Кокин

Номер патента: 1840703

Опубликовано: 10.02.2009

Авторы: Гуськов, Золотов, Кокин, Панасенко, Сурин

МПК: H01L 27/14

Метки: фотоприемное

1. Фотоприемное устройство, содержащее, по крайней мере, один фотоприемный модуль, включающий подложку с расположенными на ее рабочей стороне одной или несколькими фотоприемными матрицами, находящимися в фокусе изображения, элементами управления и обработки сигнала, связанными между собой электрической связью, отличающееся тем, что, с целью увеличения степени интеграции фотоприемных матриц в фокальной плоскости и повышения степени экранирования фотоприемных матриц от фонового излучения, подложка расположена под углом к направлению излучения, фотоприемные матрицы размещены по ходу излучения в столбец, элементы управления и обработки сигнала помещены относительно матриц...

Номер патента: 1840260

Опубликовано: 10.09.2006

Авторы: Басов, Кокин, Любимов, Манжа, Чистяков

МПК: H01L 21/18

Метки: кремниевых, структур, эпитаксиальных

Способ изготовления кремниевых эпитаксиальных структур, включающий создание в кремнии р-типа проводимости областей n-типа проводимости, легирование поверхности акцепторной примесью, окисление, вскрытие в окисле окон и эпитаксиальное наращивание в атмосфере водорода, отличающийся тем, что, с целью улучшения электрических характеристик структур, легируют поверхность акцепторной примесью между областями n-типа проводимости до уровня концентрации в 3-8 раз меньшего уровня, при котором имеют место канальные утечки под окислом кремния после эпитаксиального наращивания в атмосфере водорода, и после эпитаксиального наращивания структуру отжигают в атмосфере инертного газа, преимущественно азота, при температуре на 100°С больше и на...

Номер патента: 1840259

Опубликовано: 10.09.2006

Авторы: Басов, Кокин, Любушкин, Манжа

МПК: H01L 21/18

Метки: кремниевых, транзисторов

Способ изготовления кремниевых транзисторов, включающий создание коллектора, базы транзистора, нанесение двухслойной маски, нижний слой которой является двуокисью кремния, вытравливание в маске эмиттерного окна, боковое подтравливание двуокиси кремния с образованием полости под вторым слоем маски, диффузию эмиттерной примеси, термическое окисление, вытравливание в окисле эмиттерного контакта, соответствующего окну во втором слое маски, вытравливание контактных окон к коллектору, базе и нанесение металлических контактов к электродам, отличающийся тем, что, с целью улучшения электрических характеристик транзисторов и повышения их надежности, в качестве второго слоя маски наносят поликристаллическим кремний и термическое окисление проводят...

Номер патента: 698454

Опубликовано: 10.06.2001

Авторы: Басов, Гладков, Кокин, Кремлев, Манжа, Чистяков

МПК: H01L 27/12

Метки: инвертор, интегральный

1. Интегральный инвертор инжекционного типа, содержащий переключательный n-p-n-транзистор с эпитаксиальной базой и инжектирующий p-n-p-транзистор с инжектором-подложкой, отличающийся тем, что, с целью повышения коэффициента усиления n-p-n- и p-n-p-транзисторов, эмиттеры n-p-n-транзистора выполнены в виде локальных n+ скрытых слоев, а под пассивной частью базы n-p-n-транзистора расположен высокоомный слой n-типа проводимости, служащий базой p-n-p-транзистора, толщина которого меньше диффузионной длины неосновных носителей заряда, и частично перекрывающий локальный n+ скрытый слой.2. Способ изготовления интегрального инвертора по п.1, включающий операции...

Номер патента: 745297

Опубликовано: 10.06.2001

Авторы: Кокин, Лукасевич, Любушкин, Манжа, Назаров, Чистяков

МПК: H01L 21/18

Метки: полупроводниковых, структур, транзисторных

Способ изготовления полупроводниковых транзисторных структур, включающий создание коллектора, базы, травление в маскирующем диэлектрике эмиттерных окон, осаждение легированной поликристаллической пленки кремния, формирование из пленки мезы, внахлест маскирующей эмиттерное окно, создание эмиттерного p-n-перехода, формирование внутрисхемной разводки, отличающийся тем, что, с целью улучшения воспроизводимости характеристик транзисторных структур и увеличения процента выхода годных, перед осаждением легированной поликристаллической пленки кремния в эмиттерных окнах проводят предварительное подлегирование примесью того же типа проводимости, что и пленки поликристаллического кремния.

