Патенты с меткой «моп-транзисторов»

Номер патента: 1640738

Опубликовано: 07.04.1991

Авторы: Венжик, Гарицын, Сахаров

МПК: G11C 11/40

Метки: комплементарных, моп-транзисторов, основе, памяти, ячейка

...4, рассасывается через транзисторы 4 и 5 наразрядную шину 6, а напряжение в точке уменьшается. По окончании действиясигнала Лог. "1" на шине 7 ячейки,элемент 5 закрывается, а элемент 10открывается, подтверждая напряжениенизкого уровня на истоке элемента 4.При записи Лог, "1" на шину 6 по 11 Пдают напряжение Лог. 1 , на шину 7адреса - Лог. "0", По приходеЛог. "1 д на затворы элементов 5 и 10элемент 1 О закрывается, а элемент 5открывается, Выкпючение элемента 10приводит к отрыву истоковой областиэлемента 4 от общей шины 7 и такимобразом исключает возможность шунтирования высокого напряжения, приходящего с шины 6 через элемент 5 назатворы элементов 1 и 2, Несмотря нато, что элемент 5 передает с искажением напряжения Лог. "1" (Е,-Ц),это,...

Номер патента: 1421186

Опубликовано: 10.05.1996

Авторы: Евдокимов, Манжа, Мухин, Патюков

МПК: H01L 21/82

Метки: интегральных, моп-транзисторов, схем

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МОП-ТРАНЗИСТОРОВ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ, включающий формирование в кремниевой подложке p-областей, противоканальных областей и диэлектрической изоляции, осаждение первого слоя поликремния, формирование первого слоя оксида кремния и маски из него с окнами для затворных областей, вытравливание первого слоя поликремния через окна маски до подложки, формирование второго слоя оксида кремния на торцах первого слоя поликремния в окнах маски, формирование подзатворного слоя оксида кремния, осаждение второго слоя поликремния, формирование областей истока, стока, затвора и электродов к ним, формирование металлизации, отличающийся тем, что, с целью увеличения плотности компоновки МОП-транзисторов и уменьшения количества...