H01L 31/04 — предназначенные для работы в качестве фотоэлектрических преобразователей, например фотоэлектрические модули или единичные фотоэлектрические элементы

Номер патента: 94836

Опубликовано: 01.01.1953

МПК: H01L 31/04, H01L 35/02

Метки: 94836

...ляющего распылени подкладку но больш жены в ви слойный термостол ичных металлов (и х диэлектрика, на я материалов в вакотличающийй поверхности обл де ступенек. бик, состоящии из черели металла и полупровоносимых, например, метууме на растворимую ился тем, что, с целью получения, горячие спаи те дующихся слоевдинка) и разде- одом катодного и нерастворимую учения достаточрмопар располоМногослойные термостолбики из чередующихс ных металлов и разделяющего их диэлектрика, н методом катодного распыления материалов в вак или нерастворимую подкладку, известны. В описываемом ниже термостолбик чие спаи термопар расположены в ви спаи всех термопар подвергались непо диации. На чертеже показана схема термостолбика в р Термостолбик состоит из...

Номер патента: 146757

Опубликовано: 01.01.1962

Автор: Жилевич

МПК: H01L 31/04

Метки: видеосигналов, изображений, оптических, преобразования, серию

...чего полупроводниковые слои оказываются под действием электрического поля, Материалы полупроводников подбцрают4 б 757ся такими, чтобы их максимумы спектральной чувствительности находились в различных областях спектра,Если изображение 9 спроектировать объективом 10 на полупроводциковый слой 4, то на освещенных участках этого слоя проводимость увеличится пропорционально освещенности и через слой 4 к границе раздела слоев 4 и 5 начнут идти заряды с проводящей пленки б. Спектральный состав проектируемого изображения выбирается таким, чтобы он не содеркал лучей, к которым чувствителен полупроводниковый слой 5, вследствие чего на границе раздела слоев 4 и 5 будут скопляться электрические заряды, образуя потенциальный рельеф, соответствующий...

Номер патента: 150955

Опубликовано: 01.01.1962

МПК: H01L 31/04, H01L 37/02

Метки: 150955

...которого зависит от температуры для возбуждения переменного тока в результате. периодического изменения емкости конденсатора. Сущность ука. занного способа заключается в том, что, с целью повышения к.п.д, и надежности работы преобразователя энергии, а также снижения его веса, габаритов и инерционности, нелинейный электрический конденсатор включают совместно с линейной индуктивностью в цепь, работаюгцую в условиях параметрического резонанса при частоте, вдвое меньшей частоты нагрева диэлектрика,Предлагаемый способ непосредственного преобразования световой энергии в электрическую основан на использовании изобретения по основному авт. св.140920 и предназначен для непосредственного преобразования световой энергии в электрическую при помощи...

Номер патента: 409632

Опубликовано: 25.08.1976

Автор: Рождественская

МПК: H01L 31/04

Метки: изображения, мишень, многоэлементная, потенциальный, преобразования, рельеф

...питания в цепи прием 409632ника и нвгрузочного опоя, 16 - источник .смешения на управпяюшую сетку.Выравнивающая сетка 5 служит контактом к нагрузочному слою. Приемник 1 излучения, нагрузочный слой 4, выравнивающие сетки 2 и 5 и изоляционный слой 3 расположены на стороне стеклометаллического диска, проводящие стержни которого выступают над поверхностью стекпа до соприкосновения с источником излучения.При попадании на приемник входного изображения, освещаемые участки меняют свое сопротивление и вызывают перераспределение напряжений между элементарными нвгрузочным сопротивлением и фотосопро- р тивпением.Падение напряжения на нагрузочном сопротивлении определяет потенциал соответ ствуюшего проводящего стержня. Таким образом, нв...

