Боднар

Номер патента: 1208848

Опубликовано: 27.01.1997

Авторы: Боднар, Грин, Груцо, Корзун, Маковецкая

МПК: C30B 11/06, C30B 29/46

Метки: меди, тройных, халькогенидов

Способ получения тройных халькогенидов меди, включающий взаимодействие расплава металлических элементов, расположенных в зоне синтеза, с парами халькогена, взятого в избытке от стехиометрии и расположенного в противоположном конце запаянной вакуумированной кварцевой ампулы, при температуре зоны синтеза на 21 40oС выше температуры плавления соединения, а зоны халькогена 600 650oС, выдержка при этих условиях в течение 2 3 ч и охлаждение, отличающийся тем, что, с целью получения больших слитков соединения CuAlSe2 стехиометрического состава и высокой чистоты, избыток селена берут в количестве 3,0 7,5 мг/см3, металлические элементы загружают в кварцевую лодочку, покрытую пиролитическим графитом, после...

Номер патента: 1805793

Опубликовано: 27.04.1996

Авторы: Боднар, Корольков, Толубаев

МПК: H01L 21/82

Метки: биполярных, интегральных, создания, структур

...поверхности кремния продуктами реакции обеспечивается 20-40-ным содержанием гексафторида серы в травящей смеси.4045 5055 обработку структур при температуре 510 Св среде азота в течение 15 мин.Использование предлагаемого способасоздания интегральных структур позволитувеличить коэффициент усиления по току биполярных транзисторов в 1,5 - 2 раза, снизить величины контактного сопротивления к эмиттерным областям на 30 - 50, контактного сопротивления к базовым областям в 1,3-2 раза (при температуре - 60 С - в 5 - 8 раз), уменьшить ток утечки обратной ветвидиодов Шоттки в 3 - 4 раза при коэффициенте неидеальности 1,03 - 1,04. Улучшение данНых параметров интегральных структур позволяет исключить отказы по статическим и динамическим...

Номер патента: 1814432

Опубликовано: 20.04.1996

Авторы: Боднар, Кастрюлев, Корольков

МПК: H01L 21/265

Метки: барьера, высоту, диодами, имеющими, интегральных, микросхем, потенциального, различную, создания, схем, шоттки

...получить максимальный эффектувеличения высоты потенциального барьера высокобарьерных диодов Шоттки при минимальных токах утечки обратной ветви. Известно, что в процессе образования дисилицида титана на 1 нм . толщины слоя титана расходуется 2,27 нм толщины кремния. Таким образом, на взаимодействие, например, 45 нм титана расходуется 103 нм слоя кремния, что требует применения ионной имплантации бором с энергией 30 кэВ.Реализация самосовмещенной технологии формирования дисилицида титана с помощью одностадийной импульсной фотонной обработки в указанных режимах позволяет получать величины максимального логического перепада при минимальном 2 уровне легирования акцепторной примесью за счет большей степени электроактивации,. более...

Номер патента: 1581142

Опубликовано: 27.01.1996

Авторы: Боднар, Кастрюлев, Корольков, Толубаев

МПК: H01L 21/82

Метки: барьера, высоту, диодами, имеющими, интегральных, потенциального, различную, схем, шоттки

1. СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ С ДИОДАМИ ШОТТКИ, ИМЕЮЩИМИ РАЗЛИЧНУЮ ВЫСОТУ ПОТЕНЦИАЛЬНОГО БАРЬЕРА, включающий создание в полупроводниковой подложке активных и пассивных элементов интегральной схемы, маскированных диэлектрической пленкой, вскрытие в ней окон к невыпрямляющим контактам и высокобарьерным диодам Шоттки, формирование на поверхности подложки во вскрытых окнах силицида платины, формирование фоторезистивной маски с окнами под низкобарьерные диоды Шоттки, вскрытие в окнах фоторезистивной маски поверхности полупроводниковой подложки, удаление фоторезистивной маски, нанесение барьерной и токопроводящей пленок и фотолитографию по ним для создания рисунка разводки, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности...

