Солнечный элемент
Формула | Описание | Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Формула
СОЛНЕЧНЫЙ ЭЛЕМЕНТ, включающий подложку из полупроводникового материала и металлические контакты, отличающийся тем, что, с целью повышения эффективности преобразования, на поверхность подложки нанесена легированная редкоземельными элементами текстурированная пленка сегнетоэлектрика, ось текстуры которой перпендикулярна поверхности подложки.
Описание
Целью изобретения является повышение эффективности преобразования солнечного излучения и снижение трудоемкости изготовления.
На чертеже изображен солнечный элемент.
Солнечный элемент содержит подложку 1 из полупроводникового материала, например кремния р-типа проводимости, на которую нанесена текстурированная и легированная редкоземельными элементами, например титаном или церием, пленка 2 сегнетоэлектрика, например титаната висмута или титаната бария. На поверхности пленки 2 создан решетчатый электрод 3, а на тыльной стороне подложки 1 сплошной электрод 4.
П р и м е р. На кремниевую подложку после стандартной химической очистки нанесена в вакууме методом реактивного ионно-плазменного распыления в планарной магнетронной системе при давлении 5.10-2 мм рт.ст. текстурированная легированная пленка сегнетоэлектрика, титаната висмута. В этом случае в качестве мишени необходимо использовать сегнетоэлектрическую керамику с предварительным введением в нее 0,1-0,3% мол микродобавки редкоземельных элементов, например лантана. Это обеспечивает автоматическое легирование растущего сегнетоэлектрического слоя, не требуя повышенных температур для создания необходимой проводимости. Решетчатый токосъемный электрод создан методом вакуум-термического напыления металла, например алюминия с последующим приведением фотолитографии. Нижний электрод также наносят методом вакуум-термического напыления, например, алюминия. Затем проводят отжиг структурны при температуре порядка 450оС в течение 10 мин в атмосфере водорода.
Предложенная конструкция солнечного элемента позволяет повысить коэффициент эффективности преобразования солнечного излучения на 3-4%
СОЛНЕЧНЫЙ ЭЛЕМЕНТ, включающий подложку из полупроводникового материала и металлические контакты, отличающийся тем, что, с целью повышения эффективности преобразования, на поверхность подложки нанесена легированная редкоземельными элементами текстурированная пленка сегнетоэлектрика, ось текстуры которой перпендикулярна поверхности подложки.
Рисунки
Заявка
3599280/25, 05.04.1983
Киевский политехнический институт им. 50-летия Великой Октябрьской социалистической революции
Левченко Г. Т, Шмырева А. Н, Нестер В. В
МПК / Метки
МПК: H01L 31/0216
Опубликовано: 10.05.1996
Код ссылки
<a href="https://patents.su/0-1246836-solnechnyjj-ehlement.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Солнечный элемент</a>
Способ определения коэффициента полезного действия солнечных элементов
Номер патента: 1274032
Опубликовано: 30.11.1986
Авторы: Демченко, Романовский
МПК: H01L 31/00
Метки: действия, коэффициента, полезного, солнечных, элементов
...от центра около 2/3 радиуса. солнечного элемента, Для уменьшения нагрева проводов термопары солнечным излучением они изолированы лавсановой пленкой и сверху обмотаны алюминиевой фольгой. Термопара выполнена таким образом, что сигнал с нее на потенциометр 9 поступает по медным проводам, образующим спаи вдифференциальной термопаре. Зеркало 1 и диафрагма 2 закреплена на цилиндрической опоре 10, конструкция которой позволяет осуществить качание в вертикальной плоскости в угле около 60 . Опора 1 Озакреплена на валу 1, поддерживаемом посередине его длины опорой сподшипником 12, а снизу закрепленном на валу редуктора 13. Такая кон1274 Вычисляют КПД СЭ по отношению к поглощаемому излучению по формуле КПД = в -.1 ОЕ. РФормула изобретения...
Солнечный элемент
Номер патента: 1519468
Опубликовано: 20.07.2000
Автор: Козырев
МПК: H01L 31/052
Солнечный элемент, содержащий последовательно расположенные на металлической подложке фоточувствительный слой и прозрачный проводящий слой, отличающийся тем, что, с целью увеличения КПД, солнечного элемента большой площади, фоточувствительный слой выполнен из прозрачного диэлектрика с отверстиями диаметром 0,3 - 0,9 мкм, заполненными полупроводником.
Омический контакт к кремниевому солнечному элементу
Номер патента: 1635843
Опубликовано: 23.05.1993
Авторы: Александров, Зиновьев, Зубков, Прохоцкий
МПК: H01L 31/04
Метки: контакт, кремниевому, омический, солнечному, элементу
...35 мас.оь снижается адгезионная прочность контактов из-за высоких внутренних напряжений в слое.Оптимальная толщина дополнительного слоя 3 алюминийникелевого сплава с содержанием алюминия 20-35 мас, составляет 60-1000 нм, При уменьшении толщины этого слоя меньше 60 нм несколько снижается адгеэионная прочность контакта из-за несплошности слоя в виде множества проколов. При увеличении толщины слоя больше 1000 нм снижается прочность контактов из-за возрастания в слоях внутренних напряжений. Следует отметить, что слои алюминийникелевых сплавов имеют близкие коэффициенты термического расширения, что снижает термические напряжения в контактах и повышает надежность работы солнечных элементов при колебаниях температуры. Переходный слой 4 между...
Солнечный элемент
Номер патента: 1790015
Опубликовано: 23.01.1993
Авторы: Александров, Прохоцкий
МПК: H01L 31/04
...2, из-за поглощения света в р-и-переходе и областиполупроводника, прилегающего к р-и-переходу, происходит генерация новых носителей заряда. Диффузионное электрическое поле, существующее в р-п-переходе, производит разделение неравновесных носителей, Другими словами, с точки зрения энергетической диаграммы р-п-перехода, неравновесные электроны "скатываются" с+ потенциального барьера и попадают в и - слой, а дырки - в р-слой (базовый слой) 1. В результате происходит накопление электронов в и -слое и дырок в р-слое. Протекающий ток выводится с помощью электронов 6 и 9. При достижении фото ЭДС - 0,4 В барье р на контакте металл-диэлектри к-полуп роводник, расположенный на тыльной стороне солнечного элемента, оказывается смещенным в обратном...
Способ ковки заготовки, например, для инструмента из легированной стали
Номер патента: 137747
Опубликовано: 01.01.1961
Авторы: Винкович, Хасин, Яковленкова
Метки: заготовки, инструмента, ковки, легированной, например, стали
...не имеет указанного недостатка. Сущность изобретения заключается в том, что, с целью повышения стойкости изготавливаемого из заготовки инструмента, квадратную заготовку вначале расковывают на полосу, которую, в свою очередь, расковывают с меньшей грани на полосу тех же размеров с последующей расковкой этой полосы с меньшей грани на квадрат необходимого размера. На чертеже представлена последовательность расковки заготовки, Квадратную заготовку а расковывают на полосу б, которую затем расковывают с меньшей грани в на полосу тех же размеров г, После этого полосу с меньшей грани д расковывают на квадрат заданного размера е.Предмет изобретенияСпособ ковки заготовки, например, для инструмента из легированной стали путем расковки...
Предыдущий патент: Опалубка для оконного проема
Следующий патент: Генератор импульсов
Случайный патент: Устройство для допускового контроля частоты