Довнар

Номер патента: 908112

Опубликовано: 27.12.2013

Авторы: Довнар, Кадников

МПК: B22D 19/08, C23C 4/02

Метки: защитных, керамических, покрытий

Способ получения защитных керамических покрытий на поверхности отливок, включающий последовательное напыление на поверхность литейной формы слоя из керамики, преимущественно на основе тугоплавких окислов, металлического подслоя и последующую заливку формы жидким металлом основы, отличающийся тем, что, с целью повышения адгезии керамического слоя, между керамическим слоем и металлическим подслоем напыляют промежуточный слой металла более тугоплавкого, чем металл основы, а в качестве подслоя напыляют металл, смачивающий промежуточный слой и смачивающийся металлом основы.

Номер патента: 917551

Опубликовано: 27.11.2013

Авторы: Бадаев, Гришина, Довнар, Куприянова, Пархутик

МПК: C22C 21/14

Метки: алюминия, основе, сплав

Сплав на основе алюминия, содержащий кремний, медь, магний, цинк, марганец, железо и никель, отличающийся тем, что, с целью повышения механических свойств, он дополнительно содержит вольфрам при следующем соотношении компонентов, мас.%: Кремний1,0-5,0 Медь1,0-4,0 Магний1,0-2,0 Цинк1,0-3,0 Марганец0,2-0,8 Железо

Номер патента: 963300

Опубликовано: 27.11.2013

Авторы: Бадаев, Довнар, Куприянова, Пархутик

МПК: C22C 21/14

Метки: алюминия, основе, сплав

Сплав на основе алюминия, содержащий кремний, медь, магний, цинк, марганец, железо и никель, отличающийся тем, что, с целью повышения механических свойств и жаропрочности, он дополнительно содержит ниобий при следующем соотношении компонентов, мас.%: Кремний2,0-5,0 Медь1,0-4,0 Магний1,0-2,0 Цинк1,0-3,0 Марганец0,2-0,8 Железо

Номер патента: 1598707

Опубликовано: 20.01.2008

Авторы: Довнар, Кисель, Красницкий, Турцевич, Цыбулько

МПК: G03F 7/26, H01L 21/312

Метки: интегральных, схем, элементов

Способ изготовления элементов интегральных схем, включающий формирование на подложке функционального слоя, формирование на нем фоторезистивной маски, сухое травление функционального слоя через маску, удаление фоторезистивной маски, осаждение слоя планаризующего материала и его анизотропное травление до полного вскрытия планарной поверхности функционального слоя, отличающийся тем, что, с целью повышения качества элементов интегральных схем за счет снижения их дефектности, перед формированием фоторезистивной маски на поверхность функционального слоя наносят слой тантала, перед сухим травлением функционального слоя осуществляют сухое травление слоя тантала, а перед осаждением слоя...

Номер патента: 1766208

Опубликовано: 20.01.2008

Авторы: Довнар, Красницкий, Турцевич

МПК: H01L 21/265

Метки: интегральных, контактов, схем

Способ изготовления контактов интегральных схем, включающий создание на поверхности кремниевой пластины изолирующей пленки, формирование на ее поверхности фоторезистивной маски с конфигурацией контактных окон, вскрытие контактных окон, удаление маски, селективное осаждение в контактных окнах вольфрама, формирование разводки из алюминия или его сплавов, отличающийся тем, что, с целью снижения тока утечки, повышения стабильности контактного сопротивления за счет снижения бокового распространения и потребления кремния в области контакта, после вскрытия контактных окон проводят имплантацию ионов вольфрама или молибдена с энергией 5-30 кэВ и дозой не менее 1012 см-2.

Номер патента: 1760920

Опубликовано: 20.01.2008

Авторы: Довнар, Лесникова, Сарычев, Сасновский, Турцевич

МПК: H01L 21/28

Метки: интегральных, межэлементных, соединений, схем, формирования

Способ формирования межэлементных соединений интегральных схем, включающий нанесение на поверхность полупроводниковой пластины с созданными в ней элементами интегральных схем слоя алюминия или его сплавов, нанесение слоя кремния, создание фоторезистивной маски с рисунком межэлементных соединений, травление слоев кремния и алюминия или его сплавов через эту маску, удаление маски, отличающийся тем, что, с целью повышения качества межэлементных соединений путем уменьшения вероятности коротких замыканий и повышения стойкости к электромиграции, после удаления маски пластины со сформированным на них рисунком межэлементных соединений в течение 5-30 мин обрабатывают в атмосфере гексафторида...

