Патенты с меткой «тонкопленочных»

Номер патента: 166774

Опубликовано: 01.01.1964

Автор: Организаци

МПК: H05K 3/36

Метки: многослойных, печатных, схем, тонкопленочных

...простых схем, кажд 10 из которых разме 1 ц 210 т В Одно 1 слое.Г 1 ервую простую схему наносят на изоляцис;11 ус подложку одним из извест 1 ых спососоз и пск 11 ываОт слоем фстспслимера, Обл 2 даюШЕГО ВЬ 1 СОКН 11 И ЭЛСКТРОИЗОЛ 11 ЦИОН 11 ЫМИ Снсйсгвами. Пленку фотополимера, изготовленного, например, на основе глифталевой, эпоксидной. пснтас 1:аленой, алкилфенольной или какой-либо другой смолы, сушат и через кварцевый негатив облучают источником ультрафиолетового света. Под действием ультрафиолетового света происходит фотопслимернзация освещенных участков пленки. Промызая пленку растворителем, удалгнот необлученные участки, не подвергавшиеся полимеризации, и получают фигурную пленочную изоляцгпо толщиной 10 - 30 як.На полученную плс...

Номер патента: 171044

Опубликовано: 01.01.1965

Авторы: Бондаренко, Игнатьев, Кандыба, Ориоив

МПК: H01C 7/04

Метки: сопротивлений, термостойких, тонкопленочных

...ний, перед напылением на пс сят слой испаряемого сплава трехкратный отжиг испарителя температуре около 1750=С, а противления выдерживают в температуре 340 в ЗбО в теч после чего производят окисле кремния, содержащегося в пл их воздействию атмосферы. 20 ысить ий вл чаПодггисная гругггга М Известны способы изготовления термостойких тонкопленочных сопротивлений, выполненных на плоской подогретой ситалловой подложке, термическим испарением металлосилицидного сплава в вакууме.Цель изобретения - уменьшить разброс номиналов и повысить стабильность сопротивлений. Достигается это тем, что по предложенному способу напыление токопроводягцего слоя проводят в вакууме на плоскую си талловую подложку, подогретую до температуры 340 - Зб 0-С....

Номер патента: 186001

Опубликовано: 01.01.1966

Авторы: Акопджанова, Бондаренко, Букреев, Данилина, Лаврищев

МПК: H01C 17/00

Метки: термостойких, тонкопленочных

...25 химическое т В основном авт. св.171044 описан способ изготовления термостойких тонкопленочных сопротивлений для микросхем, выполненных на плоской нагретой ситалловой подложке, термическим испарением металлосилицидного сплава в вакууме через маску.По предложенному способу металлосилицидиый сплав наносится на подлокку сплошным слоем. Затем путем избирательного химического травления нанесенному слого придается требуемая конфигурация сопротивления. Это значительно уменьшает градиент температуры вдоль подложки.Сущность описываемого способа состоит в следующем.Резистивный слой наносят на плоскую ситалловуго подлокку термическим испарением металлосилицидного сплава в ьакууме сплошным слоем (без применения маски и маскодержателя). После...

Номер патента: 187854

Опубликовано: 01.01.1966

Авторы: Коледа, Технич

МПК: C23C 14/04, C23C 14/26

Метки: тонкопленочных

...1 разделен перегородками 2 на секции 3, расположеппые по образующей цилиндра. В секциях помещены испарители 4, а сверху цилиндра укреплена мпогощелевая маска 5 так, что каждая щель б маски размещена против соответствующей секции цилиндра. Электропитание испаритслей производится с помощью щеток 7 и коллектора 8, укрепленных па валу 9 цилиндра, Цилиндр вращается па валу с помощью коническои пары шестерен 1связана с приводным Р через вал 13.Процесс напыления пленок сост что через щели вращающейся мно маски на поверхность подогревае мощью подогревателя 14 подложк 1 рывно осаждаются пары испаряемь и образуют наслаивающиеся один плоские витки многопленочного по Предмет изобретени 1, Устройство для изготовления тонкопленочных радиодеталей...

