H01L 21/228 — диффузия из твердой фазы в жидкую или обратно, например процессы сплавной диффузии

Способ обработки полупроводниковых структур

Номер патента: 807903

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Марончук, Сушко

МПК: H01L 21/228

Метки: полупроводниковых, структур

Способ обработки полупроводниковых структур на основе соединений типа AIII BV, включающий приведение поверхности структуры в контакт с раствором-расплавом, содержащим 3-10 вес.% алюминия и 90-97 вес.% галлия и высокотемпературный отжиг, отличающийся тем, что, с целью получения варизонных гетероструктур с высоким градиентом ширины запрещенной зоны, отжиг проводят при температурах 850-1000oC в течение 10-100 минут.

Электролит для легирования оксидной пленки кремния бором

Номер патента: 616893

Опубликовано: 10.04.2001

Авторы: Бредихин, Волкова, Милешко, Нагучев, Чистяков

МПК: H01L 21/228

Метки: бором, кремния, легирования, оксидной, пленки, электролит

Электролит для легирования оксидной пленки кремния бором, содержащий этиленгликоль, борную и азотную кислоты, отличающийся тем, что, с целью улучшения эксплуатационных свойств электролита, в его состав дополнительно введен гольмий азотнокислый при следующем соотношении компонентов, мас.%:Борная кислота - 5 - 15Азотная кислота (уд. вес 1,40 г/см3) - 0,15 - 0,35Гольмий азотнокислый (пятиводный) - 0,3 - 0,6Этиленгликоль - Остальное