H01L 29/73 — биполярные плоскостные транзисторы

Номер патента: 789019

Опубликовано: 07.07.1982

Авторы: Матсон, Русак

МПК: H01L 29/73

Метки: полупроводниковый, прибор

...при некотором напряжении происходит локальное смыкание областей эмиттерного и коллекторного переходов. Проводимость базы между коллектором 1 и областью 4 резко возрастает и между контактами эмиттера и коллектора образуется канал, по которому носители заряда из эмиттера попадают в коллектор, При этом основной частью канала является дополнительная слаболегированная область 6, а сильнолегированные области эмиттера 3 и 4 - эффективными контактами. Слаболегированная область 6 имеет меньшую концентрацию носителей, чем база полупроводникового прибора, что приводит к распространению области объемного заряда, в основном в дополнительную слаболегированную область 6.При приложении прямого напряжения смещения к переходу эмиттер-база сечение канала...

Номер патента: 865081

Опубликовано: 23.08.1982

Авторы: Галузо, Матсон

МПК: H01L 29/73

Метки: биполярный, интегральный, транзистор

...рекомбинациопных и инжекционных составляющих тока базы,При малых напряжениях на эмиттерйом переходе, что равносильно режиму малых токов, доля рекомбинационных составляющих в суммарном токе базы становится более существенной, чаще всего бывает больше инжекционной, Последнее вызывает уменьшение коэффициента передачи тока,Наличие в устройстве по изобретению дополнительного слоя 8, отделяющего пассивную зону базы от поверхности, снижает вероятность процесса рекомбинации поскольку в этом случае исключается возможность встречи на поверхности кристалла основных и неосновных носителей заряда (электронов и дырок), Для обеспечения непосредственного контакта к базе дополнительный слой покрывает всю поверхность пассивной базы за исключением ее...

Номер патента: 1702457

Опубликовано: 30.12.1991

Авторы: Ескин, Тугов

МПК: H01L 29/73

Метки: выключения, транзисторов

...располагающуюся в основном в активной 5 и пассивной 6 базах и имеющую осьюлинию выхода 12 перехода 8 эмиттер - базана поверхность полупроводника, Генерируемые лавинной дырки 17 дрейфуют к элект 25 роду 7 базы, генерируемые электроны 18 -к электроду 11 эмиттера,Наиболее существенным в этом процессе является то, что выводимые из ВОК 3дырки 19 захватываются мощным полем30 лавины 16, ускоряются им и с высокой скоростью дрейфуют к электроду 7 базы, Диффузионный механизм вывода дырок, такимобразом, в значительной степени заменяется дрей фовым, что приводит к существен 35 ному уменьшению времени выключения, т,е. Повышению быстродействия УВБТ. Скорость диффузии носителей в современныхМВБТ составляет 0,05 - 0,5 мкм/нс, поэ) омутипичное время...

Номер патента: 1407345

Опубликовано: 30.08.1992

Авторы: Аронов, Васильев, Десятов, Морозов, Родионов

МПК: H01L 29/73

Метки: свч-транзистор

...позволяет раменения СВЧ"тран0( Од.м(бобщл,и индуктивность общего электрода транзистора, включающая индуктивность базыи внешнюю индуктивностьмонтажа;импульсный ток эмиттерапосле завершения переходного процесса;максимальное обратное напряжение эмиттбр-база;требуемая длительностьФронта радиоимпульсов.:ьмекс Составитель Н. Гусельников Техред К,Дидык Корректор Э, Лончакова Редактор Н.Коляда Заказ 3475 Тираж Подписное ВВИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий13035, Иосква, Ж, Раушская наб., д, 4/5аеПроизводственно-полиграФическое предприятие, г. Ужгород, ул. Проектная, 4 Изобретение относится к полупроводниковой технике.Целью изобретения является снижение длительности Фронтов радиоимлульса усиливаемого...

Номер патента: 1417721

Опубликовано: 23.06.1993

Автор: Диковский

МПК: H01L 29/73

Метки: биполярный, генераторный, мощный, свч-транзистор

...коллектортранзистора по постоянному току отзамыкания на базовый электроД. Натех же кремниевых кристаллах, гдерасположены блокировочные конденса4 Цторы с одного. края созданы ЙОП-конденсаторы 8 с площадьш электрода каж.фдого конденсатора, равной х 10 4 см,а с другого. краятойкопленочныенихромовые резисторы 9 с сопротивлени+ем каждого резистора, равным 4 Ом.45Четыре кристалла с ИОП-конденсаторамии резисторами смонтированы мк, чтосредние элементы объединейия вклвчафит в себя последовательно вкличеиныерезисторы, а крайние элементы объеди Ыпения - последовательно вкличеиныеконденсаторы. Объединение выполненос помощьи объединяащи индуктивныхэлементов 10 длиной не более 0,4 ммиз алимиииевой ленты сечением 240 Я30 мкм, Внутренняя цепь...