Номер патента: 1616439

Опубликовано: 20.01.1996

Авторы: Боднар, Корольков, Толубаев

МПК: H01L 21/306

Метки: интегральных, межсоединений, многоуровневых, создания, схем

СПОСОБ СОЗДАНИЯ МНОГОУРОВНЕВЫХ МЕЖСОЕДИНЕНИЙ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ, включающий формирование топологии первого уровня межсоединений, нанесение первого кислородсодержащего диэлектрического покрытия, нанесение органического планаризующего слоя, травление органического и диэлектрического слоев, удаление остаточного органического слоя, нанесение второго диэлектрического изолирующего покрытия, вскрытие межуровневых контактов и формирование вышележащего уровня межсоединений, отличающийся тем, что, с целью повышения качества и надежности многоуровневых межсоединений за счет повышения степени планаризации, снижения разнотолщинности диэлектрического покрытия на шинах межсоединений с различной шириной, травление органического и первого диэлектрического...

Номер патента: 1547611

Опубликовано: 20.01.1996

Авторы: Боднар, Кастрюлев, Корольков

МПК: H01L 21/28

Метки: больших, интегральных, межсоединений, многоуровневых, схем, формирования

1. СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ МНОГОУРОВНЕВЫХ МЕЖСОЕДИНЕНИЙ БОЛЬШИХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ, включающий создание первого уровня межсоединений, нанесение межуровневого изолирующего покрытия и вскрытие в нем межуровневых контактных окон, нанесение второго уровня межсоединений, состоящего из слоев титана-вольфрама и алюминия, легированного кремнием, фотолитографическую обработку по второму уровню межсоединений с последовательным травлением алюминия и титана-вольфрама, формирование последующих уровней межсоединений, отличающийся тем, что, с целью повышения качества и надежности многоуровневых межсоединений, перед нанесением второго и последующих уровней межсоединений проводят обработку поверхности ионным или ионно-химическим травлением или травлением в...

Номер патента: 1589932

Опубликовано: 20.12.1995

Авторы: Боднар, Кастрюлев, Корольков

МПК: H01L 21/306

Метки: барьера, высоту, диодами, имеющими, интегральных, микросхем, потенциального, различную, создания, шоттки

1. СПОСОБ СОЗДАНИЯ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ С ДИОДАМИ ШОТТКИ, ИМЕЮЩИМИ РАЗЛИЧНУЮ ВЫСОТУ ПОТЕНЦИАЛЬНОГО БАРЬЕРА, включающий формирование пассивных элементов и активных структур в монокремниевый подложке n-типа, нанесение диэлектрического покрытия, вскрытие в диэлектрическом покрытии контактных окон к эмиттерным областям и формирование эмиттерных структур, вскрытие контактных окон в диэлектрическом покрытии к базовым областям и областям формирования высокобарьерных диодов Шоттки, нанесения слоя платины и формирование силицида в открытых контактных областях, вскрытие контактных окон к областям формирования незкобарьерных диодов Шоттки, последовательное нанесение барьерного и токопроводящего слоев и формирование контактных электродов и...

Номер патента: 1826460

Опубликовано: 27.03.1995

Авторы: Бобык, Боднар, Лоскутов, Петрук, Саницкий, Смыцнюк, Федун, Шевчук

МПК: C04B 22/00, C04B 7/00

Метки: вяжущее

...Сз 3=59,20%; С 25=16,48%; СзА=687%;С 4 АЕ=15,13%. 30П р и м е р 2, Измельчают 88,3% портландцементного клинкера и 7,5% доменного граншлака, С водой затворения вводят3,7% твердого продукта сульфатных водпроизводства синтетических жирных кислот и 0,5% технических лигносульфонатов.Вяжущее готовят аналогично примеру 1.П р и м е р 3. Измельчают 82,3% портландцементного клинкера и 120% доменного граншлака, С водой затворения вводят 405,0% твердого продукта сульфатных воде производства синтетических жирных кислот и 0,7% технических лигносульфонатов. Вяжущее готовят аналогично примеру 1.П р и м е р 4. Измельчают 95,8% портландцементного клинкера и 2,0% доменного граншлака, С водой затворения вводят 2,0% твердого продукта сульфатных вод...

