Патенты с меткой «топологии»

Номер патента: 430395

Опубликовано: 30.05.1974

Авторы: Дробница, Занцев, Изобретени, Кремер, Чумак

МПК: G06G 7/48

Метки: графа, отображения, топологии

...сигналов.Цель изобретения -- расширение класса решаемых задач.Это достигается тем, что в устройство введен формирователь кодов, к входам которого подключены выходы моделей ветвей дерева и антидерева графа. Выход формирователя кодов соединен с выходом устройства, а выход источника тока через коммутатор - с вторыми входами моделей ветвей антидерева. Другой вход коммутатора подключен к одному из выходов распределителя импульсов. Это дает возможность преобразовывать то. ологию графа, представленного в виде собанной из моделей ветвей электрической цеа с помощью коммутатора первой модели ветви анти- через нее формирует в перЭтот ток устанавливает мои антидерева данного конух состояний возбуждения в го, совпадает направлениенаправлением...

Номер патента: 439240

Опубликовано: 25.09.1974

Авторы: Глазков, Козлов, Макаревич, Мельников, Райхман

МПК: H01L 21/268

Метки: генерирования, микроприборов, микросхем, рисунков, топологии, электронно-лучевого

...путем экспонирования электронно-чувствительного слоя системой неотклоняемых электронных пучков, создаваемых короткофокусными электронно-оптическими системами. Растровая развертка лучей по поверх ности экспонируемого слоя осуществляется засчет перемещения подложки, закрепленной на координатном столе, совершающем синусоидальные колебания вдоль одного из направлений и шаговые перемещения в ортогональ ном направлении с дискретностью, соответствующей ширине электронного пятна. При этом мгновенное положение стола контролируется по индикации вторичной эмиссии электронов, возникающей при сканировании одного или 20 нескольких электронных пучков по растровымзнакам, расположенным на каретках стола.На координатном столе 2 закрепляют...

Номер патента: 905633

Опубликовано: 15.02.1982

Авторы: Гоман, Завина, Савиковский

МПК: G01B 11/02

Метки: параметров, размерных, топологии, фотошаблонов

...объектив 4, зеркало 5, зеркальный элемент 6 с выполненной в нем анализирующей щелью 7, 25 фотоприемник 8, двухкомпонентную оборачиваюшую систему, состоящую из первого 9 и второго 10 компонентов, и окуляр 11, Осветитель 1, датчики линейных перемещений 3 смонтированы нв нижнем основании 30 12, по которому перемещается предметный столик 2 с контролируемым фото- шаблоном 13. Объектив 4, зеркало 5, второй компонент 10 оборвчивающей системы и окуляр 11 смонтированы на верх- З 5 нем основании 14, по которому имеет возможность перемещаться каретка 15 с размещенными нв ней зеркальным элементом 6, фотоприемником 8 и первым компонентом 9 оборачивающей системы, при чем зеркальный элемент 6 расположен и фокепь 1 ой ппоскости первого компонента 9...

Номер патента: 1024930

Опубликовано: 23.06.1983

Авторы: Додонов, Котляренко, Месяц, Пелехов, Шишмарев, Щетинин

МПК: G06F 15/173

Метки: моделирования, сетей, топологии

...ветвей, В блоке 6памяти по адресу номера узла хранится номер первой ветви, входящей врассматриваемый узел нумерация1 у входящих ветвей производится такжепроизвольно), в блоке 3 памяти поадресу первой выходящей ветви - номер второй ветви, выходящей из тогоже узла, а по адресу второй выходящейветви - номер третьей ветви, выходящей из указанного узла и т.д. Есликакая-либо ветвь сети в процесседополнительной нумерации оказаласьпоследней в цепочке, то по ее ад 2 з ресу в блоке 3 памяти хранится информация Х, В блоке 4 памяти по адресу первой входящей ветви хранитсяномер второй ветви в цепочке входящихветвей для данного узла. Если ветвьв цепочке входящих ветвей являетсяпоследней, то по ее адресу хранится ийформация Х. Таким образом, блок3...

