Патенты с меткой «фототранзистор»

Номер патента: 1823931

Опубликовано: 23.06.1993

Авторы: Авдеенко, Калинин, Нефидов, Пак, Поляков, Сведе-Швец

МПК: H01L 31/10

Метки: фототранзистор

...На чертеже показана стру гаемого устройства. Фототранжит изолирующую подложку сформирован участок кремни двумя областями п типа 3 и 4, соединены 2 электрода 5 и 6 но. Управляющий электрсд 7 над р-областью 2 и изолирова лектрическим слоем. Устройс следующим образом.1823931 На управляющий электрод 7, расположенный на диэлектрическом слое 8 подается опорное напряжение величиной равное1 А - Оя + Ь О, где Опор - пороговоенапряжение МОП транзистора, сформиро+ +ванного областями п, р, и, 3,2 и 4 соответственно и электродом 7, а Л Онапряжение, равное примерно (0,050,5)Опор, При этом транзистор приоткрыт ичерез него протекает незначительный темновой ток порядка единиц-десятков мкАпропорциональный величине (Оол-Олэр)(1),Под воздействием квантов...

Номер патента: 1407353

Опубликовано: 30.06.1993

Авторы: Ашмонтас, Вакуев, Мармур, Оксман, Ширмулис

МПК: H01L 31/103

Метки: фототранзистор

...барьерперехода эмиттер"база равным энергиикванта регистрируемого излучениячто достигается,приложением настоян"наго напряжения и смещения эмиттеря,удовлетворяющего условию где Ц " контактная разность патеццц- ЯЛОВ эмиттерцого перехода; 1постоянная Планка,Сскорость светязаряд злРктроцяЪ - длина волны регистрируемогоизлучения,Перешедшие в базу носителя попадают в коллекторный р-и"переход,смещенный в обратном направлении.Как ц ц Ооычцом биполярном трЯцзистаре ицжекция цеосновцьх па Отцашецию к базе) носителей обегпечиваетусиление мощности электрических сигналов.Толщина эмиттеря 1 це превышаетдлины Остывация Фотоцосителей " рас.стояния, ця котором фотоносители тряют приобретенную от света энергию,т, ей " 1 ., где д - толщиназьцг:тара...

Номер патента: 862753

Опубликовано: 10.05.1996

Авторы: Клименко, Костенко

МПК: H01L 29/76, H01L 31/10

Метки: фототранзистор

ФОТОТРАНЗИСТОР на основе МДП структуры, содержащий полупроводниковую подложку, одна из поверхностей которой является чувствительной к излучению, с областями стока, истока и канала, на которой сформирован слой диэлектрика и электрод затвора, отличающийся тем, что, с целью расширения функциональных возможностей, поверхность подложки, свободная от диэлектрика, является чувствительной к излучению и имеет пазы над областью канала, площадь сечения каждого из которых удовлетворяет следующему соотношению:гдеS1 площадь сечения паза;S площадь канала;n число пазов,а диаметр паза и расстояние между соседними пазами не менее чем на порядок...