Номер патента: 191662

Опубликовано: 01.01.1967

Автор: Израйлев

МПК: H01L 27/12

Метки: схем, твердых, тонкопленочных

...отли. елью упрощения пром, для изготовления сублимирующий мате. и кадмий. овленияоснованложкиющим ваарет элев изготочто, с цства схеьзованпинк ил аявлсно 26.И 11.1965 ( 1023991/26-9 ПриоритетОпубликовано 26.1.1967. Бюллетень4Дата опубликования описания 21,П 1,1967 Изьестные способы изготовления тонкопленочных или твердых схем основаны на нанесении на поверхность подложки трафаретапленочного типа с последующим вакуумнымнапылснием через этот трафарет элементов исоединительных проводников изготавливаемой схемы.Предлагаемый способ изготовления тонкоПЛЕНОЧ(ЫХ ИЛИ ТВЕРДЫХ СХСМ ОТЛИЧЯЕТС 51 ТЕМ,что для изготовления трафарета использовансубл 11 миру 1 опп 1 Й материал, папр 11 мер ци 51 кили кадмий. Зто позволяет упростить процесспроизводства...

Номер патента: 201567

Опубликовано: 01.01.1967

Авторы: Гришаева, Дольберг, Калашников, Крейн, Шехтер

МПК: C09D 157/00, C10G 17/06

Метки: покрытийметаллов, тонкопленочных

...подачи смеси кислот в масло. Время подачи составляет 4 час. Газы, выделяющиеся,во время реакции, отсасывают водоструйным насосом и поглощают в склянках Тищенко сначала щелочью, а з тем кислотой.5 После подачи всего количества кислотытемпературу повышают до 75 С и выдерживают реакционную смесь при этой температуре еще 4 час, Затем смесь отстаивают в течение 4 час, Во вовремя огстаивания реакционная 10 смесь разделяется на 3 слоя: верхний - маляный, средний - полупродукт, нижний отработанная кислота. Отработанную кислоту слизывают и после закрепления азотной кислотой возвращают обратно в процесс,Деароматизированное масло несколько разпромывают водой для удаления следов кислоты, нейтрализуют 20 с,-ным водныхт раствором каустика....

Номер патента: 244398

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Институт, Кон

МПК: G11C 11/14

Метки: тонкопленочных, элементовпамяти

...т изобретенияения тонкопленочных элеснованный на вакуумном металла на диэлектричеанесении верхних металлиотлицающийся тем, что, потребляемой мощности, на ющую пленку с высоким ффузии в диэлектрик под еского поля наносят плену диэлектрика, а на последпфирующий слой аморфхние металлические элекот са ле Известйы способы изготовления тойкопленочных элементов памяти, основанные на вакуумном осаждении пленки металла на диэлектрическую подложку и нанесении верхних металлических электродов.Предлагаемый способ отличается от известных тем, что на разогретую изолирующую пленку с высоким коэффициентом диффузии в диэлектрик под действием электрического поля наносят пленку металла и пленку диэлектрика, а на последнюю - тонкий демпфирующий слой...

Номер патента: 280593

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Смоленска, Топоровский

МПК: H05K 3/10

Метки: многослойных, структур, тонкопленочных

...способы изготовления многослойных тонкопленочных структур, основанные на последовательном нанесении токопроводящих и диэлектрических слоев и обработке токопроводящих слоев после нанесения каждого диэлектрического слоя через его дефектные участки химическим реактивом, не взаимодействующим с материалом диэлектрического слоя, но растворяющим материал токопроводящего слоя.Однако при использовании подобных способов в процессе обработки реактивом изменяется площадь токопроводящих слоев, а следовательно и параметры структуры.Цель изобретения - сохранить постоянство параметров структуры в процессе обработки.Для этого в качестве реактивов используют химические реактивы, которые образуют на участках токопроводящего слоя,...

Номер патента: 287163

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Васильев, Корнеева

МПК: H01C 7/00

Метки: резисторов, тонкопленочных, юстировки

...в котозонд, соединенный сконец которого пконцов резистора. резистотивного мпнала, ышения печения поверхкаплючьчатыйдругой ною из тонкопленочных о окисления рези ым контролем но что, с целью пов резисторов и обес томатпзации, наслоя помещают р ю вводят игоисточником тока рисоедпняют к од Опубликовано 19.Х 1.1970. Бюллетень35 бликования описания 28.1.1 ф, Васильев и Г. В, Корнеева Известны способы юстировки тонкопленочных резисторов путем анодного окисления резистпвного слоя с одновременным контролем номинала,С целью повышения точности юстировкп и обеспечения возможности ее автоматизац:и по предлагаемому способу на резистивный слой помещают каплю электролита, в которую вводят игольчатый зонд, соединенный с источником тока....

