Патюков

Номер патента: 1176774

Опубликовано: 10.06.2001

Авторы: Венков, Манжа, Патюков, Шурчков

МПК: H01L 21/18

Метки: диффузионных, контактов, ним, областей, формирования

1. Способ формирования диффузионных областей и контактов к ним, включающий нанесение диэлектрической пленки на кремниевую подложку, осаждение первого слоя поликремния, вскрытие окон в поликремнии и диэлектрике, осаждение второго слоя поликремния, термообработку, формирование поликремниевой разводки и металлизации, отличающийся тем, что, с целью увеличения плотности компоновки диффузионных областей и повышения процента выхода годных структур, после осаждения первого слоя поликремния легируют его примесью типа, противоположного типу проводимости подложки, после вскрытия окон в поликремнии и диэлектрике подтравливают диэлектрическую пленку под поликремнием, а термообработку проводят с...

Номер патента: 1421186

Опубликовано: 10.05.1996

Авторы: Евдокимов, Манжа, Мухин, Патюков

МПК: H01L 21/82

Метки: интегральных, моп-транзисторов, схем

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МОП-ТРАНЗИСТОРОВ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ, включающий формирование в кремниевой подложке p-областей, противоканальных областей и диэлектрической изоляции, осаждение первого слоя поликремния, формирование первого слоя оксида кремния и маски из него с окнами для затворных областей, вытравливание первого слоя поликремния через окна маски до подложки, формирование второго слоя оксида кремния на торцах первого слоя поликремния в окнах маски, формирование подзатворного слоя оксида кремния, осаждение второго слоя поликремния, формирование областей истока, стока, затвора и электродов к ним, формирование металлизации, отличающийся тем, что, с целью увеличения плотности компоновки МОП-транзисторов и уменьшения количества...

Номер патента: 1093184

Опубликовано: 27.04.1996

Авторы: Манжа, Мирошников, Патюков, Чистяков, Шурчков, Щербинин

МПК: H01L 27/02

Метки: изоляцией, интегральной, комбинированной, структура, схемы, элементов

СТРУКТУРА ИНТЕГРАЛЬНОЙ СХЕМЫ С КОМБИНИРОВАННОЙ ИЗОЛЯЦИЕЙ ЭЛЕМЕНТОВ, содержащая сформированные в кремниевой подложке области с эпитаксиальным и скрытым слоями, боковая изоляция которых выполнена в виде слоев диэлектрика, пересекающих эпитаксиальный и скрытый слои и часть подложки, а изоляция донных участков скрытого слоя с подложкой в виде p n-перехода, отличающаяся тем, что, с целью повышения плотности компоновки элементов и увеличения быстродействия интегральных схем, слои диэлектрика погружены в подложку на глубину не менее ширины области с объединенным зарядом донной части p - n-перехода между скрытым слоем и подложкой.

Номер патента: 1371445

Опубликовано: 27.04.1996

Авторы: Манжа, Патюков, Чистяков

МПК: H01L 21/265

Метки: интегральных, транзисторов

...250-300 нм. Осаждают первый слой поликремния толщиной 300 нм, маскируют его нитридом кремния толщиной 100- 150 нм и под защитой фоторезистора в Я зй 4 вскрывают окна о местах комбинированной изоляции и осуществляют селективное окисление первого слоя голикремния при Т = 1123 К и Р = 10 атм. Удаляют нитрид крем ния, ионным легированием вводят бор с Е = =60 кэВ и О = 3,7510 сгл о первый слой13 -2поликремния и осаждают окисел кремния толщиной 500 нм. Под защитой фоторезистд плазмохимическим травлением удаляют окисел кремния и первый слой поликремния и осаждают окисел кремния иэ паров дихлорсилана и закиси азота при Т = 1123 К прн пониженном давлении, толщиной 500 нм, Далее ионно-реактивным травлением удаляют окисел кремния со дна...

