Способ обработки полупроводниковых структур

Номер патента: 884498

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Герасименко, Кибалина, Придачин

МПК: H01L 21/423

Метки: отжига, полупроводник-диэлектрик, структур

1. Способ отжига структур полупроводник-диэлектрик, включающий операцию импульсного облучения подложки с нанесенной на нее диэлектрической пленкой, отличающийся тем, что, с целью предотвращения повреждений структур, облучение проводят излучением, равномерно поглощающимся и в пленке, и в подложке.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что облучение проводят электронами с энергией 5 - 10000 кэВ.3. Способ по п.1, отличающийся тем, что облучение проводят протонами с энергией 10 - 2500 кэВ.4. Способ по п. 1, отличающийся тем, что облучение проводят ионами с энергией 15 - 1000 кэВ.5. Способ по п.1, отличающийся тем, что облучение проводят фотонами с энергией E в диапазоне...

Номер патента: 1085442

Опубликовано: 20.06.2000

Авторы: Ахтман, Бротиковский, Павлынев

МПК: H01L 21/316

Метки: меза-структур, полупроводниковых

Способ изготовления полупроводниковых меза-структур, включающий проведение фотолитографии и химического изотропного травления на глубину h, создающих выпрямительные меза-элементы, и защиту меза-элементов стекловидными пленками, отличающийся тем, что, с целью повышения пробивных напряжений меза-элементов, операцию фотолитографии проводят с использованием фотошаблона, рисунок которого представляет собой n дорожек (при n > 1) шириной h и расстоянием между центрами дорожек, равным +2b, где h/2...

Номер патента: 1157994

Опубликовано: 20.07.2012

Автор: Бекирев

МПК: H01L 33/00, H01S 3/19

Метки: гетероструктура, излучательная, многопроходная, полупроводниковая

Полупроводниковая излучательная многопроходная гетероструктура, включающая область излучательной рекомбинации и дополнительный слой, примыкающий к одной из ее сторон, расположенные между широкозонными слоями, причем ширина запрещенной зоны дополнительного слоя меньше ширины запрещенной зоны области излучательной рекомбинации, минимальная толщина указанного слоя не меньше обратной величины коэффициента поглощения излучения из области изучательной рекомбинации, а максимальная - не больше диффузионной длины неосновных носителей в этом слое, отличающаяся тем, что, с целью увеличения яркости свечения на торцевых гранях структуры, между другой стороной области излучательной рекомбинации и...

Номер патента: 1165211

Опубликовано: 20.07.2012

Автор: Бекирев

МПК: H01S 3/18

Метки: гетероструктура, излучательная, многопроходная, полупроводниковая

Полупроводниковая излучательная многопроходная гетероструктура, включающая узкозонную область излучательной рекомбинации, расположенную между широкозонными слоями, отличающаяся тем, что, с целью понижения пороговой плотности тока накачки, между упомянутыми широкозонными слоями введены, по крайней мере, два дополнительных слоя с разными ширинами запрещенной зоны, меньшими ширины запрещенной зоны области излучательной рекомбинации, а суммарная толщина дополнительных слоев не менее обратной величины меньшего коэффициента поглощения в них излучения из области излучательной рекомбинации, но не более диффузионной длины неосновных носителей в этих слоях, толщина наиболее узкозонного...

Номер патента: 1840204

Опубликовано: 20.08.2006

Авторы: Алехин, Емельянов

МПК: H01L 21/316

Метки: aiiibv, диэлектрических, мдп-структур, основе, пленок, полупроводниковых, соединений

1. Способ получения диэлектрических пленок для МДП-структур на основе полупроводниковых соединений AIIIBV путем анодного окисления полупроводниковой пластины, погруженной в электролит, отличающийся тем, что, с целью получения диэлектрических пленок с заданным по величине и знаку встроенным зарядом, полупроводниковую пластину погружают последовательно в два электролита, первый из которых характеризуется величиной вводимого в пленку заряда на 0,5-10 В меньше заданной, второй - на 0,5-10 В больше заданной. 2. Способ по п.1, отличающийся тем, что для МДП структур на основе JnSb в качестве первого электролита используют электролит состава, вес.%:Аммоний...