Патенты с меткой «диэлектриках»

Номер патента: 119934

Опубликовано: 01.01.1959

Авторы: Казарновский, Феофанов

МПК: G01R 31/14

Метки: внутренних, диэлектриках, короны, напряжении, постоянном, разрядов, регистрации, способа, частичных, этого

...при изменении сопротивления изоляции различных образцов можно использовать одно и то же сопротивление 5. Переменное напряжение выбирается с расчетом получения достаточного сигнала на выходе усилителя 8.Если в образце не происходит частичных разрядов, то зависимость сигнала на выходе от величины испытательного напряжения постоянного тока (в испытательном диапазоне) имеет вид горизонтальной пряК 2 119934 мой. С появлением короны или частичных разрядов сигнал .а выходе начинает возрастать почти линейно с ростом испытательного напряжения. Это объясняется увеличением части постоянного напряжения, приходящегося на сегнетоконденсатор, что связано с ионизацией газа во включениях, а следовательно, с уменьшением эквивалентного сопротив. ления...

Номер патента: 128008

Опубликовано: 01.01.1960

Авторы: Крыжановский, Кузнецов, Троицкий

МПК: C03C 17/22, G02B 1/10

Метки: диэлектриках, пленок, полупроводниковых

...только в видимой, но и ь инфракрасной области спектра, путем термообработки в атмосфере водорода диэлектриков, например, оптических деталей, покрытых слоем шестихлористого вольфрама, нанесенного из раствора в сухом этиловом спирте или непосредственно слоем трехокиси вольфрама путем испарения последнего в вакууме. Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР Редактор Н. И. Мосин Гр. 43Подп. к печ, 28.11-60 г.Тираж 830 Цена 2 з коп Информационно. издательский отдел.Объем 0,17 п. л. Зак, 2337 Типография Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР Москва, Петровка, 14.го вольфрама в сухом этнловом спирте. В результате испарения растворителя и реакций гидролиза поверхность детали покрывается...

Номер патента: 128009

Опубликовано: 01.01.1960

Авторы: Крыжановский, Кузнецов

МПК: C03C 17/22, G02B 1/10

Метки: диэлектриках, пленок, полупроводниковых

...топкий слой окиси молибдс:н;. Деталь с этим слоем:Одверга 1- ют затем термической обработке, в атмосфере сухого водорода прп 370 - 500.М 128009 П р сдмет из о бретени я Применение трехокиси молибдена для получения на диэлектриках полупроводниковых пленок, прозрачных не только в видимой, но и в инфракрасной области спектра, путем термообработки в атмосфере водорода диэлектриков, например, оптических деталей, покрытых слоем пятихлористого молибдена, нанесенного из раствора в сухом этиловом спирте, или непосредственно слоем трехокиси молибдена путем испарения последнего в вакууме,Комитет но делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР Редактор и. И. Мосин Гр. 145Информационно. издательский отдел.Объем 0,17 и. л. Зак. 2382...

Номер патента: 326516

Опубликовано: 01.01.1972

Автор: Барщевский

МПК: G01N 27/00

Метки: включений, диэлектриках, металлических, обнаружения, полупроводниках, широкозонных

...и на величину последнего,При обнаружении металлических включений предложенным способом необходимо, чтобы 20 работа вырывания электрона из металла в окружающую среду была меньше энергетической ширины запрещенной зоны. Эта работа тем меньше, чем больше диэлектрическая проницаемость среды. 25Полученные экспериментально величины фототока, рассчитанные на единицу падающей энергии, наносят на график в прямоугольной системе координат. По горизонтальной оси отклаДывают значениЯ Ь - 6 о в электРон вольтах или других энергетических единицах ( - частота света, большая граничной частоты ъо). По вертикальной оси откладывают величину фототока, соответствующую значениям йъ - Ьо в выбранных единицах. Затем по формуле теории фотоэмиссии из металла в...