Номер патента: 526972

Опубликовано: 30.08.1976

Автор: Таборко

МПК: H01L 31/04

Метки: изображения, электролюминесцентный

...достигается тем, что электролюмицофор и диэлектрик выполнены в виде параллельных чередующихся полос, при этом состороны фоторезистора на каждую пару соседних полос нанесен проводяций дискретныйэлемент, а с противоположной стороны цакаждую сторону нанесены пространственноизолированные проводящие шины, причем цскомпенсирующего напряжения полк парам проводящих шин, находпцих - одним прогодящцм дискретным элеотопроводника 9 размещен с протцой стороны стеклометаллического снабженного выравнивающей сетазователь работает следующим о526972 Составитель Н, Григорьева Техред Е. Подурушина Корректор Н. Аук Редактор Н. Коляда Заказ 2698/10 Изд, Ме 1664 Тираж 963 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изо 5...

Номер патента: 506242

Опубликовано: 25.06.1977

Авторы: Бессолов, Данилова, Дмитриев, Именков, Царенков, Яковлев

МПК: H01L 31/04

Метки: спектрометрический, элемент

...так и по толщине пластины. При этом по толщине пластины ширина запрещенной зоны увеличивается по мере удаления от поверхности потенциального барьера, достигая максимальной величины на противоположной поверхности пластины, которая одновременно является оптическим окном.Таким образом, в предложенной конструкции излучение регистрируется как при падении излучения со стороны поверхностного потенциального барьера, так и с противоположной стороны пластины (со стороны оптического окна),Принцип работы спектрометрического элемента основан на поглощении света, генерации электронно.дырочных пар и разделении их электрическим полем потенциального барьера. Ввиду различия ширины запрещенной зоны кристалла в разных частях потенциального барьера его...

Номер патента: 375011

Опубликовано: 05.08.1977

Авторы: Акперов, Именков, Царенков, Яковлев

МПК: H01L 31/04

Метки: полупроводниковый, прибор, фотоэлектрический

...дпя - типа, Различие в параметрах решетки не бо лее 4%, по сравнению с материалом облучае мой поверхности попупроводниковой структур ры. Это позволяет избавиться от поверхнос 1 ных состояний и создать на поверхности пь лупроводниковой структуры такойотенциальный барьер, электрическое поле которого бу дет отталкивать неосновные носители от гра ницы раздела в глубь полупроводниковой стру туры, В такой конструкции фоточувствитель ного прибора поверхностная рекомбинации практически сведена к нулю.аж 976 венного элам из ква, ЖПодписноекомитета Совета Министробретений и открытий35 Раушская ндб., д. 4/ илидл П 11 П 1 мент", г. Ужгород, ул, Проектная,3780зНа чертеже показан предпоженный прибор,один нз вариантов.,Фотосопротивпеяие выполнено нз...

Номер патента: 549054

Опубликовано: 25.10.1977

Авторы: Волков, Гольдберг, Царенков

МПК: H01L 31/04

Метки: поверхностно-барьерный, фотоприемник

...ограниченный,с дпинновопновой стороны значением минимальной ширины запретной зоны подупроводника,а с коротковолновой стороны - значениемширины запретной зоны на расстоянии 1 от Пбарьерного контакта (фиг. 2).Работа прибора происходит следующимобразом,Свет падает на широкозонную поверхность полупроводника и погдощается в толще кристалла. При этом генерируются неравновесные носители заряда. Внутоеннее электрическое поле, вызванное градиентом ширины запретной зоны, заставляет эти носителисмещаться в сторону барьерного контакта, 25Если длина смещения меньше Расстоянияот освещаемой поверхности до барьерногоконтакта, то до барьерного контакта дойдеттолько та часть носителей тока, котораясоздана светом, поглощенным в области,...

Номер патента: 652829

Опубликовано: 15.03.1980

Авторы: Берковская, Кириллова, Подласкин, Чертков

МПК: H01L 31/04

Метки: полупроводниковый

...и Ги, Суммарный сигнал обеспечивает такое распределениепотенциалов по линейке фотодиодов Оцчто на ячейках номера 9 и иОц =О.Соответственно, фототок через эти ячейки равен нулю, а токи через все осталь 40ные ячейки пропорциональны их освещенности. Число ячеек, находящихся под нулевым напряжением, зависит от амплитуды управляющего. импульса, и может из-,меняться каждый такт работы устройст 45ва. Таким образом, осуществляется оперативное управление апертурой сканирования без перестройки устройства.В случае использования р-и фото 5 одиодов устройство работает следующимобразом. В исходном состоянии регистрируемое распределение освещенности создает электронно-дырочные пары. Положительное смешение на линейке достаточно для того, чтобы область...

