Калошкин

Номер патента: 1822298

Опубликовано: 20.01.2008

Авторы: Белицкий, Дулинец, Калошкин, Колешко, Красницкий, Малышев, Турцевич

МПК: H01L 21/18

Метки: интегральная, металлизацией, микросхема, тонкопленочной

1. Интегральная микросхема с тонкопленочной металлизацией, содержащая кремниевую подложку с расположенными в ней активными и пассивными элементами, диэлектрический слой со сформированными в нем контактными окнами и созданным первым слоем тонкопленочной металлизации, расположенным на диэлектрическом слое и в контактных окнах, вторым слоем металлизации на основе алюминия или его сплавов, расположенным над первым, отличающаяся тем, что, с целью увеличения степени интеграции ИМС за счет уменьшения вертикальных размеров элементов, первый слой тонкопленочной металлизации выполнен толщиной от 15 до 100 нм из заэвтектической смеси кремния с алюминием при содержании кремния от 11,8 до 60...

Номер патента: 1805786

Опубликовано: 20.05.1996

Авторы: Довнар, Дулинец, Калошкин, Красницкий, Родин, Семенов, Турцевич

МПК: H01L 21/28

Метки: контактно-барьерного, материал, межэлементных, подслоя, соединений

...методике по даннымрентгенодифракционного анализа на дифрактометре Дрон - 2 по угловому смещению25 дифракционного пика.Величину нарушенного приповерхностного слоя подложки определяли по методике, представленной в работе (Коб 1 п Ч.6Кочо 1 еЬоМ М.Ч., 1 аагпоч В,М., 1 озапоч 1 сЬ30 Е,Е. ТЬе вейоб о 1 1 п 1 е 9 гасЬагас 1 ег 1 м 1 сз 1 пХ-гау бИгасбоп зтаб 1 ез о 1 зсгцсмге о 1 1 ЬеЯиг 1 асе 1 аяегз о з 1 п 91 е сгузса 1 з. РЬуз, Всат.Яо 1, (а) 1981, ч.64, р,442-465).Содержание кремния измеряли мето 35 дом масс-спектрометрии на масс-спектрометре МНпо методике (Буэанев Е,В идр. Исследования слоев в структурах поликремний -иметодом МСВИ, Вторичнаяионная и ионна-фотонная эмиссия, - Харь 40 кои, 1983, с,205-207). Качество...

Номер патента: 1670537

Опубликовано: 15.08.1991

Авторы: Дударчик, Калошкин, Лакоза, Ляшевич, Чехович

МПК: G01N 15/02

Метки: жидкостях, концентрации, непрерывно, протекающих, размеров, частиц

...оптическую кювету 7 исследуемой жидкостичастицы, находящиеся в ней, пересекаютосвещенную зону и рассеивают световое излучение. Рассеянное излучение через приемные объективы 8 и 9 и диафрагмы 10 и 11 направляется на фотоприемники 12 и 13, На фотоприемники 12 и 13 попадает излучение, рассеянное частицами в зоне счетного объема как вперед(относительно потока, фокусируемого первым объективом 3), так и назад(относительно потока, фокусируемого вторым объективом 4). При Этом каждый фотоприемник суммирует рассеянное излучение вперед и назад, следовательно, суммируются соответствующие сигналы рассеяния. Это позволяет увеличить амплитуду от малых частиц, для которых характерно рзлеевское рассеяние.В процессе прокачивания среды через капилляр на...

Номер патента: 1448246

Опубликовано: 30.12.1988

Авторы: Дударчик, Игнашева, Калошкин, Лакоза, Пилипович, Чехович

МПК: G01N 15/14

Метки: жидкостях, размеров, частиц

...находящимися в прокачиваемой жидкости, счетного объема 4, излучение рассеивается ими во все стороны. Рассеянное час тицами йзлучение, распространяющееся от счетного объема, регистрируется первым 5 и вторым 6 фотоприемниками, расположенными симметрично относитель. но плоскости, перпендикулярной нап равлению прокачивания жидкости и проходящей через счетный объем.При попадании частицы в счетный объем на выходе первого 5 и второго 6 фотоприемников формируются импульсы 45 электрических сигналов. При этом фронты и спады этих двух импульсов совпадать не будут. В момент пересечения частицей границы счетного объема 4, когда частица рассеивает свет только частью своей поверхности, индикатрисса рассеяния преобретает несимметричный вид,...

