Емельянов

Номер патента: 644301

Опубликовано: 20.07.2012

Авторы: Бекирев, Емельянов, Лаврищев, Полторацкий, Сидоров, Тютюнов

МПК: H01L 33/00

Метки: светодиод

1. Светодиод со сплошным электро- и теплоотводящим контактом со стороны, противоположной световыводящей поверхности, на основе p-n-гетероструктуры с изменяющейся шириной запрещенной зоны, отличающийся тем, что, с целью повышения эффективности, между сплошным контактом и p-n-переходом он содержит слой полупроводника с градиентом концентрации примеси у контакта, препятствующим растеканию неосновных носителей, с, по крайней мере, одним участком с увеличивающейся к p-n-переходу шириной запрещенной зоны толщиной, большей обратной величины коэффициента поглощения для излучения светодиода и не превышающей нескольких диффузионных длин неосновных носителей.2. Светодиод по п.1, отличающийся...

Номер патента: 699926

Опубликовано: 20.07.2012

Авторы: Бекирев, Емельянов, Кононов, Лаврищев, Маслобоев, Михеев, Полторацкий, Шокин

МПК: G02B 6/00, G02B 6/12

Метки: интегральной, оптики, элемент

Элемент интегральной оптики, волноводные области которого ограничены с двух противоположных сторон слоями структуры, а с двух других сторон - областями с меньшим показателем преломления, отличающийся тем, что, с целью улучшения волноводных свойств элемента при одновременном создании его сложной конфигурации на глубине до 50 мкм, области с меньшим показателем преломления выполнены из собственного термического окисла полупроводникового материала.

Номер патента: 820559

Опубликовано: 20.07.2012

Авторы: Бекирев, Емельянов, Рябоштан, Садовой, Сидорова

МПК: H01L 33/00

Метки: variant, излучательный, полевым, управлением, элемент

1. Излучательный элемент с полевым управлением, содержащий заключенные между токовыми электродами полупроводниковую излучательную структуру, состоящую из подложки и слоев противоположного типа проводимости, образующих p-n-переход, расположенную на эмиттерном слое упомянутой структуры дополнительную полупроводниковую область и МДП-структуру, отличающийся тем, что, с целью выведения света наружу со стороны, противоположной подложке, упомянутая дополнительная полупроводниковая область выполнена в виде слаболегированного слоя противоположного с эмиттерным слоем типа проводимости с гетеропереходом внутри слоя, причем внешняя часть указанного слоя - более широкозонная, чем прилегающая к...

Номер патента: 505248

Опубликовано: 20.07.2012

Авторы: Бекирев, Емельянов, Лаврищев, Полторацкий

МПК: H05B 33/02

Метки: гетероструктура

1. Гетероструктура с p-n-переходом, в которой суперинжекция и излучательная рекомбинация носителей осуществляются в узкозонном слое, отличающаяся тем, что, с целью повышения эффективности гетероструктуры и стабилизации ее излучательных параметров, область излучательной рекомбинации отделена от области объемного заряда p-n-перехода слоем с переменной шириной запрещенной зоны такой толщины, что время переноса инжектированных носителей через него меньше времени жизни носителей.2. Гетероструктура по п.1, отличающаяся тем, что, с целью повышения ее эффективности при одновременном уменьшении рабочих токов, область излучательной рекомбинации выполнена в виде потенциальной ямы, размеры...

Номер патента: 1457575

Опубликовано: 20.04.2007

Авторы: Емельянов, Жуковский, Кузнецов, Полосатов, Хорошев, Юшкин

МПК: G01N 23/18

Метки: гамма-дефектоскоп

1. Гамма-дефектоскоп, содержащий подвижный держатель источника, блок радиационной защиты, имеющий осевой канал для размещения держателя источника, затвор и соосное каналу коллимирующее устройство, механизм перемещения держателя источника из положения хранения в положение облучения и обратно, дистанционный пульт управления указанным механизмом, отличающийся тем, что, с целью повышения мобильности дефектоскопа и производительности контроля, затвор выполнен из двух подвижных частей, одной - поворотной, имеющей сквозной канал, соосный в двух положениях этой части затвора каналу блока защиты, другой - выполненной с возможностью возвратно-поступательного перемещения по каналу блока защиты,...