Номер патента: 294187

Опубликовано: 01.01.1971

Автор: Михайловский

МПК: H01G 4/00

Метки: конденсаторов, тонкопленочных, формовки, электрической

...изображеца ца чертеже. ТОИ 1 соплец 01 ц 1111 коцдецсат 011, спабжеццыЙмсталличсс 1 сц 1 п оокад 1 сами 1 и 2, между торыми размсщсца диэлектрическая пленка 3, помещают в электролитическую ячейку 4.5 Трацзистор 5 включен последовательно вцепь формующего тока, Змиттер 6 трацзистора соедицец с обкладкой 2, коллектор 7 с отрццательцым пол 1 осом источника 8 формующего иапр 11 жепц 11, а база 9 через трацсфор матор 10 подклктчеца к источнику 11 управляющего напряжения. Положцтсльцыи полюс источника ь 1 срсз диод 12 соединен с обклад- кОЙ 1, подклкп 1 сццоЙ к ацоду 11 чсЙки 1. Положительный полюс источгп 1 ка 13 ацодцого ца цряжеция сосдццсц через выключатель И идиод 15 с обкладкой 1. Отрицателы 1 ьш полюс источника 1,3 соединен с...

Номер патента: 338923

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Дубровский, Колесников, Орешков

МПК: H01C 17/232

Метки: величины, подгонки, резисторов, сопротивления, тонкопленочных

...ром, одиндополни- контактИзвестно устроиство для подгонки величины сопротивления тонкопленочных резисторов, содержащее генератор высокой частоты, рабочий электрод и блок контроля.Цель изобретения - повышение точностиподгонки величины сопротивления резисторов при их изготовлении, Достигается она тем, что в предлагаемом устройстве вблизи рабочего электрода расположен дополнительный электрод с зазором, обеспечивающим развязку рабочей и поджигающей цепей. Кроме того, в него введен импульсный трансформатор, один конец обмотки которого соединен с дополнительным электродом, а другой - с контактной площадкой резистора.На чертеже показано предлагаемое устройство.Устройство состоит из рабочего электрода 1,дополнительного электрода 2 и...

Номер патента: 361471

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Зорин, Кандыба, Шепелев

МПК: H01C 7/04

Метки: терморезисторов, тонкопленочных

...рез исто отивле величин мперат терм 1 лтом.Изобретение относится к области радиотехники, в частности к способу вакуумно-термического напыления тонкопленочных терморезисторов, используемых в качестве элементов тонкопленочных микросхем.Известен способ изготовления тонкопленочных терморезисторов путем нанесения на подложку смеси окислов марганца, кобальта и меди.Недостатком известного способа является 10 низкий температурный коэффициент сопротивления (ТКС) и недостаточная стабильность изготовляемых терморезисторов.По предлагаемому способу с целью повышения ТКС и стабильности терморезисторов 15 смесь окислов марганца, кобальта и меди методом термического испарения в вакууме наносят на предварительно осажденный тем же методом на подложку...

Номер патента: 371621

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Демь, Ермолаев, Мочалов, Фрлнк, Чист

МПК: H01C 17/232

Метки: подгонки, прецизионных, резисторов, тонкопленочных

...резистивной пленки с резистора.Применение лазера для подгонки тонкопленочных резисторов имеет следующие недостатки: дискретность изменения сопротивления,сложность в управлении процессом подгонки,низкую точность подгонки, не превышающую 0,1%, большие габариты.Целью изобретения процесса подгонки точности подгонки.Указанная цель достигается тем, что в качестве устройства для механической подгонки тонкопленочных прецизионных резисторов применен микротвердомер, например, типа ПМТ-З.Микротвердомер представляет собой устройство, состоящее из микроскопа с предмет ЯВЛЯЗТСЯ упрощение резисторов И повышениеПредметный столик микротвердомера позволяет закрепить на нем с помощью его прижимов подгоняемый резистор или резистивную схему.Микроскоп...

