Климойц
Туннельный диод
Номер патента: 1003701
Опубликовано: 27.05.1996
Авторы: Климойц, Костенко, Пупцев, Стрельников
МПК: H01L 29/88
Метки: диод, туннельный
Туннельный диод, содержащий области p- и n-типа, образующие p - n-переход, сформированный в эпитаксиальном n-слое, нанесенном на полупроводниковую подложку и омические контакты к p- и n-областям, отличающийся тем, что, с целью расширения функциональных возможностей диода, со стороны подложки до базовой области выполнен паз, причем в пазе, а также на эпитаксиальном слое между омическими контактами к p- и n-областям над базой расположены изолированные электроды.