Номер патента: 1840208

Опубликовано: 20.08.2006

Авторы: Алехин, Васенков, Емельянов, Чегнов, Чегнова

МПК: H01L 21/265

Метки: iiвvi, диэлектрик-полупроводник, структур, типа

Способ изготовления структур диэлектрик - полупроводник типа АIIВVI, преимущественно Cdx Hg1-x Tl, где х=0,2-0,3, включающий анодное окисление поверхности полупроводниковой пластины, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества структур, перед анодным окислением поверхность пластины подвергают ионному легированию до концентрации 1014-1016 см-2 элементом второй группы периодической системы, порядковый номер которого не превышает наименьшего порядкового номера элемента второй группы, входящего в состав соединения АII ВVI, а анодное окисление проводят на глубину залегания легированного...

Номер патента: 1840207

Опубликовано: 20.08.2006

Автор: Емельянов

МПК: H01L 29/02

Метки: полупроводниковый, прибор

Полупроводниковый прибор на основе антимонида индия, содержащий раздел полупроводник - диэлектрик, отличающийся тем, что, с целью улучшения электрофизических параметров прибора, в качестве диэлектрика использован материал, у которого рассогласование двумерной решетки не превышает 12% от постоянной двумерной решетки антимонида индия.

Номер патента: 1840206

Опубликовано: 20.08.2006

Авторы: Алехин, Емельянов

МПК: H01L 21/316

Метки: aiii, анодного, окисления, полупроводников, типа

1. Способ анодного окисления полупроводников типа АIII ВV путем электрохимической полировки полупроводниковых пластин с последующим анодированием, отличающийся тем, что, с целью улучшения электрофизических параметров границы раздела полупроводник-анодный окисел, полировку и анодирование проводят в электролите одного качественного состава, не вынимая пластин из электролита,2. Способ анодного окисления по п.1, отличающийся тем, что полировку пластин антимонида индия проводят в 10N растворе КОН при токе 0,75-3,0 мА/см2 в течение 10-30 минут, затем разбавляют раствор водой до концентрации 0,1N и анодирование проводят при том же токе.3. Способ...

Номер патента: 1840205

Опубликовано: 20.08.2006

Авторы: Алехин, Емельянов, Лаврищев

МПК: H01L 21/306

Метки: анодного, антимонида, индия, окисления, электролит

Номер патента: 1840204

Опубликовано: 20.08.2006

Авторы: Алехин, Емельянов

МПК: H01L 21/316

Метки: aiiibv, диэлектрических, мдп-структур, основе, пленок, полупроводниковых, соединений

1. Способ получения диэлектрических пленок для МДП-структур на основе полупроводниковых соединений AIIIBV путем анодного окисления полупроводниковой пластины, погруженной в электролит, отличающийся тем, что, с целью получения диэлектрических пленок с заданным по величине и знаку встроенным зарядом, полупроводниковую пластину погружают последовательно в два электролита, первый из которых характеризуется величиной вводимого в пленку заряда на 0,5-10 В меньше заданной, второй - на 0,5-10 В больше заданной. 2. Способ по п.1, отличающийся тем, что для МДП структур на основе JnSb в качестве первого электролита используют электролит состава, вес.%:Аммоний...

Номер патента: 1840203

Опубликовано: 20.08.2006

Авторы: Алехин, Емельянов, Лаврищев

МПК: H01L 21/316

Метки: анодного, галогенсодержащих, окисления, пластин, полупроводниковых, электролитах

1. Способ анодного окисления полупроводниковых пластин в галогенсодержащих электролитах путем подачи положительного напряжениян на окисляемую пластину, отли-чающийся тем, что, с целью повышения качества окисления, перед подачей положительного напряжения на пластину в непосредственной близости от нее генерируют галоген-радикалы путем подачи отрицательного напряжения 3-10 В на пластину или на дополнительно вводимый электрод.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что отрицательное напряжение, поданное на пластину, выдерживают в течение 5-60 с, после чего полярность меняют.3. Способ по п.1, отличающийся тем, что отрицательное напряжение на дополнительно вводимый электрод подают в...

Номер патента: 1840202

Опубликовано: 20.08.2006

Авторы: Алехин, Емельянов, Лаврищев

МПК: H01L 21/306

Метки: iiiвv, анодного, окисления, полупроводников, типа, электролит

1. Электролит для анодного окисления полупроводников типа АIIIВV, содержащий органический растворитель, кислородосодержащую и электропроводную составляющую, отличающийся тем, что, с целью улучшения параметров границы раздела полупроводник - анодный окисел, электролит дополнительно содержит четыреххлористый углерод в количестве 5-15 вес.%.2. Электролит по п.1, содержащий органический растворитель, пирофосфорную кислоту, отличающийся тем, что электролит дополнительно содержит четыреххлористый углерод при следующем соотношении компонентов, вес.%:Пирофосфорная кислота 0,3-3,0Четырехлористый углерод 5-15Растворитель остальное