Номер патента: 1818305

Опубликовано: 30.05.1993

Авторы: Боднар, Гончар-Быш, Москвитин

МПК: G01N 27/22

Метки: влажности, линейной, массы, плотности, текстильных

...п сигналы генераторов 1 и 2 поступают нэ информационные входы коммутаторов 8,9 и/2 соответственно, Причем каждая пара емкостных датчиков (рабочего и эталонного) подключается к одному коммутатору, Емкостные датчики 1 и 2 - к первому коммутатору 8, емкостные дат чики 3 и 4 - ко второму коммутатору 9, емкостные датчики (и) и ип/2 коммутатору, На управляющие входы коммутаторов от первого до п/2 поступают сигналы с первого до и выходов блока 7 логики, Причем на управляющие входы каждого коммутатора 10 3 и 4. Когда на выход первого коммутатора 8 поступает сигнал, прошедший рабочий ем-. костной датчик 1 блока 6, ключи 3 и 4 успевают переключиться по одному разу и выходной сигнал будет" представлять собой последовательную сумму сигналов О 1 и О,...

Номер патента: 1817929

Опубликовано: 23.05.1993

Авторы: Боднар, Быков

МПК: G01L 11/00

Метки: волоконно-оптический, давления, датчик

...приведены в работает следующим образом.табл,1. В качестве опорного оптического во Излучение от источника 1 когерентноголокна 4 - одномодовое волокно, параметры ,излучения через соединительное.оптичекоторого приведены в табл.2, Сигнальное и ское волокно поступает на разветвитель 2ОпООнов оптические волокна имеют одина- . излучения и делится на два потока равнойновую длину .1 м; : мощности, распространяющихся по сигФазовая чувствйтвельность Оптического 25 нальному й Опорному Оптическим волокйамволокна к действию температуры и дав,4, Под действием внешнего акустическоголений характеризуется коэффициентом давления происходитсдвигоптическойфазыФ и К - Уф г е А ф-с ви каквсигнальном такивонпОРномоптическомФ ЪТ . в ф ть Рф Е Вввокне....

Номер патента: 1787963

Опубликовано: 15.01.1993

Авторы: Боднар, Зюльков, Казаченко, Котов, Лозовский, Соловей, Ставров

МПК: C03C 3/078

Метки: оптический, просветляющийся, фильтр

...у стекол, активированных СиПЯ 2(1-х)Яе 2 х, где х изменяется от 0,1 до 0,7, выражающееся в увеличении пропускания в ближней инфракрасной области спектра с увеличением интенсивности возбужденного излучения, в то время как сами твердые растворы полупроводников СцпЯ 2 и Сц пЯе 2 не просветляются.Источником возбуждения служит пико- секунДный неодимовый"лазер (Яген,= 1,064 нм). Плотность потока, падающего на образец излучения, изменялась путем установки перед стеклом калиброванных нейтральных светофильтров, Для компенсации изменения пропускания образца перед регистрирующей системой устанавливали дополнительный блок нейтральных фильтров.При 300 К измеряли изменение оптической плотности стеколЛД/До = (Дз - До)/До,где Д - оптическая...

Номер патента: 1775673

Опубликовано: 15.11.1992

Автор: Боднар

МПК: G01R 13/24

Метки: временного, масштабно, преобразователя, развертки, формирования

...пилообразногоо напряжения. Этот процесс продолжается до установления длительности пилообразного напряжения равной длительности эталонного по длительности импульса, формируемых генератором масштабов 3. При этом равенстве импульс ошибки на выходе устройства сравнения 2 отсутствует, в результате этого блокируется вход задающего генератора 8, блокируется коммутатор кодов 10, устанавливается в исходное состояние счетчик подстройки 9 и разблокируется вход элемента И 14. Следующий импульс компарации с выхода блока компараторов калибровки 12 поступает через элемент И 14, коммутатор режимов 13, элемент ИЛИ 16 на вход счетчика адреса 15, который устанавливает на своем выходе код следующего адреса, На выходе генератора пилообразного...

Номер патента: 1770298

Опубликовано: 23.10.1992

Авторы: Боднар, Котов, Молочко, Раков, Соловей, Ставров

МПК: C03C 3/078

Метки: стекло

...нового компонента - соединения СцпЯег 15Иэ анализа советской и зарубежной литературы не известны стекла, в которых бы расширение спектрального диапазона поглощения при фиксированном положении границы поглощения достигалось за счет 20 введения СцПЯ 2(1-х)Яе 2 х и сохранения о стекле о количествах, обеспечивающих указанные спектральные свойства. Это позволяет сделать вывод, что заявляемое техническое решение обладает существен ными отличиями. Синтез стекол осуществляли путем плавления шихт, приготовленных из соответствующих реактиооо: кварцевого песка, 30 натрия углекислого, кальция углекислого, полупроводникового соединения СцпЯ 2(1-х) Яег, где: х изменяется от 0,1 до 1,0, находящихся в мелкодисперсном состоянии, в газопламенной печи при...

