой целью дополнительную очистку и выращивание кристаллов производят в одной ампуле,Ампула представляет собой стеклянную трубку, переходящую в капилляр, где образуется монокристаллическая затравка, После загрузки очищенного антрацена в ампулу, последняя вакуумируется и заполняется азотом или аргоном. В процессе очистки примеси оттесняются в сторону отпайки шейки ампулы, после чего ампула переворачивается капилляром вниз, очищенное вещество оседает и начинается процесс выращивания монокристалла в зонной печи.Рост монокристалла происходит на границе центрального и нижне. го нагревателей печи, а загрязненная примесями часть антрацена находится в зоне верхнего нагревателя печи и остается в твердом состоянии.По...

Номер патента: 122478

Опубликовано: 01.01.1959

Автор: Муратов

МПК: C30B 11/00

Метки: выращивания, монокристаллов

...больше диаметра получаемого монокристалла.Высота ампул для монокристаллов размером 40 Х 40 составляет 200 - 250 лм, Нижнюю часть ампул оттягивают на конус с углом 100 - 120, причем толщина стенок конуса у самого носика - не более 1,0 им.К верхней части ампулы припаивают шлиф из стеклянной трубки меньшего диаметра с внутренним отверстием 8 - 20 яд и толщиной стенок 1,5 - 2,0 мм,После засыпки в ампулу соли, ампулу по всей ее поверхности обклеивают листовым асбестом толщиной 1,0 - 1,5 мл, предварительно смоченным глиняной водой, содержащей до 20% глины из шамота или огнеупора с добавкой 10 - 20% корундового порошка и поваренной соли из рас чета 30 - 50 г/л. После этого ампулу загружают в печь без предварительной сушки термостойкого слоя....

Номер патента: 129753

Опубликовано: 01.01.1960

Авторы: Елинсон, Ждан

МПК: H01J 1/312

Метки: аl2о3, введенными, выполненные, диэлектриков, донорными, др, малым, меньше, металлов, монокристаллов, них, обладающих, окислов, основе, отноше, полярных, порядка, примесями, электронов, эмиттеры

...ов, выпо окислов и приме электр ектрон кенни теров электрон диэлектриковних донорньв е) отношением я получения э газа при налоого поля. пненных наметаллов МЯями, обладнного сродсой эмиссии,а однороднь ие эмит оля рных енными ви меньш зоны, дл тронного ектрическ основе моно- О, А 120 з, 310. ющих малы и тва к ширине следствие псе кристаллы римене ллов п с введ ка 0,1 щенной а элек ров эл крис(поря запре регре эмитт При наложении на эмиттер достаточно сильного внутреннего электрического поля, вследствие ускорения электронов, температура эле;- тронного газа оказывается выше температуры решетки и достаточной для интенсивной эмиссии. Перегретая электронная эмиссия наблюдалась на монокристаллах п-кремния, но вследствие большого...

Номер патента: 132410

Опубликовано: 01.01.1960

Авторы: Беленова, Малышев

МПК: C30B 15/20

Метки: выращивания, монокристаллов, печь

...2 кварцевого кожуха 3. Через пробк 1 пропущен свооодно перемещающийся в ней кварцевыйшток 4, Зазор между ним и цилиндрической частью пробки составляет 5,ик, Проникновение сквозь зазор 2 - 3 мг)час летучего компонентакомпенсируется из его запаса, находящегося в холодном конце5 печи.Разогрев тигляб осуществляют при помощи индкционной обмотки 7. В труоку 8, введенную через холодный конец 5, вставлены термопары, замеряюшие температуру расплава, Для уравновешиваниявнутреннего давления паров летучей компоненты на пробку 1 прилленена охлаждаемая ппужина 9, сила давления которой на 15 - 207 опревышает силу давления паров.Для наблюдения за поверхностью расплава, находящегося в тигле б, предусмотрено окно 10, выдвинутое за пределы рабочего...

Номер патента: 133238

Опубликовано: 01.01.1960

Авторы: Воронов, Дашевский, Титова

МПК: C30B 15/12

Метки: вытягивания, монокристаллов, полупроводниковых, тигель

...трубкой 3. Во внутренний сосуд 1 помещается навеска материала с примесью в нужной концентрации, которая должна быть равназаданной концентрации в выращивасмом кристалле, поделенной накоэффициент распределения. Во внешний тигель помещается чистыйматериал или материал с примесями выбранной концентрации, Соединительная трубка 8 имеет такую длину и диаметр, при которых можнопренебречь днффузней примеси из внутреннего сосуда во внешний, Поддержание постоянной концентрации примеси в расплавс достигаетсяподпиткой материалом из внешнего тигля. Размеры сообщающихся сосудов и пх соотношение определяются по формуле, в зависимости отприроды лсгирующей примеси.Путем соответствующего подбора формы внешнего тигля осуществляется программнос питание...