Номер патента: 671634

Опубликовано: 07.11.1980

Авторы: Медведкин, Руд

МПК: H01L 31/04

Метки: детектор, излучения, линейно-поляризованного

...с направлением Е, параллельным плоскости падения луча, чем волна с Е, перпендикулярным плоскости падения.Установлено, что концентрация генерированных в изотропном материале носителей заряда в результате анизотропии поглощения оказывается зависящей от линейной поляризации падающей волны. По этой причине фотоответ, наведенный электромагнитным излучением в изотропном однородном материале либо в барьерной структуре на его основе позволяет непосредственно анализировать ЛПИ, поскольку фотоответ пропорционален концентрации генерированных в материале носителей заряда.На фиг. 1 показано расположение фотоприемника по отношению к падающему излучению; на фиг. 2 - азимутальное распределение фотоответа (фотонапряжения, фототока) фотоприемника при...

Номер патента: 855794

Опубликовано: 15.08.1981

Авторы: Бирюлин, Волобуев, Макаренко

МПК: H01L 31/04

Метки: смещения, схема, фотодиода

...балансируется таким образом, что сЫ=ьИо, При этом получается следующая связь между И,) и 1О = 1 В+ В 2 + 1 Вн В 2 ,"фД, + 1 ФД- В 20 В 1Если выбрать в предлагаемой схеме Вн, ВА и В таким образом, чтобыВ+Я ,40 ВиВ 2.ФВ 1= Впф "р-и= БИО , независимо от тока через фотодиод. За счет этого достигается стабилизация фотодиодов в условиях воздействия сильных изменяющихся световых потоков,Эта зависимость аналогична зависимости для известной схемы за исключением положительного знака перед вторым членом в правой части. Изменение знака означает, что при увеличении тока через фотодиод напряжение на фотодиоде также возрастает. 35На фиг,2 изображено семейство вольтампеРных И,р(1 Ф) хаРактеРистик фотодиодов при нескольких значениях светового...

Номер патента: 884006

Опубликовано: 23.11.1981

Авторы: Макаревич, Рубинов

МПК: H01L 31/04

Метки: запоминающая, мишень

...с прозрачным полупроводниковым слоем, светомодулярующнй слой выполнен на основе пленок халькогенндного стеклообразного полупроводннка.В мишени используются пленки из сис.темы Аэ - Б, нлн Аэ - 5 е, нлн нэ смеси, на.- пример,. состава АэеБз, толшнной порядка О мкм, Как нзвестно, в таких стеклах под 20 воздействнем электронного пучка изменяется показатель преломления н коэффнцяент светопропускания, что обеспечивает фазовую н амплитудную запись ннформацни и884006 формула изобретения ИИИПИ Заказ 10244/79Тираж 787 Подписное илиал ППН аПатентэ, г. Ужгород, ул, Проектная возможность ее немедленного считывания оптическим лучом без этапа проявления, на. грев таких стекол по температур - 200 С не вызывает газовыделение, Стирание записанной...

Номер патента: 862755

Опубликовано: 07.07.1982

Авторы: Айтхожин, Бутылкин, Гайдук, Григорянц, Жаботинский

МПК: H01L 31/04

Метки: преобразования, световой, электрическую, энергии

...люминесценции. Поскольку излучение люг о 15 20 25 зо 35 4 О д 50 55 оо ( минесценции является изотропным, часть его испытывает полное внутреннее отражение от поверхностей концентратора (с предельным углом полного внутреннего отражения 0,). Доля этого излучения, канализируемого концентратором, пропорциональна соз О,. Зеркальные поверхности 2 боковых торцов концентратора отражают это излучение внутрь концентратора. Зеркальная поверхность 2 тыльной стороны концентратора отражает излучение от источника света, не поглощенное при его прохождении через люминофор 3, и, таким образом, удваивает путь, проходимый этим излучением через люминофорную среду. Возбужденная излучением источника света люминесценция люминофора при своем распространении...