Номер патента: 333151

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Крыжановский, Федулов

МПК: C03C 17/09, C03C 17/245

Метки: диэлектриках, покрытие

...могут быть олучсраз способами, например:есением ца поверхность диэлекгрцка тава двуокись титаца-трехокцсь мос последующей обработкой в атмосорода при 400 - 800 С. Исходный слой оОз наносится цри этом ца дцэлектм гидролиза смеси этилового эфира овой кислоты и пятихлористого морастворсццых в спирте или одцовререактивным катодцым распылениеммолибдена в атмосфере кислорода. повремецным испарением двуокиси металлического молибдена прц помороннолучевого испарителя. ключ ающее с целью пороводцости, кись титана омпонентов,электриках, виееся тем, что,остцой электропсодержит двуосоотношении к Покрытие на ди молибден, отличаю вышеция поверхн оцо дополнительно при следующем мол. %: М30 - 7ЗО - 7 О Покры титана и личными 1. Наг слоя сос...

Номер патента: 336324

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Круглов, Крыжановский

МПК: C03C 17/09, C03C 17/245, C04B 41/51 ...

Метки: диэлектриках, покрытие

...слоя из смеси двуокиси кремния, трехокиси вольфрама и трехокиси молибдена с последующей обработкой в атмосфере водорода лри 400 - 800 С, причем исходный слой ЯОг - МоОз - %0 з наносят путем гидролиза смеси этилового эфира ортокремниевой кислоты Я (ОСгН 5) 4, пятихлористого молибдена и шестихлористого вольфрама, растворенных в спирте (в случае использования диэлектриков с пониженной термостойкостью, например силикатных стекол и др., восстановлениедороде следует проводить в разряде прниженном давлении);2 - одновременное нанесение в вак5 молибдена, двуокиси кремния и вольфэлектроннолучевым испарением.Предлагаемый состав позволяет полупокрытие с удельным поверхностным сотивлением 10 - 10 ом и светопропуска0 от 10 до 75%.Эти покрытия...

Номер патента: 400532

Опубликовано: 01.01.1973

Автор: Муравьев

МПК: B26F 1/26, C03B 21/00

Метки: диэлектриках, микроотвррстий

...2 с манометрами, запорного крана 8 и устройства 4 для установки и обработки детали, Устройство 4 содержит сварно основание 5 в виде ванны, причем в левую стенку ваш 1 ы запрессована оправка б для установки детали. На основании 5 укреплены направляющпс г, по которьм перемещают траверсу 8 с электродвигателем 9. С траверсой 8 на шпильках 10 связана колодка 11 с мнкроотверстнем, которое периодически закрывается 5 диском 12 с 700 ОТВсрстиямн дняз 1 етром 011 .1,Диск Вращается В подп 1 зужиненной Втулке 11, пружина 14 которой плотно поджимает диск к торцу мнкроотверстня. Вращение диску перс.дается от вала электродвигателя:ерез муф ту .5, причем шпоночное соединение валя диска с муфтой обеспечивает осевое перемещение диска под...

Номер патента: 447461

Опубликовано: 25.10.1974

Авторы: Виноградов, Гинберг, Дмитриев, Ибрагимова

МПК: C23C 3/02

Метки: диэлектриках, медных, покрытий

...меднение начинают проводить при уменьшении абсолютной величины потенциала выделения меди на величину порядка 0,1 в.Предлагаемый способ получения медных покрытий на диэлектриках заключаются в следующем. В приготовленный раствор для химического и электрохимического меднения, но без восстановителя, погружают диэлектрик в качестве катода, анод - обычный, как при гальваническом меднении. Диэлектрик подключают к измерительному прибору, например высокоомному вольтметру, для постоянного контроля его потенциала любым известным способом в течение всего процесса химического меднения. После загрузки в раствор диэлектрика и подключения его к измерительному прибору в раствор при постоянном перемешивании вводят восстановитель, При этой...