Номер патента: 136057

Опубликовано: 01.01.1961

Автор: Петров

МПК: C30B 29/10, C30B 7/00

Метки: выращивания, монокристаллов

...ия монокрист щийся тем, араметров в п травкс прида Ррхности ж 1 Д 1 выращиван,отличаюлогических пистальной зсительно пов Спосо ных кисло ства техно ла, монок жение отн крис 1 алл.истале дви- ивают Существующие методы выращивания монокристаллов имеют ряд недостатков, одним из которых является то, что форма движения кристалла (вращение или покачивание кристалл 1 затора) не обеспечивает надежную гермитизацию и не позволяст выращивать кристаллы в ускоренном режиме в формах.Зля обеспечения постоянства технологических параметров в процессе образования монокристалла предлагается способ, в котором моно- кристальной затравке придают возвратно-поступательное движение относительно поверхности жидкой среды, пз которой выращивают кристалл. При...

Номер патента: 136328

Опубликовано: 01.01.1961

Авторы: Шашков, Шушлебина

МПК: C30B 29/36, C30B 9/06

Метки: выращивания, карбида, кремния, монокристаллов

...его осуществляют под вакуумом, обеспечивающим необходимое для роста монокристаллов карбида кремния пер- сыщение раствора. Известен способ выращивания монокристаллов карбида кремния В атмосфере аргона посредством их кристаллизации из расплава кремния, насыщенного углеродом при пересыщении кремния карбидом кремния, за счет уменьшения температуры расплава,С целью получения более чистых и совершенных монокрпсталлов карбида кремния предлагается способ пх выращивания из расплава кремния, насыщенного углеродом при пересыщенпи расплава карбида кремния, за счет преимущественного испарения кремния в вакууме прп постоянной температуре расплава 1600 вместо 2500 в известном способе). Для осуществления процесса бекетовский монокристаллический...

Номер патента: 136564

Опубликовано: 01.01.1961

Авторы: Шашков, Шушлебина

МПК: C23C 16/30

Метки: графитовый, карбида, кремния, монокристаллов, тигель

...5 за 196 г.Осуществление способа получения монокристаллов карбидов кремния кристаллизацией из расплава кремния затрудняется отсутствием подходящего матернала тигля для расплавления кремния, Кварцевые тигли при перегреве, необходимом для выращивания монокристаллоз карбида кремния, размягчаются, что вызывает выбросы кремния; тигли даже из графита высокой плотности пропускают кремний,Описываемый способ подготовки графитового тигля позволяет использовать последний для выращивания монокристаллов карбида кремния. Сущность способа заключается в том, что графитовый ти;ель подвергают нагреву до 1000 - 1200 в атмосфере предельных углеводородов, например в атмосфере гептана, в результате чего поверхность тигля и внутри и снаружи покрывается...

Номер патента: 137107

Опубликовано: 01.01.1961

Автор: Костенко

МПК: C30B 15/22, G01D 5/24

Метки: выращивания, монокристаллов, процесса, расплава

...регулятора, применяемого для осуществления способа,Изменение скорости роста мдатчика Д, представляющего со137107 двух полуцилиндрических обкладок, между которыми опускается кварцевая или стеклянная ампула. Перемещение границы расплав- кристалл, находящейся посередине конденсатора, вызывает изменение суммарной емкости его вследствие перераспределения диэлектриков с разными диэлектрическими постоянными (в кр Ф в распл.), Величина емкости конденсатора влияет на резонансную частоту двухтактного генератора, обозначенного в виде преобразователя При Напряжение частоты с преобразователя Пр, и напряжение частоты задатчика 3 подаются на смесительный каскад (преобразователь Пр), с которого снимается напряжение промежуточной частоты, Это...

Номер патента: 139440

Опубликовано: 01.01.1961

Авторы: Бамунер, Васильев, Данилков, Дудин, Кочергин, Малинин, Моргун, Пекерис, Петров, Слухоцкий

МПК: C30B 13/28, C30B 29/06

Метки: кремния, монокристаллов

...1 предназначен для одновременного воздействия на зону расплава токов двух частот: высокой (5 Мгц) и низкой, регулируемой в пределах от 8 до 25 Кгц. Это обеспечивает проведение плаво". слитков различных диаметров, каждому из которых соответствует своя частота тока, создающего необходимый электромагнитный подпор и поддерживающие усилия.Низкочастотный генератор собранра, в котором используются импульсыугольной форме, которую имеет и на по схеме электронного инверто анодного тока, близкие к прямопряжение на аноде генераторнойМ 139440лампы За счет постоянного напряжения на аноде лампы в период ее проводимости и прямоугольной формы анодного тока резко до 90% возрастает к.п.д. лампы и мощность. отдаваемая ею,Плавильная печь (фиг 2)...

