Способ легирования полупроводниковых соединений типа aiii bv

Номер патента: 797459

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Золотухин, Максимов, Марончук

МПК: H01L 21/302

Метки: aiiibv, полупроводниковых, селективного, соединений, типа, травления

Способ селективного травления полупроводниковых соединений типа AIII BV, включающий нанесение металла на поверхность полупроводникового соединения с последующей термообработкой, отличающийся тем, что, с целью упрощения селективного травления и увеличения глубины травления, металл, преимущественно индий или галлий, наносят в виде пленки толщиной 0,1-10 мкм на участки полупроводника, подлежащие травлению а термообработку проводят при температуре, превышающей температуру диссоциации полупроводника на 20-200oC в потоке инертного газа.

Номер патента: 1335062

Опубликовано: 10.08.1996

Авторы: Анисимова, Лазарев, Филипченко, Якорев

МПК: H01L 21/445

Метки: aiiibv, палладирования, поверхности, полупроводниковых, соединений, типа

Способ палладирования поверхности полупроводниковых соединений типа AIIIBV, включающий очистку поверхности, осаждение палладия из водного раствора двуххлористого палладия, отмывку и сушку поверхности, отличающийся тем, что, с целью повышения качества метал- лизации и снижения расхода палладия, осаждение пленки палладия ведут из раствора с концентрацией двуххлористого палладия от 0,005 до 0,01 мас. содержащего 1-1000 кг/м3 соляной кислоты, при температуре 293-298 К.

Номер патента: 1756393

Опубликовано: 23.08.1992

Автор: Зубрицкий

МПК: C30B 29/46, C30B 31/06

Метки: легирования, полупроводниковых, соединений, типа

...плоскопараллельную кювету, в которую заливают дизлектрическуо жидкость, например, этилацетат, К пластине (лучше к ребру, в любой точке) от генератора высоковольтных импульсов подводят игловой электрод, Импульсом напряжения отрицательной полярности амплитудой 3 - 40 кВ возбуждают в полупроводнике приповерхностный стримерный разряд, наблюдающийся в аиде густой ярко- светящейся сетки зеленых нитей, напоминающей ветвь елочки. Диэлектрическая жидкость служит при этом обострителем фронта импульсов (с микро- к наносекундному диапазону длительностей). Маркируют1756393 Составитель В, ЗубрицкийТехред М,Моргентал Корректор М; Тка едак огу аз 3064 Тираж Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СС 113035,...

Номер патента: 1001234

Опубликовано: 28.02.1983

Авторы: Девятых, Домрачев, Жук, Кулешов, Лазарев, Хамылов, Чурбанов

МПК: H01L 21/205

Метки: газовой, осаждения, полупроводниковых, слоев, соединений, типа, фазы

...этого, снижение давления позволяет интенсифицировать десорбцию и отвод из эоны осаждения продуктов реакции, что также способствует увеличениюскорости осаждения.Выбор рабочего давления определяется летучестью элементов А и В и свойствами осаждаемого слоя. П р и м е р 1 . Подложку из сапфира размещают на пьедестале, который вводят в реактор. Вокруг подложки и пьедестала размещают дополнительную поверхность цилиндрической формы диаметром 28 мм, которая одновременно является нагревателем реактора. Реактор откачивают до давления 1 Па и включают нагреватель, Дополнительную поверхность и пьедестал нагревают370 оС, затем пьедестал охлаждаютодо 250 С. Точность поддержания температуры составляет + 5 С. Подают сеоленоводород, а затем пары...

Номер патента: 673083

Опубликовано: 10.11.1999

Автор: Аграфенина

МПК: H01L 21/48

Метки: aiiibv, полупроводниковых, соединений, типа, травитель

Травитель для полупроводниковых соединений типа AIIIBV, преимущественно для антимонида индия, содержащий водорастворимые органические кислоты, преимущественно винную и этилендиаминтетрауксусную, окислитель и воду, отличающийся тем, что, с целью получения зеркально-гладкой поверхности травления при малых толщинах съема материала и улучшения эксплуатационных свойств травления, он дополнительно содержит соляную кислоту и кислородхлорсодержащий окислитель, преимущественно хлорноватистую кислоту, при следующем соотношении компонентов мас.%:Водорастворимые органические кислоты, преимущественно винная и этилендиаминтетрауксусная - 0,4 - 0,5Соляная кислота (37%) -...