Номер патента: 562061

Опубликовано: 15.06.1977

Авторы: Розенталь, Шихов

МПК: H05F 1/00

Метки: диэлектриках, зарядов, нейтрализации, статического, электричества

...источник высокого давления, например, кумулятивный заряд ВВ.Устройство может быть использовано для предварительной обработки диэлектриков с целью нейтрализации объемного заряда, Для этого заготовку детали, например, в виде прутка обрабатывают в предлагаемом устройстве, т. е, нейтрализуют объемный заряд статического электричества, Обработанная в предложенном устройстве заготовка будет весьма незначительно электризоваться при дальнейшей обработке, например, точением, а также при эксплуатации, например, в платах микросхем, в изоляторах электротехнических приборов и т. п.На чертеже приведено схематичное изображение предлагаемого устройства для нейтрализации объемного и поверхностного заряда статического электричества.Оно выполнено в виде...

Номер патента: 568924

Опубликовано: 15.08.1977

Авторы: Ващенко, Гончаров, Михайлец, Назаров, Наконечный, Федоров, Фурман

МПК: G01V 3/10

Метки: включений, диэлектриках, металлических, обнаружения

...элемент генератора 1 материала с металлическими частицами, не передаются через интегрирующую обратную связь 5, вследствие чего коэффициент преобразования системы увеличивается и равен коэффициенту преобразования системы без обратной связи. Это позволяет разделить полезный сигнал и дрейф и существенно повысить чувствительность. Ситнал с выхода амплитудного преобразователя 4 параллельно с интегрирующей обратной связью 5 поступает на интегрирующие цепи 6 и 7, включенные на входы устройства сравнения 8. Постоянные времени интегрирующей цепи 7 и обратной связи 5 имеют величины одного порядка. Интегрирующая цепь 7 предназначена для запоминания выходного напряжения амплитудного,преобразователя 4, соответствующего нулевому уровню и...

Номер патента: 744307

Опубликовано: 30.06.1980

Авторы: Гераськов, Кугаевский

МПК: G01N 27/22

Метки: воды, диэлектриках, жидких, содержания

...и диэлектрическойпроницаемости слоя, содержащего эмульсионную воду, определяют искомый параметр.Сущность изобретения поясняется чертежом, где изображено устройство, реализук; -сее предложенный способ.25 Определение содержания воды в жидком диэлектрике осуществляется следую.гцпм образом,Поток жидкого диэлектрикщего воду в виде эмульсии, пЗ 0 через ячейкув направлени744307 20 ть А. Платова Камьпннико оставит Рсдактоо Н. К".1 ч вс.:;., С. Файн лида Тскрсд Изд. М 329 Государственного комит 113035, Москва, ЖЧ к;з 67:/952НПО Поиск дписное ткрь 1 тий Тф.и. Хв гик ил, пред. Патент кулярном плоскости чертежа, Установленные внутри ячейки ультразвуковые излучатели 2 и о создают в топливе стоячую ультразвуковую волну. Под действием этой...

Номер патента: 890274

Опубликовано: 15.12.1981

Авторы: Громов, Розно

МПК: G01R 29/24

Метки: диэлектриках, неразрушающего, поля, твердых, электрического

...наб., ц. 4/5 Филиал ПП 11 "11 атент". т. Ужгород. ул. Проектная, 4 ние электрического поля объекта контроля, в качестве электрода, на который воздейстгуют импульсом деформации, используют один из двух электродов, полностью закрывающих торцы образца, между которыми расположен объект контроля, причем в качестве импульса деформации выбран монополярный импульс деформации с шириной 3.10-1 10 т с и величиной деформации 10- 10 б, а электричес кий сигнал, характеризующий распределение электрического поля в объеме контроля, снимают с противоположного электрода.Предла.аемый способ основан на том, что бегущая через образец звуковая волна индуцирует и измерительном электроде электрический сигнал, величина которого однозначно соответствует значению...