Номер патента: 445930

Опубликовано: 05.10.1974

Авторы: Жаравин, Стерхов, Токарев

МПК: H01C 17/00

Метки: тонкопленочных, элементов

...закреплено по два пружинных контакта 4, 5 и 6, 7, две соединительные планки 8 и 9 из изоляционного материала, каждая из которых механическискрепляет попарно пружинные контакты 6,7 и 4, 5 соответственно, два микрометрическнх в 0 и 11, д 2 и 13.Устройство работает следующим образом. При открытой вакуумной камере на расположенное в ней основание 1 помещают подложку 14 с заранее напыленными контактными площадками 15 и 16, Переключатель 17, соединенный с прибором 18 контроля контактов, ставят в положение а. При этом тумблер 19 разомкнут, Микро- метрическим винтом 10 регулируют давление на пружинные контакты 6 и 7 через соединительную планку 8 до тех пор, пока контакты не прикоснутся к контактной площадке 15. Момент возникновения контакта...

Номер патента: 450246

Опубликовано: 15.11.1974

Авторы: Котельников, Петров

МПК: H01G 13/00

Метки: конденсаторов, тонкопленочных

...нанесением верхнего электрода на диэлектрик осаждают промежуточный слой толщиной 0,05 - 0,1 мкм, состоящий из аэроо зольных частиц металла размером 20 - 60 А. ются при терв разряженной Аэрозольные частицы обрамическом испарении металла 2атмосфере инертного газа (Аг, Не). Эти частицы имеют низкую кинетическую энергию, малую подвижность и относительно большие размеры, что устраняет локальные разогревания диэлектрического слоя и проникновение металла по дефектам и микропорам, В качестве диэлектрика используют моноокись кремния. Измерение емкости осуществляют мостовым методом на частоте 1 кГц.10 П р и м е р. На тщательно очищенное покровное стекло через маски методом термического испарения осаждают алюминиевый электрод и слой ЯО в вакууме 1...

Номер патента: 297326

Опубликовано: 05.02.1975

Авторы: Гаштольд, Кутолин, Остаповский, Степанов, Тепман

МПК: H01G 13/00

Метки: конденсаторов, тонкопленочных

...электродов и ди электрика. Это приводит к перерасходу мате риала и уменьшению пробивного напряже Цель изобретения - зкономия материала, увеличение пробивного напряжения и получение однородной границы металл-диэлектрик,Это достигается тем, что диэлектрическую пленку конденсатора и его электроды получают путем последовательного испарения нитридов переходных металлов при температурах испарения, С:исп= 1300 - 1350поп = 1750 - 2000Изобретение поясняется чертежом, на котором приведен общий вид и разрез узла тонкопленочных емкостных элементов, где: 1 - нижний электрод - нитрид алюминия с металлической гроводпмостью, 2 - диэлектрик - нитрид алюминия с высоким удельным сопротивлением, 3 - верхний электрод - нитрид алюми. ния с металлической...

Номер патента: 468168

Опубликовано: 25.04.1975

Авторы: Лабунов, Сокол

МПК: G01R 17/22

Метки: корректировки, номиналов, резисторов, токовой, тонкопленочных

...блок 22,пороговый элемент 23 минимума производной и дополнительная дифференцируюшаяцепочка 24, причем управляющий входэлектронного ключа 20 соединен с выходомпорогового элемента 23,Устройство работает следующим образом,При нажатии кнопки 15 срабатываетпороговый элемент 16, порог срабатываниякоторого соответствует допуску на номиналкорректируемого резистора 1. Сигналомс выхода порогового элемента 16 запускается одновибратор 17 и включается корректирующее реле. 9, которое контактом 8подключает резистор 1 к источнику кор-ректирующего напряжения 11 через регулирующий резистор 10, Время, в течениекоторого контакт 8 будет замкнут, определяется параметрами одновибратора 17.В момент возвращения одновибратора 17в исходное состояние...

Номер патента: 473383

Опубликовано: 05.06.1975

Авторы: Джузеппе, Ренето

МПК: H01C 17/00

Метки: гибридных, интегральных, коррекции, резисторов, схем, тонкопленочных

...положение,5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 60 65 Оператор затем может удалигь основаниевместе с проверенной подложкой 8, сяв ее со штифтов 100 и 101,Измерительный мост 48 измерительного блока (фиг, 3) соединен с тремя компараторами 103, 104 и 105, к которым подводится напряжение, вырабатываемое генератором опорного напряжения 106. Эти напряжения рограммируются вручную для всех резисторов по редством установочных приборов, разх,ещснпых на панели управления 10(. Установочные приборы позволяют фиксировать допуски для каждого резистора. Эти допуски могут составлять 0,5; 1,2 Я, и быть,в интервале ог 5 до 5 - 25 ОО. Для каждого выбраного допуска генератор опорного напряжения 106 создает напряжение, соответствующее верхнему пределу требуемого...