Номер патента: 1825236

Опубликовано: 20.03.1997

Авторы: Довнар, Козачонок, Малышев, Родин, Турцевич

МПК: H01L 21/28

Метки: межэлементные, соединения

...до более 0,15 мкм нецелесообразно, т, к. не приведет к дальнейшему снижению бугорков на поверхности нижележащего рисунка при увеличении удельного сопротивления нижнего уровня межэлементных соединений.Кроме того, верхний предел по толщине пленки для обоих классов материалов обусловлен увеличением коэффициента отражения для света с длинами волн А) - 574 нм (режим совмещения) 12 = 436 нм (режим экспонирования) и ухудшением вследствие этого антиотражающих свойств пленки.Конструкция межэлементных соединений поясняется чертежом, где 1 - полупроводниковая подложка с активными элементами; 2 - диэлектрический слой с созданными в нем контактными окнами; 3 - контактно-барьерный проводящий слой к активным элементам в полупроводниковой подложке; 4 -...

Номер патента: 1627000

Опубликовано: 20.10.1996

Авторы: Василевич, Довнар, Корешков, Шикуло

МПК: H01L 21/302

Метки: интегральных, контактных, окон, схемах, формирования

...нижнего изолирующего слоя над областями р-типд проводимости превышает толщину слоя над областями и-типа проводимости в 2-30 раз, то при полном вскрытии поверхности над областями и-типа проводимости, над областями р-типа проводимости происходит частичное травление слоя двуокиси кремния.После полного вскрытия поверхности подложки над областями и-типа проводимости удаляют фоторезистивную маску, проводят диффузию фосфора из РОС 1 з при температуре Т = 850+1 С в течение 1 = 10 мин и оплавляют фосфоросиликатное стекло при температуре Т = 1000+1 С в течение 110 мин. Далее стандартными методами фотолитографии создают дополнительную фоторезистивную маску из фоторез иста ФПМК толщиной 1,2 мкм с конфигурацией окон к областям р-типа проводимости...

Номер патента: 1829792

Опубликовано: 10.10.1996

Авторы: Довнар, Красницкий, Наливайко, Родин, Смаль, Турцевич

МПК: H01L 21/82

Метки: интегральных, конденсатора, накопительного, обкладки, памяти, схем, элемента

...поверхностей пластины; на фиг.4 - то же после нанесения дополнительного проводящего слоя 4; на фиг,5 - то же после удаления безмасочным анизотропным плазменным травлением участков дополнительного проводящего слоя с горизонтачьных поверхностей пластины; на фиг,6 - то же после удаления избирательным травлением оставшихся пристеночных участков разделительного диэлектрического слоя.П р и м е р. На полупроводниковую пластину 1 КДБ 12 со сформированным на ней углублением 2 х 2 мкм, глубиной 2 мкм, угол наклона стенок относительно поверхности 87 - 90, методом 1.РСЧР нанесли проводящий слой 2 из легированного в процессе роста фосфором поликристаллического кремния толщиной 0,1 + 0,01 мкм и методом проекционной фотолитографии на установке ЭМА...

Номер патента: 1829782

Опубликовано: 10.10.1996

Авторы: Довнар, Красницкий, Смаль

МПК: H01L 21/335

Метки: мдп-транзистора

...кремниевой пластины 1 КДБ (фиг,1) первого типа проводимости р сформировали термическим окислением с использованием маски ЯзХ 4 области локального окисла толщиной 0,5-0,8 мкм с последующим удалением маски ЯЗХ 4 и созданием ионным легированием бора (Е 30 кэВ, Р = 0,1-0,3 мкКл/см ) во всю2поверхность области подлегирования каналов транзисторов. Затем проекционной фотолитографией на установке ЭМ 584 А по сформированным на пластине слоям подзатворного термического окисла толщиной 150 олегированного фосфором поликремния толщиной 0,4 мкм, низкотемпературного окисла толщиной 0,3 мкм создали области затвора 2 с длиной канала 1,2 мкм. Травление слоев проводили плазмохимическим методом. На поверхность со ступенчатым рельефом нанесли...