Номер патента: 1067081

Опубликовано: 15.01.1984

Авторы: Воробьева, Выдумчик, Рухля

МПК: C23C 3/02

Метки: диэлектриках, локальных, медных, покрытий

...а уменьшение 65 концентрации его менее 8 мас.Ъ приводит к смещению линий рисунка и нарушению его четкостиПри использовании предлагаемого способа обезжиренную в растворе, содержащем, мас,Ъ: Ба РО 1,5; Иа ООз 1,5; ОП0,2 (50 С, время обработки 5 мин) поверхность полиметилметакрилата после промывки проточной водой травят в концентрированной серной кислоте в течение 5 мин при комнатной температуре и затем промывают проточной водой. После ополаскивания в дистиллированной воде поверхность активируют в водном растворе, содержащем, мас.З:Рас 1 0,1НС 1 0,1(ИНц ), Ре(С,О), 0,21ОП0,06Глицерин 0,28 при комнатной температуре в течение, 5 мин и затем сушат на воздухе в течение 10 мин. Экспонирование активированной поверхности полиметйлметакрилата...

Номер патента: 927036

Опубликовано: 15.02.1984

Авторы: Андрющенко, Гурьев, Денисов, Осипов, Панова, Стадник

МПК: G01N 27/22

Метки: дефектов, диэлектриках, обнаружения, радиационных

...на Фиг. 5 и б - результаты испытаний.Сущность предлагаемого способа заключается в следующем, Облученяый диэлектрический образец 1 (см.фиг. 1) с нанесенными электродами 2 и 3 помещают в нагревательную камеру, закрепляют между двумя металлическими пластинами 4 и 5, изолированными от образца слоями б и 7 диэлектрика. Затем осуществляют нагрев образца по линейному или гиперболическому законам ( см. Фиг. 2) со"скоростьюи таким образом, чтобы в процессе всего нагрева разность температур ЬТ между пластинами 4 и 5 была постоянной. Наличие разности температур между этими пластинами в процессе нагрева приводит к возникновению градиента температуры, который в свою очередь определяет постоянный тепловой поток в образце. Малая величина...

Номер патента: 1087927

Опубликовано: 23.04.1984

Авторы: Гусельников, Дергобузов

МПК: G01R 29/24

Метки: диэлектриках, заряда, объемного, плотности, распределения, твердых

...колебаний и получении электрического сигнапа, характеризующего распределение объемногозаряда, в исследуемом образце возбуждают механические колебания в ви 45де стоячих волн.На чертеже приведена структурнаяэлектрическая схема устройства, реализующего предлагаемый способ.устройство содержит исследуемыйобразец 1 с нанесенными на него электродами 2 и 3, соединенными с измерителем 4 тока и электромеханический)преобразователь 5, примыкающий кэлектроду 3 и соединенный с выходом 55генератора 6 синусоидальных колебаний, вход которого подключен к выходу детектора 7,Способ осуществляется следующимобразом,С помощью электромеханическогрпреобразователя 5, генератора 6синусоидальных колебаний и детектора7 в образце 1 возбуждают стоячиеволны и с...

Номер патента: 1060018

Опубликовано: 15.01.1985

Авторы: Андреев, Сапожков, Смекалин

МПК: G01N 23/203

Метки: диэлектриках, потенциала, распределения, электрического

...2, установленного в защите 3. Детекторы 4 измеряют количество обратнорассеяняых электронов в отсутствийи при наличии электрического поляв условиях приложения магнитного поля с индукцией В, вектор которойпараллелен поверхности образца.Необходимо, чтобы накладываемоепостоянное магнитное поле обладалоазимутальной симметрией, т.е. изменялось бы лишь по координате х. Минимальная величина ирпукции магнитного поля должна быть порядка 10 110 Тл. Магнитное поле может бытьнаправлено таким образом, что онобудет способствовать уменьшению глубины проникновения в образец электронов, что обеспечивает воэможностьизменения такого параметра Функциичувствительности, как х ;т.е.Макс .возможность реализации различныхФункций чувствительности....