Номер патента: 479039

Опубликовано: 30.07.1975

Авторы: Алешин, Злотин, Крылов

МПК: G01R 17/10

Метки: подгонки, резисторов, токовой, тонкопленочных

...заряжен до полной величины запирающего напряжения, а ток через обмотку включенного в диагональ моста поляризованного реле 14 равен нулю (участок 1 на фиг, 3), так что контакты 16 и 17 этого реле разомкнуты,По команде, поступающей с блока автоматики, размыкается контакт 1, и конденсатор 4 начинает разряжаться через относительно небольшое сопротивление 5 и замкнутый контакт 2, При этом запирающее напряжение на сетке триода 7 падает, а анодный ток быстро нарастает (участок 11 на фиг. 2), ток в диагонали моста отсутствует (участок 11, а на фиг. 3). Когда подлежащий подгонке тонкопленочный резистор 11 нагревается до температуры, при которой в структуре пленки начинаются необратимые процессы, вызывающие изменение его электрического...

Номер патента: 486387

Опубликовано: 30.09.1975

Авторы: Булавкин, Гельперин, Рабинович, Салитра

МПК: H01G 13/00

Метки: керамических, конденсаторов, многослойных, прецизионных, тонкопленочных

...трафареты инакладки снимают, а рамку с пленкой укладывают на поверхность матрицы 9 так, чтобы 20 штифты вошли в фиксирующие отверстияматрицы штампа 10. Пуансоном 11 вырубают из пленки групповую заготовку 12, которая после подъема пуансона остается в матрице.Затем производят вырубку заготовки из сле дующего гнезда рамки и т. д. При этом последующие заготовки ложатся на предыдущие с точным совмещением электродов. Если керамическая масса, из которой изготавливается групповой пакет, требует при прессова нии нагрева, то включается электронагреватель 13, охватывающий матрицу. При достижении требуемой темпер атуры производят подпрессовку (монолитизацию) пакета на гидропрессе (фиг. 2). Температуру и давление, обеспечивающие качественную...

Номер патента: 491104

Опубликовано: 05.11.1975

Авторы: Катерного, Лабунов, Сокол

МПК: G01R 17/22

Метки: корректировки, номиналов, резисторов, токовой, тонкопленочных

...тонкопленочного рсзцстора корректируется в два цикла. В цикле грубой корректировки сигнал источника опорного напряжения 12, предварительцо устаноьлсцнныи пропорционально разбалансу измерительного моста, равному максимально возможной погрешности корректцрог,ки, пос- пает через коммутатор 11 ца схему срдвсция 10. Прп замыкании ключа правления 17 цд исто гнцк напряжения корректировки 7 поступает разрешающий сигнал с одновп,одтора 16. Постоянное напряжение источника 7 цдчпцает нарастать и поступает на корректируемый резистор 4, При нагреве резистора изменяется его сопротивление, а следовательно и сигнал разбаланса,При уменьшении сигнала разбалднса цз. мерительного моста до напряжения источ. пика 12 нд выходе схемы сравнения 10...

Номер патента: 502402

Опубликовано: 05.02.1976

Авторы: Вайсберг, Михайловский

МПК: H01G 13/00

Метки: конденсаторов, тонкопленочных, тренировки

...тонкопленочных конденсаторов, включающий подачу напряжения на обкладки конденсатора и выжигание дефектных мест в диэлектрике,Цель изобретения - повышение пробивного напряжения.Предлагаемый способ отличается тем, что на время подачи напряжения на обкладки конденсатора и выжигания дефектных мест в диэлектрике конденсатор помещают в магнитное поле, вектор напряженности которого перпендикулярен поверхности диэлектрика.Способ позволяет ускорить тренировку примерно вдвое, а также повысить напряжение пробоя тонкопленочных конденсаторов на 20 о/о.Сущность изобретения поясняется примером.На обкладки тонкопленочных конденсаторов подают плавно возрастающее от нуля напряют ихнапряж поверхно ые мест асток с е. время мплитуд 0%. в магнитное поле...

