H01L 31/10 — характеризуемые наличием, по меньшей мере, одного поверхностного барьера или потенциального барьера, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, например фототранзисторы

Номер патента: 528823

Опубликовано: 25.07.1977

Авторы: Казюлин, Мочалкина

МПК: H01L 31/10

Метки: полупроводниковый, фотоприемник

...1 е 1 иенныды в обратном направлении, такчтэ сукение Обедненной области может про-исходить только за счет разряда емкостир- Я -перехода обратным током. По мересужения обедненной области проводимостьканала увеличивается, так чтэ к моментуиддачи следу 1 эцегэ импульса через приборпротекает тэк Отличный эт нуля, Еслиприбор затемнен, то изменен 1 е сопротивления ка 1 ала прП 1 схэдит Б течение довольнод 41 и ГЯ 11 ьногэ вре"1 Я 11 И (11 эрядка ие( кэлькихмижисякунд), В Зтэм с 1 учая, если пэьбО торная подача импульса произойдет черезвремя, существенно меньшее времени зтэгэизменения, сопротивление канала не успевает сушественно измениться и сигнал навыходе будет,по-прежнему близок к нулю.Если прибор осветить, то носители,...

Номер патента: 622368

Опубликовано: 15.03.1979

Авторы: Трофим, Чумак

МПК: H01L 31/10

Метки: позищионно-чувствительный, фотоприемник

...созданным любым из известных способов,и может быть использована как в приборах с общей базой, так и в приборах из двух независимых фотоэлементов,622368 Составитель Г,Шкерди Техред Л.Албеоова К тщ щщ аа жТираж 922ИПИ Государственного по делам изобретений ква ЖРаушская н Коло ректор М,Ряшко Заказ 112 цева 61 Подписное комитета СССР и открытий аб. д.45 ЦН 113035 Патентф, г.Ужгород, ул.Проектная,4 филиал П Позиционно-чувствительный фото- приемник может быть создан элитаксиальным наращиванием твердого раствора 1 р-А 2 Са Аз из жидкой фазы толщиной й на подложке 2 арсени да галлия электронного типа проводимости . После эпитаксиального процесса наносят контактные площадки 3 к твердому раствору и сплошной контакт 4 к арсениду галлия....

Номер патента: 1478918

Опубликовано: 23.04.1991

Авторы: Ашмонтас, Градаускас, Мармур, Оксман

МПК: H01L 31/10

Метки: ик-излучения, регистрации

...в цепи затвора на инерционность фотоответа,ра ведет к изменению сечения и проводимости канала и соответственнок изменению протекающего в цепи исток-сток тока. Заявляемый способприменим в широком температурном интервале, Высокое быстродействиеобеспечивается тем, что разогревэлектронной подсистемы отличаетсямалой инерционностью (время релак 42,сации носителей по энергии1 О с).Затвор должен быть закорочен с истоком, так как сечение канала и егопроводимость управляются не напряжением на затворе, а разогревом носителей излучением,П р и и е р, Проверка способа была проведена на кремниевых полевыхтранзисторах КП 902, КП 903, КП 302,КП 103, у которых были удалены корпу1478918 свободных носителей и отсутствуетвлияние сопротивления...

Номер патента: 1749955

Опубликовано: 23.07.1992

Авторы: Идлис, Фролов

МПК: H01L 31/10

Метки: твердотельное

...что часть р - и-перехода смещена в пря- . чением потенциала подложки ур. При премом,ачастьвблизиконтакта 5-вобратном вышении Е пороговой величины Епор (Енаправлении, т,е. потенциал подложки ока Е,р) структура находится в неустойчивомзывается в пределах О ур Е. Вдоль Р-и- состоянии (азЬз) или(адЬ 4), проявляющемсяперехода по слоям 2 и 3 протекает в генерации электрических колебаний илисуммарный ток ), определяемый распреде-переключении электрического состояния,пением потенциалавэтихслоях. Вотсутст- При дальнейшем увеличении Е (Е Елор)структура опять переходит в устойчивое состояние (аьЬь), Таким образом, существуетдиапазон напряженийЕпорЕ Емакс,в котором при включении подсветки происходит возбуждение неустойчивостей. Кромеперечисленных...

Номер патента: 1538834

Опубликовано: 07.05.1993

Авторы: Ашмонтас, Мармур, Оксман, Трейдерис

МПК: H01L 31/10

Метки: излучения, инфракрасного, преобразования

...рлбочеи температуры Т ъ26 Квьтекает из того, что активное поглощение происходит ца свободных носителях, поставляемых ионцзовацнымипримесями. Поэтому условие являетсяобратным условию, необходимому длявьморажцнация примесей.Верхний предел рабочей температуры вытекает из условия малости тока,создаваемого тепловыми носителямив прямом смещенном светодиоде,Пределы для прямого смешения связаны с тем, чтотребуемое преобразование излучения обусловлено квантовым процессом переброса, которыйимеет место в области спектра, длякоторой справедлив закон Фаулера.Пре"деды для величины прямого смещениясоответствуют высоте барьераотвечающей условию 0,5 Ь 1ч" бйт 2,При большой высоте барьера це будутвозникать фототок и стимулированнаяИК-излучением...

Номер патента: 1823931

Опубликовано: 23.06.1993

Авторы: Авдеенко, Калинин, Нефидов, Пак, Поляков, Сведе-Швец

МПК: H01L 31/10

Метки: фототранзистор

...На чертеже показана стру гаемого устройства. Фототранжит изолирующую подложку сформирован участок кремни двумя областями п типа 3 и 4, соединены 2 электрода 5 и 6 но. Управляющий электрсд 7 над р-областью 2 и изолирова лектрическим слоем. Устройс следующим образом.1823931 На управляющий электрод 7, расположенный на диэлектрическом слое 8 подается опорное напряжение величиной равное1 А - Оя + Ь О, где Опор - пороговоенапряжение МОП транзистора, сформиро+ +ванного областями п, р, и, 3,2 и 4 соответственно и электродом 7, а Л Онапряжение, равное примерно (0,050,5)Опор, При этом транзистор приоткрыт ичерез него протекает незначительный темновой ток порядка единиц-десятков мкАпропорциональный величине (Оол-Олэр)(1),Под воздействием квантов...

Номер патента: 862753

Опубликовано: 10.05.1996

Авторы: Клименко, Костенко

МПК: H01L 29/76, H01L 31/10

Метки: фототранзистор

ФОТОТРАНЗИСТОР на основе МДП структуры, содержащий полупроводниковую подложку, одна из поверхностей которой является чувствительной к излучению, с областями стока, истока и канала, на которой сформирован слой диэлектрика и электрод затвора, отличающийся тем, что, с целью расширения функциональных возможностей, поверхность подложки, свободная от диэлектрика, является чувствительной к излучению и имеет пазы над областью канала, площадь сечения каждого из которых удовлетворяет следующему соотношению:гдеS1 площадь сечения паза;S площадь канала;n число пазов,а диаметр паза и расстояние между соседними пазами не менее чем на порядок...