Родин

Номер патента: 1701064

Опубликовано: 20.01.2008

Авторы: Базыленко, Василевич, Родин, Турцевич

МПК: H01L 21/302

Метки: кремния, микрорисунка, поверхности, создания

Способ создания микрорисунка на поверхности кремния, включающий формирование фоторезистивной маски на поверхности кремния, обработку поверхности кремния и фоторезиста в кислородсодержащей плазме ВЧ-разряда при давлении 2,0-13,3 Па и локальное травление кремния, отличающийся тем, что, с целью повышения воспроизводимости создания микрорисунка в кремнии, кислородсодержащая плазма, в которой проводят обработку поверхности кремния и фоторезиста, дополнительно содержит 40-50 об.% гексафторида серы, плотность мощности разряда на обрабатываемой поверхности создают в диапазоне 0,7-0,9 Вт/см 2 и обработку проводят до удаления слоя кремния толщиной 0,04-0,12 мкм.

Номер патента: 1697563

Опубликовано: 20.01.2008

Авторы: Базыленко, Баянов, Родин, Турцевич

МПК: H01L 21/306

Метки: металла, микрорисунка, многослойной, полицидом, структуре, тугоплавкого

Способ изготовления микрорисунка в многослойной структуре с полицидом тугоплавкого металла, нанесенным на микрорельеф из двуокиси кремния, включающий формирование фоторезистивной маски на поверхности структуры с полицидом тугоплавкого металла, реактивно-ионное травление полицида в окнах маски в смеси гексафторида серы с хлорсодержащим газом при давлении 1,0-8,0 Па и плотности мощности разряда на поверхности полицида 0,3-0,6 Вт/см 2, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных структур за счет повышения анизотропности травления и создания вертикального профиля травления, травление полицида тугоплавкого металла в смеси гексафторида серы с хлорсодержащим газом приводят...

Номер патента: 1783932

Опубликовано: 20.01.2008

Авторы: Дулинец, Красницкий, Родин, Сухопаров, Турцевич

МПК: H01L 21/28

Метки: интегральных, межсоединений, микросхем

1. Способ изготовления межсоединений интегральных микросхем, включающий нанесение на кремниевую подложку с созданными активными и пассивными элементами и нанесенным диэлектрическим слоем со сформированными контактными окнами подслоя алюминия, нанесение слоя сплава алюминия с Si, Cu, Cr, создание микрорисунка травлением, отличающийся тем, что, с целью повышения степени интеграции и качества межсоединений путем уменьшения количества коротких замыканий, подслой формируют из алюминия или алюминия с кремнием, толщина подслоя d1 и толщина верхнего слоя d 2 сплава удовлетворяют соотношениям: ...

Номер патента: 1730989

Опубликовано: 20.01.2008

Авторы: Демьянович, Дулинец, Красницкий, Лесникова, Родин, Турцевич

МПК: H01L 23/46

Метки: интегральных, межсоединение, сверхбольших, схем

1. Межсоединение для сверхбольших интегральных схем, содержащее последовательно расположенные диэлектрический слой с контактным окном к активной области полупроводниковой подложки, барьерный проводящий слой, нижний слой алюминия или его сплавов, слой тугоплавкого металла, верхний слой алюминия или его сплавов, антиотражающий проводящий слой, отличающееся тем, что, с целью повышения качества межсоединения путем улучшения надежности и электрофизических характеристик, толщина слоя тугоплавкого металла выбрана равной 40-100 нм, а толщина d1 и d 2 соответственно верхнего и нижнего слоев алюминия или его сплавов выбраны из выражений

Номер патента: 1753893

Опубликовано: 20.01.2008

Авторы: Базыленко, Баянов, Буляк, Родин, Турцевич

МПК: H01L 21/312

Метки: алюминия, диэлектрика, межслойного, микрорельефе, микрорисунка, слое, создания, сплавов

Способ создания микрорисунка в слое алюминия или его сплавов на микрорельефе из межслойного диэлектрика, включающий формирование фоторезистивной маски на поверхности слоя и его селективное реактивно-ионное травление в хлорсодержащей плазмообразующей смеси при давлении 15-20 Па и плотности мощности на поверхности слоя 0,4-0,5 Вт/см 2, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных за счет улучшения воспроизводимости микрорисунка и предотвращения коротких замыканий на микрорельефе, травление проводят до вскрытия планарных поверхностей микрорельефа, после чего осуществляют дотравливание слоя при давлении 6-12 Па и плотности мощности на поверхности слоя 0,6-0,8...