Номер патента: 1334781

Опубликовано: 20.04.1996

Авторы: Даниелян, Евдокимов, Манжа, Патюков, Фишель

МПК: C30B 25/00

Метки: газовой, слоев, фазы

1. УСТРОЙСТВО ДЛЯ ПОЛУЧЕНИЯ СЛОЕВ ИЗ ГАЗОВОЙ ФАЗЫ, включающее реактор в виде горизонтальной трубы с отверстиями, равномерно расположенными на ее стенках, и установленные коаксиально реактору камеру подачи в него газовой смеси, снабженную патрубком, и нагреватель, отличающееся тем, что, с целью уменьшения дефектности и разброса толщины осаждаемых слоев, реактор снабжен патрубком для дополнительного ввода газовой смеси, а отверстия выполнены в виде продольных прорезей, причем отношение площади прорезей к площади сечения камеры подачи равно 0,05 0,1.2. Устройство по п.1, отличающееся тем, что отношение ширины прорези к расстоянию между краем пластины и внутренней стенкой реактора удовлетворяет выражению0,045

Номер патента: 1215550

Опубликовано: 20.04.1996

Авторы: Казуров, Манжа, Патюков, Попов, Чистяков, Шурчков

МПК: H01L 21/265

Метки: p-n-переходами, полупроводниковых, приборов, пристеночными

1. СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ С ПРИСТЕНОЧНЫМИ P-N-ПЕРЕХОДАМИ, включающий формирование боковой диэлектрической изоляции, формирование глубокого коллектора, окисление меза-областей, создание базовой области, осаждение нитрида кремния, вскрытие окон в диэлектрических слоях к коллектору, активной и пассивной части базовой области, осаждение пленки поликристаллического кремния, ионное легирование вскрытых в диэлектрических слоях областей через пленку поликристаллического кремния, одновременный отжиг ионнолегированных слоев и формирование металлизации, отличающийся тем, что, с целью увеличения процента выхода годных приборов, после вскрытия окон в диэлектрических слоях проводят ионное подлегирование активной части базовой...

Номер патента: 1135378

Опубликовано: 10.04.1996

Авторы: Коваленко, Лукасевич, Манжа, Патюков, Рябов, Щепетильникова

МПК: H01L 21/265

Метки: биполярных, интегральных, транзисторов

1. СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ БИПОЛЯРНЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ, включающий формирование в полупроводниковой подложке первого типа проводимости скрытого слоя второго типа проводимости, формирование эпитаксиального слоя второго типа проводимости, формирование боковой диэлектрической изоляции, нанесение поликремния, маскирование нитридом кремния области эмиттера, формирование пассивной базы ионным легированием примесью первого типа проводимости, термическое окисление поликремния, удаление нитрида кремния, формирование активной базы и эмиттера путем ионного легирования примесями первого и второго типа проводимости с последующей термообработкой, формирование контактов к активным областям транзистора, отличающийся тем, что, с целью повышения...

Номер патента: 1072666

Опубликовано: 27.03.1996

Авторы: Кокин, Манжа, Патюков, Чистяков

МПК: H01L 21/331

Метки: p-n-переходами, полупроводниковых, приборов, пристеночными

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ С ПРИСТЕНОЧНЫМИ p-n-ПЕРЕХОДАМИ, включающий формирование боковой диэлектрической изоляции, глубокого коллектора, нанесение диэлектрических слоев, вскрытие окон в диэлектрических слоях, осаждение пленки поликристаллического кремния, легирование пассивных, активных базовых и эмиттерных областей и металлизацию, отличающийся тем, что, с целью увеличения процента выхода годных приборов и повышения плотности их компановки, после создания боковой диэлектрической изоляции проводят ионное легирование пассивной базы, осаждают нитрид кремния, осуществляют фотолитографию всех контактных окон, затем наносят пленку поликристаллического кремния, формируют фоторезистивную маску для защиты эмиттерных и...

Номер патента: 1178269

Опубликовано: 27.03.1996

Авторы: Казуров, Кокин, Манжа, Патюков, Чистяков, Шурчков

МПК: H01L 21/76

Метки: p-n-переходами, полупроводниковых, приборов, пристеночными

1. СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ С ПРИСТЕНОЧНЫМИ p-n-ПЕРЕХОДАМИ, включающий формирование боковой диэлектрической изоляции, глубокого коллектора окисления меза-областей, создания активной и пассивной базовой областей, осаждение нитрида кремния, вскрытие контактных окон в диэлектрических слоях, осаждение пленки поликристаллического кремния, ионное легирование донорной примесью областей, вскрытых в диэлектрических слоях, через пленку поликристаллического кремния, одновременный отжиг всех ионолегированных слоев, металлизацию, отличающийся тем, что, с целью увеличения процента выхода годных приборов, после осаждения пленки поликристаллического кремния дополнительно проводят ее ионное подлегирование акцепторной примесью дозой (5...