Номер патента: 1167545

Опубликовано: 15.07.1985

Авторы: Моисеенко, Протасюк, Уваров

МПК: G01R 29/24

Метки: диэлектриках, заряда, пространственного, твердых

...его величину по формуле где Бс,(0) и ц (Я) - амплитуды акустических колебаний до и послеобразования пространственногозаряда;- коэффициентпропорциональности.На чертеже представлено устройство для реализации предлагаемогоспособа,Устройство содержит исследуемыйобразец 1, выполненный, например,из оргстекла и сопряженный со эву-.ководом 2 К звуководу 2, служащемудля удаления измерительной схемыиз эоны облучения, примыкает акустический датчик 3, выполненный, например, иэ пьезокерамики и через усилитель 4 низкой частоты соединенныйс осциллографом 5. Для акустического согласования желательно испольэовать звуковод, выполненный из тогоже материала, что и исследуемый диэлектрик,При облучении диэлектрическогообразца импульсным пучком...

Номер патента: 1188641

Опубликовано: 30.10.1985

Авторы: Барташевский, Прибыток, Серко, Турчин

МПК: G01N 29/00

Метки: акустических, волн, диэлектриках, распространения, реализующее, скорости

...для измерения скоростираспространения акустических волн 0в диэлектриках.Устройство содержит излучатель 1,выполненный в виде индентора, приемник 2, например электроакустическийпреобразователь, последовательносоединенные усилитель 3, пороговуюсхему 4 и цифровой измеритель 5временных интервалов. Кроме того,устройство содержит датчик 6 электро.магнитного излучения и последователь. 30но соединенные с ним предварительный усилитель 7 и усилитель-формирователь 8. Выход усилителя-формирователя 8 соединен с вторым входомцифрового измерителя 5 временныхинтервалов. Позицией 9 на чертежеобозначено исследуемое изделие из диэлектрика.Способ измерения-скорости распространения акустических волн в 40диэлектриках заключается в следующем. На...

Номер патента: 1191845

Опубликовано: 15.11.1985

Авторы: Батурин, Калинова, Сезонов, Степанов

МПК: G01R 29/24

Метки: диэлектриках, заряда, полного, распределения, центра

...ССР ВНИИПИ Росу по делам 113035, Москва,илиал ППП Пате5 ктная, 4 И зобретение относится к электроизмерительной технике и предназначено для использования при исследовании электрических параметров диэлектриков.Целью изобретения является упрощение и повышеййе точности.;Кафйг",1 И 2 представлены схемы расоложения исследуемогЬ образца при реалиции предложеннОтгспособа, где обоз 14 анйнп образец.(диэлектрик) 1; металЛические электр 9 ды 2 р 3; кривая 4; характерйзуюгцаяодно из возможных расп 1 реюетенйй заряда в диэлектрике; Ь - толщина диэлектрика; д - зазор между диэлектриком и электродом; р(х) - объемная плотность распределения заряда, х, у - координаты,Для определения полного заряда и его центра распределения у образца 1,...

Номер патента: 1242781

Опубликовано: 07.07.1986

Авторы: Конев, Михнев

МПК: G01N 22/00

Метки: диэлектриках, листовых, обнаружения, трещин

...плечсхемы осуществляется таким образом,что в отсутствие дефектов в диэлектрическом слое 9 в полосе частот свипирования амплитуды и фазы отраженных сигналов поддерживаются одинаковыми, вследствие чего на выходе волноводного моста б отсутствует разностный сигнал. С выхода волноводногомоста 6 разностный и суммарный сигналыпоступают на балансный смеситель 7, который формирует произведение подаваемых на него сигналов,Если разностный и суммарный сигна,пы записать в видец = А(Ы) з 1 чя 1:О = В(и) в(п(ииии),то на выходе балансного смесителя 7 50образуется сигналЦ , - . А(и В(и( - (со 5 й(и 1.со 5 (2 и(киЯ,Низкочастотная составляющая этогосигнала имеет видПЛ(Ц) В(ы) и), (1) Таким образом, низкочастотныйсигнал на выходе балансного смесителя...

