Патенты с меткой «анизотропного»

Номер патента: 76799

Опубликовано: 01.01.1949

Авторы: Андреевская, Буров

МПК: C08G 77/32

Метки: анизотропного

...смол, быстро теряют свои анизотропные свойства в результате относительно быстрой релаксации молекул.Согласно изобретению, это явление устраняется замораживанием заряда кремний-органической смолы с малым содержанием органического, радикала, а именно полимеров метил- или этилсилантрихлоридов.Способ изготовления анизотропного материала не отличается от способов, обычно применяемых при изготовлении материала с замороженным зарядом и заключается в том, что нагретую до высокой температуры кремний-органическую смолу поме 1 цают,в сильное элсктрическое поде и затем охлаждают в том же поле до состояния отвердения.Подученный таким образом материал имеет почти чистые ориентированные силоксановые группы с малой подвижностью молекул, а...

Номер патента: 109554

Опубликовано: 01.01.1957

Авторы: Билик, Панов

МПК: E21D 11/04

Метки: анизотропного, крепь, рудничная, стекловолокнистого, шахтная

...1956 г. аа Ъа 564919 и 1;омитет но ненави инобретений открытий ири (.онете .11 нннетрон СССР От;шчительная особенность предлагаемого изобретения заключ 11 ется в применении стекловолокнистого анизотропного вещества для изготовения элементов нн 1 мтгой н рудинной крени. СтекеОвоОкнистыс анизотропныс материн.ы могут быть рационально испо,ьзованы д.1 я создания 1 н 1 з,п 1- пых элементов конструкции крепи с оптимальной ориентирой нитей в соответствии с напряжением, испытываемым отдельными частями крепи. уОБЕЕТЕЙИЯИДЕТЕЛЬСТВУ.111 сри 11 лы Обл 1 д 1 ютудельной прочностьюным удельным весом;жены з 11 гннве 1 н 1 к н ктому онн могут ип 1 тнгорной промьндленносле 1 ня элс:1 снтов креп,;1 н нзотропные ООЛСС ВЫСОКОЙ , незначительонн не...

Номер патента: 908523

Опубликовано: 28.02.1982

Авторы: Булавинцева, Гайтов

МПК: B22F 3/02, B22F 3/06

Метки: анизотропного, асинхронного, двигателя, ротора

...в рабочей Форме. Затем в течение 2-3 мин смесь вместе с рабочей . формой вращается со скоростью 6000 об/ мин. При этом, наиболее тяжелые часЗО тицы Ферромагнитного порошка и меди перемещаются изнутри к поверхности рабочей части будущего ротора, а эпоксидная смола оттекает к центру. Сепарация производится до получения в по- З 5 верхностном слое 0,3 4 эпоксидной смолы от массы железного порошка.Затем смесь, подвергнутую центробежной сепарации, вместе с оболочкой из полиэтилентерефталата помещают в 4 В жесткую матрицу и прессуют методом двухстороннего прессования с удельным давлением 6 тс/см . После прессования магнитопровод ротора для упрочнения подвергают термической обработ ке при плавном снижении температуры от 180 до 20 С в...

Номер патента: 998128

Опубликовано: 23.02.1983

Авторы: Ишков, Козлов, Купин

МПК: B28D 5/00

Метки: анизотропного, лития, монокристалла, ниобата

...и последующее шлифование с выхаживанием и полирование, шлифование осуществляют под углом 60 - 80 к оптической оси монокристалла,Такое выполнение способа обеспечивает сниже ние требований к точности ориентации моно- кристалла относительно направления шлифования при одновременном уменьшении вероятное. ти появления микротрещин, что повышает ка. чество обработанной поверхности.На чертеже изображена зависимость между ве личиной угла ориентации оптической оси моно- кристалла при шлифовании и.вероятностью появления трецйн.олопов Составитель В. Техред Т, Фант Шанд орректор Л. Бокшан Тираж 587дарственного комитета СССРизобретений и открытийЖ, Раушская наб д. 4/5 писное иал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4 3 99Способ обработки...