Номер патента: 1060066

Опубликовано: 27.03.1996

Авторы: Казуров, Кокин, Манжа, Патюков, Попов, Шурчков

МПК: H01L 21/76

Метки: боковой, диэлектрической, изоляцией, интегральных, схем

1. СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ С БОКОВОЙ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ИЗОЛЯЦИЕЙ, включающий операции формирования сплошного скрытого слоя, наращивания эпитакисального слоя, формирования окисла кремния, фотолитографии, травления, формирования диэлектрической изоляции, диффузии и металлизации, отличающийся тем, что, с целью повышения степени интеграции и процента выхода годных интегральных схем, после формирования окисла кремния производят нанесение поликристаллического кремния и под защитой фоторезиста производят травление поликристаллического кремния, окисла кремния, эпитаксиального слоя, сплошного скрытого слоя и подложки на глубине ниже границы области объемного заряда данной части p-n-перехода: n+-скрытый слой - подложка, после...

Номер патента: 1195862

Опубликовано: 27.03.1996

Авторы: Манжа, Патюков, Чистяков, Шурчков

МПК: H01L 21/82

Метки: интегральных, схем

1. СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ, включающий формирование n+ скрытых слоев, наращивание эпитаксиальной пленки, создание противоканальных p+-областей, диэлектрической изоляции, формирование активных областей структур в эпитаксиальной пленке, осаждение пленки поликристаллического кремния для изготовления резисторов, ее легирование, формирование резистивных областей, формирование диэлектрической пленки, вскрытие контактных окон, металлизацию, отличающийся тем, что, с целью повышения воспроизводимости резисторов, степени интеграции и быстродействия интегральных схем, после легирования пленки поликристаллического кремния проводят ее термический отжиг и формирование участков пленки поликристаллического кремния над...

Номер патента: 880167

Опубликовано: 27.03.1996

Авторы: Волк, Волкова, Коваленко, Кокин, Лукасевич, Манжа, Одиноков, Патюков, Самсонов, Сулимин, Чистяков, Шевченко, Шепетильникова

МПК: H01L 21/82

Метки: боковой, диэлектрической, изоляцией, полупроводниковых, приборов, тонкослойных

...проводимости (рР= 10 Ом см локально формируют и -скрытые слои (Х,+ = 3-3,2 25 мкм, р, = 36 - 40 Ом/о ). Методом эпитаксиинаращивают пленку и-типа проводимости с удельным сопротивлением 0,8-1,2 Ом см, толщиной 1-1,2 мкм. Эпитаксиальную пленку маскируют двуслойным диэлектриком 30о5 Ю 2 и Рзй 4 толщиной 600 - 800 А и 1800о2000 Аз соответственно. Методом фотолитографии травят двуслойный диэлектрик и эпитаксиальную пленку на глубину 0,6-0,8 мкм. Формируют р -стопорный слой в вытравленных канавках диффузией бора, Параметры загонки р, = 85 - 90 Ом/а. Удаляют боросиликатноестекло и производят заполнение канавок окислом кремния при 1000 С в парах воды при повышенном давлении 1,5 атм в течение 2,5 ч. Толщина окисла кремния в канавках...

Номер патента: 1584616

Опубликовано: 09.01.1995

Авторы: Жуковский, Нохратян-Торосян, Патюков, Шевченко

МПК: G08B 17/12

Метки: оповещения, пожаре

1. УСТРОЙСТВО ОПОВЕЩЕНИЯ О ПОЖАРЕ, содержащее волоконные световоды для передачи светового потока от пламени и средство регистрации, отличающееся тем, что, с целью повышения надежности за счет исключения влияния постороннего излучения, волоконные световоды снабжены объективами, в фокальной плоскости которых расположены входные торцы световодов, причем на каждом из объективов закреплен легкосгораемый светозащитный колпачок, выполненный, например, из черной бумаги, пропитанной горючим веществом.2. Устройство по п.1, отличающееся тем, что оно снабжено фоконом и люминесцентным экраном, при этом выходные торцы световодов сочленены с широким торцом фокона, а его узкий торец сочленен с люминесцентным экраном с помощью единичного световода.

