H01L 29/88 — туннельные диоды

Номер патента: 139015

Опубликовано: 01.01.1961

Авторы: Красилов, Мадоян

МПК: H01L 29/88

Метки: двухэлектродный, полупроводниковый, прибор, туннельный

...своей вольтамперной характеристики.На фиг. 1 изображена характеристика описываемого прибора; нафиг 2 в его структурная схема,Кривая характеристики описываемого прибора (фиг. 1сплошной линией и для сравнения там же пунктиром изобрвая язве:тных туннельных диодов.Прибор обладает участком с высоким дифференциальным сопротивлением. Этот участок, образующийся при небольших (порядка долей иединиц вольт) положительных смещениях, обусловлен вторым обычным1 т. е, не обладающим туннельным эффектом) р - и переходом, работающим в области обратной ветви при указанных смещениях на всем приборе. После наступления лавинного или зиннеровского пробоя обычногоР - и перехода начинает работать туннельный р - и переход, обусловливая появление на вольтамперной...

Номер патента: 148143

Опубликовано: 01.01.1962

Автор: Логунов

МПК: H01L 29/88

Метки: диодов, емкости, основанный, перехода, площади, туннельных, уменьшении, уменьшения

...в том, что рабочую плошадьр - п перехода туннельного диода уменьшают за счет изменения электрической структуры исходного материала, для чего на полупроводникнаносят тонкий слой материала того же типа, но с меньшим удельнымсопротивлением.Во время вплавления выпрямляющего контакта происходит проплавление поверхностной пленки и образование надежного р - и перехода как с пленкой, так и с основной массой полупроводникового кристалла.Применяя тонкие поверхностные слои низкоомного материала, можно получить туннельные диоды с очень малой емкостью. На полупроводниковый кристалл поверхностный слой наносят, например, при помощидиффузии примесей или осаждением низкоомного материала из газовойфазы и т. д.Государственный комитет...

Номер патента: 171923

Опубликовано: 01.01.1965

Авторы: Есесша, Логунов

МПК: H01L 29/88

Метки: диод, туннельный

...туннельный диод.На кольцевой гластине 1 германия с одной стороны создан кольцевой омический контакт 2, а с другой стороны через стеклянную кольцевую прокладку 3 припаяна металлическая, например коваровая, пластина 4, Сплав 5, образующий р - гг-переход прибора, расположен внутри германиевой пластины 1 и имеет контакт с металлической пластиной 4.Изготовить структуру можно следующим образом; на большой пластине германия по всей поверхности создают спай с коваром через тонкую (10 - 60 мк) стеклянную прослойку при температуре около 800 в 9 С. Напаивают с другой стороны германиевой пластины золоченую или серебряную коваровую пластину для создания омического контакта с германием, Позолотив полученный сандвич с обеих сторон, нарезают его на...

Номер патента: 172404

Опубликовано: 01.01.1965

Автор: Константинов

МПК: H01L 29/88

Метки: диод, туннельный

...сечения, при этом электродный матсриал, образуя р - п-переход ца боковой грани кристалла, имеет одповреко:такт с язычом верхнего выводаприбора.Такое выполнение диода позволяет увеличить частотпь:й предел прибора, снизить индуктивность корпуса и упростить технологию его изготовления, что позволит автоматизировать технологический процесс.На чертежецельного диодаКристалл 1 с р - и-переходох 2 заклОчец в керамисекуо оболочку 3, к которой прцплавлены верхний и нижний контактные выводы 1 ц 5 прибора с напаянной ца верхц 1 ш вывод 1 крышкой 6, 5 Верхний вывод 4 прибора выполнен в видекольца с язычком 7, загнутым под углом, например, 90.Кристалл 1 полупроводникового материала, установленный в корпусе прибора и прц О плавленный к нижнему...

Номер патента: 176988

Опубликовано: 01.01.1965

МПК: H01L 29/88

Метки: полупроводниковый, стабилитрон

...от поверхности структуры со сто роны коллектора, чем весь коллекторный переход.В результате этого значительно повышается мощность полупроводниковых стабилитронов.На чертеже схематически и н предложенный стабилитрон.Он представляет собой мощный полупроводниковый триод типа п - р - и с эмиттерным переходом 1 и диффузионным коллекторным переходом 2. В коллекторном переходе имеется участок 3 одного с базой типа проводимости гет изобретения итрон, выполктуры типа и - о, с целью поколлекторном табилитронный проводимости, ие пробоя меньобоя всего колрасположен на ти структуры соколлекторный зображе 11 одписная группа97 присоединением заявкималой площади со значительно меньшей глубиной перехода и меньшим напряжением пробоя, чем весь...

Номер патента: 181093

Опубликовано: 01.01.1966

МПК: G01K 7/22, H01L 29/88

Метки: алкилтиоэтансульфокислоты, ариловых, р-алкоксии, эфиров

...эфиров вин илсульфокислоты со спиртами или меркаптацами в присутствии щелочных катализаторов цо схемеСН.= СНЯОзОАг+РХН-.КХСНз - СНеЯОеОАг, где Х - О или 5;Й - алкил или аралкил.Реакция заканчивается при слабом нагреганни реагентов. В качестве катализатороь используют металлический натрий, алкоголяты ц меркаптиды щелочных металлов, третичные амин 61 и т. и,П р и мер. К раствору эквимолекулярных количеств эфира вицилсульфокислоты и спирта илц меркаптана при перемещивании добавляют катализатор (0,1 - 1 мол. %) и реаонцую массу выдерживают прц 40 - 50 С вчецие 8 - 10 час. Спирты или меркаптаныгут примецяться в избытке. По окончанииакции смесь промывают водой, высушивцад сульфатом магццн и проду 1 ст выделперегонкой илц...

