Способ анизотропного травления мезоструктур
Формула | Описание | Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 1266402
Автор: Брюхно
Формула
Способ анизотропного травления мезоструктур, включающий формирование на поверхности кремниевой пластины с ориентацией рабочей поверхности в плоскости [100] прямоугольных участков маски, стороны которых ориентированы в направлениях [110] формирование в углах прямоугольных участков корректирующих фигур, анизотропное травление кремния в местах пластины, свободных от маски, отличающийся тем, что, с целью повышения разрешающей способности процесса за счет уменьшения размеров разделительных канавок, формирование прямоугольных участков маски и травление кремния проводят вначале вдоль одного из направлений [110] затем осуществляют маскирующее окисление полученной поверхности и проводят формирование прямоугольных участков маски и травление кремния вдоль второго направления [110] а корректирующие фигуры формируют в виде отрезков прямых, проходящих от вершины прямоугольных участков маски под углом 45o к направлению [110] до пересечения со смежной корректирующей фигурой.
Описание
Целью изобретения является повышение разрешающей способности процесса за счет уменьшения размеров разделительных канавок.
На фиг. 1 изображена поверхность кремниевой пластины с ориентацией рабочей поверхности в плоскости [100] и рельефом получаемой мезоструктуры; на фиг. 2 полупроводниковая пластина с вскрытыми окнами для образования канавок травления; на фиг. 3 полупроводниковая пластина с канавками травления; на фиг. 4 полупроводниковая пластина с мезоструктурами.
На чертежах обозначены прямоугольники 1, отверстия 2, стороны которых параллельны одному из направлений 110, непрозрачные участки 3, корректирующие фигуры 4, вершины 5 прямоугольников, точки 6 пересечения семейства направлений 100 со смежной корректирующей фигурой, пластина 7, слой 8 нитрида кремния, маскирующее покрытие 9 пленки SiO2, канавки 10 травления, окисный слой 11 толщиной 0,6-0,8 мкм.
П р и м е р. Для осуществления данного способа травления изготавливают два фотошаблона. На поверхности кремниевой пластины с ориентацией рабочей поверхности в плоскости [100] для формирования прямоугольных участков мезоструктуры (прямоугольников 1 (см. фиг. 1) на фотошаблоне при использовании позитивных фоторезистов формируют отверстия 2, стороны которых параллельны одному из направлений [110] а на втором фотошаблоне формируют непрозрачные участки 3 (показаны штриховой линией), стороны которых параллельны другому направлению [110] Корректирующие фигуры 4 на каждом из фотошаблонов совпадают друг с другом и выходят из вершин 5 прямоугольников 1 под углом 45о к направлению [110] т.е. параллельно семейству направлений [100] до точки 6 пересечения со смежной корректирующей фигурой.
Далее на пластине 7 формируют слой нитрида кремния 8 методом газофазного осаждения толщиной 0,2 0,3 мкм и с применением второго фотошаблона методом фотолитографии формируют участки 3. Далее пластину окисляют для формирования маскирующего покрытия 9 толщиной 0,6-0,8 мкм (см. фиг. 2). С использованием первого фотошаблона в слое вскрывают отверстия 2, стравливают в 30%-ном водном растворе КОН при температуре 100оС канавки 10 и окисляют их поверхность. Толщина окисла 11 равна 0,6-0,8 мкм (см. фиг. 3).
Далее пластину обрабатывают в нагретой до 80оС ортофосфорной кислоте. В результате участки 3 слоя 8 нитрида кремния удаляются без повреждения маски на SiO2. После удаления нитрида кремния проводят анизотропное травление кремния так, как описано выше.
В результате получают мезоструктуры с выступами, расположенными в местах нахождения прямоугольных участков 1 (см. фиг. 4).
Способ анизотропного травления мезоструктур, включающий формирование на поверхности кремниевой пластины с ориентацией рабочей поверхности в плоскости [100] прямоугольных участков маски, стороны которых ориентированы в направлениях [110] , формирование в углах прямоугольных участков корректирующих фигур, анизотропное травление кремния в местах пластины, свободных от маски, отличающийся тем, что, с целью повышения разрешающей способности процесса за счет уменьшения размеров разделительных канавок, формирование прямоугольных участков маски и травление кремния проводят вначале вдоль одного из направлений [110], затем осуществляют маскирующее окисление полученной поверхности и проводят формирование прямоугольных участков маски и травление кремния вдоль второго направления [110], а корректирующие фигуры формируют в виде отрезков прямых, проходящих от вершины прямоугольных участков маски под углом 45o к направлению [110] до пересечения со смежной корректирующей фигурой.