Номер патента: 1829776

Опубликовано: 10.10.1996

Авторы: Баянов, Довнар, Красницкий, Наливайко, Родин, Турцевич

МПК: H01L 21/308

Метки: конденсатора, кремния, обкладки, поликристаллического

...КДБ 12 (100) со сформированной активной структурой ДОЗУ информационной емкости 256 к и созданным на ее поверхности диэлектрическим слоем (2 фиг.1) двуокиси кремния толщиной 0,3+0,03 мкм, нанесли защитное покрытие (3 фиг.1), состоящее из 81 зХ 4 толщиной 20-50 нм и двуокиси кремния толщиной 20-50 нм. Затем с помощью проекционной фотолитографии в нанесенных слоях сформировали контактное окно (4 фиг.1) к стоковой области МДП- транзистора. После этого методом 1.РСЪР на поверхность пластины осадили слой поликристаллического кремния (5 фиг,1) толщиной 0,1+0,01 мкм легированного фосфором в процессе роста и травлением через фоторезистивную маску осажденного слоя на установке "Лада" в плазмообразующей смеси гексафторида серы и кислорода при...

Номер патента: 1799203

Опубликовано: 10.10.1996

Авторы: Буляк, Довнар, Кастрицкий, Красницкий, Турцевич, Химко

МПК: H01L 23/48

Метки: интегральных, межэлементных, соединений, схем

...перекрыло покрытие из ФСС на 0,1-6,0 мкм.Приборы собирали в пластмассовые корпуса и проводили ускоренные испытания попарно 8 групп по 15 приборов на безотказность (при температуре 120 С, влажности 950 ). На специальных тестовых структурах методом поляризационного сопротивления системы электрод - раствор определялась скорость коррозии межэлементных соединений,Испытательной средой служил раствор ортофосфорной кислоты. Дополнительно провели сравнительные испытания пластин со сформированным защитным покрытием (16 групп пластин по 5 шт.) путем обработки в автоклаве под давлением 1,2 атм при повышенной температуре и влажности, Контроль на наличие следов коррозии проводили при помощи микроскопа 1 епа(ееЬ.Рассчитывалось отношение скорости...

Номер патента: 1809707

Опубликовано: 10.08.1996

Авторы: Довнар, Красницкий, Смаль

МПК: H01L 29/772

Метки: мдп-транзистор

...областей,Расстояние в плане между областью с меньшей концентрацией и областью с большей концентрацией составило 0,8 мкм, При расстоянии между областями с меньшей и большей концентрациями, равном 0,8 мкм оценку эффективности предлагаемой конст. рукции провели при условии, что диффузионный профиль дополнительного слоя совпадает с границей профиля областью большей концентрации, лежит посередине между профилями областей и на расстоянии 0 1 мкм.Оценку эффективности предлагаемой конструкции провели посредством замера параметра надежности (тока подложки), параметра быстродействия (задержка на каскад) и параметра короткоканальности (коэффициент короткого канала), Ток подложки 1 замерялся при напряжениях на стоке, затворе и подложке 5 в, 2 в,...

Номер патента: 1805786

Опубликовано: 20.05.1996

Авторы: Довнар, Дулинец, Калошкин, Красницкий, Родин, Семенов, Турцевич

МПК: H01L 21/28

Метки: контактно-барьерного, материал, межэлементных, подслоя, соединений

...методике по даннымрентгенодифракционного анализа на дифрактометре Дрон - 2 по угловому смещению25 дифракционного пика.Величину нарушенного приповерхностного слоя подложки определяли по методике, представленной в работе (Коб 1 п Ч.6Кочо 1 еЬоМ М.Ч., 1 аагпоч В,М., 1 озапоч 1 сЬ30 Е,Е. ТЬе вейоб о 1 1 п 1 е 9 гасЬагас 1 ег 1 м 1 сз 1 пХ-гау бИгасбоп зтаб 1 ез о 1 зсгцсмге о 1 1 ЬеЯиг 1 асе 1 аяегз о з 1 п 91 е сгузса 1 з. РЬуз, Всат.Яо 1, (а) 1981, ч.64, р,442-465).Содержание кремния измеряли мето 35 дом масс-спектрометрии на масс-спектрометре МНпо методике (Буэанев Е,В идр. Исследования слоев в структурах поликремний -иметодом МСВИ, Вторичнаяионная и ионна-фотонная эмиссия, - Харь 40 кои, 1983, с,205-207). Качество...