Номер патента: 1825277

Опубликовано: 27.11.1996

Авторы: Беспальченко, Верещагин, Донская, Кокин, Меленко, Товмасян

МПК: H05B 33/00

Метки: конденсатора, электролюминесцентного

...изготовления электролюминесцентного конденсатора, включающий последовательное нанесение на первый электрод, в качестве которого используют токопроводящую подложку, защитно-отражающего слоя из смеси двуокиси титана и стекла люминофорно-диэлектрического слоя с последующим чения при том же времени полуспада яркости, что и у необлученных ЭЛК, является аргументом в пользу предположения о том, что за наблюдаемый эффект ответственно увеличение именно начального тока, а не напряжения на зернах люминофора (скорость старения увеличивается с ростом напряжения), Тем не менее нельзя полностью отбросить возможность влияния на яркость облученных ЭЛК и свойств прозрачного электрода.Предлагаемый способ применим прежде всего для изготовления ЭЛК...

Номер патента: 758971

Опубликовано: 27.04.1996

Авторы: Коваленко, Кокин, Манжа, Назарьян, Одиноков, Сулимин

МПК: H01L 21/822

Метки: полупроводниковых, приборов

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ с боковой диэлектрической изоляцией, включающий операции термического окисления, нанесение диэлектрического слоя, селективное травление по отношению к окислу кремния, вскрытие окон в диэлектрических слоях, легирование для формирования базовой и эмиттерной областей, металлизацию, отличающийся тем, что, с целью повышения качества изготавливаемых приборов и процента выхода годных, после операции термического окисления и вскрытия окон в окисле формируют базовую область, наносят диэлектрический слой и проводят вскрытие в нем окон под эмиттер так, что окна в термическом окисле и диэлектрическом слое перекрещиваются, после чего осуществляют легирование для формирования эмиттерной области.

Номер патента: 952051

Опубликовано: 20.04.1996

Авторы: Ишков, Кокин, Лукасевич, Манжа, Сулимин

МПК: H01L 21/82

Метки: интегральных, схем

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ, включающий операции окисления, формирования скрытых слоев, наращивания эпитаксиальной пленки, диэлектрических слоев, создания изолирующих и базовых областей транзисторных структур, вытравливания в диэлектрике эмиттерных и коллекторных окон, наращивания легированной пленки кремния, термического отжига для перераспределения примеси, обтравливания легированной пленки кремния, металлизацию, отличающийся тем, что, с целью увеличения процента выхода годных интегральных схем и повышения их надежности, после создания базовых областей формируют дополнительное маскирующее покрытие, устойчивое к травителю для пленки кремния, а обтравливание легированной пленки кремния осуществляют при формировании металлизации.

Номер патента: 1111634

Опубликовано: 10.04.1996

Авторы: Кокин, Манжа, Сулимин, Шурчков, Ячменев

МПК: H01L 21/76

Метки: изоляции, интегральных, схем, элементов

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ИЗОЛЯЦИИ ЭЛЕМЕНТОВ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ, включающий формирование в кремниевой подложке сплошного скрытого слоя, наращивание эпитаксиального слоя, осаждение маскирующих пленок, формирование в них окон, вытравливание в эпитаксиальном, скрытом слоях и части подложки канавок, формирование в канавках диэлектрического покрытия, удаление его с дна канавок, противоканальное подлегирование дна канавок, осаждение слоя поликристаллического кремния, удаление его с изолируемых областей и канавок, окисление поликристаллического кремния в канавках, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных интегральных схем за счет улучшения планарности, на маскирующих пленках дополнительно осаждают пленку фосфоро- или боросиликатного...