Номер патента: 1823138

Опубликовано: 23.06.1993

Авторы: Зархин, Патюков

МПК: H04B 3/46

Метки: канала, качества, связи

...частот 21 и 23, т.е, обеспечивая некоррелированные выборки, погрешность можно оп ределить следующим образом2 г2 А) т,е. для обеспечения погрешности на уровне 1 требуемое число отсчетов не превышает 10 -1 О, что при практически используемыхз скоростях передачиданных позволяет вес ти оперативный контроль за качеством канала связи. Формула изобретения 1. Устройство контроля качества:санала связи, содержащее приемный блок, состоя щий иэ последовательно соединенных корреляционного приемника и решающего блока, выход которого является первым выходом приемного блока, входом которого является вход корреляционного приемника, индикатор. о т л и ч а ю щ е е с я тем, что, с целью повышения точности контроля при одновременном сокращении времени...

Номер патента: 1808891

Опубликовано: 15.04.1993

Авторы: Патюков, Сиротин, Стученков

МПК: D03D 47/30

Метки: принимающая, рапира, станка, ткацкого

...плавный переход всасываемого воздуха из канала с более широким сечением в канал с узким сечением и исключаются турбулентные течения, В результате во внутренней трубке рапиры возрастает разрежение, что обеспечивает надежный захват и прокладывание уточной нити,При указанных выше соотношениях между диаметром и длиной цилиндрических участков трубки и камерой смещения было достигнуто значительное увеличение разрежения в рапире по сравнению с известной из прототипа: при давлении подаваемого воздуха 0,6 кгс/см разрежение в известной и предлагаемой рапире составило соответственно 0,21 кгс/см и 0,3 кгс/см 2, т.е. в предложенной рапире оно увеличилось на 50;4Отношение диаметра цилиндрического участка 7 к диаметру камеры смещения 6 должно...

Номер патента: 1778911

Опубликовано: 30.11.1992

Авторы: Зархин, Кабанов, Патюков

МПК: H04B 3/46

Метки: канала, качества, связи

...исследуемого сигнала формируется временной интервал, длительность которого зависит от количест ва усредняемых периодов исследуемого сигнала и задаваемого управления блока 2 измерения временных интервалов, С помощью ключа 9 и счетчика 10 производится цифровое измерение временного интерва ла, сформированного из аддитивной смеси гармонического сигнала и узкополосного шума, действующих на входе демодулятора приемника контролируемого канала, Число импульсов опорного генератора Ц, зафик сированное в счетчике 10, пропорционально длительности измеряемого интервала.В вычислительном блоке 3 определяется дисперсия выбранного количества в измеряемых временных интервалов, 20 зависящая от отношения сигнал/шум, действующего на входе...

Номер патента: 1668503

Опубликовано: 07.08.1991

Авторы: Патюков, Стученков

МПК: D03D 47/20, D03D 47/23

Метки: бесчелночного, захват, подающей, рапиры, станка, ткацкого

...с возможностью поворота относительно нее,Зажимная лапка 8 вилки имеет участок 9,выходящий эа пределы внутреннего диаметра трубки 1 для контактирования с зажимной лапкой 6 под действием пружины 4.При закрытом захвате поверхность 10 лапки8 прижимается к поверхности 11 лапки 6под действием предварительно закрученной в направлении прижима пружиной 4,Вилка 3 имеет выступ 12 для взаимодействия со средством ее управления, выполненным в виде горки 13, установленной на неподвижной части станка при входе рапиры в зев,Ориентирующая лапка 7 вилки 3 установлена с кольцевым зазором по отношению к ориентирующей лапке 5 трубки 1. При открытом положении захвата между поверхностью 14 лапки 5 и поверхностью 15 лапки 7 образуется паз 16 для...

