Способ селективного травления полупроводниковых соединений типа aiiibv

Номер патента: 797459

Авторы: Золотухин, Максимов, Марончук

Описание

Способ селективного травления полупроводниковых соединений типа AIII BV, включающий нанесение металла на поверхность полупроводникового соединения с последующей термообработкой, отличающийся тем, что, с целью упрощения селективного травления и увеличения глубины травления, металл, преимущественно индий или галлий, наносят в виде пленки толщиной 0,1-10 мкм на участки полупроводника, подлежащие травлению а термообработку проводят при температуре, превышающей температуру диссоциации полупроводника на 20-200oC в потоке инертного газа.

Заявка

2800521/25, 20.07.1979

Институт физики полупроводников СО АН СССР, Новосибирский государственный университет

Золотухин В. Е, Максимов В. Л, Марончук Ю. Е

МПК / Метки

МПК: H01L 21/302

Метки: aiiibv, полупроводниковых, селективного, соединений, типа, травления

Опубликовано: 10.11.1999

Код ссылки

<a href="https://patents.su/0-797459-sposob-selektivnogo-travleniya-poluprovodnikovykh-soedinenijj-tipa-aiiibv.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ селективного травления полупроводниковых соединений типа aiiibv</a>

Похожие патенты