Номер патента: 812112

Опубликовано: 15.08.1983

Авторы: Медведкин, Руд, Ундалов

МПК: H01L 31/04

Метки: анализатор, излучения, линейно-поляризованного

...опти.- ческие оси которых лежат а плоскости гетерограницы, указанные оси параллельны между собой, причем коэффициент несоответствия параметра. ихкристаллических решеток в направле-.нии оси не более 1 ГТакое выполнение. обеспецивает поляризационную фотоцувствительность в широкой области спектра, определяемой шириной запрещенной зоны веществ слоя и подложки.1 оскольку использованные полупроводники обладают анизотропией оптических переходов, то. анализатор чувствителен к линейной поляризации, излучения в широком спектральном диапазоне, который также .определяется шириной запрещенной зоны анизотропного слоя и анизотропной подложки. Ориентация слоя в направлении оптической оси подложки необходима для выполнения соответствия правил отбора...

Номер патента: 873827

Опубликовано: 23.11.1983

Авторы: Курбатов, Щахиджанов

МПК: H01L 31/04

Метки: зарядовой, прибор, связью

...условию, позволяет регулировать коротковолновую границу фоточувствительности ПЗС с помощью изменения напряжения на электродах, причем величина изменения этой границы такова, что ПЗС может разрешать не менее двух спектральных составляющих в пределах области фото- чувствительности.На фиг,1 представлено предложенное устройство, на фиг.2 - зонная ,диаграмма полупроводниковой пластины и расположение областей пространственного заряда (ОПЗ) и нейтральной области (НО); на фиг. 3 - спектральные характеристики предлагаемого ПЗС при различных напряжениях на электродах, а на фиг.4 - спектральные характеристики разностных сигналов.Прибор с зарядовой связью для . приема и формирования иэображения содержит фоточувствительную полупроводниковую...

Номер патента: 980574

Опубликовано: 30.12.1983

Авторы: Абдурахимов, Руд

МПК: H01L 31/04

Метки: излучения, линейно-поляризованного, фотоанализатор

...ориентации оптическая ась с лежит в плоскости пластины. Фотоанализатор выполнен из полупроводника с нелинейной люкс-амперной характеристикой. для сильнопоглощаемого излучения Ес люкс-амперная характеристика суперлинейная, а для слабопоглощаемого Е 1 с - сублинейная.55 При освещении фотоанализатора пучком линейно-поляризованного излучения по нормали к плоскости (100) с ростом концентрации генерированных 0 носителей заряда И возникающий в результате поглощения сильнопоглощаемого излучения Е с фототок Фц заявляемого устройства увеличивается суперлинейно, в то время как при поглошении слабопоглощаемого излучения 5 1 с фототок 1, заявляемого устройства увеличивается сублинейно, т.е. более медленно. Для известного же фотоанализатора в областях...

Номер патента: 580778

Опубликовано: 30.08.1985

Авторы: Бродзели, Ковтанюк, Полян, Сихарулидзе, Чавчанидзе, Чилая

МПК: H01L 31/04

Метки: изображения

...к границам раздела полупроводник - диэлектрик, и так как их недостаточно для экранирования, в полупроводник проникает сильное поле и возникает обедненная область во всей толще полупроводника. В таком состоянии основная часть напряжения садится на слой полупроводника и величина напряжения на слое жидкого кристалла меньше порога динамического рассеяния. При подаче со стороны оптического входа изображения из области спектральной чувствительности полупроводника в слое 3 происходит фотогенерация носителей пропорционально освещенности каждой точки,. которые под воздействием поля в полупроводнике дрейфуют к границе раздела полупроводник -.диэлектрик, экранируя при этом частьнапряжения в полупроводнике. Этоприводит к перераспределению...