Номер патента: 1797407

Опубликовано: 20.04.1996

Авторы: Василевич, Довнар, Красницкий, Турцевич, Химко

МПК: H01L 21/28

Метки: интегральных, межэлементные, соединения, схем

...0,3 мкм.Содержание фосфора в ФСС, определенное при помощи рентгенофлуоресцентного анализа, составляло 3,5 мас,. Псаждение плазмохимического нитрида кремния осуще ствлялось на установке Ладас горизонтальным трубчатым реактором и горячими стенками при температуре 300+3 С и вводом мощности сзади при частоте 40 кГц, Плотность мощности при осаждении составила 50 мВт/см, суммарный поток газовой смеси не превышал 2500 см /мин. Использовалась следующая парогазовая смесь: 31 Н 4-КНз-й 2. Давление 110-130 Па. Межэлементные соединения согласно прототипу реализовали при помощи литографии и сухого травления двухслойной структуры для формирования областей для присоединения выводов. Предлагаемые межэлементные соединения интегральных схем реализовали...

Номер патента: 1809544

Опубликовано: 15.04.1993

Авторы: Довнар, Панченко

МПК: H04L 25/40

Метки: каналов, связи, уплотнения

...более точная балансировка сигнала (фиг.З,н) на управляющий вход сумматорапо постоянной составляющей, 20 48).При достижении установленного счета На приемной стороне устройстваимпульсов на выходе двоичных счетчиков 49 (фиг.2), поясняемой с помощью временныхи 50 формируются единичные сигналы пере- диаграмм (фиг,4), входной 8-ми позиционполнения (фиг,1,и 11,и 21), которые поступают ный сигнал с длительностью импульсов Т/2соответственно на.инверсный и единичный 25 и Т (фиг,4,о) поступает на вход выделителявходы триггера 18 непосредственно, а на их тактовой частоты (ВТЧ) 56, который послеустановочные входы - через элементы ИЛИ прекращения подачи с передающей сторо 52 и 53, что вызывает переключение тригге- . ны синхросигнала тактовой...

Номер патента: 1808379

Опубликовано: 15.04.1993

Авторы: Довнар, Калабухов, Коган, Филатов

МПК: B03B 5/32

Метки: аппарат, ископаемых, обогащения, полезных

...1 состоит из цилиндрической камеры 4 с тангенциальным входным патрубком 5 и сливной насадкой 6, конической камеры 7, в нижней части которой расположены вихревые камеры 8 и 10, сопряженные между собой конической вставкой 9, калибровочного цилиндропараболического стержня 11, Гидроциклон 2 состоит из цилиндрической части 12 со сливной насадкой 13 и конической части 14 с песковой насадкой 15.Аппарат для обогащения полезных ископаемых работает следующим образом.Исходное питание подается через тангенциальный патрубок 5 в цилиндрическую камеру 4. Под действием гидродинамического давления потока частицы крупностью - 0,074 мм разгружаются через сливную насадку 6, Под действием центробежной силы частицы крупностью более 0,074 мм отбрасываются к...

Номер патента: 1807579

Опубликовано: 07.04.1993

Авторы: Довнар, Панченко

МПК: H04L 25/40

Метки: дискретной, информации, передачи, приема

...сумматора формируются разнополярные импульсы (биимпульсы) вида + 1 или й 1 с длительноПоложительные дифференциалы, сформированные на выходе элементов ИЛИ 50 и 51 (фиг. 3, и, и 2), поступают соответственно на.входы двоичных счетчиков 54 и 55, устанавливаемых первоначально (при включе нии электропитания устройства) в исходное состояние сигналом "начального сброса", выработанным внешним устройством, который через элементы ИЛИ 57 и 58 подается соответственно на их установочные входы, 10С помощью двоичных счетчиков осуществляется раздельный подсчет импульсов для каждого из двух равнозначных потоков . дифференциалов (фиг. 1,. и 1, и 2), причем счет импульсов двоичного счетчика устанавлива ется обычно равным 2" (и = 2, 3, 4 .). При . этом...

