Брюхно

Номер патента: 1737904

Опубликовано: 27.10.1999

Авторы: Бесперстова, Борейко, Брюхно, Ибашев, Исаков, Тихомиров, Янчук

МПК: C08C 19/04, C08J 11/10

Метки: пленкообразующего

Способ получения пленкообразующего термоокислительной деструкцией диенового каучука путем подачи воздуха через раствор каучука в присутствии сиккатива, отличающийся тем, что, с целью упрощения технологии, изопреновый каучук или его отходы в смеси с 5 - 10 мас.% в расчете на изопреновый полимер кубовых остатков ректификации стирола окисляют при подаче воздуха со скоростью 1,7 - 2,0 л/кг каучука или его отходов в час при 120 - 130oС до вязкости раствора продукта деструкции 25 - 30 с с последующей обработкой раствора деструкции 3 - 5 мас.% в расчете на изопреновый каучук или его отход гидроперекиси изопропилбензола.

Номер патента: 1266402

Опубликовано: 20.05.1996

Автор: Брюхно

МПК: H01L 21/306

Метки: анизотропного, мезоструктур, травления

Способ анизотропного травления мезоструктур, включающий формирование на поверхности кремниевой пластины с ориентацией рабочей поверхности в плоскости [100] прямоугольных участков маски, стороны которых ориентированы в направлениях [110] формирование в углах прямоугольных участков корректирующих фигур, анизотропное травление кремния в местах пластины, свободных от маски, отличающийся тем, что, с целью повышения разрешающей способности процесса за счет уменьшения размеров разделительных канавок, формирование прямоугольных участков маски и травление кремния проводят вначале вдоль одного из направлений [110] затем осуществляют маскирующее окисление полученной поверхности и проводят формирование прямоугольных участков маски и травление кремния...

Номер патента: 644283

Опубликовано: 20.09.1995

Авторы: Брюхно, Волков, Игнатова, Янчук

МПК: B01J 21/04, B01J 23/00, C07C 5/327 ...

Метки: дегидрирования, дивинилбензол, диэтилбензола, катализатор

КАТАЛИЗАТОР ДЛЯ ДЕГИДРИРОВАНИЯ ДИЭТИЛБЕНЗОЛА В ДИВИНИЛБЕНЗОЛ, включающий окислы магния, железа, и соединение калия, отличающийся тем, что с целью увеличения активности, катализатор дополнительно содержит окислы хрома, алюминия, лития и пятиокись ванадия, а в качестве соединения калия окись калия при следующем содержании компонентов, мас.Окись хрома 1,5-3Окись калия 13-20Окись магния 3-4Окись алюминия 10-20Окись лития 0,5-2Пятиокись ванадия 0,5-1Окись железа Остальное

Номер патента: 1222149

Опубликовано: 30.12.1994

Авторы: Брюхно, Жарковский, Комаров, Сахаров, Шер

МПК: H01L 21/74

Метки: диэлектрической, изоляцией, интегральных, компонентов, кремниевых, структур, схем

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СТРУКТУР КРЕМНИЕВЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ С ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ИЗОЛЯЦИЕЙ КОМПОНЕНТОВ, включающий формирование в монокристаллической кремниевой пластине локальных скрытых слоев, вытравливание канавок в пластине, защиту полученного рельефа диэлектриком, осаждение со стороны рельефа поликристаллического кремниевого опорного слоя, формирование монокристаллических областей, формирование в этих областях р-п-переходов, отличающийся тем, что, с целью увеличения выхода годных структур и надежности интегральных схем путем повышения напряжения пробоя р-п-переходов, канавки вытравливают в пластине на расстоянии от локальных скрытых слоев, не меньшем глубины проникновения примеси скрытых слоев в пластину, после проведения операций защиты...