Номер патента: 1126581

Опубликовано: 30.11.1984

Авторы: Балабанов, Бунаков, Васильев, Иващенко, Игнашева, Калошкин, Титов, Точицкий

МПК: C09B 47/30

Метки: вакуумный, фоторезист

..."У" 15 не применяли по данному изобретению.Целью изобретения является разра" ботка нового вакуумного фоторезиста, позволяющего повысить разрешающую способность при производстве 20 микроэлементов электронных схем, снизить дефектность слоя Фоторезиста, а также упрощение технологии производства защитного слоя, позволяющее осуществить замкнутый вакуумный цикл производства интегральных схем,Указанная цель достигается тем, что используют пигмент зеленовато- голубой Фталоцианиновый "У" Формулы: ЗО3 11265величине плотности мощности и плот-ности энергии лазерного излучения,устойчив к действию травящих фреоновых плазм и ионного облучения с энер. гией ионов (10 эВи полностью ис-.паряется под деиствием лазерного изи5лучения.П р и м е р 1. Навеску...

Номер патента: 1112412

Опубликовано: 07.09.1984

Авторы: Верниковский, Калошкин, Конопелько, Лосев, Панфиленко, Сухопаров, Урбанович, Фомин

МПК: G11C 29/00

Метки: запоминающее

...схема предложенного устройства; на фиг. 2 - принципиальные схемы наиболее предпочтительных вариантов выполнения усилителей,. формирователей сигналов, матрицы программируемых ЭП н формирователей сигналов,Предложенное устройство содержит матрицы 1 и 2 основных н резервных ЭП соответственно с числовыми шинами 3, дешифратор 4 алреса олова, разрядные шины 5 и 6 матриц 1 и 2 соответственно, основные 7 и резервные 8 усилители с одними из уп. равляющих входов 9, формировательО управляющих сигналов с входами 1 - 13, другие управляющие входы 14 и 15 соответственно усилителейи 8,Устройство содержит также формирова. тели 16 и 17 сигналов с входами 8 и 19 соответственно, дешифратор 20 адреса разряда, матрицу 2 программируемых ЭП с управляющими...

Номер патента: 1056123

Опубликовано: 23.11.1983

Авторы: Игнашева, Калошкин, Корчков, Мартынова

МПК: G03C 1/68

Метки: электронорезист

...и толщины защитной маски,Наличие сурьмы в полученных защитных масках и их высокая термостабильность открывает новое Функциональное назначение резиста - возможность использования его в ка- . честве истоцника диффузанта сурьмы в полупроводниковую подложку и менять тип ее проводимости.П р и м е р 1, Получение защитной маски негативного типа и р- п перехода.Пленку чувствительноГо слоя наносят на установке УВНР 2, для чего 0,2 г (винил,стибин) силсес" квиоксана помещают в испаритель тигельного типа и напыляют на холодную подложку кремния Р -типа, расположенную над испарителем на расстоянии 20 смРабочий вакуум в камере 10 мм рт,ст , время испарения вещества 2 мин. Температуру испарителя изменяют от 20 до 150 С в следующем режиме:;30-140 С...

Номер патента: 1049801

Опубликовано: 23.10.1983

Авторы: Игнашева, Калошкин, Королев, Овсянко, Рахманько, Седнев, Сергеева, Старобинец

МПК: G01N 31/16

Метки: воде, органического, углерода

...который располагается между кюветой и Ч -образным кварцевым змеевиком, служащим для проведения предварительного озонирования кислорода, поступающего в кювету. При этом начинается одновременно и процесс окислений под воздействием ультрафиолетового излучения и разогрев кюветы. Температура .кюветы во время процесса окис. ления поддерживается на уровне 90- 100 еС. Процесс облучения ведут 15-25 мин после чего отключают ртут" но-кварцевую лампу, определяют коли" чество образовавшейся двуокиси угле" рода, прекращают. подачу кислорода и раэгерметизируют систему.Расчет содержания органического углерода (мг/л) проводят по формулеС= -.Эгде Ч - объем титранта, пошедшийв холостом определении,мл;Чр " объем титранта, .пошедшййпри анализе пробы,...