Номер патента: 1352411

Опубликовано: 15.11.1987

Автор: Алейников

МПК: G01R 29/12

Метки: диэлектриках, заряда, плоских, плотности

...заключается вследующем.Для определения плотности заряда лрегулируя напряжение на электродах 2 и 3 конденсатора, добиваются исчезновения тока в исходном положении невибрирующего электрода 3, например, когда электрод примыкает к образцу диэлектрика 1. При этом измеряют исходное компенсирующее напряжение Ч . Затем перемещают нео 1вибрирующий электрод 3 в новое положение, сохраняя параллельность между электродами конденсатора. Величину 45 перемещения 1 измеряют микрометрическим устройством, В новом положении электрода снова добиваются компенсации тока, измеряют компенсирующее напряжение Ч и вычисляют разность оЧ = Ч -ЧНапряженность поля Г между диэлектриком 1 и вибрирующим электродом 3 при включении компенсирующего напряжения Ч (фиг.1)...

Номер патента: 1429064

Опубликовано: 07.10.1988

Авторы: Боев, Суржиков

МПК: G01R 29/24

Метки: диэлектриках, заряда, заряженными, кинетики, накопления, облучении, объемного, частицами

...1,(С) Б) (О,С)Е(О,С)+БЕ,Е ).Ю. -(1) 1 с(С) БС (Ь,С)Е(Ь,С)+БЕ Я - Ф(3) 40(Ь, С) 11 ш(Ь, С);х - Ь хсЬ(х,С) - удельная объемная электрическая проводимостьдиэлектрика.В процессе накопления заряда ток проводимости в необлучаемой части об" разца существенно меньше абсорбционного тока, т.е.(Ь,й)Е(Ь,С) сс 50 Сс СОС ЙЕ (Ь, С) /Й. Прн РЕШЕНИИ ураВНЕ" ний (2) и (3) получаем 01) .1 (С )ЙС-ехр 2с"РЕ,Е д( О(6) гдеО,С)=1 з.ш(х,с);х-ьОх)0 О(С) " БГ ЕЕ(Ь,С) - Е(О,С), (1) величина объемного разрядав диэлектрике;площадь сечения потока заряженных частиц (площадь поверхности образца, через которую инжектируются заряженные частицы);электрическая постоянная;диэлектрическая проницае-.мость диэлектрика;время; 1Е(О, ) =ех - , - ( ) й 1, ( )О Охехр (е )йс й; (4)...

Номер патента: 1471152

Опубликовано: 07.04.1989

Автор: Алейников

МПК: G01R 29/12

Метки: диэлектриках, заряда, плотности

...добиваются первоначального значения тока в цепи конденсатора и по величине приложенного постоянного напряжения и по величине переме- с щения образца судят а величине заря 1 =8,85 10 Ф/м - электрическаяпостоянная;напряжение, н обхоцимое дляЗаказ 1605/48 Тираж 711 ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г.ужгород, ул. Гагарина,101 значения тока;1 - расстояние меж 5ду начальным и конечным поло.жениями образца,Определение плотности заряда диэлектрика осуществляется следующим . образом.В зазор плоского конденсатора параллельно его обкладкам помещают исследуемый плоский .диэлектрик. Один иэ электродов...

Номер патента: 1555655

Опубликовано: 07.04.1990

Автор: Школьник

МПК: G01N 27/22

Метки: воды, диэлектриках, жидких, количественного

...У при заданной температуре дуировки Т.Измеряют значения тангенса угла д электрических потерь (Тц 3) проб с ра личным влагосодержанием (р Щ ), еда (Ж ) и СдЯ, (%Г ) Строят гр дуировочную зависимость, которая ет вид кусочно-ломаной прямой (ФиД 3 = 8 3, = сопя, при 14 с И1555 б 55 Составитель Р, Коршунов Техред А.Кравчук Корректор. О,Кравцова актор-Н, Бо 6 кова 3 Тираж 505 Подписноеосударственного комитетапо изобретениям и открытиям113035, Иосква, Ж, Раушская наб., д, 4/5 Зак НИИПИ ГКНТ СССР роизводственно-издательский комбинат "Патент", г, Ужгор Гагарина, 101 где К - определяется из результатов измерений при градуировке и Точка, соответствующая предельному , содержанию воды в жидком диэлектрике при данной температуре, соответствует...