Номер патента: 1316486

Опубликовано: 30.09.1994

Авторы: Брюхно, Сафронов

МПК: H01L 21/205

Метки: кремниевых, структур

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КРЕМНИЕВЫХ СТРУКТУР, включающий операции затравливания, осаждения поликристаллического кремния из газовой фазы на монокристаллическую кремниевую пластину, выравнивания поликристаллического слоя параллельно обратной стороне монокристаллической пластины, удаления части монокристаллического слоя до достижения заданной толщины, нанесения защитного покрытия на поликристаллический слой кремния, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных структур путем увеличения механической прочности слоя поликристаллического кремния, в процессе осаждения поликристаллического кремния проводят дополнительные операции затравливания по достижении толщины поликристалла d (мкм), изменяемой в пределах 30

Номер патента: 1739805

Опубликовано: 30.04.1994

Авторы: Брюхно, Громов, Шер

МПК: H01L 21/76

Метки: высоковольтных, диэлектрической, изоляцией, интегральных, схем

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ВЫСОКОВОЛЬТНЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ С ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ИЗОЛЯЦИЕЙ, включающий нанесение на кремниевую монокристаллическую пластину n-типа проводимости защитного покрытия, фотолитографию по защитному покрытию, вытравливание разделительных канавок, удаление защитного покрытия, формирование на полученном рельефе высоколегированного слоя n-типа проводимости, формирование диэлектрической пленки на основе оксида кремния, формирование на поверхности пластины областей монокристаллического кремния, соответствующих расположению мощных высоковольтных транзисторов, эпитаксиальное наращивание кремниевой подложки с монокристаллическими и поликристаллическими участками, удаление монокристаллической кремниевой пластины до вскрытия дна...

Номер патента: 1116919

Опубликовано: 15.04.1994

Авторы: Брюхно, Громов, Данцев, Комаров, Хочинов

МПК: H01L 21/76

Метки: диэлектрической, изоляцией, кремниевых, структур, транзисторных

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КРЕМНИЕВЫХ ТРАНЗИСТОРНЫХ СТРУКТУР С ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ИЗОЛЯЦИЕЙ, включающий образование на исходной монокристаллической пластине высоколегированных скрытых слоев того же типа проводимости, что и пластина, травление разделительных канавок, нанесение на них диэлектрического слоя, наращивание на него поликристаллической кремниевой подложки, вскрытие монокристаллических карманов, формирование в монокристаллических кремниевых карманах транзисторных структур, отличающийся тем, что, с целью упрощения технологии и увеличения процента выхода годных структур, до образования высоколегированных скрытых слоев или одновременно с ними формируют на исходной монокристаллической пластине локальные высоколегированные области того же типа...

Номер патента: 1702826

Опубликовано: 28.02.1994

Авторы: Брюхно, Лазина, Шер

МПК: H01L 21/76

Метки: диэлектрической, изоляцией, структур, транзисторных

...пленку окисла и проводят осаждение поликристаллического кремния для формирования подложки. снижает напряжения пробоя сформированныхтранзисторных структур, а следователь- Одновременно с выполнением этих но, и выход годных структур. операций, которые осуществляются при температуре 1180-11200 С в течение 4 ч,Целью изобретения является повышение выхода годных структур по напряжению на них диэлектрического слоя, наращивание на него поликристаллической 15кремнйевой подложки, вскрытие монокристаллических карманов, формирование вмонокристаллических кремнйевых карманах транзисторных структур, Одновременно с высоколегированными слоями на 20исходной монокристаллической пластине(или до образования высоколегированныхскрытых слоев)...

Номер патента: 1321136

Опубликовано: 28.02.1994

Авторы: Брюхно, Жданов, Огнев, Сафронов

МПК: C30B 25/08

Метки: осаждения, реактор, слоев

РЕАКТОР ДЛЯ ОСАЖДЕНИЯ СЛОЕВ, включающий корпус с крышкой, подложкодержатель, средства ввода и вывода реагирующих компонентов газовой фазы, завихритель, отличающийся тем, что, с целью увеличения производительности реактора за счет сокращения времени на его очистку от продуктов реакции, упрощения формы реактора и уменьшения его габаритов, завихритель выполнен в виде съемного цилиндра, установленного в крышке соосно с подложкодержателем и имеющего диаметр не более наибольшего поперечного размера подложкодержателя, а средство вывода выполнено из нескольких патрубков с соплами для раздельной подачи реагирующих компонентов, причем оси сопл наклонены вниз и расположены таким образом, что их проекции на плоскость, проходящую через вертикальную ось...

Номер патента: 1591750

Опубликовано: 15.02.1994

Авторы: Брюхно, Коновалов, Лебедев, Шер

МПК: H01L 21/18

Метки: микросхем

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МИКРОСХЕМ, включающий создание в кремниевой подложке n-типа первых диффузионных областей p-типа, формирование канавок, разделяющих p- и n-области в подложке, формирование диэлектрической пленки на поверхности канавок, осаждение поликремния, удаления материала подложки до вскрытия дна канавок и создание во вскрытых изолированных канавками участках кремниевой подложки диффузионных базовых и эмиттерных областей n-p-n- и p-n-p- транзисторных структур, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных микросхем за счет повышения воспроизводимости параметров распределения примеси в p-n-p- транзисторных структурах, первые диффузионные области p-типа в кремниевой подложке создают глубиной, не превышающей разность между...