Номер патента: 1072666

Опубликовано: 27.03.1996

Авторы: Кокин, Манжа, Патюков, Чистяков

МПК: H01L 21/331

Метки: p-n-переходами, полупроводниковых, приборов, пристеночными

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ С ПРИСТЕНОЧНЫМИ p-n-ПЕРЕХОДАМИ, включающий формирование боковой диэлектрической изоляции, глубокого коллектора, нанесение диэлектрических слоев, вскрытие окон в диэлектрических слоях, осаждение пленки поликристаллического кремния, легирование пассивных, активных базовых и эмиттерных областей и металлизацию, отличающийся тем, что, с целью увеличения процента выхода годных приборов и повышения плотности их компановки, после создания боковой диэлектрической изоляции проводят ионное легирование пассивной базы, осаждают нитрид кремния, осуществляют фотолитографию всех контактных окон, затем наносят пленку поликристаллического кремния, формируют фоторезистивную маску для защиты эмиттерных и...

Номер патента: 1178269

Опубликовано: 27.03.1996

Авторы: Казуров, Кокин, Манжа, Патюков, Чистяков, Шурчков

МПК: H01L 21/76

Метки: p-n-переходами, полупроводниковых, приборов, пристеночными

1. СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ С ПРИСТЕНОЧНЫМИ p-n-ПЕРЕХОДАМИ, включающий формирование боковой диэлектрической изоляции, глубокого коллектора окисления меза-областей, создания активной и пассивной базовой областей, осаждение нитрида кремния, вскрытие контактных окон в диэлектрических слоях, осаждение пленки поликристаллического кремния, ионное легирование донорной примесью областей, вскрытых в диэлектрических слоях, через пленку поликристаллического кремния, одновременный отжиг всех ионолегированных слоев, металлизацию, отличающийся тем, что, с целью увеличения процента выхода годных приборов, после осаждения пленки поликристаллического кремния дополнительно проводят ее ионное подлегирование акцепторной примесью дозой (5...

Номер патента: 1060066

Опубликовано: 27.03.1996

Авторы: Казуров, Кокин, Манжа, Патюков, Попов, Шурчков

МПК: H01L 21/76

Метки: боковой, диэлектрической, изоляцией, интегральных, схем

1. СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ С БОКОВОЙ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ИЗОЛЯЦИЕЙ, включающий операции формирования сплошного скрытого слоя, наращивания эпитакисального слоя, формирования окисла кремния, фотолитографии, травления, формирования диэлектрической изоляции, диффузии и металлизации, отличающийся тем, что, с целью повышения степени интеграции и процента выхода годных интегральных схем, после формирования окисла кремния производят нанесение поликристаллического кремния и под защитой фоторезиста производят травление поликристаллического кремния, окисла кремния, эпитаксиального слоя, сплошного скрытого слоя и подложки на глубине ниже границы области объемного заряда данной части p-n-перехода: n+-скрытый слой - подложка, после...

Номер патента: 705934

Опубликовано: 27.03.1996

Авторы: Кокин, Манжа, Сергеев, Стадник, Шварц

МПК: H01L 21/82

Метки: интегральных, схем

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ, включающий формирование жесткой маски, создание рабочих областей структуры в объеме полупроводниковой подложки, вскрытие контактных окон и металлизацию, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности интегральной схемы, вскрывают базовые окна, наращивают поликристаллический кремний (Si*), легированный примесью противоположного типа проводимости эпитаксиальной пленке, маскируют Si* диэлектрической пленкой, которая не травится в травителях два SiO2 и Si3N4, создают базовые области диффузией из поликристаллического кремния, методом фотолитографии удаляют диэлектрическую пленку и поликристаллический кремний везде, за исключением участков, где...

Номер патента: 824824

Опубликовано: 27.03.1996

Авторы: Кокин, Манжа, Назарьян, Одиноков, Чистяков

МПК: H01L 21/82

Метки: изоляцией, интегральных, комбинированной, конструкция, схем

1. Конструкция интегральных схем с комбинированной изоляцией, содержащая транзисторы и резисторы, изготовленные в областях, изолированных локальными областями, легированными примесью противоположной скрытому и эпитаксиальному слоям типом проводимости, и диэлектриком, отличающаяся тем, что, с целью повышения степени интеграции и процента выхода годных схем, боковая диэлектрическая изоляция транзисторных структур состоит из двух слоев диэлектрика, пересекающих эпитаксиальный слой и касающихся локальной области, между которыми расположен эпитаксиальный слой с легированной областью резисторной структуры.2. Способ изготовления интегральных схем с комбинированной изоляцией по п.1, включающий операции формирования диэлектрической изоляции,...