Номер патента: 1781977

Опубликовано: 10.08.2004

Авторы: Абрамов, Емельянов, Кудрявцев, Ошеров, Родин, Чистяков, Шарипов

МПК: B64G 1/60, B64G 6/00

Метки: космосе, открытом, работы, ранцевая, скафандра

Ранцевая система скафандра для работы в открытом космосе, содержащая герметичный блок, электрофал связи с бортовыми системами космического корабля, агрегаты электрорадиооборудования и источник электропитания для автономной работы в космосе, отличающаяся тем, что, с целью улучшения эксплуатационных и массогабаритных характеристик и повышения надежности системы путем использования электрофала при работе в непосредственной близости от выходного люка космического объекта и обеспечения работы на удалении от объекта без электрофала, она снабжена установленным под герметичным блоком и соединенным с ним посредством быстро-разъемного соединения негерметичным блоком, в полости которого размещены...

Номер патента: 1350903

Опубликовано: 27.04.2000

Авторы: Пашков, Подкустов, Потапов, Родин, Рябов, Сычев, Терентьев, Финагин

МПК: B21B 19/04

Метки: заготовки, подготовки, прошивке

Способ подготовки заготовки к прошивке, включающий нагрев сплошной заготовки под прошивку, нанесение зацентровочного углубления на торец заготовки и ее безоправочную винтовую прокатку, отличающийся тем, что, с целью повышения качества проката, нанесение зацентровочного углубления производят до безоправочной винтовой прокатки.

Номер патента: 1405383

Опубликовано: 27.11.1999

Авторы: Жданова, Каримов, Корпачева, Матыцина, Пушина, Родин, Юлбарисов

МПК: E21B 43/22

Метки: вытеснения, нефти, пласта, состав

Состав для вытеснения нефти из пласта, содержащий биологически активный субстрат биохимического комбината по производству белково-витаминных концентратов и добавку, отличающийся тем, что, с целью улучшения нефтевытесняющих свойств состава, в качестве добавки он содержит пектофоетидин ГЗХ при следующем соотношении компонентов, мас.%:Биологически активный субстрат биохимического комбината по производству белково-витаминных концентратов - 92,00 - 99,95Пектофоетидин ГЗХ - 0,05 - 8,00

Номер патента: 1750091

Опубликовано: 27.09.1999

Авторы: Родин, Старцев

МПК: B01J 23/85, B01J 37/02

Метки: гидрообработки, катализатора, нефтяных, приготовления, фракций

Способ приготовления катализатора для гидрообработки нефтяных фракций, включающий пропитку носителя - окиси алюминия водными растворами соединения вольфрама и нитрата никеля и сушку катализатора, отличающийся тем, что, с целью получения катализатора с повышенной активностью, в качестве соединения вольфрама используют оксалат вольфрама (5+), и перед пропиткой раствором нитрата никеля вольфрамсодержащий носитель дополнительно обрабатывают водным раствором аммиака.

Номер патента: 1123289

Опубликовано: 20.07.1999

Авторы: Астрединов, Иозеф, Королев, Родин, Сорокина, Фищенко

МПК: C09K 3/00, G01C 9/18

Метки: датчика, жидкость, линии, отвесной

Жидкость для датчика отвесной линии на основе диметилформамида и неорганического хлорсодержащего соединения, отличающаяся тем, что, с целью повышения стабильности величины удельной электропроводности жидкости за счет уменьшения ее агрессивности в отношении коррозии конструкционных материалов и повышения срока службы датчика, в качестве неорганического хлорсодержащего соединения она содержит хлорнокислый аммоний при следующем соотношении компонентов, моль/л:Хлорнокислый аммоний - 5,2 10-7 - 1.4 10-1Диметилформамид - Остальное