Номер патента: 1641912

Опубликовано: 15.04.1991

Авторы: Патюков, Сиротин, Стученков, Эйюбов

МПК: D03D 47/18, D03D 47/27

Метки: привода, рапиры, станка, ткацкого

...кривошипы 11, а на другом конце водила 2 в подшипнике 12 установлен планетарный кривошип 13.Кривошипы 11 и 13 выполнены с постоянными и равными радиусами расположения шипов 14, т, е. плечи всех кривошипов одинаковы (фиг. 2),1Все кривошипы 11 и 13 шарнирно соединены между собой тягой 15, Рычаг 16 одним концом жестко закреплен на шипе 14 планетарного кривошипа 13, а другой конец рычага 16 шарнирно соединен с рапирой 17, Плечо А водила 2 равно плечу В рычага 16 (фиг, 2).Устройство работает следующим образом.При пуске станка главный вал через ко. ническую шестерню 4 приводит во вращение вал 3.При вращении вала 3 вращается жестко закрепленное на нем водило 2 и связанные с ним сателлитные шестерни 8, обкатывающиеся по неподвижной шестерне...

Номер патента: 1608262

Опубликовано: 23.11.1990

Авторы: Патюков, Стученков

МПК: D03D 49/04

Метки: основный, регулятор, станка, ткацкого

...скапо 5, Если скоростьнавоя мала и он отггускает меньшую длину основы 20, чем зарабатывается вткань, то общая длина о новы в заправке уменьшается, При этом возрастаетнатяжение о с но вы 20 и под вижное скало 5 опускается, Вгорое плечо 6 двуплечего рычага 2 нджимает на палец 8сильфонд 7, давление в нижнем силь/фоне 7 возрастает, А так как нижний/ /сильфон 7 соединен трубопроводом 111с цилиндрической камерой 1 О, то и вкамере 1 О давление возрастает, Камера 1 О увеличивается н обьеме по образующей цилиндра и закпинивает в нижней цилиндрической гильзе 12Придальнейшем движении двуплечий рычаг 2концом второго плеча 6 передвигаетвниз шток 13, Так как нижняя цилиндрическая камера 10 заклинена в нижней цилиндрической гильзе 12...

Номер патента: 1600674

Опубликовано: 23.10.1990

Авторы: Винникова, Дудкин, Корнараки, Патюков, Черно

МПК: A23L 1/31

Метки: диетических, мясных, продуктов, производства, фаршевых

...изменением их структурно-механичес-.ких свойств,1600674 изобретения Формула Показатели при вводе ПВ в количестве,"у,Параметры способа 8 Конт- роль Влажность, %Белок, %в т.ч. неусваиваемыйжирОбщая органолептическаяоценка, баллы 68,0 17)53,2 4,8 68,2 16,2 2,4 6,4 68,1 16,1 2,0 6,1 67,3 19,2 2,5 9,31 6,8 Составитель Н. Сальников Техред М,Ходанич ф Корректор М, Шароши Редактор Н. Гунько Заказ 3224 Тираж 521 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж, Раушская наб д. 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г.ужгород, ул. Гагарина, 101 рН (около 3), и перед введением препарата в фарш рН следует повысить. Это достигается предварительным замачиванием препарата в...

Номер патента: 1461784

Опубликовано: 28.02.1989

Авторы: Патюков, Сиротин, Сороколетов, Стученков, Чкалова

МПК: D03D 47/18, D03D 47/30

Метки: нити, пневморапирном, прокладывания, станке, ткацком, уточной

...посредством конической шестерни 15 с главным валом станка.Втулки 16 и 7 привода установлены в стаканах 13 и 14 концентрично шпинделям 9 и 10 с образованием кольцевых зазоров а между внутренними поверхностями 18 и 19 втулок 16 и 17 и наружными поверхностями 20 и 21 шпинделей 9 и 10, сообщающихся с рапирами 1 и 2 посредством воздушных каналов 11 и 12 и отверстий 22 и 23 в шпинделях 9 и 10 и системы воздуховодов водил и шатунов, а посредством отверстий 24 и 25 - с пневмосистсмой станка. Внутренняя поверхность 18 втулки 16 привода подающей рапиры 1 имеет выступ 26 в виде сектора для уменьшения величины кольцевого зазора а до величины кольцевого зазора о. Длина дуги выступа 26 соответствует углу поворота шпинделя в течение периода...