Номер патента: 1471901

Опубликовано: 15.02.1994

Авторы: Брюхно, Громов, Добровичан, Коновалов, Опалев, Шер

МПК: H01L 21/82

Метки: диэлектрической, изоляцией, интегральных, компонентов, кремниевых, структур, схем

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КРЕМНИЕВЫХ СТРУКТУР С ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ИЗОЛЯЦИЕЙ КОМПОНЕНТОВ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ, включающий формирование на кремниевой монокристаллической подложке диэлектрического слоя, изготовление из этого слоя маски с окнами для вытравливания разделительных канавок, вытравливание в подложке разделительных канавок, формирование маски с окнами для вытравливания подложки при получении монокремниевых участков с уменьшенной толщиной, формирование монокремниевых участков с уменьшенной толщиной вытравливанием подложки через окна маски, заращивание окон этой маски оксидом кремния, осаждения на полученный рельеф опорного слоя поликремния, удаление части подложки до вскрытия монокремниевых участков с уменьшенной и увеличенной толщиной,...

Номер патента: 1686982

Опубликовано: 15.02.1994

Авторы: Брюхно, Шер

МПК: H01L 21/76

Метки: диэлектрической, изоляцией, микросхем, элементов

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МИКРОСХЕМ С ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ИЗОЛЯЦИЕЙ ЭЛЕМЕНТОВ, включающий формирование на поверхности кремниевой подложки основной защитной пленки, вскрытие в ней окон под области боковой изоляции, вытравливание в окнах изолирующих канавок, удаление основной защитной пленки, формирование на вскрытой поверхности подложки высоколегированного n+-слоя, выращивание пленки оксида кремния путем окисления подложки, вскрытие окон к кремниевой подложке над участками под высоковольтные транзисторы, осаждение поликристаллического кремния, удаление материала кремниевой подложки до вскрытия дна изолирующих канавок и формирование во вскрытых областях кремния низковольтных и высоковольтных транзисторов, отличающийся тем, что, с целью...

Номер патента: 1105075

Опубликовано: 30.01.1994

Авторы: Бакун, Брюхно, Долгих, Матовников, Огнев, Четвериков

МПК: H01L 21/205

Метки: кремниевых, монокристаллических, подложек, пьедестале, размещения

СПОСОБ РАЗМЕЩЕНИЯ КРЕМНИЕВЫХ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ПОДЛОЖЕК НА ПЬЕДЕСТАЛЕ при газофазном осаждении на них полупроводниковых слоев, включающий установку подложек на пьедестал с закреплением на стержнях, съем подложек с осажденными слоями с пьедестала, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных подложек с осажденными слоями за счет уменьшения вероятности их разламывания при съеме, при установке подложек на пьедестале биссектрису угла между двумя смежными плоскостями преимущественного разрушения каждой подложки ориентируют параллельно плоскости, проходящей через оси стержней.

Номер патента: 1264440

Опубликовано: 30.01.1994

Авторы: Брюхно, Кобазева, Максименков

МПК: H01L 21/205

Метки: полупроводниковых, структур

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУР, включающий шлифование и полирование монокристаллической кремниевой пластины, наращивание на одну сторону пластины слоя поликристаллического кремния, удаление части слоя поликристаллического кремния, утонение монокристаллической пластины, отличающийся тем, что, с целью повышения процента выхода годных за счет уменьшения вероятности образования в нем дендритов и пустот, слой поликристаллического кремния наращивают на пластину после шлифования, а утонение монокристаллической пластины производят до толщины, равной сумме глубины нарушенного слоя после шлифования одной стороны пластины и толщины монокристаллического кремния, необходимого для формирования структуры.