Рисунки
Заявка
3861900/25, 21.02.1985
Брюхно Н. А
МПК / Метки
МПК: H01L 21/306
Метки: анизотропного, мезоструктур, травления
Опубликовано: 20.05.1996
Код ссылки
<a href="https://patents.su/0-1266402-sposob-anizotropnogo-travleniya-mezostruktur.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ анизотропного травления мезоструктур</a>
Способ сухого травления слоев на поверхности полупроводниковых структур
Номер патента: 1817617
Опубликовано: 20.09.1996
Авторы: Базыленко, Гулевич, Державская, Родин
МПК: H01L 21/306
Метки: поверхности, полупроводниковых, слоев, структур, сухого, травления
...(по абсолютной величине), соответствует моменту начала вскрытия поверхности, находящейся под слоем (нижележащей) структуры. При вскрытии всей немаскированной поверхности нижележащей структуры сигнал стабилизируется, что соответствует моменту окончания травления, Очевидно, отрезок времени между началом роста первой производной сигнала и моментом окончания травления слоя равен времени вскрытия поверхности нижележащей структуры. Это время может быть получено следующим образом. К моменту вскрытия поверхности нижележащей структуры в месте на пластине с максимальной скоростью травления в месте с минимальной скоростью травления толщина остатка слоя составляетЛЬ = (Ч.-Ч.) 1. (1) где Ч, Ч, - максимальная и минимальная скорости травления...
Способ вскрытия локальных участков в окисленной поверхности полупроводниковой пластины
Номер патента: 668510
Опубликовано: 30.10.1993
МПК: H01L 21/311
Метки: вскрытия, локальных, окисленной, пластины, поверхности, полупроводниковой, участков
...выращенным на ней слоем окисла 2 и нанесенным дополнительным защитным покрытием 3. На поверхность защитного покрытия нанесена пленка фоторезиста 4, в которой после совмещения и проявления открыты окна 5 и дефекты б.На фиг, 2 показана пластина 1 после травления защитного покрытия 3, нанесения второго слоя фотореэиста 7, второго совмещения и проявления фоторезиста 7 с проявлением дефектов 8 во втором слое фоторезиста, которые не совпадают с дефектами б, протравленными в защитном по 5 10 15 крытии 3.На фиг, 3 показана пластина 1 после удаления фоторезиста 7 и дополнительного защитного покрытия 3 по вскрытыми окна 20 45 После проявления на пластинах травят пленку молибдена 3 в смеси азотной и ортофосфорной кислоты в течение 40 с. Этот...
Способ нанесения цифр, знаков и других изображений на металлические поверхности путем электрохимического травления
Номер патента: 74309
Опубликовано: 01.01.1949
Автор: Максимов
МПК: C25F 3/00
Метки: других, знаков, изображений, металлические, нанесения, поверхности, путем, травления, цифр, электрохимического
...гнезда для точной укладки изделий.В гнезда закладывают изделия лицевой стороной вверх.Лист-матрицу со сквозными делениями и знаками со стороны, подлежащей наложенно па изделия, покрываот товот слоем жидкости илц смазки, це растворяющейся, не смывающейся ц це реагирующей с электролитом и цмеощей поверхностное натяжение, достаточное, чтобы препятствовать проникновеник; электролита между матрицей и поверхностью пзделця,Матрицу накладывают на магццтнуо плиту с набором заготовок изделцгс, Расположение делений в матрице должно быть заранее строго согласовано с расположением заготовок в гнездах.Магнитная плита переносится в ванну с электролитом, включается ток повышенного, по сравнению с принятым при электротравленцц, напряжения (не ниже 24...
Водный раствор для размерного травления металлической поверхности
Номер патента: 1084339
Опубликовано: 07.04.1984
Авторы: Аскадский, Ногач, Ситник, Стецишин
МПК: C23F 1/04
Метки: водный, металлической, поверхности, размерного, раствор, травления
...на глубину до 1000 мкмбез торцового подтравливания элемен 0 тов, т.е. без искажения штрихов шириной менее 300 мкм.Раствор готовят. простым смешениемкомпонентов,Процесс травления рекомендуется65 проводить в температурном интервале1084339 38 46-50 фС., т3бованиемЭтот интервал определен тре- трехроторная ТОР-.40 Т 2 скорость вранием максимального отношения ско- щения роторов 600 об/мин темперости т авления к ср я к скорости стравли- ра раствора +46 С, продолжительностьвания граней элементов изображения, травления 56 мин.марки Ст.З полП р и м е р 1. Рельефы на стали При травлении в этих услов иях дор .3 получают травлением в рас стигается глубина травления 1000 мкмтворе след егоРХлорноеующ го состава, мас,боковое стравлнвание и торцовое...
Устройство для электролитического травления металлических поверхностей
Номер патента: 1236019
Опубликовано: 07.06.1986
Авторы: Жосан, Лапин, Меткин, Пономарев, Чадин, Щеголев
МПК: C25F 7/00
Метки: металлических, поверхностей, травления, электролитического
...содержит электрод 1 10(анод) в виде ромбической сетки сизолированной стороной, обращенной кэлектроду 2 (катоду),прокладку 3 изпористого изолирующего материала,расположенную между электродами, выводы 4 от электродов 1 и 2 к источнику 7 тока, Электроды 1 и 2 закреплены в корпусе ванны 5 с помощью зажимов 6.П р и м е р. Для электролитического травления используют магнитопровод типоразмера ШЛМ 32 х 32, В качестве электролита используется 20 Х-ныйраствор соляной кислоты НС 1,в качестве электродов используют ромбическуюсетку из свинца с размером ячеекЗх 2 мм. Электрод 1 (анод) имеет изолированную сторону, обращенную кэлектроду 2 (катоду) . В качестве изолирующего покрытия применяется жидкое стекло. Прокладка выполнена...
Предыдущий патент: Газоанализатор
Следующий патент: Волоконно-оптический элемент
Случайный патент: Устройство для удаления вредных газов