Номер патента: 1249529

Опубликовано: 07.08.1986

Авторы: Додонов, Машуров, Шишмарев, Щетинин

МПК: G06F 15/173

Метки: моделирования, сетей, топологии

...Соответственно счетчик 51 просчитывает эадержаный тактовый импульс, что определяет один найденный конечный узел сети.На следующем такте проходит следующий (второй) тактовый импульс 15 на полюс 67, который поступает на счетный вход счетчика 49 адресаСчетчик адреса увеличивает свое содержимое на единицу, Это соответствует формированию адреса следующего 20 узла, для которого просматривается наличие входящих и выходящих ветвей,В случае определения второго начального или второго конечного узла сети на выходе счетчиков 50 или 51 25 соответственно вырабатывается сигнал переполнения. Сигнал переполнения проходит через элемент ИЛИ 6 1 и устанавливает триггер 48 в единичное состояние, что соответствует некоррект- ЗО ности сети. Элемент 65...

Номер патента: 1377868

Опубликовано: 28.02.1988

Авторы: Буряк, Лаврик, Ткачев

МПК: G06F 15/173

Метки: моделирования, сети, топологии

...21 устройства, который подключается ковсем элементарным моделям. При этом происходит .подготовка к включениюсоответствующей элементарной модели,следовательно, по истечению одногоцикла опроса будут подготовлены квключению все элементарные модели,запуск которых возможен исходя изтопологии сети и текущего состояния,предшествующих по связям элементарным моделям. Кроме того, единичныесигналы с выходов элементов И 7приводят к установке в нулевое состояние соответствующих триггеров 5,исключая тем самым повторное включение допустимых элементарных моделей. При поступлении в счетчик 15 Римпульсов на его первом выходе появится, сигнал, который прекратитдальнейший опрос элементов ИЛИ-НЕ 6,Этот же сигнал через выход 20 устройства поступает на...

Номер патента: 1523915

Опубликовано: 23.11.1989

Авторы: Рыбалко, Тихонов

МПК: G01B 15/02

Метки: вертикальных, микрообъектов, размеров, топологии, элементов

...мкм, заключающийся в том, что на объект под разными углами направляма, при этом измеряют величину параметра излучения между двумя экстрему" мами, после этого по результатаи вычисляют искомую величину по формулеН =:(Х,-Х,) сВ (1,/1,),1=(1;/10) " зависимость угла паодения потока зондирующего излучения ототносительной величигде 3. Способ по п.1, о т л и ч а ющ и й с я тем, что в качестве регистрируемого параметра излучения выбирают поток поглощенного зондирующего излучения, а в качестве экстремума параметра излучения - максимум этого параметра. 1. Способ измерения вертикальныхразмеров элементов топологии микрообъектов с линейными размерами более Составитель Л,СебякинРедактор Н.Бобкова Техред 1,Дидык Корректор Л.Бескид Заказ 7032/43 Тираж...

Номер патента: 1645916

Опубликовано: 30.04.1991

Авторы: Газизов, Гредякин, Гусаренко, Соловей, Чернятьев

МПК: G01R 31/02

Метки: коммутационных, плат, проверки, топологии

...содержимого регистров О и 11 (блоки 59 и 60 алгоритма). Если содержимое регистров 10 и 11 одинаково, с выхода 1 БУ 16 на входБИ 13 посту пает сигнал "Кч", а БН 3 индицирует содержимое регистров 7 и 8 (координаты данной КП и последней КП предыдущего проводника). Если содержимое регистра О больше содержимого регистра 11 (блоки 59, 61, 62 алгоритма), на пятом такте с выхода 9 БУ на регистры 8 и 11 поступает сигнал, разрешающий переписать в эти регистры содержимое регистров соответственно 7 и 1 О координаты и значение емкости последней КП данного проводника, а с выходов 11 и 6 поступают сигналы, увеличивающие содержимое счетчика 12 на единицу и обнуляющие БЕ 5 (устройство переходит к проверке КП следующего проводника). Если содержимое...

Номер патента: 1797414

Опубликовано: 27.04.1996

Авторы: Кондратьев, Куликов

МПК: H01L 21/66

Метки: качества, проработки, топологии, элементов

...экране ЭЛТ, что обеспечивает возможность визуального контроляяркости контраста. Поскольку даже тонкийо(до 100 А слой проводящего покрытия убирает эффект вспыхивания при прохожденииэлектронным зондом области вскрытого диэлектрика, то критерий большей яркостипроработанной линии в проводящем покрытии на диэлектрике позволяет говорить об 30отсутствии проводящего слоя в проработанной области,П р и м е р. Проверка возможности метода контроля проработки линий в проводящем покрытии на диэлектрической 35подложке проводилась на фотошаблонахдля фотографии, представляющих из себякварцевую подложку квадратной формы(102 х 102 мм) толщиной 3 мм, на одну изповерхностей которой нанесено хромовое 40маскирующее покрытие толщиной 0,1 мкм,Формула...