Номер патента: 1085439

Опубликовано: 30.01.1994

Авторы: Брюхно, Данцев, Комаров, Усманова, Юлдашев

МПК: H01L 21/26

Метки: микросхем

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МИКРОСХЕМ, включающий создание областей p-типа в кремниевой подложке n-типа проводимости, диэлектрическую изоляцию этих областей, контроль качества полученных областей с диэлектрической изоляцией для определения областей с повышенной концентрацией примеси p-типа проводимости и формирование в диэлектрически изолированных областях рабочих структур, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных, области с повышенной концентрацией примеси p-типа проводимости перед формированием в них рабочих структур подвергают облучению тепловыми нейтронами в течение времени t, определяемого по формуле

Номер патента: 1056807

Опубликовано: 15.01.1994

Авторы: Брюхно, Матовников, Огнев, Половенко

МПК: H01L 21/205

Метки: кремниевых, структур, эпитаксиальных

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ КРЕМНИЕВЫХ СТРУКТУР, включающий осаждение на монокристаллическую кремниевую подложку поликристаллического слоя кремния, его шлифование, удаление части подложки параллельно шлифованной поверхности поликристаллического слоя кремния, нанесение на поликристаллический слой кремния защитного покрытия, отличающийся тем, что, с целью повышения качества структур за счет уменьшения плотности дефектов на их монокристаллической поверхности и упрощения процесса изготовления структур, нанесение на поликристаллический слой кремния защитного покрытия проводят после шлифования слоя поликристаллического кремния.

Номер патента: 1814107

Опубликовано: 07.05.1993

Авторы: Брюхно, Лебедев, Фахуртдинов

МПК: H01L 21/329

Метки: интегрального, стабилитрона

...пробивного напряжения р-п-перехода. 2 ил., 1 табл,диаметром окна б = 20 мкм, После нанесения, с помощью центрифугования, на пластину КБМК проводится законка бора по режиму: Т = 1060"С, 1= 60 - 5. При этомй пар2. поверхностное сопротивление 10,5 Ом/П За последующей операцией снятия КБМК проводится разгонка бора формирования разделительной диффузии и одновременно для создания анода для стабилитрона 6 (см.фиг.2). При этом разгонка бора проводится при 1200 С е течение времени= Зч - 20 - 2 ч расходи+О пар И+О 2 2 2 2 азота 400 л/г, а кислорода 40 л/г. В этом случае поверхностное сопротивление бора 11,5 Ом/Д, глубина 15 мкм. Проводится формирование базы и эмиттера и-р-п-транзистора 11, причем одновременно с эмиттером 7 формируется...

Номер патента: 1691365

Опубликовано: 15.11.1991

Авторы: Бесперстова, Брюхно, Волков, Гольберг, Золотарев, Янчук

МПК: C08C 2/06, C08F 136/06

Метки: возвратного, толуола

...15,5, Ингибитор не добавляют.При температуре 80 С и остаточном давлении 15 кПа выделяют 780 г дистиллята состава: толуол 69,5, винилциклогексен 10 (В ЦГ) 30,5 и 211 г тяжелой фракции следующего состава: толуол 15,1, ВЦГ 7,6, тримеры бутадиена - 72,1 .Полученный дистиллят подвергают ректификации на колонке эффективностью 20 15 теоретических тарелок и атмосферном давлении.Получают 552 г толуола с содержанием основного вещества 72,1 мас. и 225 г ВГЦ с примесью 0,79 толуола. 20Общие потери составляют 1,2 мас.ф,.Степень выделения толуола 91,2 масП р и м е р ы 2 - 6. Разделение КОРТ укаэанного состава проводят аналогично 25 примеру 1 с использованием ингибиторов, мас.;6: ТДА 0,002; ГХ 0,002; ОДА 0,002; НЗФА 0,002; АО0,05П р и м е р ы 7-16....

Номер патента: 1669890

Опубликовано: 15.08.1991

Авторы: Бесперстова, Брюхно, Данилов, Молодыка, Спасский, Янчук

МПК: C04B 26/26

Метки: битумно-каучукового, вяжущего, приготовления

...асфальтобетонную смесь,(57) Изобретение относится к получению вяжцего, используемого в промышленном и гражданском строительстве. Целью изобрете 11 ия является повышение прочности при сжа;ии при 20 С асфальтобетона на основе битумно-каучукового вяжущего. Сланцевое масло, отходы каучука и катализатора перемешивают при 130 С и подаче воздуха до полного растворения каучука, Затем в смесь добавляют триэтаноламин и продолжают процесс в течение 2 ч, Предел прочности при сжатии при 20 С асфальтобетона на основе битумно-каучукового вяжущего 4,1-4,3 МПа. 3 табл,Свойства асфальтобетона на о тумно-каучукового вяжущего прив табл.3,Из результатов испытаний видно, что использование битумно-каучукового вяжущего, приготовленного по предлагаемому...