Номер патента: 1448295

Опубликовано: 30.12.1988

Автор: Патюков

МПК: G01R 23/00

Метки: цифровой, частотомер

...исходное состояние и, одновременно, проходя через элемент И 10, запустит одновибра гор 11. Сигнал одновибратора 11, воздействуя на вход управления мультиплексора 6, подключит выходную шину ОЗУ 5 к выходу сумматора 7 и одновременно, воздействуя на вход "Чтение" ОЗУ 5 и вход "Единица переноса младшего разряда" сумматора 7, подготовит необходимые режимы для осуществления операция вычитания в сумматоре 7. Этот же импульс, воздействуя через элемент ИЛИ 12 ня вход синхронизации сумматора 7, обеспечит выполнение этой операции, С выхода3 144 ОЗУ 5 будет прочитан обратный код предварительной оценки частоты И, а по сигналу одновибратора 11, воздействующему на вход "Единица переноса младшего разряда сумматора" 7, к обратному коду И будет добавлена...

Номер патента: 1366962

Опубликовано: 15.01.1988

Автор: Патюков

МПК: G01R 23/10

Метки: измеритель, периода, цифровой

...сумматоре 5 формируется весовой коэффициент 1 = и+(и). Этим же импульсом входного сигйала, записанным в элементе 3 задержки, содер- жимое вычитающего счетчика 4 умень 5 шается еще на два и равно (п). Тем самым подготавливается число для формирования весового коэффициента Я . Значение весового коэффициента Ц, сформированное к началу действия второго периода в сумматоре 5, суммируется с содержимым регистра 15 памяти по каждому импульсу образцовой частоты, В счетчике 16 накапливается результат переполнения сумматора 6, Измерения последующих периодов исследуемого сигнала не имеют особенностей до момента обнуления вычитающего счетчика 4, ко торсе происходит при изяерении (и/2+1)-го из усредняемых периодов. Начиная с этого момента, все...

Номер патента: 1359499

Опубликовано: 15.12.1987

Авторы: Борисов, Калачев, Лещинер, Малой, Московский, Носов, Патюков, Подвидз, Полиновский

МПК: F04F 5/10

Метки: насос, струйный

...смеси активной и пассивной сред частично преобразуетсяв потенциальную энергию. Формула изобретения 1.Струйный насос, содержащий прием- ную камеру с активным соплом, камеру смешения, диффузор и патрубки подвода пассивной среды, один из которых подсоединен к приемной камере, о т - л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью повышения надежности работы, другой патрубок .подвода пассивной среды расположен в активном сопле с образованием кольцевого активного сопла и промежуточной камеры смешения и снабжен продольными радиальными ребрами, образующими каналы для подвода пассивной среды.2. Насос по и. 1, о т л и ч а ю - щ и й с я тем, что продольные радиальные ребра выполнены спиральными. Составитель С, Ковба Техред И.Попович дактор...

Номер патента: 1293664

Опубликовано: 28.02.1987

Автор: Патюков

МПК: G01R 23/02

Метки: цифровой, частотомер

...12 поддерживается уровень "1" и импульсы, Формируемые на прямом выходе триггера 9, после каждого импульса исследуемого сигнала поступают через ключ 12 и элемент ИЛИ 13 на вход синхронизации сумматора 21 и обеспечивают запись состояния счетчика 5 после каждого промежуточного измерения,Второй сигнал переполнения счетчика 10 является сигналом окончания первого этапа измерения и обработки, Триггер младшего разряда счетчика 11 переводится в состояние "О" и ключ 12 будет закрыт на время, равное второй 1/3 части усредняемых периодов сигнала, и импульсы синхронизации не поступают на сумматор 21, Одновременно с триггером младшего разряда счетчика 11 триггер старшего разряда перевоДится в состояние "1" и на первом выходе формирователя 16;...

Номер патента: 1288221

Опубликовано: 07.02.1987

Авторы: Герасимов, Патюков, Сиротин, Стученков

МПК: D03D 47/30

Метки: пневморапирный, станок, ткацкий

...камерах и уплотнительные прокладки 20.Пневморапирный ткацкий станок работает следующим образом.При движении пусковой рукоятки 7 из крайнего правого в левое положение (обозначено пунктиром), что соответствует подготовке станка к пуску (включаются электродвигатель и компрессор), одновременно вправо поворачивается палец 12, воздействуя через тягу 11 на одноплечий рычаг 8. Перемешаясь вниз, конусное отверстие 9 одноплечего рычага 8 воздействует на конусную втулку 10, жестко установленную на верхнем конце штока 5, который тоже опускается на небольшую величину, соответствующую углу поворота пусковой рукоятки 7, и воздух от источника сжатого воздуха поступает через выходные отверстия 3 и 4 камер 15 и 16 к механизму прокладывания...