Номер патента: 1770297

Опубликовано: 23.10.1992

Авторы: Боднар, Гребенщикова, Зюльков, Колосенко, Котов, Ставров

МПК: C03C 3/078

Метки: стекло

...наиболее устойчивых при высоких температурах варки, с последующим образованием из оставшейся части серы и селена микрокристаллов красителя, Очевидно, что в этом случае положение границы поглощения будет определяться характером образовавшихся микрокристаллов, т,е, будет зависеть от температурно- временных условий термообработки.8 нашем случае соответствующее фиксированное положение границы поглощения будет определяться характером образовавшихся микрокристаллов, т.е. будет зависеть от температурно-временныхусловий термообработки,В нашем случае соответствующее фиксированное положение границы поглощения достигается введением В шихту сульфоселенида, ответственного эа поглощение в данной области спектра, и его сохранением В процессе варки и...

Номер патента: 1765049

Опубликовано: 30.09.1992

Авторы: Боднар, Дроздов, Моисеенко, Томашевский

МПК: B60R 21/13, B62D 33/06

Метки: кабины, каркас, трактора

...работ.Для подтверждения существенност отличительных признаков заявляемой кон струкции каркаса был проведен дополни тельный расширенный поиск, в процессс которого аналогичные технические реше ния не выявлены, Следовательно, заявля емая совокупность признаков являетс новой; существенной и создает возмож ность применения прогрессивного способ изготовления пространственной конструк ции - каркаса кабины за счет повышени технологичности и одновременно позволя ет значительно улучшить прочностные ха рактеристики каркаса.Таким образом, можно считать, что за являемое техническое решение соответст.вует всем критериям, предъявляемымСССР к изобретениям,50 55 На фиг. 1 изображен общий вид предлагаемой конструкции каркаса кабины трактора; на...

Номер патента: 1735785

Опубликовано: 23.05.1992

Авторы: Белецкий, Боднар, Земсков, Коляденко, Ляшенко, Храпач

МПК: G01N 33/92

Метки: активности, липолиза, организме

...ацетона в исследуемой среде в течение 5 - 7 с, Для определения степени липолиза нет необходимости в абсолютных величинах. Степень липолиза выражается в относительных единицах кратности - изменения электропроводности полупроводникового газочувствительного резистора, чувствительного по электропроводности к ацетону, экспонируемого в выдыхаемом воздухе исследуемого организма по отношению к электропроводности данного полупроводникового газочувствительного резистора, экспонируемого в выдыхаемом воздухе сытого здорового животного, человека в состоянии покоя, т.е. по отношению к состоянию минимального липолиза и максимального липогенеза организма, что достаточно для экспресс-диагностики состояния липидного обмена организма. Интервал (0.1 -...

Номер патента: 1701658

Опубликовано: 30.12.1991

Авторы: Боднар, Котов, Молочко, Раков, Соловей, Ставров

МПК: C03C 3/078

Метки: стекло

...к термообработке стекло включает, мас, . 902 68,96-74.36; йа 20 14,89-16,06; СцЬЗ 0,74-0,99; Саа 3,68- 8,57; ВаО 0,02-11,73 или Сб 0,02-10,01. Крутизна границы поглощения К =- Игр - 100 - Ир для данного стекла равна 0,2314-0,5500, 3 табл,здания восстановительной среды в вводят уголь в количестве 2 мас, 7 ь 100 ), При этом для варки стекол, со щий СбО,часть угля может быть замещена на серу в количестве 0,01-1,0 мас.(содержание угля должно быть не менее 1,0 мас. ф), Выработку стекломассы осуществляют на холодную плиту с последующим отжигом стекол в муфельной электрической печи при 5705 С в течение 2 ч. Исследования спеКТ- ральных характеристик проводят на образцах в виде полированкных плоскопараллельных плес Гинок толщиной 2...