Номер патента: 1272927

Опубликовано: 15.07.1993

Авторы: Гальцев, Глущенко, Татьянин

МПК: H01L 29/73

Метки: планарная, структура, транзисторная

...заряда основных носителей ТЬка - электронов), расположенной в высакаомцой полупроводниковой 2 подлояскепленарной базовой аблас" тц 2 второго типа проводимости, эмгсттерцых областей 3 первого типа проводимости, йасснвирующего Обнасти с поверхности структуры, днэлектри" 25 ческога покрытия се толщиной с 1 ц с положительным знаком пастолцйага заряда коцтагстцьхх огсац 5 ц 6 соответственно к базовой и эмиттерцой Облас лм ц метахглпзцрОезаглньпс к ц 1 гм кантк" ЗО тов 7 и 8, 9 в , граница не расппгреннай эа пределами контактов базовой 7 и эмцттерцой 8 металлизацней, а 10 и, 1 - расширенные вне контактов и базовой облстц соответственно безовыс и эмиттерцые металлизированные контакты с постолццой длиной а12 и пснрцной /с 1 13 промежутка...

Номер патента: 1256616

Опубликовано: 30.04.1994

Авторы: Десятов, Родионов, Родионова

МПК: H01L 29/73

Метки: биполярный, мощный, планарный, свч-транзистор

БИПОЛЯРНЫЙ ПЛАНАРНЫЙ МОЩНЫЙ СВЧ-ТРАНЗИСТОР с сетчатой структурой эмиттерной области, включающей вертикальные и горизонтальные ряды, содержащей идентичные ячейки и контактные окна к эмиттерной области, отличающийся тем, что, с целью улучшения энергетических характеристик, в каждом горизонтальном ряду образованы пары ячеек, расстояние между ячейками пары равно расстоянию между соседними рядами, а расстояние между соседними парами в одном ряду в 2-5 раз больше, чем расстояние между соседними рядами, причем пары в соседних рядах расположены одна относительно другой так, что середина зазора между парами одного ряда совпадает с серединой зазора между ячейками в паре соседнего ряда, а контактные окна к эмиттерной области расположены между парами...

Номер патента: 1393264

Опубликовано: 15.09.1994

Авторы: Жильцов, Сивак

МПК: H01L 29/73

Метки: мощный, планарный, транзистор

МОЩНЫЙ ПЛАНАРНЫЙ ТРАНЗИСТОР, содержащий подложку, являющуюся коллектором, в которой выполнена область базы с активными и пассивными участками, включающая эмиттерную область, диэлектрическое покрытие, в котором выполнены контактные окна, эмиттерную и базовую металлизации с контактными площадками, расположенные на диэлектрическом покрытии, и дополнительные области, расположенные в приповерхностной области коллектора с типом проводимости, противоположном типу проводимости коллектора, отличающийся тем, что, с целью увеличения коэффициента усиления по мощности, дополнительные области расположены над контактными площадками эмиттерной и базовой металлизации, имеют глубину не менее глубины пассивной части базовой области и находятся от нее на...

Номер патента: 1005607

Опубликовано: 15.09.1994

Авторы: Борисов, Гурфинкель, Сергеев

МПК: H01L 29/73

Метки: биполярный, транзистор

БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР, содержащий полупроводниковую подложку с областями эмиттера первого типа проводимости, включающего высоколегированный и слаболегированный участки, базы второго типа проводимости, включающей высоколегированный пассивный участок, который охватывает слаболегированный активный участок, а также коллектора, отличающийся тем, что, с целью повышения коэффициента усиления мощности на частоте свыше 104 Гц, в активном участке области базы сформирована дополнительная высоколегированная зона того же типа проводимости, которая охватывает активный участок базы и примыкает к пассивному участку области базы, при этом проекция слаболегированного участка области базы на поверхность подложки размещена в пределах проекции...

Номер патента: 1347825

Опубликовано: 15.10.1994

Автор: Диковский

МПК: H01L 29/73

Метки: мощный, свч-транзистор

1. МОЩНЫЙ СВЧ-ТРАНЗИСТОР с общим электродом, включающий распределение вдоль ряда транзисторных структур элементы частичного внутреннего согласования выхода с индуктивными элементами первого звена соглосования, включенными последовательно с блокировочным конденсатором между внутренним коллекторным и общим электродами, с индуктивными элементами второго звена согласования, подключенными к внутреннему коллекторному электроду и расположенными параллельно плоскости внутреннего коллекторного электрода, отличающийся тем, что, с целью снижения потерь выходной мощности и увеличения КПД путем повышения равномерности согласования выхода, индуктивные элементы первого звена согласования расположены перепендикулярно плоскости внутреннего коллекторного...

