Сасновский

Номер патента: 1769635

Опубликовано: 20.01.2008

Авторы: Красницкий, Сарычев, Сасновский, Турцевич

МПК: H01L 21/28

Метки: интегральных, контактных, межсоединений, столбиков, схем

Способ изготовления контактных столбиков для межсоединений интегральных схем, включающий формирование слоя кремния на боковых поверхностях контактного окна в диэлектрическом слое, расположенном на полупроводниковой кремниевой подложке с созданными активными и пассивными элементами и первым проводящим слоем, селективное осаждение вольфрама и нанесение второго проводящего слоя, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных интегральных схем и снижения трудоемкости за счет сокращения длительности процесса формирования контактного столбика, слой кремния формируют до полного заполнения контактного окна, а осаждение вольфрама проводят из парогазовой смеси гексафторида вольфрама с...

Номер патента: 1760920

Опубликовано: 20.01.2008

Авторы: Довнар, Лесникова, Сарычев, Сасновский, Турцевич

МПК: H01L 21/28

Метки: интегральных, межэлементных, соединений, схем, формирования

Способ формирования межэлементных соединений интегральных схем, включающий нанесение на поверхность полупроводниковой пластины с созданными в ней элементами интегральных схем слоя алюминия или его сплавов, нанесение слоя кремния, создание фоторезистивной маски с рисунком межэлементных соединений, травление слоев кремния и алюминия или его сплавов через эту маску, удаление маски, отличающийся тем, что, с целью повышения качества межэлементных соединений путем уменьшения вероятности коротких замыканий и повышения стойкости к электромиграции, после удаления маски пластины со сформированным на них рисунком межэлементных соединений в течение 5-30 мин обрабатывают в атмосфере гексафторида...

Номер патента: 1819070

Опубликовано: 27.10.1996

Авторы: Балабуцкий, Гайдук, Сасновский, Чаусов

МПК: H01L 21/82

Метки: биполярных, интегральных, поликремниевым, резистором, схем

...удаляют эту маску и формируют маску с отверстием+над областью контакта к и -скрытому слою, внедряют примесь и-типа в область контакта к и -скрытому слою и проводят разгонку примеси р-типа в области охранного кольца до смыкания ее с подложкой и примеси и-типа в области контакта к и+-скрытому слою до смыкания ее с и -скрытым слоем. Окислением полученной структуры при 1000 С в атмосфере водяного пара формируют изолирующий диэлектрический слой из двуокиси кремния толщиной 0,05 мкм, Осаждением из газовой фазы выращивают на изолирующем диэлектрическом слое слой поликристаллического кремния толщиной5 1819070 бПри внедрении ионов бора с энергией100 кэВ в двуокись кремния Крр=0,247 мкм,ЬК.рр =0,053 мкм, Следовательно условие:11 пас 1 рр+...

Номер патента: 1814445

Опубликовано: 10.09.1996

Авторы: Балбуцкий, Гайдук, Сасновский, Чаусов

МПК: H01L 21/308

Метки: кремния, островков, поликристаллического, полупроводниковых, профилем, структур, ступенчатым

...следующее ограничение на ширину уступа:уст. - крит.раза, (8)где Ьу - ширина уступа фоторезистивной маски относительно края островков поликристаллического кремния,Добавив в правую часть соотношения (8) величину (Ь-Ь,), которая всегда больше нуля, ибо в противном случае проблем с обрывами межкомпонентной разводки на островках поликристаллического кремния не возникало бы, мы еще более уменьшим вероятность появления несплошной пленки межкомпонентной разводки на ступеньке:уст, - крит.раза. ("пкк. раза,) з (9)Перепишем (9) следующим образом:пкк. раза. крит.раза. - 1 уст. (1 О)Сравнивая (10) и левую часть (7), получаем, что глубина несквозного травления слоя поликристаллического кремния и ширина уступа фоторезистивной маски относительно края...