Номер патента: 760837

Опубликовано: 27.03.1996

Авторы: Власов, Кокин, Манжа, Чистяков, Шварц

МПК: H01L 21/20

Метки: интегральных, полупроводниковых, схем

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ, включающий формирование областей скрытого слоя противоположного типа проводимости подложке, маскирование подложки диэлектрической пленкой, вскрытие в ней окон, эпитаксиальное наращивание, диффузию примеси одного типа проводимости с подложкой для формирования базовых областей, диффузию примеси привоположного типа проводимости по отношению к подложке для формирования эмиттера, вскрытие контактных окон, металлизацию, отличающийся тем, что, с целью уменьшения размеров элементов, сокращения технологического цикла и повышения процента выхода годных, вскрытие окон в диэлектрической пленке проводят по периметру скрытого слоя и внутри его, а диффузию примеси для формирования базовых областей...

Номер патента: 880167

Опубликовано: 27.03.1996

Авторы: Волк, Волкова, Коваленко, Кокин, Лукасевич, Манжа, Одиноков, Патюков, Самсонов, Сулимин, Чистяков, Шевченко, Шепетильникова

МПК: H01L 21/82

Метки: боковой, диэлектрической, изоляцией, полупроводниковых, приборов, тонкослойных

...проводимости (рР= 10 Ом см локально формируют и -скрытые слои (Х,+ = 3-3,2 25 мкм, р, = 36 - 40 Ом/о ). Методом эпитаксиинаращивают пленку и-типа проводимости с удельным сопротивлением 0,8-1,2 Ом см, толщиной 1-1,2 мкм. Эпитаксиальную пленку маскируют двуслойным диэлектриком 30о5 Ю 2 и Рзй 4 толщиной 600 - 800 А и 1800о2000 Аз соответственно. Методом фотолитографии травят двуслойный диэлектрик и эпитаксиальную пленку на глубину 0,6-0,8 мкм. Формируют р -стопорный слой в вытравленных канавках диффузией бора, Параметры загонки р, = 85 - 90 Ом/а. Удаляют боросиликатноестекло и производят заполнение канавок окислом кремния при 1000 С в парах воды при повышенном давлении 1,5 атм в течение 2,5 ч. Толщина окисла кремния в канавках...

Номер патента: 2004977

Опубликовано: 30.12.1993

Авторы: Березка, Володарец, Деревянко, Кокин, Кулагин, Малый, Марченко, Сербин, Старыгин, Степина, Цымбал

МПК: B02C 17/22

Метки: барабанной, бронефутеровка, мельницы

...свойства бронефутеровки,Недостатком известной бронефутеровки является низкая долговечность элементов сортового проката. невысокое качество измельчения, большой расход электроэнер- гии, высокая металлоемкость,Низкая долговечность элементов сортового проката объясняется нерационально- стью распределения металла по объему и низкие механические характеристики профиля из-за недостаточной деформации металла.Целью изобретения является снижение трудоемкости изготовления и металлоемкости, увеличение рабочего объема мельницыи ее производительности.Укаэанная цель достигается тем, чтобронефутеровка барабанной мельницы со 5 держит однотипные элементы, выполненные с головкой волнового профиля,имеющей выступы и впадины по боковымграням...

Номер патента: 2004329

Опубликовано: 15.12.1993

Авторы: Березка, Деревянко, Иванов, Кокин, Кулагин, Малый, Поляков, Степина, Чупыра

МПК: B02C 17/22

Метки: барабанной, бронефутеровка, мельницы

...разрезе.Бронефутеровкэ барабанной мельницывыполнена в виде таврового профиля, содеркащего полку 1 и стенку 2, Полка 4 ограничена аружнои 3 радиуснсй гранью, внутренними 4 гранями и торцевыми 5 и б гранями, Стенка 2 ограничена торцевой 7 иЗО боковыми 8 гранями, Внутренняя грань 4полки 1 состолт из участков 9, лежащих в одной плоскости с торцевой гранью 7 стенки 2 и участков 10, Длина участка 9, лежащего в однои плоскости с торцевой граньюстенки, составляет 0,2 - О,б длины внутренних граней полок.Размеры длины участков 7 стенки 2 равных 0,2 - 0,6 длины внутренних граней полок определены экспериментальным путем,40Уменьшение длины участка 7 зеленее 0,2 длины внутренних граней полос нецелесообразно в связи с резким возрастанием удельного...