Номер патента: 925091

Опубликовано: 20.07.1999

Авторы: Астрединов, Иозеф, Красивичев, Родин, Сорокина

МПК: C09K 3/00

Метки: датчика, жидкость, линии, отвесной

Жидкость для датчика отвесной линии на основе хлористого лития и растворителя, отличающаяся тем, что, с целью повышения стабильности величины удельной электропроводности раствора за счет уменьшения его агрессивности в отношении коррозии конструкционных материалов и повышения срока службы датчика, в качестве растворителя она содержит диметилформамид при следующих соотношениях компонентов, м/л:Хлористый литий - 1 10-12 - 1.4 10-1Диметилформамид - Остальное

Номер патента: 1238313

Опубликовано: 10.06.1999

Авторы: Ващенко, Воронцов, Жучин, Пименов, Полухин, Родин, Сорокин, Сухачев

МПК: B21B 3/00

Метки: безопасных, бритв, лезвий, лент

1. Способ изготовления лент для лезвий безопасных бритв, включающий прокатку полосы, продольную резку на ленты и перфорацию отверстий по осевой линии ленты, отличающийся тем, что, с целью повышения качества ленты путем устранения продольной коробоватости за счет снижения остаточных напряжений в перемычках между перфорированными отверстиями, в процессе прокатки по ширине полосы создают неравномерность деформации, причем разность обжатия составляет 0,1 - 1,2%.2. Устройство для изготовления лент для лезвий безопасных бритв, представляющее собой прокатный валок с выпуклой образующей бочки, отличающееся тем, что, с целью повышения качества ленты путем устранения продольной коробоватости,...

Номер патента: 1825236

Опубликовано: 20.03.1997

Авторы: Довнар, Козачонок, Малышев, Родин, Турцевич

МПК: H01L 21/28

Метки: межэлементные, соединения

...до более 0,15 мкм нецелесообразно, т, к. не приведет к дальнейшему снижению бугорков на поверхности нижележащего рисунка при увеличении удельного сопротивления нижнего уровня межэлементных соединений.Кроме того, верхний предел по толщине пленки для обоих классов материалов обусловлен увеличением коэффициента отражения для света с длинами волн А) - 574 нм (режим совмещения) 12 = 436 нм (режим экспонирования) и ухудшением вследствие этого антиотражающих свойств пленки.Конструкция межэлементных соединений поясняется чертежом, где 1 - полупроводниковая подложка с активными элементами; 2 - диэлектрический слой с созданными в нем контактными окнами; 3 - контактно-барьерный проводящий слой к активным элементам в полупроводниковой подложке; 4 -...

Номер патента: 1829792

Опубликовано: 10.10.1996

Авторы: Довнар, Красницкий, Наливайко, Родин, Смаль, Турцевич

МПК: H01L 21/82

Метки: интегральных, конденсатора, накопительного, обкладки, памяти, схем, элемента

...поверхностей пластины; на фиг.4 - то же после нанесения дополнительного проводящего слоя 4; на фиг,5 - то же после удаления безмасочным анизотропным плазменным травлением участков дополнительного проводящего слоя с горизонтачьных поверхностей пластины; на фиг,6 - то же после удаления избирательным травлением оставшихся пристеночных участков разделительного диэлектрического слоя.П р и м е р. На полупроводниковую пластину 1 КДБ 12 со сформированным на ней углублением 2 х 2 мкм, глубиной 2 мкм, угол наклона стенок относительно поверхности 87 - 90, методом 1.РСЧР нанесли проводящий слой 2 из легированного в процессе роста фосфором поликристаллического кремния толщиной 0,1 + 0,01 мкм и методом проекционной фотолитографии на установке ЭМА...