Номер патента: 743507

Опубликовано: 23.10.1985

Авторы: Плотников, Попов, Толоконников, Шубин

МПК: H01L 31/04

Метки: излучения, сигнал, электрических, электромагнитного

...центров захвата темновымиинжекционными токами, на границеполупроводниковых слоев образованызапорные контакты для носителей тока обоих знаков, что достигается,например, очищением широкозонногослоя от легирующих примесей или ихкомпенсацией.Толщина слоя широкозонного полупроводника должна быть не более5 мкм для получения эффективной модуляции приповерхностной областиузкозонного полупроводника, необходимой для последующего преобразования потенциального рельефа в электрический сигнал,На чертеже показана зонная диаграмма.Полупрозрачный контакт 1 выполнен к широкозонному полупроводнику2, а к узкозонному полупроводнику 3осуществлен омический контакт 4.При попадании на гетеропереходсо стороны полупрозрачного контактарегистрируемого излучения с...

Номер патента: 766471

Опубликовано: 30.12.1985

Авторы: Берковская, Кругликов, Подласкин, Столовицкий

МПК: H01L 31/04

Метки: полупроводниковый

...30 45 транзисторов.На фиг. 1 изображена принципиальная блок-схема; на Фиг. 2карта суммирования Фототоксв элементарных ячеек с учетом знака Фототокадля положения ключевых элементов,в ,показанного на фиг. 1.ФК общей подложке 1, снабженнойобщей шиной 2, выполнена матрицаэлементарных ячеек 3. Каждая элементарная ячейка содержит фотоприемный элемент 4 и два Г 1 ОП-транзистора 351(ключи) 5 и 5 , имеющих исток 6,сток 7, затвор 8. Матрица снабженадвумя системами взаимно-ортоганальных токоотводящих шин: вертикаль 1/них 9 - Х и 10 - Х , а также 40Йгоризонтальных 11 - Г, и 12 - 11Истоки ключей 5 подключены к фотоприемным элементам 4. Затворы 8ключей 5 - и шинам О. Стоки 7ключей 5 подключены к шинам 11,а стоки 7 ключей 5 - к шинам 12.Линейка...

Номер патента: 1032951

Опубликовано: 07.12.1986

Авторы: Баублис, Мартюшов, Морозов, Самсонов

МПК: G01T 1/24, H01L 31/04

Метки: детектор, излучения, ионизирующего

...в любой точке не превышает 10 (Тр ( 1 О ), причем детектор снабжен деформирующимприспособлением и закреплен в немтой частью, на которой отсутствуетобласть р - и-перехода поверхностнобарьерной структуры.Предлагаемое изобретение основанона неочевидном и неизвестном ранеефакте, заключающемся в том, что если кривизна кристалла при деформации Т/103,то поверхностно-барьерная структура, нанесенная на такой кристалл, остается работоспособной, Необходимость соблюдения такого условия быпа определена и доказана опытным путем. Условием, также обеспечивающим работоспособность детектора, является определенное закреп-.ление его в деформирующем приспособленин, а именно вне области р - и-перехода поверхностно-барьерной структуры (отсутствие...

Номер патента: 660508

Опубликовано: 23.11.1987

Авторы: Беркелиев, Гольдберг, Мелебаев, Царенков

МПК: H01L 31/04

Метки: поверхностно-барьерный, фотоприемник

...имеет наибольшее значение минимальнойэнергиипрямых оптических переходови барьерного контакта,50С целью получения селективной фоточувствительности, материал имеетнаименьшее значение минимальной энергии прямых оптических переходов убарьерного контакта.55фотоприемник может быть выполненна основе твердого .раствора СаА 1 Р,где х=0,2 у контакта из золота, Наодной стороне пластины расположен полупрозрачный барьерный контакт, ана другой - омический.При освещении такого прибора светом через полупрозрачный слой металла, создающего барьерный контакт, вполупроводнике образуются носителизаряда, которые разделяются полем потенциального барьера. Если кристаллимеет плавно уменьшающуюся в направлении от барьерного контакта минимальную энергию...