Номер патента: 139842

Опубликовано: 01.01.1961

Автор: Банков

МПК: C30B 15/30

Метки: монокристаллов, поликристаллов, способу, чохральского

...находящийся в кассете, подходит под поднятый шток 5 затравки. Оператор вклочает медтснное опускание этой затравки так, чтобы резьбовой конец итока затравки навернулся на держатель, При этом плоскости а не дают проворачиваться держателю. В момент, когда шток затравки ввернулся в держатель, выключается опускание штока затравки. Шток, вращаясь, остается на месте, а держатель, не имея возможности вращаться, поднимается до тех пор, пока шестигранник, держагеля не выйдет из соприкосновения с плоскостью а. После того как держатель навернется на шток затрав139842ки, происходит поворот верхней кассеты 1 на следующий шаг , в эгом положении имеется возможность затравить монокристалл или поли- кристалл.По окончании процесса вытягивания...

Номер патента: 141629

Опубликовано: 01.01.1961

Автор: Губенко

МПК: C30B 15/00

Метки: германия, монокристаллов, например

...вследствие того, что на штоке для вытягивания монокристаллов вмонтированвращающийся экран, выполненный в виде воронки с вырезами.На чертеже изображено предлагаемое устройство, общий вид.Устройство состоит из тигля 1, обогреваемого нагревательным элсментом 2, по периферии которого установлены экраны 3 и 4. На штоке,з для вытягивания кристаллов при помощи закрепляющей гайки б помещен вращающийся верхний воронкообразный экран 7 с расположенными в нем на оавном расстоянии друг от друга как в конусообразной,так и в цилиндрической частях вырезами 8. В нижней части штока припомощи патрона крепят затравку 9. Тепловые экраны 3 и 4, окружаю.щие нагреватель 2, могут быть выполнены конусообразной формы, подобной конусной части вращающегося...

Номер патента: 144153

Опубликовано: 01.01.1962

Авторы: Волынец, Губенко, Козлов, Никитичев, Черневская

МПК: C30B 15/06

Метки: виде, вращения, монокристаллов, полых, тел

...со скоростью кристаллизации г оставитель В. М. Крол актор С, А. Барсуков А. Кудрявицкая Корректор П А. Евдокимо Поди: к печ 6.11-62 гЗак. 1242 Формат бум 7 Тираж 1250 рп Комитете по делампри Совете Министр сква, Центр, М. Черкас8 изд л а 4 коп м О зобрстенииов СССРкий пер.,и открытий 2/6 ипограФия ЦБТИ Комитета пр. Советс Министров о делам изобрстений и откры ий СР, Москва, Петровка, 4. 1) Выращенный монокристалл заданной формы исключает необходимость выращивания крупных монокристаллов-блоков,2) Значительно упрощается последующая холодная обработка кристалла и получение заданного изделия.3) Способ допускает одновременное выращивание из одной ванны нескольких заготовок.Схема установки для выращивания из расплава кристаллов заданной формы...

Номер патента: 148016

Опубликовано: 01.01.1962

Авторы: Касаткин, Петров, Трейвус

МПК: C30B 29/22, C30B 7/04

Метки: выращивания, йодноватокислого, калия, монокристаллов

Номер патента: 148017

Опубликовано: 01.01.1962

Авторы: Гулевич, Фаивусович, Циглер

МПК: C30B 11/10

Метки: аппаратам, веществ, выращивания, монокристаллов, печь, тугоплавких

...обмазкой 3, наружным цилиндром 4 и снизу ограничена фигурным кольцом 5, а сверху крышкой б. Через отверстия в фигурном кольце 5 горячие газы и избыточный водород, необходимый по технологии выращивания монокристаллов, поступают в кольцевую камеру. Отверстия в днище 7 служат для подсоса воздуха, необходимого для сгорания избыточного водорода. Вверху над камерой находится кольцевой сборник 8 для отработанных газов. Снизу печь имеет шлюз, закрывающийся съемной втулкой 9,Таким образом, при выращивании монокристаллов в предлагаемой печи в кольцевой камере образуется тепловой барьер, препятствующий отдаче тепла от муфеля 1 печи в окружающую среду.Предлагаемая конструкция печи более инерциогна по сравнению с известными и снижает температурные...

Номер патента: 148927

Опубликовано: 01.01.1962

Авторы: Подгорнов, Рубцов, Савельев

МПК: G01N 21/17

Метки: кристаллографической, монокристаллов, направленности, прибор

...по способу световых фигур. Пре бор отличается от известных тем, что, с целью увеличен ределения, на пути светового луча смонтирована гру многократного отражения, Кроме того, прибор универ позволяет изменять измерительную базу образец - экр гается тем, что предметный столик смонтирован на шар ляющих.148927крайнем заднем положении платформы образец 8 занимает место зеркала б, а место образца - зеркало 11. При этом расстояние образец - экран по ходу луча равно 523 мм, а одно деление шкалы в этом случае соответствует отклонению кристаллографической оси на 3 мин.Шкала экрана имеет ооковой подсвет, что делает ее отчетливо различимой при наблюдении,В установке базировочная площадка под образец расположена горизонтально, в связи с этим...