Номер патента: 1616885

Опубликовано: 30.12.1990

Авторы: Бесперстова, Брюхно, Волков, Лавренов, Митин, Янчук

МПК: C07C 15/46

Метки: стирола

...м е р 3. В проточный изотермический реактор со стационарным слоем железохромокалиевого катализаторао еМ КСпри 600 С, объемной скорости0,5 ч"и разбавлении шихты водянымпаром 1:3 по весу подают смесь этил- М бензола с винилциклогексеном,выходОО стирала составляет 52,1 мас.%) сохра- Ю няется в течение 7000 ч.П р и м е р 4. В проточный изотер-мический реактор со стационарным слоем железохромокалиевого катализатора ,Вф КСпри 600 С, объемной скорости0,5 ч и разбавлении шихты водянымпаром 1:3 по весу подают смесь этилбензола с винилциклогексеном при содержании винилциклогексена 5 мас,%,Полная конверсия винилциклогексена1616885 в стирол и общий выход стирола 52,8 мас.% сохраняются в течение 7000 ч.. П р и м е р 5. В проточный иэотер. мический...

Номер патента: 1286566

Опубликовано: 30.01.1987

Авторы: Брюхно, Волков, Лаврухин, Соловьев, Янчук

МПК: C04B 26/26, C08L 95/00

Метки: битумо-полимерного, вяжущего, приготовления

...1 и 2. 253На полученном вяжущем готовили асфальтобетонную смесь типа "Г", содержащую, мас.7.:Отходы дробления гранитаПесок 30Пыль уноса цементногозавода 9,25Битумополимерноевяжущее 7,5 Формула изобретения. Способ приготовления битумополимерного вяжущего, включающий смешение нагретых битума и модификатора, содержащего каучук или его некондиционные отходы и низковязкий органический компонент, о т л и ч а ю щ и йс я тем, что, с целью повышения температуры размягчения и пенетрации при 0 С, понижения температуры хрупкости, а также снижения токсичности вяжущего, предварительно смешивают каучук или его некондиционные отходы с высокосмолистой нефтью в соотношении 1:6-9 и подвергают обработке воздуохом при 150-180 С в присутствии катализатора -...

Номер патента: 1207734

Опубликовано: 30.01.1986

Авторы: Березовский, Брюхно, Клепачев, Колядинский, Красовский, Ткаченко, Хомяк

МПК: B24B 39/04

Метки: выглаживания, инструмент

...к инструменту для обработки деталей поверхностно-пластическим деформированием.Цель изобретения. - расширение технологических возможностей инструмента путем обработки ступенчатых поверхностей.На фиг. 1 схематически представлен предлагаемый инструмент, общий вид; на фиг, 2 - вид А.на фиг, 1; на фиг , " 3 - разрез Б-Б на фиг. 2; на фиг. 4 - разрез В-В на фиг. 2; на фиг. 5 положение инструмента в процессе обработки.Инструмент для выглаживания содержит державку 1 с закрепленной на ней с помощью винта 2 и прихвата 3 трехгранной вставкой 4, установленоной под углом 45 к оси державки 1, Рабочая часть вставки образована рядбм поверхностей: центральной цилиндрической части 5 сопряженной с двумя плоскими поверхностями Ьи 7, которые в свою...

Номер патента: 1171692

Опубликовано: 07.08.1985

Авторы: Брюхно, Гасанли, Комаров, Стрельцов

МПК: G01N 1/32

Метки: косым, образцов, травлением, шлифом

...нитей, прикрепленных к нижнему концу трубки.ЗОУлучшение лынейности профиля косого шлифа достигается за счет постоянной скорости подъема уровня травителя, что обеспечивается равномерностью погружения в травитель промежуточ 35 ной емкости с помощью подачи нейтральной жидкости из дополнительной емкости 2 по трубке 13, При этом трубопровод непрерывного подвода 10 и, постоянный слив 11 поддерживают уро-вень нейтральной жидкости в дополнительной емкости постоянным, регулирующий кран 15 обеспечивает требуемую скорость подачи нейтральной жидкости в промежуточную емкость, а наличие жгута капилляров предохраняет поверхность от падения капель и сохраняет независимость скорости вытекания нейтральной жидкости из верхней емкости от уровня ее в...