Номер патента: 1409076

Опубликовано: 30.10.1994

Авторы: Жильцов, Сивак

МПК: H01L 29/73

Метки: мощный, планарный, транзистор

МОЩНЫЙ ПЛАНАРНЫЙ ТРАНЗИСТОР, содержащий области эмиттера, базы и коллектора, диффузионные растворы, соединенные с эмиттерной областью, диэлектрическое покрытие с контактными окнами к соответствующим областям и контакты к ним, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности путем повышения стабильности тока, контакт, соединяющий резистивную область с эмиттерной, снабжен дополнительным участком, расположенным на диэлектрическом покрытии над областью резистора.

Номер патента: 1766220

Опубликовано: 15.11.1994

Авторы: Безрядина, Булгаков, Колесникова, Кочетков, Петров

МПК: H01L 29/73

Метки: мощная, свч, структура, транзисторная

МОЩНАЯ ВЧ И СВЧ ТРАНЗИСТОРНАЯ СТРУКТУРА, содержащая полупроводниковую подложку с коллекторными и базовыми областями, в пределах каждой из базовых областей размещены расположенные в ряд эмиттерные области, сформированные в виде непрерывных или имеющих посередине разрывы полосок, включающие области контактов с металлизацией, отличающаяся тем, что, с целью увеличения выходной мощности, коэффициента усиления по мощности и КПД за счет повышения равномерности тепловыделения, области контактов с металлизацией каждой эмиттерной полости расположены на противоположных по длине полоски краях, а поверхностное сопротивление Rs полосок удовлетворяет условию

Номер патента: 1389610

Опубликовано: 20.01.1995

Автор: Левицкий

МПК: H01L 29/73

Метки: биполярный, мощный, транзистор

БИПОЛЯРНЫЙ МОЩНЫЙ ТРАНЗИСТОР, включающий полосковые эмиттерные электроды и двухуровневую эмиттерную и базовую металлизации гребенчатого типа, причем нижние уровни металлизации отделены от верхних изолирующим слоем с контактными окошками для соединения нижнего и верхнего уровней металлизации соответствующих электродов, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности и технологичности без ухудшения частотных свойств, зубцы гребенки эмиттерной металлизации расположены над и вдоль эмиттерных полосковых электродов, а зубцы базовой металлизации, проходящие между эмиттерными электродами, расположены под изолирующим слоем.

Номер патента: 1780472

Опубликовано: 20.01.1995

Авторы: Соловьев, Соловьева

МПК: H01L 29/73

Метки: высоковольтный, транзистор

1. ВЫСОКОВОЛЬТНЫЙ ТРАНЗИСТОР, содержащий области эмиттера, базы и коллектора, слой защитного диэлектрика с окнами для контактов к активным областям, при этом в области коллектора расположены кольцевые охранные области противоположного коллектору типа проводимости, отличающийся тем, что, с целью повышения пробивного напряжения за счет устранения электростатического поля вдоль поверхности защитного слоя, на защитном диэлектрике дополнительно сформирован полевой электрод, расположенный над коллекторной областью вне области пространственного заряда охранных колец и соединенный с контактом к базовой области.2. Транзистор по п.1, отличающийся тем, что над базовой областью вводят второй дополнительный полевой электрод, расположенный между...

Номер патента: 1819072

Опубликовано: 27.03.1995

Авторы: Дворников, Мац

МПК: H01L 29/73

Метки: интегральная, схема

...так и при инверсном включении, За счет резкого уменьшения площади, по сравнению с прототипом при одновременной защите р-и-переходов и цепи коллектор-эмиттер, в данном решении пропорциойально уменьшаются и значения емкостей эмиттерного и лекторйого р-и-переходов. Это в свою редь обеспечивает увеличение граничной частоты при одновременной защите р-и- переходов и промежутка коллектор-эмиттер основного транзистора.Пример реализации. Нэ полупроводниковой подложке 1 марки КДБ 10 р-типа проводимости толщиной 380 мкм, диаметром 76.0 м:л и ориентацией100 нанесен1819072 Нап яжение и обоя т анзисто а и и токе 1 мкА, В Тип ИС эмиттер-база коллектор-база коллектор-эмиттер Вх=30 кОм Интегральная схема по решению (2) - прототипу Предлагаемая интег...