Номер патента: 1014979

Опубликовано: 30.04.1983

Авторы: Браницкий, Гаевская, Гвоздков, Игнашева, Калошкин, Милещенко, Свиридов, Царев, Цыбульская

МПК: C23C 3/02

Метки: бора, водный, меди, никель, осаждения, поверхность, покрытий, раствор, химического

...со скоростьюдо 1 мкм/ч 2,.Однако скорость процесса при повышенных температурах является недостаточной, а внешний вид и способность по- з,крытий к сварке не удовлетворяю необ-:ходимым требованиям,Цель изобретения - повышение скорос-ти процесса, а также получение блестящих покрытий с улучшенной способностьюк сверке. Толщина полученного покрытия,мкмУсилив отрыва электронных .выводов после их сварки к полученному покрытию, г 79 2Указанная цель достигается твм, что . водный раствор, включающий хлористый никель борогидрид натрия, сегнвтовусоль, атилендиамин, гидроокйсь натрия и стабилизатор, в качестве стабилизатора содержит 8-нитробензимидазол при следующем соотношении компонентов, вес.%:Хлористый никель 0,23-2, ЭВорогидрид натрия...

Номер патента: 930385

Опубликовано: 23.05.1982

Авторы: Калошкин, Мамедов, Подопригора, Савотин, Сухопаров

МПК: G11C 11/40

Метки: выборки, накопителе, памяти, элементов

...работц устройства.Устройство содержит первую шину 1 питания, шину 2 управления двухэмиттерный п-р-и транзистор 3 с двумя эмиттерами 4 и 5, адресную шину 6, шину 7 выборки элементов памяти при записи, и-р-и транзистор 8, нагрузочный резистор 9, р-и"р транзистор 1 О, шину 11 выборки элементов памяти при считывании, вторую шину 12 питания, источник 13 питания.Устройство работает следующим об- разом.В режиме покоя ток выине б и напряжение на шине 2 равны нулю. Напряжение на шине 11 (Ци) равно напряжению шины 1 (О), а напряжение на щине 7 равно нулю, так как транзистор 3 закрыт. Поступление в шину 6 адресного тока приводит к включению транзисторов 10 и 8. Потенциал шины 11 понижается до величины, рав-. ной остаточному напряжению между...

Номер патента: 909661

Опубликовано: 28.02.1982

Авторы: Иванюта, Калошкин, Ключников, Малашкевич, Татаринов

МПК: G04G 3/00, G04G 9/06

Метки: наручные, часы, электронные

...выход которого соединен со входом управляющего устройства с парафазными выходами 10 преобразователя 8 напряжения. Один прямой выход устройства 10 соединен со входомЬ 909661КМДП-инвертора 12, второй прямой выход устройства 10 соединен с затвором выходного МДП-транзистора 15, аинверсный выход устройства 10 соединен с затвором питающего МДП-транзистора 13. Выход.КМДП-инвертора 12соединен с одной обкладкой конденсатора 14, другая обкладка которогосоединена с источником МДП-транзистора 13 и истоком МДП-транзистора 15, 0Шины питания генератора 10 делителя 2 частоты высокочастотных и низкочастотных каскадов, которые дляупрощения фиг, 1 не показаны), счетно-дешифраторного устройства 3, формирователя 7 импульсов большой скважности, одна шина...

Номер патента: 903972

Опубликовано: 07.02.1982

Авторы: Болдырев, Верниковский, Калошкин, Левитман, Попов, Савотин, Сухопаров, Фомин

МПК: G11C 11/00

Метки: запоминающее, оперативное

...введе-.ны элемент 11 согласования на транзисторе и дополнительный эмиттерныйповторитель 12, генератор 13 тока, ырезистор 14 и делитель напряжения изрезисторов 15 и 16. Кроме того, вкаждую строку ячеек накопителя вве 903972ден дополнительный инжекционный эле"мент 17 памяти, полностью соответствующий половинке триггерной ячейкипамяти, Элемент 17 снабжен разряднойшиной 18, подключенной к генератору 13 тока и к эмиттеру транзистораэлемента 11, согласования. Коллектортранзистора элемента 11 согласованиячерез резистор 14 выведен на положительный полюс источника питания. Наэтот же полюс выведен коллектор до-.полнительного эмиттерного повторитегня 12. База дополнительного эмиттерного повторителя 12 подключена к коллектору транзистора элемента...

Номер патента: 900085

Опубликовано: 23.01.1982

Авторы: Гончаров, Долгий, Зуева, Иванов, Калошкин, Карпуть, Крутько, Рычаго, Фомин

МПК: F27B 1/10

Метки: пластин, полупроводниковых

...газовых отверстий 19 в колпаке 6, совпадающих с ними вертикальных газовых отверстий 20 стенда 7, кольцевого канала 21, центрального канала 22, распорного кольца с наружными выступами 23, ограничительного штифта 24, упорных винтов 25, продольных пазов 26, кольцевой проточки 27, загрузочного отверстия 28, роликовых опор 29, эксцентриковых осей 30 и фиксаторов 31 их поворота.Установка работает следующим образом,Держатель с полупроводниковыми пластинами 8 устанавливается на кварцевую подставку 16, Открывается заслонка 12 и колпак 6 гидроцилиндром опускается на стенд 7 игерметизируется усилием штока 10 гидроцилиндра посредством прижатия к стенду, Ша. ровая опора 11 позволяет обеспечить установ. ку колпака 6 на стенд 7 без перекосов....