Номер патента: 1687399

Опубликовано: 30.10.1991

Авторы: Боднар, Гостомельский, Гуслистый, Лобанов, Пак, Томашевский, Шинлов

МПК: B23K 11/00

Метки: давлением, сварки

...исходном положении подвижные корпуса 9 и 1 О разведены относительно неподвижного корпуса 2 приводными16 Н 7399 оставитель Т,Мочаловехред М Моргентал Редактор Л.Нэродн ректор А.Осауленк акаэ 3667 ВНИИПО Госу Тираж Подписное дарственного комитета по изобретениям и открытиям пр 113035, Москва, Ж, Раушская нэб 4/5 водственно-издательский комбинат "Патент", г Ужгород ул,Гагарина, 101и ГКНТ СССР цилиндрами 11 и 12. На неподвижный корпус 2 параллельно последовательно друг за другом устанавливаются стрингеры 19 - средние детали изделия. На подвижные корпуса 9 и 10 перпендикулярно стрингерам укладывают шпанггцтц 20 и 21. При закреплении стрингеров 19 зажимными устройствами 3, 4 подпружиненные ролики 5 и 6 под действием усилия эажатия устройств...

Номер патента: 1687256

Опубликовано: 30.10.1991

Авторы: Боднар, Викалюк, Гнатюк

МПК: A61B 10/00

Метки: коронарного, кровообращения, практике, прозекторской, сердца, состояния

...ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж, Раушская наб., 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент". г, ужгород, ул,Гагарина, 101 сосуды, вскрывают клапаны по И.К, Есиповой, В результате рассечения сердца получают отдельные его части: левый и правый желудочки, межжелудочковая перегородка, левое и правое предсердия, межпредсердная перегородка. Перечисленные части сердца погружают в мерный сосуд с водой и по количеству вытесненной жидкости определяот объем каждого отдела сердечной мышцы: левого (Члж), правого (Чпк) желудочков, межжелудочковой перегородки (Чл), левого (Члл), правого(Чпп) предсердий, межпредсердной перегородки (Чр) и суммарный (общий) объем ф,). Вычисляют индекс...

Номер патента: 1678786

Опубликовано: 23.09.1991

Авторы: Боднар, Котов, Молочко, Раков, Соловей, Ставров

МПК: C03C 3/078

Метки: стекло

...значения оптических свойств стекла не изменяются при термообработке при 650 С в течение 4 ч. 2 табл. газопламенной печи при максимальной температуре 1450 +10 С с выдержкой в течение 1 ч в восстановительных условиях, Аля создания восстановительной среды в шихту вводят уголь в количестве 2,0 мас., Выработку стекломассы осуществляют на холодную плиту с последующим отжигом образцов в муфельной электрической печи при 570+ 5 С в течение 2 ч. Исследования спектральных характеристик проводят на образцах в виде полированных плоскопараллельных пластинок толщиной 2 мм.В табл,1 приведены конкретные примеры составов стекла, а в табл.2 - их свойства,Численное значение крутизны границы поглощения определяют пол формулеК =АЬР - 1 о 0 АЬРгде А Ь и А ЬР...

Номер патента: 1678785

Опубликовано: 23.09.1991

Авторы: Боднар, Котов, Молочко, Раков, Соловей, Ставров

МПК: C03C 3/078, C03C 4/08

Метки: стекло

...среды в шихту вводят уголь в количестве 2,0 мас.7(,. При этом часть угля может быть заменена на серу в количестве 0,01 - 1,0 мас. (содержание С должно быть не1 ф,). Выработку стекломассы осуществляют на холодную плиту с последующим отжигом образцов в муфельной электрической печи при 570- 5 С в течение 2 ч. Исследование спектральных характеристик проводят на образцах в виде полированных плоскопараллельных пластинок толщиной 2 мм.1678785 Табл и ца 1 Таблица 2 причем на чертеже представлены их спектральные характеристики, при этом номера спектральных кривых соответствуют номерам полученных составов стекол (кривая 4 характеризует известное стекло).Стекло окрашивается в процессе синтеза и не требует дополнительной термообработки....

Номер патента: 1677026

Опубликовано: 15.09.1991

Авторы: Боднар, Котов, Молочко, Раков, Соловей, Ставров

МПК: C03C 3/078, C03C 4/08

Метки: стекло

...на холодную плиту с последующим отжигом образцов в муфельной электрической печи при 570 С в течение 2 ч. Исследования спектральных характеристик проводили на образцах в виде полированных плоскопараллельных пластинок толщиной -2 мм.В табл.1 приведены конкретные примеры составов стекол, в табл.2 - их свойства,На фиг.1,2 представлены спектральные характеристики стекол,при этом номера спектральных кривых соответствуют номерам составов, приведенным в таблице 1 (кривая 8 совпадает в кривой 6),Стекло окрашивается в процессе синтеза и не требует дополнительной термообра1677026 Таблица 1 Таблица 2 ботки, Длинноволновой край полосы поглощения расположен в инфракрасной области,Положение полосы поглощения у предлагаемого стекла связано с...