Номер патента: 1827175

Опубликовано: 15.07.1993

Авторы: Кокин, Никулина

МПК: A61B 10/00

Метки: диагностики, нервных, повреждения, стволов

...Б-й В.С.А 22 лет, и.б, ч. 28-91, поступил в1827175 и в зоне иннервации поврежденного и иныле кисти у больного В.С.А,ежден 0-0,5 5,5-2 ЛНХИ им, проф, А,Л,Поленова по пооду повреждения правого плечевого сплетения, При общеклиническом обследования выявлена потеря чувствительности и двигательной функции правой руки, гипотрофия 5 тканей с истончением кожи, пастозность правой кисти, которая усиливается при опускании руки вниз, Для измерения поглощения жидкости был использован предлагаемый способ, Больного предвари тельно усадили за столик, предложив ему положить предплечье и кисти на столик ладонями вниз. Затем смазали медицинским клеем плоскость для крепления и установили ее в зоне поврежденного лучевого нерва 15 на правой кисти;...

Номер патента: 1821131

Опубликовано: 15.06.1993

Авторы: Кокин, Никулина

МПК: A61B 5/02, G01N 33/48

Метки: диагностики, кровообращения, нарушения, периферического

...повышение температуры кожи в исходном состоянии и в период развития реактивной гиперемии левой кис 50 55 Формула изобретения;Способ диагностики нарушения периферического кровообращения, включающий проведение пробы иа реактивную гиперемию, определение насыщения крови кислородом на исследуемой конечности, от-личающийся тем,что,сцельюповышения точности способа, дополнительно измеряют температуру кожи концевых фаланг в исходном периоде, продолжают измерение насыщения крови кислородом и температуру кожи весь период стабилизации реактив-. ти и левой стопы с понижением интенсивности реактивной гиперемии, удлинением вре-.мени развития реактивной гиперемии и еестабилизации что указывает на коллате 5 ральный тип кровотока левой руки с...

Номер патента: 1819896

Опубликовано: 07.06.1993

Авторы: Александров, Кокин, Комышан, Нюхалкин, Пашута, Редькин

МПК: C09C 1/36

Метки: диоксида, основе, пигмента, титана

...и Б 04, в них ойределяется технологией сгущения суспензии и временной отмывки диоксида титана.Состав стоков, мас,В;Тз.О . 0,005-0,5Сульфат-ион 0,2-10,0, Промывка шлама .позволяет ввестив шлам улучшающий пигментные свой"ства твердый диоксид титана,. присут, ствующий в стоках, в вире тонкодис.персной взвеси и(или) образующийся в результате гидролиза титанилсульфатаосадок ТО при промывке водой пореакции Тхйвоа + Нар - Т 102 +"2 "4Кроме того, промывка шлама перертермообработкой снижает концентра-.цию сульфатов металлов, что.позволяет улучшить показатель дисперсности1 О целевого продукта вследствие устра-.нения спекания частиц шлама оксидамиметаллов при. термическом распаде.сульфатов, а также устранить ухуршение цветовых характеристик...

Номер патента: 1796156

Опубликовано: 23.02.1993

Авторы: Клопов, Кокин, Никулина

МПК: A61B 10/00

Метки: асимметрии, диагностики, рефлекса, синокаротидного

...режима считают связанной с напряжением регуляторных процессов, а асимметрию с нарушением ритма - связанную со срывом адаптации. Повышается точность диагностики за счет определения степени выращенности нарушений. дят дозированную правую и левую к ные пробы и по отставанию измене таты сердечных сопряжений боле одной стороны диагностируют асим синокаротидного рефлекса, при это метрию без нарушений, ритма счита занной с напряжением регулят процессов, а при асимметрии с нару ритма - срыв адаптации регуляторн цессов организма. П р и м е р. Полярник М., 25 лет, работает в полярной экспедиции в качестве сезонного работника. При отборе для работы в полярных условиях жалоб не предъявлял, при инструментальном обследовании в условиях Ленинграда...