Номер патента: 843177

Опубликовано: 30.06.1981

Авторы: Болдырев, Бушуев, Калошкин, Шагурин

МПК: H03K 3/286

Метки: д-триггер

...2 и выходом первого инвертора 1,соединение выхода четвертого инвертора с входом первого Мнвертора 1 и выходом второго инвертора 2, соединениевхода третьего инвертора 3 с выходомпятого инвертора 5 и выходом четвертого инвертора 4 и соединение входачетвертого инвертора 4 с выходом пяЬтого инвертора 5 и 2-входом 7 образуют элементы монтажное И, Пятый инвертор 5 для обеспечения нормальногофункционирования должен иметь задержку срабатывания, превышающую задержку срабатывания остальных инверторов.;г) -триггер работает следующим образом. 40 Если на входеЗ установлено значение 1 = 1, то при поступлении положительного фрощтасинхросигнала С переключается инвертор 4; При этом инверторпереключается в состояние логической "1". Инвертор 3 также...

Номер патента: 836044

Опубликовано: 07.06.1981

Авторы: Артамонов, Букатина, Верниковский, Гойденко, Игнашева, Калошкин, Солдатов

МПК: C08L 27/24

Метки: изготовлениямембранного, полимерный, состав, фильтра

...воде составляет 6,36 мл/мин см при перепаде давлений 1 атм, пористость 70 об. , давление проавливания Ы первого пузырька 5,6 кгс/смП р и м е р 2. Готовят раствор, содержащий 25 вес,хлорированного поливинилхлорида ГОСТ 10215-72 4 465 вес.диметилсульфоксида и 10 вес. этилацетата, Раствор с помощью фильеры наносят на пластину из полированного стекла. Формование пористой мембраны проводят в растворе, содержащем75 об.гексилового спирта и 25 об,ацетона.Полученная мембрана имеет равномерную пористую структуру, среднийдиметр пор 0,54 мкм. Производительность фильтрации через мембрану поводе 31,84 мл/мин см при перепадедавлений 1 атм, пористость 71 об. ,давление появления первого пузырька2,0 кгс/смП р и м е р 3. Готовят раствор,содержащий 20...

Номер патента: 809434

Опубликовано: 28.02.1981

Авторы: Баранов, Калошкин, Карелин, Лабунов, Сергеев, Хитько, Черных

МПК: H01L 21/306

Метки: иустройство, пластин

...влаги обеспечивается за 2 мин. Превышение вре 15 мени сушки больше 2 мин. нецелесообразно иэ-за увеличения длительностипроцесса.На чертеже изображена головка,как часть всего устройства, для обЩ работки одной полупроводниковойпластины.Головка-состоит иэ токопроводящего вала 1 с насадкой 2, Корпусаголовки 3 с внешней насадкой 4. Вал1 имеет основной канал 5 с радиальными, горизонтально расположеннымив конце канала отверстиями 6 и кольцевыми проточками 7 для вакуумныхуплотнителей. На конце вала 1 имеется буртик 8 для опоры на подшипник9 и шестерня или шкив 10 для придания валу вращения. На противоположном конце вала имеется насадка 2 сотверстиями 11, сообщающимися сосновным каналом 5, Вал 1 и насадка2 выполнены из токопроводящегоматериала,...

Номер патента: 732792

Опубликовано: 05.05.1980

Авторы: Гайдашов, Калошкин, Петренко, Эйсмонт

МПК: G04C 1/00, G04G 17/00

Метки: часов, электроконтактное, электронных

...электроконтактное устройство для электронных часов в разрезет на фиг.2 - расположение контактов на контактной площадке электронного блока; на фиг. 3 - схема фиксации валика в рабочих положениях. Вращанвцийся валик 1, имекщий о головку 2, шейку 3 и несколько радиальных пазов 4 У-образного сечения, расположен в отверстии корпуса электронных часов, На внутреннем конце валика жестко закреплена 25 шайба 5, имеющая отогнутый контакт 6,Упругий элемент выполнен в видеплоской пружины 7 с прямоугольнымпазом и отогнутым клиновым усом 8и крепится, например к электронномублоку часов. Уплотнительное кольцо 9732792 Формула изобретения ЦНИИПИ Заказ 1733/36 Тираж 482 Подписное иал ППП Патент, г. Ужгород, ул. Проектная обеспечивает герметичность конструк...

