H01L 29/41 — характеризуемые формой, соответственными размерами или расположением

Номер патента: 1187656

Опубликовано: 15.07.1993

Авторы: Глущенко, Колычев

МПК: H01L 29/41

Метки: полупроводниковая, структура

...разводка 5, материалол которой является алюл 1 инийПричем, при малых размерах окон к ЗОобластям полупроводниковых структур,например, для интегральных схем большой интеграции и СВЧ-транзисторныхструктур, толщину металла делают минимальной - 0,6-0,5 ллкм, с тем, цтобывоспроизвести малую ширину дорожектокопроводящей разводки,В конкретном примере толщина металлизированной разводки составляет0,65 мкм, Токопроводящая разводкаимеет контакты 6, вынесенные на пери"Ферийную часть подложки. Слой токопроводящей разводки покрыт пассиви"рующим диэлектрическим покрытием окиси алюминия 7 толщиной 0,1 мкм и сло" 45ем ФосФорно-силикатного стекла толщиной 0,9 мкм, в котором вскрь 1 ты окна9, 1(онтакты 6 металлизированной разводки 5 соединены церез...

Номер патента: 1071100

Опубликовано: 27.06.1995

Авторы: Алиев, Гусейханов, Рабаданов, Эфендиев

МПК: G01N 27/22, H01L 29/41

Метки: влажности, датчик

ДАТЧИК ВЛАЖНОСТИ, содержащий чувствительный элемент, выполненный из слоя оксидного полупроводника с двумя контактами на противоположных поверхностях, один из которых омический, отличающийся тем, что, с целью увеличения чувствительности датчика, второй контакт с барьером Шоттки, площадью, изменяющейся в диапазоне (0,1 1) 10-4 см2, сформирован на оксидном полупроводнике из окиси цинка.

Номер патента: 766464

Опубликовано: 20.05.1996

Авторы: Баранцева, Костенко

МПК: H01L 29/41

Метки: свч-прибор

СВЧ прибор на основе арсенида галлия, снабженный двумя электродами с омическими контактами и параллельно им расположенными двумя электродами с барьерами Шоттки и двумя управляющими электродами, отличающийся тем, что, с целью расширения функциональных возможностей, управляющие электроды расположены над областью распространения бегущей волны симметрично относительно горизонтальной оси прибора.

Номер патента: 714968

Опубликовано: 20.05.1996

Авторы: Баранцева, Костенко

МПК: H01L 29/41

Метки: свч-прибор

СВЧ прибор на основе арсенида галлия, снабженный двумя электродами с омическими контактами и параллельно им расположенными двумя электродами с барьером Шоттки, отличающийся тем, что, с целью повышения быстродействия, параллельно электродам с барьером Шоттки вне области распространения бегущей волны выполнены управляющие электроды, расположенные симметрично относительно вертикальной оси прибора.