Номер патента: 1814435

Опубликовано: 27.07.1996

Авторы: Корешков, Родин, Сасновский, Турцевич, Цыбулько

МПК: H01L 21/28

Метки: алюминия, изготовлении, плазмообразующая, плазмохимической, разводки, сбис, смесь, сплавов

...алюминия и его сплавов происходит уменьшение вероятности коррозии разводки и затрава в межслойный диэлектрик,Верхний предел содержания кислорода в смеси, равный 55 об,; обусловлен увеличением радиационных повреждений и разбавлением смеси, это приводит к увеличению вероятности коррозии разводки алюминия и его сплавов.Нижний предел содержания кислорода в смеси, равный 45 об,о обусловлен снижением скорости травления фоторезиста и уменьшением толщины защитной пленки на боковой поверхности разводки, что приводит к увеличению вероятности коррозии разводки алюминия и его сплавов,Верхний предел содержания гексафторида серы в смеси, равный 25 об, обусловлен увеличением скорости травления двуокиси кремния, что приводит к увеличению затрава...

Номер патента: 1823712

Опубликовано: 27.04.1996

Авторы: Андреев, Красницкий, Сарычев, Сасновский, Трубинова, Турцевич

МПК: H01L 21/285

Метки: вольфрама, кремний, осаждения, парогазовая, смесь

...закорачивающих перемычек, реализуется воэможность получения шунтирующих слоевтребуемой толщины 0,15 - 0,2 мкм,При содержании гексафторида молибдена в парогазовой смеси менее 0,5 об,0 неудается сформировать шунтирующие слоивольфрама требуемого качества и с необходимыми характеристиками из-за самоограничения реакции восстановления ЮР 6кремнием,При содержании гексафторида молибдена в парогазовой смеси более 20 об. рес.ция становится трудноконтролируемой,снижается качество шунтирующих слоев засчет ухудшения адгезии. Кроме того, увеличивается количество зародышей и, следовательно, ухудшается селективность осаждения.Таким образом, эа счет повышения селективности процесса, исключения самоограничения реакции восстановлениягексафторида...

Номер патента: 1812525

Опубликовано: 30.04.1993

Авторы: Жарин, Кунавин, Малышев, Полякова, Сасновский, Трубило, Тявловский, Чигирь

МПК: G01R 29/12

Метки: изготовлении, интегральными, модулей, пластине, поверхностного, потенциала, рабочих, распределения, схемами

...собой зонд-электрод. В процессе измерения только один контакт коммутатора замкнут, остальные разомкнуты, Измерение 4550 55 ординатам исследуемой пластины. В случае превышения измеряемого потенциала за разрешаемый уровень, определяемый экспериментально конкретно для каждого вида пластины подложки, последний регистрирураспределения поверхностного потенциала на поверхности пластины осуществляется последовательно для каждого модуля, начиная с электрода, имеющего максимальную площадь сечения основания, и кончал электродом, имеющим минимальную площадь сечения оснований, причем измерение осуществляется относительно заданного уровня в блоке 5 управления и согласования сигнала с последующей выдачей на регистрирующее устройство (7) с привязкой к...

Номер патента: 829133

Опубликовано: 15.05.1981

Авторы: Авдонькин, Овсянников, Сасновский, Старинский, Стопчик

МПК: B01D 21/24

Метки: вод, осадкасточных, уплотнения

...производительности за счет снижения влажности осадка и регене- рации фильтрующих элементов.Указанная цель достигается тем, что фильтрующие элементы снабжены установленными на их концах кольцевыми сильфонами с электродами и рабочей жидкостью, а бункер- пружинными опорами, при этом вибраторы прикреплены к нижней поверхности днища бункера, а соединение последнего с разгрузочным приспособлением выполнено в виде гофрированного патрубка.На фиг.1 изображена установка, продольный разрез; на фиг.2 - сечение А-А на фиг.1. волн, генерируемых вибраторами 23, в полость фильтрующего элемента 5,Установка работает следующим образом.Перед началом работы приводится во вращение вал 9 и включаются вибраторы 22. Скорость вращения вала 9 зависит от...