Номер патента: 1024794

Опубликовано: 23.06.1983

Авторы: Колокольчиков, Подкопаев, Труфанов

МПК: G01N 3/08

Метки: анизотропного, испытания, образцов, одноосное, призматических, сжатие

...образцов иэ анизотропного материала на одноосное сжатиек испытательной машине, содержащеедве предназначенные для взаимодействия с захватами испытательной машинысамоустанавливающиеся плиты с подвижными гранями, тензодатчики, предназначенные для закрепления на.гранях испытуемого образца в заданныхнаправлениях, и регистрирующие приборы, снабжено установленными на подвижной части однсй иэ плит и свя.занными с регистрирующей аппаоатурой по крайней мере четырьмя парами преобразователей линейных перемещений, чувствительные элементы лежат в одной плоскости и предназначены510 для попарного взаимодействия с соот-ветствующими гранями образца.На фиг. 1 изображено описываемоеустройство, вид сбоку; на фиг, 2схема наклейки тенэодатчиков на Фиг....

Номер патента: 1350482

Опубликовано: 07.11.1987

Авторы: Дворников, Михеев

МПК: G01B 7/16

Метки: анизотропного, заданному, касательных, контрольных, листового, направлению, напряжений, нормальных, объекта, точках

...углу р между заданным на объекте линией разметки направлением и направлением волокон верхнего слоя материала, как показано на чертеже. Затем к образцу прикладывают усилие, перпендикулярное линии разметки,По показаниям тензорезисторов при нагружении образца аппроксимируют их методом наименьших квадратов или другим способом, находят угловое положение особых осей, для которых деформации от приложенной нагрузки минимальны. Отмечают углыи ф 2, составляемые особыми осями с направлением, определенным линией разметки. Далее на образце устанавливают два тензорезистора с осями, параллельными особым осям. К образцу прикладывают усилия в направлении линии разметки и пару сил, создающую напряжения сдвига, и определяют коэффициенты, входяшие в...

Номер патента: 1364248

Опубликовано: 30.12.1987

Авторы: Андреас, Карел, Хенк

МПК: G01N 21/00

Метки: анизотропного, вещества, насыщения, оптически, раствора, температуры

...посредством фотодетектора17 (верхняя кривая 23).Измерительный цикл включает всебя следующие операции,В измерительный сосуд 2 подаетсячистый раствор. Поляриэационныйфильтр 1 препятствует прохождениюсвета лазера, так что яркость света,который измеряется фотодетектором13, имеет низкий, фактически постоянный уровень, яркость света, котораяизмерена фотодетектором 17, имеетвысокий уровень.Теперь температура растворов постепенно уменьшается, и при температуре Трастворенное вещество начинает выкристаллизовываться. В представленном здесь случае раствор сталпереохлажденным, так что Тне является истинной температурой насыщения. Это обусловлено тем, что поскольку количество кристаллов мало,свет, плоскость поляризации которого повернулась в...

Номер патента: 1661844

Опубликовано: 07.07.1991

Авторы: Бейзитер, Бидюк, Замбранс, Мокеров, Пранч

МПК: H01B 5/16

Метки: анизотропного, электропроводящего

..."Виксинт К" время релаксации заряда порядка несколько секунд, Максимально допустимая частота переменногоэлектрического поля ог,ределяется исходя из величины времени реализации зарядов в проводящих частицах.Повышение температуры приводит к уменьшению вязкости компаунда с одновременным ускорением процесса отвердевания, При постоянном электрическом напряжении увеличение вязкости компаунда приводит к увеличению длительностивремени ориентации, втягиванию в агрегаты, частиц, что можно обеспечить уменьшением дозы катализатора, определяющейскорость отвердевания. Меняя дозу катализатора при заданной рабочей температуре, 5например, от 1 до 8 мас.ч. на 100 мас,ч,компаунда, жизнеспособность компаундаменяют на несколько часов,Электроды создают...

Номер патента: 1670494

Опубликовано: 15.08.1991

Авторы: Жигун, Павелко

МПК: G01N 3/24

Метки: анизотропного, испытания, кольцевого, образца, сдвиг

...материала судят по величине разрушающего давления. Обеспечение разрушения образца в условиях чистого сдвига осуществляют следующим образом.Если Оо - это радиальное перемещение точек внутренней поверхности кольца, то радиальная г окружная к деформации в точках этой поверхности на участках нагружения внутренним и внешним давлением (рабочая эона) образца будетОо, Оояг= -го= (1)Огогде о - толщина кольца, а го - его внутренний радиус.Напряжения а, и оопределяются по формулам0: -- ( - -РгЕв Оо Ь1- Р.вфве (О Ь) (2)-(и (,Здесь Ег, Еиуев - соответствующие упругие характеристики испытуемого материала,Иэ формул (2) следует, что напряженное состояние чистого сдвига в рабочей зоне образцаОг - гав (3) будет иметь место, если толщина кольца...