Номер патента: 1677025

Опубликовано: 15.09.1991

Авторы: Боднар, Котов, Молочко, Раков, Соловей, Ставров

МПК: C03C 3/078, C03C 4/08

Метки: стекло

...Длина волны, соответствующая началу области прозрачности, составляет 1,1 мкм. 2 табл 1 ил,состоянии, в газопламенной максимальной температуре с выдержкой в течение часа ительных условиях, Для созда- а овительной среды в шихту ввоь в количестве 2,0 мас. Д, стекломассы осуществляли на литу с последующим отжигом муфельной электрической печи С атуре 5704-5 С в течение 2 ч, ЬЭя спектральных характеристик (Л а образцах в виде полированараллельных пластинок толщидисперсномпечи при1450+10 Св восстановния восстандили уголВыработкухолодную побразцов впри темперИсследованипроводили нных плоскопной 2 мм.,Таблица 1 Таблица 2 ботки, Длинноволновой край полосы поглощения расположен в инфракрасной областиПоложение полосы поглощения у предлагаемого...

Номер патента: 1675240

Опубликовано: 07.09.1991

Авторы: Боднар, Котов, Молочко, Раков, Соловей, Ставров

МПК: C03C 3/078, C03C 4/08

Метки: стекло

...состоянии, в газопламенной печи при максимальной температуре 1450+10 С с выдержкой в течение часа в восстановительных условиях. Для создания восстановительной среды в шихту вводили угорь в количестве 2,0 мас.%. Выработку стекломассы осуществляли на холодную плиту с последующим отжигом образцов в муфельной электрической печи при температуре 570+5 С в течение 2 ч, Исследования спектральных характеристик проводили на образцах в виде полированных плоскопараллельных пластинок толщиной 2 мм.В табл.1 приведены конкретные примеры составов стекол; в табл. 2 - их свойства,На фиг.1 представлены их спектральные характеристики, при этом номера спектральных кривых соответствуют номерамсоставов, приведенным в табл.1, состав 1 стекло-прототип.Стекло...

Номер патента: 1675239

Опубликовано: 07.09.1991

Авторы: Боднар, Котов, Молочко, Раков, Соловей, Ставров

МПК: C03C 3/078, C03C 4/08

Метки: стекло

...- повышение крутизны границы поглощения и сужение переходной области при сохранении длинноволнового края поглощения в ближней инфракрасной области спектра и одновременном обеспечении нечувствительности его к термообрабортке,Стекло имеет следующий состав, мдс.%: 3102 74.36-78,76; Ма 20 6,18-16,05; СаО 8.59-9,10: 020 0.01 - 5,22; Со п 52 0,74-0,99,Синтез стекла осуществляли путем плавления шихт, приготовленных из соответствующих реактивов; кварцевого песка, натрия углекислого, кальция углекислого, лития углекислого и полупроводникового соединения Сцп 52, находящихся в мелкодисперсном состоянии, в газопламенной ов лазерной технияет повысить крущения и сузить сохранении длин- щения в ближней пектра и одновреечувствительности текло имеет...

Номер патента: 1669027

Опубликовано: 07.08.1991

Авторы: Белоненко, Боднар, Немый

МПК: H02B 15/04

Метки: распределительный, средства, транспортного, щит, электрический

...соответствии со схемои электрооборудования посредством печатного 45монтажа,Функциональные блоки сигнализации иуправления тормозной системой 8 наружного освещения и сигнализации 9, дополнительного оборудования 10 представляют 50собой узлы, в ко 1 орых собраны ког 1 лутирующие стандартггые реле 21, Реле 21 и кэждом функциональном блоке Я -10 соединенымежду собой н соответствии гго скел 1 ои электрооборудования посредс 1 вол 1 г 1 ечэгногг, 55монтажа. Для подключения функционаггьных блоков 7 10 к элгктрической и, итранспортнг 1 гсредсгва,казанные б оснабжены ггг 1 г.ерг ыми вь нодами, . кс горым подсо.Лн н:к у 1 1 л гп динигеглиьгн колодками 22, установленными на ответвлениях 23 укаэанного жгута. Кроме того, жгут 14 подсоединяется...