Номер патента: 1807239

Опубликовано: 07.04.1993

Авторы: Бобровник, Довнар, Ларченков, Протасеня

МПК: F04C 2/04

Метки: внутреннего, зацепления, насос, шестеренный

...связь шестерни 5 с наружными зубьями с приводной шестерней 7 через кинематическую связь с передаточным числом, отличным от единицы, например через шестерни 11, 12, 13, причем с целью увеличения подачи насоса шестерня 11 имеет различное направление вращения с приводной шестерней 7 за счет паразитной шестерни 12,Шестеренный насос внутреннего зацепления работает следующим образом.При вращении приводной шестерни 7 в направлении, указанном на фиг.3, шестерня с внутренними зубьями 6 обкатывается вокруг шестерни 5 с наружными зубьями, связанной с неподвижной опорой 10, и вращается относительно корпуса 1, В результате разрежения в зоне выходящих из зацепления зубьев шестерен 5, 6 рабочая жидкость через входное отверстие 2 поступает во...

Номер патента: 1802241

Опубликовано: 15.03.1993

Авторы: Давыдов, Довнар, Стецко

МПК: F16D 23/02

Метки: синхронизатор

...(фиг,З), илигеометрическая фигура отверстий 18 можетобразовываться в виде ромба, а выступов16, 17- в виде треугольных стержней (фиг,4).Работает предложенный синхронизатор следующим, образом,Для связи шестерни 4 или 5 с валом 3,т,е, для включения какой-либо передачи каретки 10 смещается в направлении даннойшестерни. При этом, за счет взаимодейст-. 30вия радиальных выступов 16, 17, разжатыхпружинами 15, с поверхностью отверстий18, усилиепередается на конусную втулку11 или 12, которая, за счет сил трения отвзаимодействия ее конуснай поверхности с 35конической поверхностью 8 или 9 шестерни4 или 5, стремится повернуться в направлении вращения данной шестерни 4 или 5 отно- .сительно вала 3 и прижимается поверхностьюстержня 16 или 17 к...

Номер патента: 1801799

Опубликовано: 15.03.1993

Авторы: Довнар, Николаенко, Скойбеда, Трофимович

МПК: B60K 17/08

Метки: коробка, передач, средства, транспортного

...11 и две зубчатые муфты 12, 13, ус-тановленные на выходном валу 2 и валу 14 дополнительного тормоза 11, Выходной вал 2 выполнен насосным планетарному механизму 3, а муфты 12, 13 снабжены двумя венцами 14, 15 и 16, 17, при этом венцы 14, 16 имеют одно уменьшенное число зубьев, а венцы 15, 17 имеют одно увеличенное число зубьев, Связываются муфты 12, 13 посредством установленного средней частью с возможностью вращения относительно корпуса 10 на шарнире 18 двуплечего рычага 19. Для зацепления с венцами 14, 15, 16, .17 муфт 12, 13 водило 7 и солнечная шестерня 6 снабжены венцами 20, 21, Целесообразно коронную шестерню 4 связывать с меньшими венцами 22 сателитов 23. 1 з,п. ф-лы, 1 ил.1801799 го рычага 19, Для зацепления с венцами 14, 15,...

Номер патента: 1799436

Опубликовано: 28.02.1993

Авторы: Богдашич, Давыдов, Довнар, Рыбаков, Стецко

МПК: F16D 23/02

Метки: синхронизатор

...относительно зубьев шлицев 5 шестерни 3 в пределах зазора в шлицевом соединении в сторону того блокирующего звена, которое вращается с большей угловой скоростью. Вследствие этого окружного смещения зубья венца 12 конусного кольца 7 прижимаются своими скосами к скошенным под тем же углом внутренним зубьям шлицев 5 и конусное кольцо 7 не может перемещаться в сторону шестерни 3 до тех пор, пока угловая скорость последней не управляется с угловой скоростью вала 2, Когда угловые скорости блокируемых звеньев станут равными, исчезает блокирующее действие зубьев 12, т,к. прекращается трение фрикционных конусов,пропадаетсила,прижимавшая скошенные поверхности зубьев, и становится возможным дальнейшее перемещение конусного кольца 7, а...