Номер патента: 561165

Опубликовано: 05.06.1977

Авторы: Калошкин, Катунин, Кулагин

МПК: G03C 5/00, H01L 21/70

Метки: защитного, изображения, рельефного, формирования

...поскольку близлежащий второй край формируется неоптическим путем, что и обусловливает повышение разрешающей способности опроцесса,Формирование второго края кольцеобраэных элементов возможно вследствие того,что боковые стенки рельефного рисункапосле первого проявления получаютсягидрофильными в противоположность верхнейповерхности фоторезистового слоя, Этопозволяет селективно замедлить растворение в проявителе (по сравнению с полностьюзаэкспонированным фоторезистом) частифотореэиста, непосредственно примыкающей к боковым стенкам рисунка, при помощи подходящего реактива в водном растворе. Последующая общая засветка переводит остальную чсь фоторезистовогослоя в растворимую в проявителе форму,которая легко удаляется дополнительнымпроявлением...

Номер патента: 491824

Опубликовано: 15.11.1975

Авторы: Буйко, Калошкин, Колешко, Лашицкий

МПК: G01B 11/06

Метки: двухслойных, диэлектрических, пленок, толщин

...к исследуемому образцу как под углом Брюстера, так и нормально к поверхности. По измеренному регистриру ю щим устройством значению коэффициента отражения р-компоненты при падении света под углом Брюстера к верхней поверхности можно рассчитать толщину нижнего слоя двухслойной диэлектрической структуры, Из теорети ческой оценки следует, что коэффициент отра491824 р - 1 Фг) фиг, 1 жения от двухслойной структуры, выращеннойна отражающей подложке, равен Г 24 кГ -1 г -1- 2 Гр )г) сои д,У(1)1+ Г 1 г 1 + 2 Г,р 1 г 1 р соз- и, а - ," где Гр - амплитудный коэффициент отражения р-компоненты от границы раздела воздУх - веРхний слой; 1 г 1 р - сУммаРный амплитудный коэффициент отражения р-компоненты от остальной структуры; Х - длина волны...

Номер патента: 463693

Опубликовано: 15.03.1975

Авторы: Бубель, Калошкин, Колешко, Новиков, Степанов

МПК: C09D 5/26, G01K 11/16

Метки: высокотемпературные, основе, смеси, термографические, холестерина, эфиров

...материалов, которые могут быть применены в микроэлектронике, в частности для измерения тепловых параметров полупроводниковых приборов, ин тегральных схем и их компонентов.Известны холестерические смеси с различным диапазоном рабочих температур, от низких (близких к 0 С) и до 60 - 70 С.Известные смеси нельзя использовать для 10 визуализации тепловых полей при более высоких температурах.Интервал температурной чувствительности известных смесей широк, Так, например, смесь из 27 вес. % пропионата холестерина и 15 43 вес. % пеларгоната холестерина проявляет зеленый цвет в области 20 - 70 С. Смеси с более узким интервалом температур, как правило, быстро кристаллизуются. Таким образом известные смеси не пригодны для точ ных измерений...

Номер патента: 454674

Опубликовано: 25.12.1974

Авторы: Калошкин, Носов, Сидоров

МПК: H03K 3/315

Метки: генератор, импульсов, световых

...восходящей ветвивольтамперной характеристики на вторую и обратно,рабочая точка туннельного днода 2 ся по первой восходящей ветви вольтой характеристики, то напряжение на де весьма невелико. В таком режиме источника 8, протекающий через выный резистор 7, ответвляется главным т в цепь диода с накоплением заряда ольку германцевый илц кремниевый дцтеет существенно меньший статический о напряжению, чем арсснцд-галлцсвый од 1, а падение напряжсния на низко- резисторе б относительно невелико,454674 Предмет изобретения Составитель Е. Ковалева едактор А. Зииьковски Те 1 ед Г. Васильев;Корректор Н. Ауказ 188,6ЦНИИП Изд.243 Государствеппого комитета по делам изобретеиийМоскга, Ж.35, Раушскаи,5 ппографии, пр. Сапунова, 2 Б результате в базе...