Номер патента: 533811

Опубликовано: 30.10.1976

Авторы: Багданскис, Букреев, Жижин

МПК: G01B 5/00

Метки: закрепления, тонкопленочных

...жимают со стороны совой диафрагмой, В крытии диафрагмы е собой эластичное пр 0 вая его растяжение,кольцо за счет сил т тонкопленочный мате жение в плоскости опорного кольца. 25такие устройства не позв овлетворительную форму натяжения тонкопленочн за того, что случайные по установки тонкопленочного ижимном кольце при нат сительного осевого переме и опорного колец не могут оляют пои равноого матегрешности материаяжении за щения прибыть устизобретени ормы пове Условия плоского растяжения и трения в местах контакта элементов устройства позволяют получить высокое качество формы равномерно растянутого тонкопленочного материала. является повышениехности тонкопленочн а.стигаетсялнено из м, что прижимное кол астичного материала,Однаколучить...

Номер патента: 546021

Опубликовано: 05.02.1977

Авторы: Бочкарев, Бочкарева, Войнова

МПК: H01C 7/00

Метки: материал, резисторов, тонкопленочных

...из него рсзнстпвные пленки допускают значи тельно большую удельную мощность рассеяния при меньшем необратимом изменении величины сопротивления. Примеры получения материала для изготовления тонкопленочных резисторов. П р и м ер 1 (для минимума) 20,Смесь, порошков (в объемных %):25 Эта смесь после испарения может датьпленку с поверхностным сопротивлением 40 комкв прн толщине 800 А. ТКС меньше 200 х 10 - " С. Стабильность величины сопротивления после 1000 и преоывания под нагрузкой 1 вт/см не больше 0,5%.546021 Металлосилицидный сплав 50 Мулл ит 50 Формула изобретения 10 Металлосилицидный сплав 80 Мулл ит 20 15 Составитель П. Лягни Техред В. Рыбакова Редактор Н. Петрова Корректор В, Гутман Заказ 83/143 Изд.421 Тираж 1019...

Номер патента: 546948

Опубликовано: 15.02.1977

Авторы: Мелиоранская, Сыноров, Чевычелов

МПК: H01G 4/255, H01G 4/33

Метки: конденсаторов, подгонки, тонкопленочных

...не за счет уменьшения площади верхней обкладки 4, а за счет увеличения толщины пленки 3 в области, прилегающей к торцевой поверхности верхней обкладки 4.При осуществлении юстировки номинала тонкопленочного конденсатора на величину менее 1 % от его первоначального значения избирают вариант, показанный на фиг. 3. Электролит 5 помещают на диэлектрическую пленку 3 на небольшом расстоянии от границы верхней обкладки 4 (фиг. 5), затем подают напряжение, превышающее напряжение формовки конденсатора на величину, соответствующую желаемому эффекту подгонки, в результате происходит окисление нижней обкладки 2.За счет эффекта растекания область окисления захватывает частично площадь нижней обкладки 2, лежащую под торцевой поверхностью...

Номер патента: 570854

Опубликовано: 30.08.1977

Авторы: Ерохин, Слюнявчиков

МПК: G01R 31/12

Метки: испытаний, конденсаторов, тонкопленочных

...т время выдержки конденсатора при удвоенном рабочем напряжении, Т,= 1 + т - общее время проведения испытания, 1, 2, 3 и -- 1 п - число происшедших микропробоев, Ь 1 С з С 3С р амплитуда напряжения на конденсаторе, при котором происходит первый микропробой, второй микропробой и так далее до и-го микропробоя.Как видно из графика, в момент возникновения микропробоя испытательное напряжение сбрасывается с нуля, в результате чего ограничивается мощность, выделяемая в локальной области микропробоя, что предотвра570854 0 (исп (,гор Ьг 5 Составитель С. Ерохин Техред А. Степанова Корректор Е. Хмелева Редактор Н. Коляда Заказ 1931/19 Изд, М 688 Тираж 1109 Подписное ЦНИИГ 1 И Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и...