Номер патента: 1661515

Опубликовано: 07.07.1991

Авторы: Беднягин, Боднар, Добриян, Мухин, Наумов, Пирогов

МПК: F16D 41/06

Метки: механизм, свободного, хода

...5 размещен в гнезде, образованном лепестками 13 и 14 и фиксатором 15положения ролика с возможностью враще ния, Для уменьшения поверхности контактаролика и прижима на рабочей поверхности,фиксатора положения ролика могут быть, выполнены выступы в виде эигов 16, обращенные выпуклостью к ролику,Ширина прижима выбирается меньшеширины звездочки, что предотвращает егоконтакт с другими деталями механизма пообразующей.Механизм свободного хода работаетследующим образом.При вращении звездочки 3 ролики 5 поддействием прижимов 6 закатываются в узкую часть пространства между звездочкой иобоймой и заклиниваются между ними, Приэтом обойма 2 с ведомым валом 1 вращаетсявместе с звездочкой 3, Постоянное соприкосновение роликов 5 с рабочими поверхностями...

Номер патента: 1660897

Опубликовано: 07.07.1991

Авторы: Боднар, Вовк, Гостомельский, Лобанов, Пак, Томашевский, Шинлов

МПК: B23K 11/04

Метки: контактной, сварки, стыковой

...плите 1, закреплена заготовка 12, свариваемая по боковой поверхности. Привариваемая по торцу заготовка 13 закреплена на каретке 7 и направлена к заготовке 12 под углом а. Устройство является симметричной конструкцией относительно своей оси.Устройство для сварки таврового соеди- нения работает следующим образом,В исходном положении подвижная плита 4 находится в нижнем положении, шток цилиндра 5 оплавления и осадки втянут, упор 6 соприкасается с наклонным выступом каретки 7 у верхней кромки, заготовки 12 и 13 закреплены в своих зажимных устройствах.При оплавлении под действием приводного цилиндра 5 по направляющим стоек 3 подвижная плита 4 вместе с кареткой 7 и заготовкой 13, свариваемой по торцу, перемещается вверх со скоростью...

Номер патента: 1648673

Опубликовано: 15.05.1991

Авторы: Боднар, Кучук-Яценко, Либерман, Патон, Томашевский, Шинлов

МПК: B23K 11/04

Метки: замкнутых, профилей

...рассчитанной динамике оплавления, осадки и перемещения раскосов и поясов достигается высокое качество сварных швов при использовании контактной стыковой сварки. 2 ил,щих зажимы с токоподводом, в процессе оплавления и осадки поворачивают вокруг точек О с угловой скоростью ЧЧ, обеспечивающей постоянное местоположение нагреваемого участка АС на полке фермы, а несмотря на выплавление металла раскоса. 0, Трансформаторы 5 подключены к каждому р свариваемому стыку,При этом обеспечивается четкая связь и зависимость между припуском на сварку ф Л= ВО, перемещением пояса Ь = ЕН и углом поворота раскоса а 1 (фиг, 2), На основании Ы геометрических преобразований получены следующие зависимости, на основании которых должна рассчитываться кинематика а...

Номер патента: 1644865

Опубликовано: 30.04.1991

Авторы: Боднар, Глуханюк, Гомельский, Судит

МПК: A01M 7/00

Метки: опрыскиватель

...воздуховод 1, а фиксирующий элемент 6, который представляет собой держатель с лопаткой, направлен в сторону вентилятора 9. Угол между пластиной 5 и фиксирующим элементом 6 предпочтитсльно равен 90, чтобы в двух конечных положениях поворотной заслонки один из них лежал на стенке напорного воздуховода 1, а второй располагался четко поперек него.Опрыскиватель работает следующим образом.Пока вентилятор 9 не включен, пружина 8 удерживает заслонку в таком положении, при котором пластина 5 занимает положение поперек напорного воздуховода 1, а фиксирующий элемент 6 лежит на его стенке. Б это время клапан 4 закрыт, При постепенном наборе вентилятором 9 оборотов и увеличении скорости воздушного потока он, воздействуя на пластину 5,...