Номер патента: 1840198

Опубликовано: 10.08.2006

Авторы: Галенко, Емельянов, Мерунко

МПК: H03B 23/00, H03L 7/18

Метки: генератор, действия, задающий, направленного, программный

Программный задающий генератор направленного действия, содержащий соединенные последовательно тактовый генератор, счетчик импульсов, цифроаналоговый преобразователь и управляемый преобразователь тока в частоту, отличающийся тем, что, с целью повышения точности и увеличения динамического диапазона изменения частоты, управляемый преобразователь тока в частоту выполнен по схеме с интегрирующими конденсаторами и вход управляемого преобразователя тока в частоту подключен к выходу цифроаналогового преобразователя через введенный стабилизатор тока.

Номер патента: 1840192

Опубликовано: 10.08.2006

Авторы: Алехин, Варламов, Дрозд, Емельянов

МПК: H01L 21/31

Метки: диэлектрик-полупроводник, кадмий-ртуть-теллурид, создания, структуры

Способ создания структуры диэлектрик-полупроводник кадмий-ртуть-теллурид, включающий формирование на поверхности полупроводниковой подложки анодного окисла и последующее нанесение в вакуумной камере слоя сульфида цинка, отличающийся тем, что, с целью повышениях стабильности характеристик структуры, слой сульфида цинка наносят циклично при температуре подложки 10-60°С, давлении паров диэтилцинка и сероводорода в вакуумной камере не менее 5 мм рт.ст и выдержке не менее 0,1 с.

Номер патента: 1840187

Опубликовано: 10.08.2006

Авторы: Бахтин, Гонтарь, Емельянов, Кандыба

МПК: H01L 21/00

Метки: а3в5, анодного, окисления, полупроводниковых, сложных, соединений, электролит

Номер патента: 1840172

Опубликовано: 27.06.2006

Авторы: Алехин, Белотелов, Емельянов, Солдак

МПК: H01L 21/316

Метки: арсенида, диэлектрических, индия, мдп, основе, пленок, растворов, структур, твердых

Способ получения диэлектрических пленок для МДП структур на основе арсенида индия и его твердых растворов, включающий погружение полупроводниковой пластины в первый электролит, содержащий органический растворитель, электропроводящий компонент и галогеносодержащую добавку и подачу на пластину электрического напряжения, отличающийся тем, что, с целью повышения обнаружительной способности МДП структур путем снижения величины встроенного заряда и плотности ловушек в диэлектрических пленках, в качестве галогеносодержащей добавки используют аммоний фтористый в количестве 1,6-1,8 вес.%, после анодирования в первом электролите, полупроводниковую пластину погружают во второй электролит,...

Номер патента: 1840166

Опубликовано: 27.06.2006

Авторы: Алехин, Егоркин, Емельянов

МПК: H01L 21/20

Метки: диэлектрик, диэлектрика, многокомпонентный, переходной, слой, структура, —полупроводник

Структура многокомпонентный полупроводник - переходной слой диэлектрика - диэлектрик, содержащая в качестве переходного слоя химические соединения одного или нескольких элементов, входящих в состав полупроводника, отличающаяся тем, что, с целью улучшения электрофизических параметров структуры, химические соединения выбраны таким образом, чтобы сумма их нормированных объемов была меньше нормированного объема полупроводника на 1-15å 3.

Номер патента: 491259

Опубликовано: 10.05.2006

Авторы: Емельянов, Зарецкий, Крылов, Левинтан, Синицын, Ярыгин

МПК: B64D 37/24, B64D 37/32

Метки: аппаратов, баков, газом, летательных, наддува, нейтральным, топливных

1. Система наддува нейтральным газом топливных баков летательных аппаратов, содержащая снабженный предохранительным клапаном источник нейтрального газа, соединенный с топливным баком, оборудованной предохранительным клапаном расходной магистралью с установленными на ней регулятором высокого давления и регулятором низкого давления, управляемым давлением в топливном баке; двухкомпонентный газовый регулятор-пропорционер, один канал которого соединен с расходной магистралью, а другой - с воздушной магистралью, и обратный клапан, отличающаяся тем, что, с целью повышения надежности в работе и экономичности системы, в расходной и воздушной магистралях установлены запорные клапаны, управляемые...