Номер патента: 1829776

Опубликовано: 10.10.1996

Авторы: Баянов, Довнар, Красницкий, Наливайко, Родин, Турцевич

МПК: H01L 21/308

Метки: конденсатора, кремния, обкладки, поликристаллического

...КДБ 12 (100) со сформированной активной структурой ДОЗУ информационной емкости 256 к и созданным на ее поверхности диэлектрическим слоем (2 фиг.1) двуокиси кремния толщиной 0,3+0,03 мкм, нанесли защитное покрытие (3 фиг.1), состоящее из 81 зХ 4 толщиной 20-50 нм и двуокиси кремния толщиной 20-50 нм. Затем с помощью проекционной фотолитографии в нанесенных слоях сформировали контактное окно (4 фиг.1) к стоковой области МДП- транзистора. После этого методом 1.РСЪР на поверхность пластины осадили слой поликристаллического кремния (5 фиг,1) толщиной 0,1+0,01 мкм легированного фосфором в процессе роста и травлением через фоторезистивную маску осажденного слоя на установке "Лада" в плазмообразующей смеси гексафторида серы и кислорода при...

Номер патента: 1817617

Опубликовано: 20.09.1996

Авторы: Базыленко, Гулевич, Державская, Родин

МПК: H01L 21/306

Метки: поверхности, полупроводниковых, слоев, структур, сухого, травления

...(по абсолютной величине), соответствует моменту начала вскрытия поверхности, находящейся под слоем (нижележащей) структуры. При вскрытии всей немаскированной поверхности нижележащей структуры сигнал стабилизируется, что соответствует моменту окончания травления, Очевидно, отрезок времени между началом роста первой производной сигнала и моментом окончания травления слоя равен времени вскрытия поверхности нижележащей структуры. Это время может быть получено следующим образом. К моменту вскрытия поверхности нижележащей структуры в месте на пластине с максимальной скоростью травления в месте с минимальной скоростью травления толщина остатка слоя составляетЛЬ = (Ч.-Ч.) 1. (1) где Ч, Ч, - максимальная и минимальная скорости травления...

Номер патента: 1814435

Опубликовано: 27.07.1996

Авторы: Корешков, Родин, Сасновский, Турцевич, Цыбулько

МПК: H01L 21/28

Метки: алюминия, изготовлении, плазмообразующая, плазмохимической, разводки, сбис, смесь, сплавов

...алюминия и его сплавов происходит уменьшение вероятности коррозии разводки и затрава в межслойный диэлектрик,Верхний предел содержания кислорода в смеси, равный 55 об,; обусловлен увеличением радиационных повреждений и разбавлением смеси, это приводит к увеличению вероятности коррозии разводки алюминия и его сплавов.Нижний предел содержания кислорода в смеси, равный 45 об,о обусловлен снижением скорости травления фоторезиста и уменьшением толщины защитной пленки на боковой поверхности разводки, что приводит к увеличению вероятности коррозии разводки алюминия и его сплавов,Верхний предел содержания гексафторида серы в смеси, равный 25 об, обусловлен увеличением скорости травления двуокиси кремния, что приводит к увеличению затрава...

Номер патента: 1800705

Опубликовано: 27.06.1996

Авторы: Гарбер, Каргачев, Касаткин, Кузнецов, Максютов, Родин

МПК: B21B 45/04, B21C 43/04

Метки: длинномерных, окалины, цилиндрических

...шнека 7 по подаче порошка в камеру 1 облегчаются. Затраты мощности привода шнека 7 на трение уменьшаются, а полезная мощность, расходуемая на уплотнение порошка 2 в камере, растет, Это улучшает качество очистки изделия 4,Наилучшим образом цель изобретения достигается в том случае, если длина выступающего в переходную камеру участка шнека выбирается из соотношения,1 = Б + Ь (1)где Б - шаг винтового ребра шнека;Ь - толщина винтового ребра шнека.Действительно, в этом случае на выступающем участке шнека располагается целый виток винтового ребра, в каждый момент обеспечивает силовое воздействие на порошок со стороны шнека в переходной камере одновременно по полной окружности (на угле 2 й), т,е, создает наилучшие условия для...