Номер патента: 219567

Опубликовано: 01.01.1968

Авторы: Зубков, Мадо

МПК: H01L 29/88

Метки: высокочастотный, днод, туннельный

...содержащего держащего 5 - 15 с льшей стабильнос также большим ч индия ью тун стотныход тунв монолия олотению р - и-перех здан вплавлением ческий арсенид га т 5 до 15% инди едм ст изобретения Известны туннельные диоды на основе моноили поликристаллического арсенида галлия, легированного цинком, с вплавным р - ппереходом, созданным вплавлением олова.Недостаток известных туннельных диодов при работе в таком режиме, когда рабочая точка периодически или длительное время находится на диффузионной ветви вольтамперной характеристики, заключается в том, что величина максимального туннельного тока диода непрерывно уменьшается, что приводит к невозможности создания высокочастотных приборов.Предлагаемый туннельный диод на основе арсенида...

Номер патента: 219702

Опубликовано: 01.01.1968

Авторы: Адо, Зубков

МПК: H01L 29/88

Метки: диод, туннельный

...в каче- а, образующего служит, наприльные диодь пегированног димости, в к о материал оводи мости, с индием,тунн льно прово одног ипа п лова ширина чем у аТаки ся шир разующ значите метров которого меныд ря этому уменьшает оны материала, об а проволимости, стабильность пара Известные туннельные диоды имеют недостатсчно стабильные параметры, при рабо 1 е на диффузионном участке вольтамперной характеристики они быстро меняют характеристики.Предложенный туннельный диод, выполненный на основе арсенила галлия р-типа проводимости, легирова.нного цинком, отличается от известных тем, что зона гг-типа проводимости его образована соединением типа бар, 1 п, Лз,Прелмет изобретения 10 Туннельный лиол на основе арсенила лия р-тица проводимости,...

Номер патента: 263044

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Константинов, Шапиро

МПК: H01L 29/88

Метки: высокочастотный, диод, туннельный

...например, типа 1 И 102 КК 3.362.048 ТУ, у которых концентрация в р-сбла.ти р-и-перехода значительно презышает концентрацию носителей в и-области. Недостатком приборов такого типа является высокий коэффициент шума.Цель настоящего изобретения - создание СВс 1-туннельного диода с уменьшенным коэффициентом шума.Сущность изобретения заключается в том, что при фиксированном значении приведенной/п 1 р т 2концентрации), гдеПр )и - концентрация донсрной примеси;р - концентрация акцепторной примеси, определяющей величину предельной частоты прибора, соотношение концентраций и и р изменяют таким образом, чтобы величина отрицательного сопротивления, а следовательно, и шумы диода уменьшались.Форма вольтамперной характеристики, а следовательно, и...

Номер патента: 1598780

Опубликовано: 30.11.1992

Авторы: Булдовский, Дубоносов, Клембек, Пузиков, Семенов, Черепков

МПК: H01L 29/88

Метки: переходом, туннельным

...мощности на переходе,Устройство изготавливается с использованием известного способа получения ал1598780 30 повышения стабильности характеристик во времени и надежности работы в условиях воздействия климатических и радиационных нагрузок, слой диэлектрика и защитный слой выполнены из поликристаллическай алмазной пленки,Формула изабретени: Устройство с туннельным переходам, содержащее два металлических электрода, слой диэлектрика между ними и защитный слой, а т л и ч а ю щ е е с я тем, :,та, с целгло Составитель Н.ГусельникавРедактор Т,Куркова Техред М,Маргентал Корректор О.Густи Заказ 559 Тираж Псдписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж, Раушская наб., 4/5...

Номер патента: 1810931

Опубликовано: 23.04.1993

Авторы: Вотченников, Осорин, Шкрадюк

МПК: H01L 29/88

Метки: датчик, температуры

...1 и аг - коэффициенты теплового расширения кристалла вдоль и поперек главной кристаллографической оси соответственно (для одноосного кристалла),при нагревании и охлаждении датчика будут отсутствовать термические напряжения, связанные с разностью коэффициентов теплового расширения.Датчик малочувствителен к действию проникающего излучения.При использовании кристалла СаСОз об ласть рабочих температур датчика составляет - 4,2 - 800 К.Датчик может быть выполнен средствами технологии микроэлектроники, при этом кристалл выращивается эпитаксиально, паэ вытравливается ионно-лучевым тра влени 1810931ем, затем распылением наносятся электроды. Датчик может быть выполнен в корпусе интегральной микросхемы, в том числе не-...

Номер патента: 1003701

Опубликовано: 27.05.1996

Авторы: Климойц, Костенко, Пупцев, Стрельников

МПК: H01L 29/88

Метки: диод, туннельный

Туннельный диод, содержащий области p- и n-типа, образующие p - n-переход, сформированный в эпитаксиальном n-слое, нанесенном на полупроводниковую подложку и омические контакты к p- и n-областям, отличающийся тем, что, с целью расширения функциональных возможностей диода, со стороны подложки до базовой области выполнен паз, причем в пазе, а также на эпитаксиальном слое между омическими контактами к p- и n-областям над базой расположены изолированные электроды.