Номер патента: 1568825

Опубликовано: 25.07.1995

Авторы: Кальфа, Тагер

МПК: H01L 29/73

Метки: резонансно-туннельный, транзистор

РЕЗОНАНСНО-ТУННЕЛЬНЫЙ ТРАНЗИСТОР, содержащий между полупроводниковыми слоями эмиттера и базы многослойную квантовую гетероструктуру из материалов с различными значениями ширины запрещенной зоны, включающую слой узкозонного материала, образующего квантовую яму для носителей заряда, ограниченную с двух сторон потенциальными барьерами, образованными слоями широкозонных материалов, отличающийся тем, что с целью повышения быстродействия транзистора, по крайней мере один из потенциальных барьеров, ограничивающих потенциальную яму со стороны базы, выполнен многослойным из полупроводниковых материалов, различающихся значениями скачка потенциалов для основных носителей заряда на гетерограницах между слоями этих материалов и узкозонным слоем,...

Номер патента: 1759197

Опубликовано: 10.09.1995

Авторы: Желтышев, Коннов, Кутырева, Лупал

МПК: H01L 29/73

Метки: входной, интегральной, планарно-эпитаксиальной, схемы, элемент

ВХОДНОЙ ЭЛЕМЕНТ ПЛАНАРНО-ЭПИТАКСИАЛЬНОЙ ИНТЕГРАЛЬНОЙ СХЕМЫ, содержащий изолированную область с активным элементом, две изолирующие области первого типа проводимости, между которыми расположена третья изолирующая область второго типа проводимости, внутрисхемные соединения и общая шина, отличающийся тем, что, с целью снижения токов утечки, в третьей изолирующей области сформирована дополнительная область второго типа проводимости с концентрацией, превышающей концентрацию третьей изолирующей области, при этом первая и вторая изолирующие области соединены с дополнительной областью и общей шиной.

Номер патента: 1091783

Опубликовано: 10.05.1996

Авторы: Баранцева, Костенко

МПК: H01L 29/73

Метки: биполярный, транзистор

БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР, содержащий полупроводниковую подложку, на которой расположена планарная транзисторная структура с чередующимся типом проводимости, включающая области эмиттера, базы и коллектора, причем область коллектора содержит приповерхностную высоколегированную зону, отличающийся тем, что, с целью обеспечения регулирования коэффициента усиления и расширения функциональных возможностей, в структуре выполнен паз, дно которого расположено в области коллектора, а области эмиттера и базы ограничены одной из стенок паза, на стенках паза сформированы слой диэлектрика и электрод, причем последний является полевым по отношению к области коллектора.

Номер патента: 1424656

Опубликовано: 10.01.1997

Авторы: Захаров, Левицкий, Левкович, Синкевич, Шелчков, Шибанов, Щиголь

МПК: H01L 29/73

Метки: высокочастотный, мощный, транзистор

Мощный высокочастотный транзистор, сформированный в корпусе с выводами эмиттера, базы и коллектора и содержащий ряд параллельно включенных транзисторных структур с электродами эмиттера, базы и коллектора и балластными резисторами в эмиттерной цепи, отличающийся тем, что, с целью улучшения энергетических параметров транзистора путем обеспечения равномерного распределения тока между отдельными структурами, в корпусе транзистора на его эмиттерном выводе напротив каждой транзисторной структуры установлены полупроводниковые кристаллы, на каждом из которых сформированы RC-цепочки, представляющие собой параллельно соединенные балластный резистор и конденсатор, при этом один конец каждой RC-цепочки соединен проводником с эмиттерным электродом, а...

Номер патента: 1582926

Опубликовано: 27.02.1997

Авторы: Верников, Левицкий

МПК: H01L 29/73

Метки: биполярный, транзистор

Биполярный транзистор, включающий эмиттерные области в виде параллельно расположенных полосков, нижний и верхний уровень металлизации с изолирующим слоем между ними, контактными окошками в изолирующем слое для электрического соединения нижнего и верхнего уровней металлизации, причем контактные окошки расположены вдоль эмиттерных областей, отличающийся тем, что, с целью увеличения надежности за счет снижения перегрева центральных областей транзистора, каждая эмиттерная область снабжена двумя эмиттерными контактными зонами, каждая из которых состоит по крайней мере из одного контактного окошка в изолирующем слое, а расстояние между контактными окошками, принадлежащими одной зоне, меньше промежутка между зонами, причем этот промежуток...

Номер патента: 1322934

Опубликовано: 20.06.2000

Авторы: Богомяков, Дученко, Матанов, Потапчук

МПК: H01L 29/73

Метки: мощный, транзистор

Мощный транзистор, содержащий базу, коллектор с электродами, профилированный по глубине эмиттер с расположенной над ним металлизацией и выводом, отличающийся тем, что, с целью повышения рабочего тока коллектора, быстродействия и устойчивости к вторичному пробою, эмиттер состоит из чередующихся между собой участков разной глубины, причем участки большей глубины по крайней мере частично охвачены участками меньшей глубины.