Номер патента: 1805786

Опубликовано: 20.05.1996

Авторы: Довнар, Дулинец, Калошкин, Красницкий, Родин, Семенов, Турцевич

МПК: H01L 21/28

Метки: контактно-барьерного, материал, межэлементных, подслоя, соединений

...методике по даннымрентгенодифракционного анализа на дифрактометре Дрон - 2 по угловому смещению25 дифракционного пика.Величину нарушенного приповерхностного слоя подложки определяли по методике, представленной в работе (Коб 1 п Ч.6Кочо 1 еЬоМ М.Ч., 1 аагпоч В,М., 1 озапоч 1 сЬ30 Е,Е. ТЬе вейоб о 1 1 п 1 е 9 гасЬагас 1 ег 1 м 1 сз 1 пХ-гау бИгасбоп зтаб 1 ез о 1 зсгцсмге о 1 1 ЬеЯиг 1 асе 1 аяегз о з 1 п 91 е сгузса 1 з. РЬуз, Всат.Яо 1, (а) 1981, ч.64, р,442-465).Содержание кремния измеряли мето 35 дом масс-спектрометрии на масс-спектрометре МНпо методике (Буэанев Е,В идр. Исследования слоев в структурах поликремний -иметодом МСВИ, Вторичнаяионная и ионна-фотонная эмиссия, - Харь 40 кои, 1983, с,205-207). Качество...

Номер патента: 1817446

Опубликовано: 27.04.1996

Авторы: Барков, Бондарь, Ищенко, Калякин, Криштопа, Лисица, Пантазьев, Родин

МПК: C07C 31/04

Метки: метанола

...массы и выгружают. Массу сушат, таблетируют и дробят. Дальнейшиеоперации проводят, как в примере 1,П р и м е р 6, Перед проведением про 5 цесса синтеза метанола готовят катализатор, для чего смешивают 53,8 г хромового ангидрида с 86,2 г оксида цинка. Массу загружают в смеситель при включенном перемешивающем устройстве. Приливают 49 мл дистиллированной воды, перемешивают 30 мин и вносят 60 г катализатора СНМ, обработанного под давлением 5,0 УПа (соотношение А:В=-ЗО:70), перемешивают 1 ч до получения однородной сыпучей массы и выгружают, Катализаторную массу сушат, таблетируют и дробят, Дальнейшие операции проводят, как в примере 1,П р и м е р 7 (сравнительный), Перед проведением процесса синтеза метанола готовят катализатор, для чего...

Номер патента: 1684982

Опубликовано: 10.05.1995

Авторы: Виолин, Воробьева, Дробышева, Иваницкая, Иванова, Ковалев, Коробкова, Котуранов, Кудинова, Муренец, Навашин, Родин, Сазонова, Сингал

МПК: A61K 31/71, A61K 35/66

Метки: антикокцидийного, омомицина, основе, препарата

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ АНТИКОКЦИДИЙНОГО ПРЕПАРАТА НА ОСНОВЕ ОМОМИЦИНА путем культивирования Streptomyces chromopurpureus subsp.chiketamanus subsp.nov. на жидких питательных средах, отделения и высушивания мицелия и экстракции из него растворителем целевого продукта, отличающийся тем, что, с целью повышения качества препарата, в качестве растворителя для экстракции используют смесь петролейного эфира с хлороформом в соотношении 3 4 1, а после экстракции целевого продукта из мицелия проводят его хроматографическую очистку на кремниевой кислоте, концентрирование элюатов, обработку их водным раствором 1 н. NOH и высушивание.

Номер патента: 1750094

Опубликовано: 20.03.1995

Авторы: Калякин, Овсиенко, Родин, Рыжак

МПК: B01J 23/80, B01J 37/03

Метки: катализатора, метанола, приготовления, синтеза

1. СПОСОБ ПРИГОТОВЛЕНИЯ КАТАЛИЗАТОРА ДЛЯ СИНТЕЗА МЕТАНОЛА путем последовательного осаждения алюминийсодержащего стабилизирующего наполнителя и активной медьцинксодержащей композиции в присутствии данного наполнителя из соответствующих азотнокислых растворов добавлением карбоната натрия с последующим отделением образовавшейся катализаторной массы, ее сушкой, прокаливанием и формованием, отличающийся тем, что, с целью получения катализатора с повышенными активностью и стабильностью, осаждение алюминийсодержащего наполнителя ведут из азотнокислых растворов цинка и алюминия и осаждением медьцинксодержащей композиции - из азотнокислого раствора меди и цинка, включающего азотнокислый алюминий.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что...