Номер патента: 1109381

Опубликовано: 23.08.1984

Авторы: Брюхно, Волков, Ершова, Янчук

МПК: C07C 61/39

Метки: изомеров, кислот, смеси, тетраметилфенилинданкарбоновых

...до нейтральной реакции, ко-химические показатели в сравненииПолученный согласно изобретению О с канифолью представлены в таб-. целевой продукт представляет собой лице. Свойства Полученнаякарбоноваякислота Живичная канифоль 298. Иолекулярная масса, г 302 160-175 158-60 Кислотное число, мг КОН1 г Поверхностное натяжение53-ного водного раствора,днсм 36,40 38,08 Биологическая разлагаемость,Х 67-70 65-70 Углеводородный конденсат подвергают вакуумной разгонке. Целевой продукт собирают при 68-70 С и остаточном давлении 7-8 мм рт.ст. Потери при перегонке составляют 2-2,5 весЛ.П р и м е р 1 б. Получение пентаметилфенилиндана.П р и м е р 1 а. Дегидрирование цимола.35В лабораторный реактор проточного типа загружают 90 мп железноокисного...

Номер патента: 953727

Опубликовано: 23.08.1982

Авторы: Брюхно, Гребенщикова, Громов, Лимов

МПК: H03K 17/60

Метки: реле, транзисторное

...изменением прямого падения напряжения на диодах смещения и эмиттерном переходе первого транзистора, а от напряжения питания - зависимостью величины падения напряжения на третьем резисторе в цепи обратной связи.Цепь изобретения - повышение помехоустойчивости, 2Поставленная цепь достигается тем,что в транзисторном реле, содержащем дввкаскада усиления, выполненных соответственно на первом и втором транзисторахразного типа проводимости и третьем ичетвертом транзисторах одинакового типапроводимости, база первого транзистораподключена к общему выводу первого ивторого резисторов, другие выводы которых подключены соответственно к по -ложительной шине источника напряженияи к резистивному делителю напряжения,включенному в коллекторную цепь...

Номер патента: 809433

Опубликовано: 28.02.1981

Авторы: Брюхно, Смирнов

МПК: H01L 21/00

Метки: кристаллов, отбора

...и принимает решение,к какой группе необходимо его отнести, Если кристалл годный, подключают посредством кпапана 9 вакуумк заборнику и воздух доставляет 25 кристалл в стакан 2, а затем в труб"ку 1 и бункер 8, После отключениявакуума передвигают столик, и проверяют качество следующего кристалла, Если кристалл бракованный, ва кумм не подключают и кристалл оста809433 10 Формула изобретения Составитель Л. Гришкова Мермелштайн Техред С.Мигунова Корректор С, Щомо Заказ, 444/7 Тираж 795 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 3035, Москва, Ж, Раушская наб., д, 4/5Филиал ППП фПатент, г. Ужгород, ул. Проектна ется на предметном столике. Такимобразом, сортируют кристаллы на двегруппы без дополнительной...

Номер патента: 430115

Опубликовано: 30.05.1974

Авторы: Брюхно, Волков, Способ, Цыбин

МПК: C08F 112/12, C08F 4/00

Метки: 430115

...и совершенно 2 б бесцветен. Далее его без предварительнойочистки катализатора подвергают разделению путем разгонки.Сначала отделяют непрореагировавшийа-метилстирол и растворители (эту операцию ЗО можно проводить как при атмосферном давле15,2 32,4 80,5 66,2 4,3 1,4 13,811 7,8 1,5 78,3 87,5 50 51 0,4 - 0,45 0,2 - 0,25 60 60 Все катиониты вводородной форме 5,5 99,5 0,5 94,2 0,3 45 0,1 - 0,15 80 30 0,3 - 0,35 45 69 - 72 26 - 28 0,5 - 4 70,9 3,26,0 65 0,9 - 1,2 0,25 - О,З 80 45,6 52,7 2,8 1,7 55 1,0 53,9 44,8 35 1,3 Олигомеризуетсясмесь метил- стиролизопро- пилбензол 0,25 - О,З 79,4 60 19,6 1,5: 1) ф 1 - 2,4-Дифенил-метилпентен;- 2,4-дифенил.4.метилпентен.2; 1 - 1,1,3-триметил.З.фенилиндан,Предмет изобретения нпи, так и под вакуумом),...