Номер патента: 1794515

Опубликовано: 15.02.1993

Авторы: Бочанов, Деревянко, Зинченко, Кокин, Коркодола, Кулагин, Устименко, Цымбал, Щербина

МПК: B21B 37/00

Метки: автоматической, клети, настройки, прокатной

...с выхода блока 8 управления в момент перевода устройства из режима контроля в режим настройки клети,Блок 8 управления обеспечивает формирование оператором логических сигналов управления в блоки устройства с помощью коммутационной аппаратуры. Он формирует сигналы во второе 10 запоминающее устройство для запоминания положения нажимного винта и в первое 9 запоминающее устройство для запоминания направления перемещения нажимного винта перед переключением устройства в режим настройки, а также сигнал разрешения на отработку задания в регулятор 1 положения и на запоминание в третье 11 запоминающее устройство, сигнал сброса во второе 10 и третье 11 запоминающие устройства, блок 6 задания, первое 9 запоминающее устройство.35404550 К 1=1, К...

Номер патента: 1794510

Опубликовано: 15.02.1993

Авторы: Деревянко, Кокин, Кулагин, Малый, Поляков

МПК: B21B 1/08

Метки: горячекатаный, низкотавровый, профиль

...цель достигается тем, чтооси симметрии канавок на верхней грани стенки совмещены, образуя одну канавку, шириной равной 0,8-1,2 ширины расстоя-ния между боковыми гранями канавок, расположенных на нижней грани полки, причем площадь канавки на верхней грани стенки составляет 0,2-0,5 площади канавок на нижней грани полки, а площадь последних составляет 0,5-0,95 площади фланцев профиля,На фиг. 1-2 представлены известные решения; на фиг. 3 - предлагаемое.Предлагаемый тавровый профиль содержит стенку 1 и полку 2. Стенка 1 ограничена боковыми гранями 3 и верхней 4. Полка 2 ограничена верхними 5, нижней 6 и боковыми 7 гранями, образуя на концах фланцы 8 и 9. На нижней грани 6 полки 2 выполнены канавки 10 и 11 с осями симметрии 010 с...

Номер патента: 1794445

Опубликовано: 15.02.1993

Авторы: Алешкин, Баранов, Кокин, Костин, Мохнаткин, Сысуев

МПК: A23N 17/00

Метки: кормов, линия, приготовления

...плоды от воздействия молотков измельчаются, перемешиваются с соломой и также выбрасываются на транспортер 21. Оба потока кормов дополнительно перемешиваются на пути к транспортеру. Дозирование 40 компонентов осуществляется изменениемскорости вращения соответствующего бункера, которая определяет величину подачи корма, Более же точное дозирование осуществляется перемещением соответствующей 45 решетки из противорежущих элементоввнутри бункера относительно его кожуха, Этим изменяется длина активности части молотков и, соответственно, количество захватываемого материала. Кроме того, коли чество захватываемого молоткамиматериала в широких пределах можно регулировать с помощью и других известных технических средств, например, закрывая или...

Номер патента: 1788116

Опубликовано: 15.01.1993

Авторы: Деревянко, Кокин, Кулагин, Малый, Поляков, Цымбал

МПК: E01B 5/00

Метки: бесшеечный, желобчатый, рельс

...на 1520 2530 35 4045 5055 усложнение технологии изготовления, Увеличение глубины канавки 16 более 0,5 ширины верхней грани головки нецелесообразно в связи со снижением прочностных характеристик сверх требуемых норм, что снижает долговечность и качество рельсов,Расположение канавки 16 на расстоянии 0-0,2 высоты головки от верхней грани подошвы принято исходя из следующих соображений. Наименьшее возможное расстояние канавки 16 от верхней грани 13 подошвы 10 принято для случая, когда нижняя боковая грань 18 канавки 16 расположена в одной плоскости с верхней гранью 13 подошвы 10. Расположение канавки 16 далее в подошву рельса нецелесообразно изза ослабления последней,Расположение канавки 16 на расстоянии Ь 1, равном более 0,2 высоты Ь 1...