Номер патента: 841475

Опубликовано: 20.01.2006

Автор: Емельянов

МПК: G01M 1/22

Метки: балансировочному, опорного, станку

Устройство к балансировочному станку для получения опорного напряжения по авт. св. № 645431, отличающееся тем, что, с целью обеспечения точности определения дисбалансов в широком диапазоне частот вращения балансируемых изделий, оно снабжено амплитудным дискриминатором, входы которого связаны с выходами второго триггера, а выход - с источником питания триггеров.

Номер патента: 1344097

Опубликовано: 20.12.2005

Авторы: Гаврилов, Емельянов, Макаренко, Тепанов, Фадеева, Ченакин

МПК: G05D 16/20

Метки: давления, регулятор

1. Регулятор давления, содержащий упругий чувствительный элемент, соединенный с одним плечом коромысла, последовательно включенные датчик положения коромысла, фазочувствительный усилитель и реверсивный двигатель с редуктором, а также задатчик, отличающийся тем, что, с целью повышения быстродействия и динамической точности регулятора, в него введены цифроаналоговый преобразователь, магнитоэлектрический обратный преобразователь и пропорциональный пневматический регулирующий узел, при этом выход задатчика через цифроаналоговый преобразователь подключен к обмотке магнитоэлектрического обратного преобразователя, закрепленной на другом плече коромысла, а пропорциональный пневматический...

Номер патента: 204419

Опубликовано: 10.11.2005

Авторы: Авруцкий, Вальков, Гаврилин, Гросс, Емельянов, Костылева, Петров, Соболев, Успенский, Уткин, Федотов, Хабаров

МПК: G05F 1/40

Метки: автопилот, переменной, структурой

1. Автопилот с переменной структурой для летальных аппаратов, содержащий датчики состояния аппарата (например, датчики перегрузки, угловой скорости, ускорения и т.п.), блок формирования задающей координаты (например, перегрузки), управляющее, переключающее и рулевое устройства и блок сравнения, отличающийся тем, что, с целью улучшения устойчивости и качества процессов управления и стабилизации летательного аппарата, в нем переключающее устройство выполнено в виде последовательно соединенных суммирующего и дифференцирующего усилителя, ключевой схемы равнозначности с двумя входами и элемента изменения структуры (например, инвертора знака или делителя коэффициента передачи в прямой цепи), и...

Номер патента: 1218614

Опубликовано: 27.05.2005

Авторы: Емельянов, Киселев

МПК: B64D 33/02

Метки: двигателя, защиты

Устройство защиты двигателя, содержащее воздуховод с выполненными на нем гнездами, компенсационную проставку с выполненными на ней законцовками, установленную в гнездах воздуховода, отличающееся тем, что, с целью повышения технологичности сборки воздуховода и надежности работы двигателя, оно снабжено двумя спиральными пружинами, на гнездах воздуховода выполнены кольцевые выступы, а на компенсационной проставке - упоры, при этом спиральные пружины установлены между упорами компенсационной проставки и кольцевыми выступами гнезд воздуховода.

Номер патента: 1046998

Опубликовано: 20.05.2005

Авторы: Абдурагимов, Емельянов, Куприн, Макаров, Семенов

МПК: A62C 31/12

Метки: пожара, тушения

1. Устройство для тушения пожара по авт.св. № 957481, отличающееся тем, что, с целью повышения эффективности тушения путем более полного использования пены высокой кратности, оно имеет по крайней мере один дополнительный генератор высокократной пены и дополнительный насадок-распылитель, причем все генераторы и насадки-распылители размещены в два ряда и в шахматном порядке, а расстояние между соседними генератором и насадком-распылителем составляет 4-6 калибров последнего.2. Устройство по п.1, отличающееся тем, что оно имеет продольные тяги с приводом, шарнирно соединенные с генераторами и насадками-распылителями для их синхронного поворота в горизонтальной плоскости.

Номер патента: 440875

Опубликовано: 10.05.2005

Авторы: Берзон, Емельянов, Цыганов, Чудаков

МПК: B64D 37/16

Метки: баков, заправки, самолета, топливных

Система заправки топливных баков самолета, содержащая два отсечных крана, установленные на магистрали заправки бака, причем командное устройство одного из них соединено управляющей связью с гидравлическим, а другого – с электрическим сигнализаторами заполнения бака, отличающаяся тем, что, с целью повышения надежности работы системы заправки, клапан командного устройства каждого из кранов установлен в канале, соединяющем заправляемый бак с внутренней полостью установленного в кране сильфона, на подвижном торце которого укреплен запорный орган с дроссельным отверстием, сообщающим полость сильфона с магистралью заправки.