Номер патента: 587427

Опубликовано: 05.01.1978

Авторы: Сартбаев, Скребцов

МПК: G01T 1/20

Метки: активированных, детекторов, излучений, основе, сцинтилляторов, тонкопленочных, щелочногалоидных, ядерных

...световыхода и раз решения.Цель изобретения - увеличение световыходв и разрешающей способности детекторов.Согласно изобретению, указанная цель 1 о достигается использованием в качестве материала подложки .кристалла, близкого до постоянной решетки к материалу пленки и обладающего плоскостями спайности, по которым кристалл скалывают. На поверхность 15 скола, служащую подложкой, осаждают, причем при осаждении подложку поддерживают при оптимальной для данного материала пленки температуре. 20Способ поясняется чертежом.В лодочку 1, нагреваемую пропусканием электрического тока, помещают испаряемую нввеску 2 материала (ытивированного щелочногалоидного сцинтиллятора). Пары материа 25 ла осаждаются на подложке, образуя пленку 4, Температуру...

Номер патента: 588569

Опубликовано: 15.01.1978

Авторы: Аникин, Бучин, Воженин, Калабин, Филимоненков

МПК: H01G 4/10

Метки: конденсаторов, тонкопленочных, тренировки

...тренирозок приводит также к улучшению, но, а меньшей степени.В табл.2 приведено изменение сред" 40 него значения сопротивления изоля" еиногоденияжига иа в сра ов, нзм ате про о термоо ермоотжи пособом кондснсатов резуль ренировки щей после известным 0 подложа которыхь с диэлтекла. а М подложки Предлагае вестный спо со коли чест во к денс йъ, эи нф Ои Количест н послеэлектротронировки ослетбрмо тжни ослеермотжиа с й воконденсаэлек тро тре- ниро лекЯсд 9 р% тро- трениров" ки СйщСйф Ои% 10 ф12 4 10 ф б 5 32 2" 10 ф 3 10 5 10 ф 6 15 1 0 ю 2О 8 10 ф 9 10 а 1,5 1 104 7 10 ф П р и м е р 1. На подложку термическим испарением в вакууме наносили проводящие слои, затем на нагретую до 100 С подложку осаждали диэлек трический слой методом...

Номер патента: 618656

Опубликовано: 05.08.1978

Авторы: Гузий, Кутник, Мартыненко, Олексюк, Фандеев

МПК: G01K 13/06

Метки: движущихся, исследования, режимов, термообработки, тонкопленочных

...от исследуемого материала, з ленных на шкивах, кинематически с ных с механизмом привода, и образ следуемого материала, закрепленный н сах, причем датчик температуры раз.на образце исследуемого материала и токопроводящие тросы подключен к р рирующему прибору.На чертеже изображены сушильная ка мера с исследуемым ленточным материалом и предлагаемое устройство.618656 ь Н. Горцкова днан КоррПол та Совета Мннист й и открытийушская наб., д. город, ул. Проек СоставптелТехред О. 51Тираж 83ного комнгеизобретениа, Ж.35, Ратент, г. Уж ктор Л. Невслсноеов СССР(5ная, 4 находится в непосредственной близости от исследуемого материала. Электрическая связь да 1 ика с регистрирующей аппар пурой 8 (например, автоматический мост) осу ествляегся через тросы и...

Номер патента: 630561

Опубликовано: 30.10.1978

Авторы: Жуков, Мытарева, Никитский, Свечкин

МПК: G01N 13/00, G01N 15/00

Метки: герметизации, диффузии, диффузионной, материалах, тонкопленочных, ячейки

...основание; кольцевой паз и уплопнителыный элемент имеют црямоулольное сечение,На фиг. 1 схематически пснказаао предлагаемое успройспво;в разрезе; на фиг, 2 - с,очение по А - А;на ф,иг. 1.Устройспво гермепизации диффузисвной ячейки для измерения диффузии,в тонкоплеиочных материалах оодержит упруиий уплотгнительный элемент 1, испытуемый образец 2, решетку дкрыжку 4, оонование 5, жесткое кольцо б, конические шпонки 7,:накидную,гайку 8,и крепежные элементы 9.Уллопнителыный элемент 1 установлен з 1 кольцевом пазу 10 основавия 5 иа,подвижном жестком;кольце б. Конические шпанки 7 рааположены в радиалыных пазах 11, 1 равномерно;расвределеиных по периметру основания 5. Гайка 8 охватывает основаине 5. На крышке 4 имеются патрубки 12 для...