Номер патента: 1450589

Опубликовано: 20.01.1995

Авторы: Баишев, Кашкай, Луконин, Мамедов, Родин

МПК: G01N 25/02

Метки: анализа, дифференциально-термического

1. УСТРОЙСТВО ДЛЯ ДИФФЕРЕНЦИАЛЬНО-ТЕРМИЧЕСКОГО АНАЛИЗА, содержащее печь с реакционной камерой, измерители температуры пробы и температуры среды внутри печи и канал для подачи потока газа в реакционную камеру, отличающееся тем, что, с целью повышения точности и производительности анализа путем создания безградиентного температурного поля вокруг микрочастиц пробы, оно дополнительно содержит последовательно соединенные с каналом для подачи потока газа, расположенные по ходу перемещения потока газа до входа в печь распылитель микрочастиц пробы в потоке газа, сепаратор микрочастиц пробы, ионизатор микрочастиц пробы, а внутри печи поперек реакционной камеры установлен теплопроводный экран, контактирующий с измерителем температуры пробы.2....

Номер патента: 1688754

Опубликовано: 30.12.1994

Авторы: Губайдулина, Новиков, Петрухина, Прохоров, Раевский, Родин, Татаренко

МПК: H01L 41/24

Метки: многослойных, пьезокерамических, элементов

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МНОГОСЛОЙНЫХ ПЬЕЗОКЕРАМИЧЕСКИХ ЭЛЕМЕНТОВ системы цирконата-титаната свинца, включающий сборку из чередующихся слоев пьезокерамического и электропроводного материала и обжиг, отличающийся тем, что, с целью удешевления и упрощения технологии, электропроводные слои выполняют из оксида кадмия, а обжиг проводят при температурах 930-1010oС в течение 0,5-1,5 ч.

Номер патента: 1598365

Опубликовано: 30.01.1994

Авторы: Бергман, Бондарцев, Граф, Добрынин, Жиляев, Родин

МПК: B23P 19/08

Метки: канавки, колец, наружные, упругих, установки

УСТРОЙСТВО ДЛЯ УСТАНОВКИ УПРУГИХ КОЛЕЦ В НАРУЖНЫЕ КАНАВКИ ДЕТАЛЕЙ, содержащее размещенные на основании питатель, колонну со сборочной головкой и приводы вертикального перемещения и поворота колонны, а также упор, при этом сборочная головка выполнена в виде коаксиально расположенных разжимного конуса, цангового захвата и толкателя, закрепленного на колонне, отличающееся тем, что, с целью расширения технологических возможностей, устройство снабжено дополнительными упорами и дополнительной колонной с диском, кинематически связанной с приводом поворота основной колонны, при этом дополнительные упоры закреплены на диске и имеют возможность поочередного взаимодействия с основной колонной, кроме того, привод вертикального перемещения колонны...

Номер патента: 1401780

Опубликовано: 30.01.1994

Авторы: Бергман, Бондарцев, Граф, Добрынин, Жиляев, Родин

МПК: B23P 15/26, B23P 19/02

Метки: автомат, запрессовки, каркас, теплообменника, трубок

1. АВТОМАТ ДЛЯ ЗАПРЕССОВКИ ТРУБОК В КАРКАС ТЕПЛООБМЕННИКА, содержащий смонтированные на станине бункер с подающим шибером, горизонтальные направляющие, механизм крепления и перемещения каркаса в виде подвижной головки, стол, установленный с возможностью перемещения в направляющих станины, смонтированный на столе механизм поджатия и центрирования трубок, выполненный в виде оправки с центрирующим конусом, привода в виде силового цилиндра и толкателя с центрирующим конусом, установленного соосно оправке, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности путем обеспечения постоянства ориентирования трубок относительно отверстий каркаса в процессе запрессовки, направляющие станины установлены параллельно оси запрессовки, подвижная головка...