Номер патента: 658850

Опубликовано: 10.05.2005

Авторы: Емельянов, Ярыгин

МПК: B64D 37/32

Метки: баков, дренажа, наддува, самолета, топливных

Система дренажа-наддува топливных баков самолета, содержащая магистраль наддува с мембранным азотным обогатителем воздуха, отбираемого от компрессора двигателя, регулятор давления, обратный и дренажный клапаны, отличающаяся тем, что, с целью повышения надежности защиты от взрыва в процессе высотного маневра путем замещения выделяемого из топлива кислорода азотом, введена продувочная линия топливного бака, соединенная с магистралью наддува перед регулятором давления и за обратным клапаном через соответствующие обратные клапаны.

Номер патента: 433746

Опубликовано: 10.05.2005

Авторы: Емельянов, Зажигин, Павлов

МПК: B64D 37/02

Метки: баков, промывки, топливных

Устройство для промывки топливных баков, содержащее наконечник и полую штангу, оборудованную механизмом вертикального перемещения в виде поршня, заключенного в двухкамерный цилиндр, отличающееся тем, что, с целью повышения эффективности промывки топливных баков, наконечник выполнен в виде многолопастной крыльчатки, установленной на конце вертикально расположенного вала, закрепленного в штанге на подшипниках и снабженного приводной турбиной, установленной в потоке моющей жидкости внутри штанги.

Номер патента: 425441

Опубликовано: 10.05.2005

Авторы: Берзон, Емельянов, Крылов

МПК: B64D 37/32

Метки: баков, наддува, самолета, топливных

Система наддува топливных баков самолета, содержащая магистраль подачи нейтрального газа от источника в баки с установленными на ней редуктором и регулятором давления наддува, камера командного давления которого сообщена с зоной наддува расходного бака, отличающаяся тем, что, с целью повышения живучести самолета путем сохранения необходимого запаса нейтрального газа за счет ограничения подачи его в поврежденный бак, на трубопроводе параллельно регулятору давления наддува установлены дополнительный регулятор давления и запорный кран, управляемый по сигналу индикатора критической скорости снижения самолета.

Номер патента: 640518

Опубликовано: 10.05.2005

Авторы: Беляков, Емельянов, Талакин, Чекалов, Ярыгин

МПК: B64D 37/32

Метки: баков, наддува, топливных

1. Система наддува топливных баков, содержащая магистраль подачи нейтрального газа от его источника и дренажные клапаны большего и меньшего давлений, установленные на соединенных линией перепуска трубопроводах наддуве бака-аккумулятора и расходного бака, а также регулятор на линии перепуска и редукторы, отличающаяся тем, что, с целью повышения взрывобезопасности в широком диапазоне режимов полета, линии перепуска подключена к трубопроводу наддува бака-аккумулятора на участке после встроенного в него редуктора, вход которого соединен с выходом редуктора на трубопроводе наддува расходного бака через нормально открытый канал пневмореле, рабочая камера которого при помощи командной линии,...

Номер патента: 474231

Опубликовано: 10.05.2005

Авторы: Берзон, Емельянов, Пичугин

МПК: B64D 37/28

Метки: аппарата, летательного, проверки, работоспособности, системы, топливной

Устройство для проверки работоспособности топливной системы летательного аппарата, содержащее дроссель и двухпозиционный переключатель, установленные на трубопроводе, соединяющем коллектор топлива высокого давления с линией командного давления нормально закрытого крана на магистрали приводного топлива турбоприводного перекачивающего насоса и сигнализаторы давления, отличающееся тем, что, с целью упрощения устройства и повышения надежности его работы, указанный трубопровод подключен к линии командного давления на участке между нормально закрытым краном и обратным клапаном, установленным на этой линии за местом соединения ее со сливным патрубком поплавкового сигнализатора.

Номер патента: 459942

Опубликовано: 10.05.2005

Авторы: Емельянов, Крылов, Лученок

МПК: B64D 37/32

Метки: аппарата, баков, взрыва, летательного, предотвращения, топливных

Устройство для предотвращения взрыва топливных баков летательного аппарата, содержащее распылители топлива, установленные на концах топливопроводов в надтопливных пространствах баков, соединенных трубопроводами с источником сжатого воздуха, отличающееся тем, что, с целью повышения надежности работы устройства, заборные патрубки топливопроводов распылителей выведены в придонные зоны баков, а распылители выполнены в виде инжекторов, подключенных отдельными трубопроводами к источнику сжатого воздуха.