Номер патента: 1797162

Опубликовано: 23.02.1993

Авторы: Довнар, Панченко

МПК: H03M 7/00

Метки: временного, двоичный, код, кода, четырехпозиционного

...интервала Т 2(фиг. 2, а) поступает на входы детекторов55 импульсов 1 и 2, с помощью которых разделяется соответственно на последовательности положительных (фиг. 2, б) иОтрицательных(фиг. 2, в) импульсов, а такжепоступает через элемент ИЛИ 5 на вход селектора тактовой частоты 8 и обеспечивает1797162 5 10 входу элемента И 15, а через последовательно соединенные элементы НЕ 12 и элемент его работу в режиме синхронизации входной последовательностью импульсов.Затем последовательность положительных импульсов с выхода детектора 1 (фиг, 2 б) поступает к первому входу элемента ИЛИ 9, а последовательность отрицательных импульсов с выхода детектора 2 подается ко входу преобразователя уровня 6, обеспечивающего преобразование отрицательных...

Номер патента: 1796814

Опубликовано: 23.02.1993

Авторы: Амельянчик, Довнар, Протасеня, Трофимович

МПК: F16H 3/44, F16H 57/10

Метки: коробка, передач, планетарная

...20 рычага 19 управления в передней части продольной составляющей 28 кулисы 20, Вход. ной вал 2 при этом посредством муфты 12 связан с центральным колесом с внутренними зубьями 5, выходной вал 3 посредством 25 муфты 18 связан с водилом 8, и вал 15 тормоза 11 посредством муфты 14 связан с центральнь 1 м колесом с наружными зубьями 6. Первая пониженная передача обеспечивается при включении тормоза 11, вторая 30 средняя передача обеспечивается при включении тормоза 10, и третья повышенная передача обеспечивается при включении муфты 9.Для включения второго диапазона пе редэточных отношений с обеспечением реверсной скорости рычаг уп,эвления 19 перемещается в заднюю часть продольной прорези 22 кулисы 20, при этом за счет взаимодействия его...

Номер патента: 1794702

Опубликовано: 15.02.1993

Авторы: Давыдов, Довнар, Протасеня, Стецко

МПК: B60K 28/10

Метки: блокирующее, двигателя, запуска, средства, транспортного

...рычага 16 имеет стеркень 23 для взаимодействия с концом 4 рычага управления коробкой передач 3, и посадочные поверхности 24 под пружину 17, расположенные с двух сторон относительно линии плеч.Работает предложенное блокирующее устройство запуска двигателя транспортного средства следующим образом.Для транспортных средств, снабженных пусковым устройством основного двигателя в виде электростартера электрическая цепь для осуществления запуска должна быть замкнута. Для таких транспортных средств двуплечий рычаг 16 на оси 18 устанавливается таким образом (осуществляется на заводе-изготовителе), что при нахождении рычага 3 в положении переключения передач пружина 17 воздействует на конец 22 и устанавливает двуплечий рычаг 16 в положение,...

Номер патента: 1791178

Опубликовано: 30.01.1993

Авторы: Довнар, Протасеня, Трофимович

МПК: B60K 28/00

Метки: механизм, средством, транспортным

...автоматический включатель 6, связанный с рычагом 1 управления стояночным тормозом, автоматический выключатель 7, связанный с рычагом 2 управления коробкой передач, а также сигнализатор 8, выполненный звуковым, например, в виде эуммера. Кроме того, он снабжен дополнительной электрической цепью 9, соединяющей цепь 3 между сигнализатором 8 и включателем 6 с массой 5, в которой установлен включатель 10, связанный с одной стороны со штоком 11 гидроцилиндра 12, подключенного к гидросистеме 13 смазки двигателя, а с другой - через упругий элемент 14-с рычагол 1 управления стояночным тормозом.Работает предложенный механизм управления транспортным средством следующим образом.При стоянке или остановке транспортного средства рычаг 2 управления...