Номер патента: 1684694

Опубликовано: 15.10.1991

Авторы: Костенко, Криштафович, Романенко

МПК: G01N 27/00, G01R 19/00

Метки: восстановления, диэлектриках, поля, твердых, электрического

...между электродами 3, вплотную к которым прижимают пьезоэлектрические датчики 5, 6,Источником акустических импульсов служит пьезоэлектрический датчик 5, на который от генератора 1 подается импульс напряжения, при этом пьезоэлектрическим датчиком формируется акустический импульс, который передается на диэлектрик и взаимодействует с объемным зарядом диэлектрика. В результате этоо взаимодействия между электродами 3 возникает разность потенциалов, форма и величина которой регистрируется измерительным прибором.Для восстановления формы входного и выходного акустических импульсов измеряют амплитуды электрических сигналов, возникающих на выходе пьезодатчиков 5, б при воздействии на них акустического давления, и определяют величину акустического...

Номер патента: 1739320

Опубликовано: 07.06.1992

Авторы: Екименко, Жуков, Симанчук

МПК: G01R 31/00

Метки: диэлектриках, заряда, объемного, пространственного, распределения, твердых, электрического

...области, расположенной внутри диэлектрического образца, сжатие части заряженного диэлектрического образца не приводит к возникновению тока на сигнальном электроде, так как акустическая волна сжатия начинает распространяться от сигнального(второго) электрода, Проходя без отражения зарядовую область, акустическая волна сжатия достигает поверхности переднего электрода и на границе раздела сред (акустически свободная граница) отражается от нее в виде волны разряжения. При распро 45 странении отраженной волны разряжения по диэлектрическому образцу в обратном направлении растяжение части заряженного диэлектрического образца приводит к изменению расстояния между зарядами и к изменению относительной диэлектрической проницаемости части...

Номер патента: 1827650

Опубликовано: 15.07.1993

Авторы: Верхотуров, Графодатский, Екименко, Жуков, Симанчук

МПК: G01R 29/24

Метки: диэлектриках, заряда, пространственного, распределения, твердых, электрического

...поля в объеме диэлектрика, осьсовпадает с направлением распространения акустиче- СКОЙ ВОЛНЫ;Е х=- модуль всесторонней3 1 - 2,и) объемной упругости (где Е - модуль Юнга, ,и - коэффи иент Пуассона);я+2 2 6(я) =функция относиЗе е тельной диэлектрической проницаемости, учитывающая и возможное изменение от величины приложенного акустического давления и для случая линейного акустического воздействия и для данного типа исследуемого диэлектрического материала, являющаяся постоянной величиной;Р(гд) - амплитуда импульса плоской бегущей акустической волны,В токовом режиме (режим "короткого замыкания", т,е, при выполнении условия (С+Со)й /Яе) регистрации акустоиндуци= -хс.а Я) Х Е(Я.(т-В) дЯа . (10)Яео рованного электрического сигнала амплитуда...

Номер патента: 884482

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Васильев, Герасименко, Ободников

МПК: C23C 14/00, H01L 21/24

Метки: диэлектриках, металлических, покрытий, полупроводниках, создания

Способ создания металлических покрытий на полупроводниках и диэлектриках, включающий нанесение металла на подложку и последующий нагрев, отличающийся тем, что, с целью исключения нагрева подложки, уменьшения глубины проникновения металла в подложку, нагрев осуществляется импульсом СВЧ-излучения мощностью импульса, обеспечивающей плотность поглощенной энергии 0,1 - 6 дж/см2, длительностью импульса менее 10-5 с и частотой излучения, определяемой по формуле: где d - толщина металлического покрытия; - проводимость данного металла;