Номер патента: 1247771

Опубликовано: 30.07.1986

Автор: Патюков

МПК: G01R 23/00

Метки: цифровой, частотомер

...прошедших через отчастотомера,второй вход триггера крытую схему И 8 после импульса сигна запуска соединен с выходом дешифра- ла,обеспечивает запись в регистр 11 па 40тора 9, вход которого подключен,к мяти результата суммирования состояния выходу реверсивного счетчика 5 и од- реверсивного счетчика 5 с кодом регистра новременно через последовательно со. Результат суммирования по каждому единенные сумматор 10 регистр 11импульсу, поступающему с выхода схемыФ45памяти подключен к индикатору 12 и Й 3, записывается с выхода сумматора второму входу сумматора 10, второй 10 в регистр 11, поэтому с каждым имвыход которого через счетчик 13 сее- пульсом образцовой частоты содержидинен с вторым входом индикатора 12, мое регистра 11 памяти...

Номер патента: 1222725

Опубликовано: 07.04.1986

Авторы: Воевода, Вороничев, Кузьмин, Патюков, Сиротин, Стученков, Шебаршин

МПК: D03D 51/00, D03D 51/08

Метки: привод, станка, ткацкого

...муфту 17, жестко установленнуюна поперечном валу 8 связанном чеФ 45рез коническую передачу 19 с главнымвалом 9 станка (фиг. 2),35 Блок управления привода дополнительно снабжен датчиком положения главного вала станка, выполненным в виде сектора 20, установленного на поперечном валу 18, и бесконтактного переключателя 21, установленного на неподвижной части станка. Сектор 20 вращается вместе с поперечным валом 18.При пуске станка в обмотку статора электромагнитной муфты подается 50 1222Изобретение относится к текстиль,ному машиностроению и может быть использовано на бесчелночных ткацких 725 2ток. Чашка статора 4, соединеннаясо шкивом 3, получающим вращение отэлектродвигателя 1, передает крутящий момент через фрикционную парудиску 5 и...

Номер патента: 1218954

Опубликовано: 23.03.1986

Авторы: Армашов, Каменир, Ключников, Патюков, Салихов

МПК: A01C 1/00

Метки: картофеля, предпосевной

...комитета СССРпо делам изобретений и открытий113035, Москва, Ж, Раушская наб., д, 4/5 Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная,4 Изобретение относится к сельскому хозяйству, а именно к устройствам, предназначенным для предпосевной обработки семенного картофеля.Цель изобретения-снижение энергоемкости и металлоемкости конструкции.На фиг. 1 изображено предлагаемое 1 устройство, общий вид; на фиг. 2 - заземленный электрод, вид сверху.Устройство содержит надетую на шкивы 1 эластичную бесконечную ленту 2, на которой закреплены ограничительные щитки 3. Рабочая ветвь ленты размещена в кожухе 4, в верхней части которого прикреплен расположенный над лентой коронирующий электрод 5. Под лентой установлен заземленный электрод 6, выполненный...

Номер патента: 1161890

Опубликовано: 15.06.1985

Авторы: Мичурина, Патюков, Чмых

МПК: G01R 23/02

Метки: длительности, измеритель, периода, цифровой

...ных импульсов, а второй выход дополнительного счетчика числа импульсов измеряемой частоты соединен с вторым 4 О входом ключа, введены последовательно соединенные генератор сигнала и фазовый модулятор, второй вход которого подключен к выходу формирователя импульсов измеряемой частоты, а45 выход фазового модулятора соединен с входом счетчика импульсов измеряемой частоты.На чертежепредставлена блок - схема устройства.Устройство содержит генератор 1 эталонной частоты, формирователь 2 счетных импульсов, ключи 3, 4 и 5, счетчик 6 числа счетных импульсов, формирователь 1 импульсов измеряемой эз частоты, сумматор 8,счетчик 9 числаимпульсов измеряемойчастоты,фазовый модулятор 10 и генератор 11 сигнала . Устройство работает следующим...