Номер патента: 1791176

Опубликовано: 30.01.1993

Авторы: Амельянчик, Довнар, Протасеня, Трофимович

МПК: B60K 17/10

Метки: коробка, передач, средства, транспортного

...путем увеличения числа обеспечиваемыхпередач,На чертеже показана схема коробки передач.Коробка передач транспортного средства содержит входной вап 1, связанный сдвигателем 2, выходнойвал 3, связанный сдвижителем 4, дифференциальный механизм 5 с входным звеном 6, связанным свходным валом 1, выходным звеном 7, связанным с выходным валом 3, и промежуточным звеном 8, гидромашины 9, 10, 11,гидромашина 9 связана с промежуточнымзвеном 8, а 10 и 11 с входным валом 1,распределитель 12, гидробак 13. Распределитель 12 выполнен с шестью основными линиями 14 - 19, из которых 14 связана с магистралью 20 гидромашины 9, 15 - с гидробаком 13, 16 и 17 - с магистралями 21, 22 гидромашины 10, 18 и 19 - с магистралями 23, 24 гидромашины 11, Кроме...

Номер патента: 1789365

Опубликовано: 23.01.1993

Авторы: Бобровник, Довнар, Протасеня, Трофимович

МПК: B60K 17/10

Метки: гидромеханический, средства, транспортного, ходоуменьшитель

...9, между нагнетательной магистралью 10 которой и гидробаком 11 установлен регулируемый дроссель 12, дополнительную гидромашину 13, и переключающее устройство 14. В первой позиции переключающего устройства 14 дополни 15 20 25 тельная гидромашина 13 связана с основной гидромашиной 9 (показано на схеме), во второй позиции переключающего устройства 14 дополнительная гидромашина 13 связана с корпусом 15, и в третьей позиции переключающего устройства 14 дополнительная гидромашина 13 связана с венцом 16, связанным с входным звеном 6 дифференциального механизма 5, а нагнетательная магистраль 17 дополнительной гидромашины 13 связана с нагнетательной магистралью 10 основной гидромашины 9 до регулируемого дросселя 12,Работает предложенный...

Номер патента: 1787820

Опубликовано: 15.01.1993

Авторы: Довнар, Протасеня, Скойбеда

МПК: B60K 28/00

Метки: механизм, средством, транспортным

...обмотка 10 магнита 11 которого последовательно с автоматическим выключателем 8 подключена к дополнительной цепи 12, связанной с источником тока 5 с одной стороны и массой 6 с другой в первой позиции вкл,очателя 13 стартера 14 непосредственно (показано на схеме), и во второй - через обмотку 15 электромагнита 16 включения стартера 14,Работает предложенный механизм управления транспортным средством следующим образом,Перед запуском двигателя транспортного средства рычаг 1 управления стояночным тормозом находится во включенном положении, т.е, включатель 3 замыкает цепь 4, а рычаг 2 управления коробкой передач - в нейтральном положении, т,е. включатель 8 замыкает цепь 12 (показано на схеме), Ток течет по обмотке 10 электромагнита 11,...

Номер патента: 1786324

Опубликовано: 07.01.1993

Авторы: Амельянчик, Довнар, Протасеня, Трофимович

МПК: F16H 47/04

Метки: дифференциальная, передача

...вращения двухпомощности, необходимостью в блокирую зиционных зубчатых муфт 15, 16, при этомщем устройстве, дополнительных управля- . муфта 15 установлена на валу 17 выходногоющих элементах, усложненной элемента 11 вариатора 9 для соединения вгидравлической части и т;д. Это в сумме первой позиции с зубчатым венцом 18 протребует увеличения затрат на производство межуточного звена 8, и во второй позиции -50 с зубчатым венцом 19 вала 20, связанного сЦель изобретения - , упрощение конст- входным валом 2, и муфта 16 установлены врукции и расширение эксплуатационных корпусе 1 для связи во второй позиции сзубчатым венцом 18 промежуточного звенаПоставленная цель достигается тем, что 8. При выполнении вариатора 9 в виде регув...