Способ селективного травления полупроводниковых соединений типа aiiibv
Описание | Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Описание
Заявка
2800521/25, 20.07.1979
Институт физики полупроводников СО АН СССР, Новосибирский государственный университет
Золотухин В. Е, Максимов В. Л, Марончук Ю. Е
МПК / Метки
МПК: H01L 21/302
Метки: aiiibv, полупроводниковых, селективного, соединений, типа, травления
Опубликовано: 10.11.1999
Код ссылки
<a href="https://patents.su/0-797459-sposob-selektivnogo-travleniya-poluprovodnikovykh-soedinenijj-tipa-aiiibv.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ селективного травления полупроводниковых соединений типа aiiibv</a>
Предыдущий патент: Травитель для полупроводниковых соединений
Следующий патент: Способ создания силицидов металлов
Случайный патент: Электретный преобразователь