Номер патента: 1765272

Опубликовано: 30.09.1992

Авторы: Волков, Гергель, Деревянко, Дубнов, Кацнельсон, Кокин, Кулагин, Малый, Поляков, Тарнавский, Шимонов

МПК: E01B 5/02

Метки: рельс

...граням 3. Головка 1 профиля направляющей переходит в верхнюю часть шейки 9, имеющую постоянную толщину Ьп. От участка постоянной толщины шейки Ьп последняя расширяется, причем боковые стенки очерчены по параболе1765272 Формула изобретения Рельс, включающий в себя подошву, шейку и прямоугольную в поперечном сечении головку, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью увеличения прочности при относительном снижении расхода материала, поперечный профиль шейки рельса очерчен ориентированными от головки вниз ветвями параболы на участке от верхней точки подошвы до точки, удаленной по высоте от нее на расстояние 0,5-0,9 общей высоты шейки. Х дСоставитель В,Клейменовактор Т.Орловская Техред М,Моргентал Корректор Л.филь аказ 3358 Тираж Подписное...

Номер патента: 1760120

Опубликовано: 07.09.1992

Авторы: Кокин, Петраков

МПК: E21C 45/00

Метки: водомета, импульсного

...импульса формирователь (Е 1) 50 вырабатывает нормированный по длительности импульс, который переворачивает триггер (ТЗ) 25 в нулевое состояние и триггер (Т 2) 33 в единичное состояние, по переднему фронту импульса которого формирователь (Е 2) 51 вырабатывает импульс, который через логический элемент(7 48 переворачивает триггер(Т 5) 34 в единичное состояние, выходной сигнал которого через электронный ключ (ЭК 1) 18 замыкает цепь гидрозлектрораспределителя (Р 1) 3. Срабатывает запорное устройство 8, при этом шток 59 и кнопка 60 возвращаются в начальное положение, т.е.датчик 15 выключается, Триггео (Тб) 26 из меняет свое состояние. Его сигнал поступает на элемент(8) 44, который вырабатывает сигнал, поступающий на вход формирователя (Е...

Номер патента: 1747221

Опубликовано: 15.07.1992

Авторы: Гущин, Кокин, Лиханский, Ложко, Малый, Марков, Мулько, Павлов, Поляков, Рождественский, Толстенко, Фельдман, Шафигин, Шевченко

МПК: B21B 1/02

Метки: калибр, ящичный

...направленииих уменьшения и, следовательно, не оказывающая влияния на интенсивность износаповерхности калибра в местах сопряжениястенок и дна,Минимальная величина отношения вы.соты нижней вторичной выпуклости к высоте верхней вторичной выпуклостиравная1,05,определена на основе экспериментальных данных по износу поверхности ящичных калибров при прокатке сортовыхпрофилей на мелко- и среднесортовых ста нах.Максимальная величина отношения высоты нижней вторичной выпуклости к высоте верхней вторичной выпуклости, равная1,3, определена на основе экспериментальных данных по износу. поверхности калибров при прокатке на блюмингах слитковбольшого развеса,Ящичный калибр работает следующимобразом,При обжатии заготовки или слитка вящичном калибре, при...

Номер патента: 1741133

Опубликовано: 15.06.1992

Авторы: Васильев, Гусев, Захаров, Кокин

МПК: G06F 9/46

Метки: приоритета

...на первые входы соответствующих элементов И 5 второй группы и элементов И-НЕ 4 второй группы, с выходов которых сигнал низкого уровня поступает одновременно на соответствующие входы элеменов И 5 второй группы и входы первого элемента И 7, в результате чегона выходе первого элемента И 7 появится сигнал низкого уровня, который вызовет остановку генератора тактовых импульсов 9 и появление сигнала низкого уровня на выходе третьего элемента И 12, в результате чего дальнейшая запись запросов в триггеры.3 группы триггеров регистра запросов прекратится. На этом этап записи запросов заканчивается.Этап обработки запросов. Сигнал низкого уровня с выхода первого элемента И 7 поступает на вход элемента НЕ 8, с выхода которого сигнал...