Номер патента: 1122114

Опубликовано: 30.05.1988

Авторы: Глезин, Григорьева, Далецкий, Звягина, Мильштейн, Попов, Харон

МПК: G01T 1/24, H01L 31/04

Метки: датчик, дозиметра, излучения, ионизирующего, полупроводниковый

...связано сразмещением источника света в корпусе датчика. Это требует использования дополнительного пространства для 40установки самого источника и для формирования пути распространения светадля получения более или менее равномерного освещения полупроводниковогопреобразователя. 45Цель изобретения заключается вуменьшении габаритов датчика и обеспечении условий для световой калибровки.50Поставленная цель достигается тем, что в датчике дозиметра ионизирующего излучения, содержащем светонепроницаемый корпус, в котором установлены полупроводниковый преобразователь, и источник света, полупроводниковый датчик выполнен в виде пластины с двусторонней чувствительностью, в корпусе дополнительно установлена светорассеивающая пластина, одной...

Номер патента: 1405712

Опубликовано: 23.06.1988

Автор: Дэвид

МПК: H01L 31/04

Метки: полупроводниковое

...устройства подложку, например алюминий, располагают на нагревательной пластине, в вакуумнойкамере и подсоединяют к отрицательной клемме источника энергии,Затем вакуумную камеру откачиваютдо давления порядка 0,5-1,0/х 10 торр,а подложку нагревают до 150-400 С.В вакуумную камеру впускают силан51 Нпод давлением 0,1-3,0 торр и врезультате этого температура подложки повышается до величины 200-500 С.0С целью обеспечения невыпрямляющегоконтак га между подложкой и активнойобластью, последняя должна наноситься на подложку при температуре вьппе350 С для того, чтобы гарантироватьобразование эвтетики между алюминиевой подложкой и активной областьюаморфного кремния,Для нанесения активного слоя разность потенциалов между анодом и...

Номер патента: 1499330

Опубликовано: 07.08.1989

Авторы: Аннин, Беляев, Ковтонюк, Купрейченко, Одиноков, Сальников

МПК: G06F 3/153, H01L 31/04

Метки: изображения

...этом в слое 4 жидкого кристалла,молекулы которого ориентированы планарно, формируется анизотропия показателя преломления для необыкновенного луча, соответствующая зарядовому распределению между слоями 17 и16. Считывающий плоскополяризованный свет от излучателя 18 дваждыпроходит через слой 4 жидкого кристалла и второй раз отражается отслоя 16 диэлектрического зеркала че"рез поляризатор 20 и объектив 21,который формирует выходное изображение, 1499330Интенсивность прошедшего черезустройство света У ио закону Малюсабудет равна у = У я 1 п 2я 1 п Б/2, (1) где У - интенсивность падающего свеота;Я - угол между плоскостью поляризации считывающего света ипервоначальным направлениемдиректора молекул слоя ЖК;Б - разность фаз обыкновенногои...

Номер патента: 689483

Опубликовано: 23.10.1989

Автор: Павелец

МПК: H01L 31/04

Метки: солнечной, электрическую, энергии

...Фототока. Одновременноевыполнение условий: минимум объемныхрекомбинационных потерь при минимальной ширине запрещенной зоны, с сохранением достаточно низких значений 45энергии электронного сродства, чтообеспечивает относительно высокиезначения фотоЭДС, позволяет повыситьэффективность преобразования солнечной энергии в электрическую в 1,5 ра.эа по сравнению с известными.П р и м,е р 1 Методом кристаллизации из расплава изготавливали монокристалл селенотеллурида кадмия при.содержайии 0,8 молярных частей селенаСЙБе ь Тео . На одну сторону монокристалла, вырезанного в виде прямо-,-г.угольной пластины толщиной 5 10 смвплавляют слой индия, который служит. нижним токосъемным электродом. На противоположную сторону монокристалла...

Номер патента: 1525752

Опубликовано: 30.11.1989

Автор: Матвеев

МПК: H01L 31/04

Метки: фотодиод

...на длине волны 0,85 мкм составляет величину 1/с = 1 мкм, Для того, чтобы полностью поглотить все падающее излучение, толщина обедненной области должна быть порядка (2-2,5)/с, т.е, 35-40 мкм, Использование прототипа позволит уменьшить толщину-области до величичы порядка 2/сп,9,5 мкм, .что почти в четыре раза больше требуемой, поэтому получить требуемое быстродействие при сохранении высокой квантовой эффективности конструкция прототипа не позволит (при толщине обедненной области, равной 2,5 мкм, квантовая эффективность прототипа будет порядка 357.), Существенно повысить квантовую эффективность можно путем использования фотодиода предлагаемой конструкции. Выбирая толщину поглощающего слоя кратной/2 и получим й = 2,503 мкм. Определим...