Номер патента: 1726129

Опубликовано: 15.04.1992

Авторы: Кузнецов, Меркутов, Перетятько, Помельникова, Тихонов, Шипко

МПК: B22F 3/12, B22F 3/16, H01F 1/10 ...

Метки: анизотропного, бария, гексаферрита

...свойств анизотропных ферритов выполняли согласно техническим условиям. Результаты испытаний приведены в табл. 1 - 7,П р и м е р 1. При изготовлении анизотропных гексаферритов бария из порошков различной дисперсности при выполнении операции спекания варьировали величину напряженности магнитного поля при неизменной его частоте (табл. 1).Как видно из данных, представленных в табл, 1, наиболее высокими значениями магнитных и прочностных характеристик изделия из анизотропных ферритов обладают тогда, когда напряженность переменного магнитного поля находится в интервале 400 в 10 Э. Прочностные характеристики увеличиваются в 0,3-2 раза, а магнитные - в 1,2-1,3 раза,П р и м е р 2. При изготовлении анизотропных ферритов бария на стадии спекания...

Номер патента: 1749759

Опубликовано: 23.07.1992

Авторы: Бодюл, Гарабажиу, Кондря, Миглей, Николаева

МПК: G01N 3/00

Метки: анизотропного, деформирования, монокристаллов, упругого

...го монокристалла в стеклянной изоля полученный по методу Улитовского, и щают в упругое кольцо, предварителпроградуирбванное по относительному удлинению от растягивающего усилия. Торцы образца с электрическими контактами закрепляются с помощью эпоксидной смолы на внутренней части упругого Кольца. Растягивающее усилие направляют вдоль кристаллографической оси наилегчайшего скольжения или близкой к ней+450). Путем деформирования упругого кольца нагружают образец растягивающим усилием до 3,50 относительного удлинения образца с последующим снятием нагрузки, Упругие свойства образцов позволяют проводить обратимые циклы растяжения многократно с полным воспроизведением сопротивления, амплитуд и частот осцилляций Шубникова-де Гааза.На фиг. 1...

Номер патента: 1266402

Опубликовано: 20.05.1996

Автор: Брюхно

МПК: H01L 21/306

Метки: анизотропного, мезоструктур, травления

Способ анизотропного травления мезоструктур, включающий формирование на поверхности кремниевой пластины с ориентацией рабочей поверхности в плоскости [100] прямоугольных участков маски, стороны которых ориентированы в направлениях [110] формирование в углах прямоугольных участков корректирующих фигур, анизотропное травление кремния в местах пластины, свободных от маски, отличающийся тем, что, с целью повышения разрешающей способности процесса за счет уменьшения размеров разделительных канавок, формирование прямоугольных участков маски и травление кремния проводят вначале вдоль одного из направлений [110] затем осуществляют маскирующее окисление полученной поверхности и проводят формирование прямоугольных участков маски и травление кремния...

Номер патента: 1473612

Опубликовано: 20.05.2000

Авторы: Алиев, Бакланов

МПК: H01L 21/265

Метки: анизотропного, кремния, травления

1. Способ анизотропного травления кремния, включающий одновременное воздействие на него потока молекул дифторида ксенона и пучка ионов, отличающийся тем, что, с целью повышения качества и скорости травления, во время воздействия кремний охлаждают до температуры ниже температуры конденсации дифторида ксенона при спонтанном травлении, но выше температуры конденсации при ионно-индуцированном травлении.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что, с целью снижения дефектности подложки, процесс травления проводят при плотности потока молекул дифторида ксенона 5 х 1015 - 1017 с-1см-2, энергии ионов в пучке 0,5 - 1,5 кэВ и плотности ионного тока 1 - 10...

Номер патента: 1047006

Опубликовано: 20.11.2005

Авторы: Бутько, Зыков, Ковалева, Кожухарь, Полушин

МПК: B01D 39/00

Метки: анизотропного, мелкопористого, фильтрующего

1. Способ получения мелкопористого анизотропного фильтрующего материала путем термообработки крупнопористой металлокерамической пластины в атмосфере водорода и инертного газа, отличающийся тем, что, с целью возможности получения мелкопористого материала с точно заданными свойствами по степени анизотропии порового пространства, пористости и размеру пор, термообработку ведут при температуре металлизации порового пространства пластины до полной непроницаемости ее по жидкости, затем осуществляют электрохимическую обработку пластины при комнатной температуре в растворе электролита, циркулирующем под давлением над поверхностью пластины. 2. Способ по п.1, отличающийся тем, что...