Номер патента: 1839658

Опубликовано: 30.12.1993

Авторы: Колин, Родин

МПК: B28D 1/04

Метки: дисковый, инструмент

...элементы 3. Нэ выступах 2 расположены вставки 4 в тела корпуса, для уста новки которых в задней части кэждого выступа производят, например, эрозионным способом выборки нэ 1)3 - 1/2 толщины корпуса; Образованные выемки покрывают клеем. Поверх выемокуклэдывэ ют вставки 4. Форма вставок образуется кривой, соединяющей периферийную часть выступа 2 с его задним основанием. Периферийная часть выступа, выполненная с вставкой, т.е, слоистая, составляет 2/3-1/2 25 длины выступа,Дисковый инструмент работает следующим образом. Формула изобретенияДИСКОВЫЙ ИНСТРУМЕНТ, содержа-щий корпус с вставками и выступами нэ 3периферии, на которых установлены режу-.щие элементы, отличающийся тем, что, сцелью снижения трещинообразования у. оснОваний выступов,...

Номер патента: 2003707

Опубликовано: 30.11.1993

Авторы: Горелов, Грачев, Мальченков, Михалев, Родин

МПК: C22B 1/248, F23H 1/00

Метки: обезжиривания, плавкой, подогрева, скрапа

...аг- "0 неупорным кирпичом 3 (высокоглинсземистые огнеупорные блоки размером 150 х 200 х 500 мм), Сбоку установки выполнена топка 4, о которую введены две двухпроводные газовые горелки 5, Над топкой 15 установлен колосник б из литой жаропрочцой стали, на который с помощью магнитной шайбы загружается крупногабаритная шихта 7 для обезжиривания и подогрева или устанавливаются короба - корзины с мелко кусковой шихтой. Для отвода продуктов сгорания над установкой (бункером) смонтироан вытяжной зонд 8, через который отходящие газы поступают в систему очистки или используются, например. для подогрева воздуха, воды и т.п.Выполнение днища емкости в ниде колосника позволяет вести процесс тепловой обработки шихты с высоким тепловым КПД, дает...

Номер патента: 2003661

Опубликовано: 30.11.1993

Авторы: Белухин, Родин, Сницар

МПК: C11B 1/12, C11B 1/16

Метки: жира, линия, производства

...объединенные электродвигатель 57 и двухступенчатый планетарный зубчатый редуктор 58. Первая ступень редуктора 58 состоит иэ первого центрального подвижного зубчатого колеса 59, первых са 50 теллитов 60, первого неподвижного зубчатого колеса 61 и первого водила 62. Соответственно вторая ступень редуктора 58 состоит из второго центрального подвижного зубчатого колеса 63, вторых сателлитов 64, второго неподвижного зубчатого колеса 65 и второго водила 66. Число сателлитов 60 и 64 в каждой ступени редуктора 58 равно трем (на фиг.7 в каждой ступени редуктора показано по одному сателлиту). Сателлиты в вой стрелки со стороны загрузки продукта).Корпус 42 с рубашкой и полый вал 46 обог-,каждой ступени расположены друг относительно друга под...

Номер патента: 1837966

Опубликовано: 30.08.1993

Авторы: Аристов, Зяблин, Родин, Сергеев

МПК: B02B 3/04

Метки: зерна, шелушения

...зазора между в себя фиг. 2) плаваюической поверхностью, пусе 1 с возможностью еского движения. В сеется резьбовое отверчен резьбовой вал 10 с зьбой и штурвалом 11, ыполнена сферическая ленная без зазоров в 6 подшипника 14, Устодинаковых механизма а, так как валец 4 устаМеханизм регулвальцами включаетщую шайбу 9 со сферустановленную в корсовершения сферичредине шайбы иместие, в которое вкрусамотормозящей реНа конце вала 10 вголовка 12, установполости 13 корпусаройство имеет дварегулирования зазорновлен в двух подшипниках (на фиг. 2 второй механизм не показан),Устройство работает следующим образом,Обрабатываемый материал из эагрузочного бункера 2 поступает в зазор междувальцами 3 и 4, которые вращаются от привода навстречу друг...