Номер патента: 1648223

Опубликовано: 23.08.1992

Авторы: Кулаженков, Ливенцов-Ковнеристов, Ященко

МПК: H01L 31/04

Метки: координатный, кремниевый, многоэлементный, фотоприемник

...обусловлены многими факторами, начиная от стабильности параметров ФП и электронной системы до стабильности динамики органов управления,После окончания наведения центральная часть ФП затенена экраном 10 в больной цли меньшей степени н зависимости от выбранного размера экрана 10. Однако при прочих равныхРусловиях величина + О. достигает наименьшего значения при большом затенении внутренней квадратной области ФП.Выбор размеров непрозрачных затеняющих экранов круглой формы.Наименьший размер круглого экрана определяется нз соображения обеспечения непрерывности (нерелейцости) характеристики малой внутренней 4-элементной центральной квадрантной области фотоприемника, Для этого диаметр экрана должен вписываться н квадрант (фиг.4) или немного...

Номер патента: 1758713

Опубликовано: 30.08.1992

Авторы: Гудков, Масалов, Махов, Подшивалов

МПК: H01L 31/04

Метки: излучения, приемник, электромагнитного

...в полупроводнике генерируются свободные носители заряда, пластина 2 становится проводящей и выталкивает из себя магнитное поле короткозамкнутого витка 3. При этом изменяется магнитный поток через соленоид 4, что и приводит к появлению на клеммах 5 напряжения, которое и является выходным сигналом. Причем, напряжение на клеммах 5 появляется только в том случае, когда магнитный поток через соленоид 4, а следовательно, и интенсивность светового излучения меняются во времени, Другим условием работоспособности приемника является достаточно низкая температура, при которой энергия теплового движения лежит ниже энергии ионизации, приводящей к образованию свободных носителей заряда, Приемник работоспособен и в отсутствие короткозамкнутого витка...

Номер патента: 1790015

Опубликовано: 23.01.1993

Авторы: Александров, Прохоцкий

МПК: H01L 31/04

Метки: солнечный, элемент

...2, из-за поглощения света в р-и-переходе и областиполупроводника, прилегающего к р-и-переходу, происходит генерация новых носителей заряда. Диффузионное электрическое поле, существующее в р-п-переходе, производит разделение неравновесных носителей, Другими словами, с точки зрения энергетической диаграммы р-п-перехода, неравновесные электроны "скатываются" с+ потенциального барьера и попадают в и - слой, а дырки - в р-слой (базовый слой) 1. В результате происходит накопление электронов в и -слое и дырок в р-слое. Протекающий ток выводится с помощью электронов 6 и 9. При достижении фото ЭДС - 0,4 В барье р на контакте металл-диэлектри к-полуп роводник, расположенный на тыльной стороне солнечного элемента, оказывается смещенным в обратном...

Номер патента: 1801232

Опубликовано: 07.03.1993

Авторы: Губа, Походенко

МПК: H01L 31/04

Метки: преобразования, света, твердотельный, фотогальванический, электрическую, элемент, энергии, энергию

...наносят на кварцевую оптически прозрачную пластину и допируют описанным выше путем,Толщина пленки допированного ПЭПК на поверхности кремния составляет порядка 200 , а ее удельная электропроводность. равняется 6 10 5 Омсм , которую определяют по стандартной методике с использованием четырехточечного зонда. На поверхность пленки допированного поли-М- эпоксипропилкарбазола методом термовакуумного напыления наносят полупрозрачную пленку золота толщиной 100 А и с помощью серебряной пасты подводят вывод из медной проволоки, В результате проведенных операций получают фотогальванический элемент с сэндвич-структурой и(ПЭПК), допированный ЯЬС 15/Ац, схематическое изображение которого представлено на чертеже, где 1 - монокристалл кремния с...