Полторацкий

Номер патента: 644301

Опубликовано: 20.07.2012

Авторы: Бекирев, Емельянов, Лаврищев, Полторацкий, Сидоров, Тютюнов

МПК: H01L 33/00

Метки: светодиод

1. Светодиод со сплошным электро- и теплоотводящим контактом со стороны, противоположной световыводящей поверхности, на основе p-n-гетероструктуры с изменяющейся шириной запрещенной зоны, отличающийся тем, что, с целью повышения эффективности, между сплошным контактом и p-n-переходом он содержит слой полупроводника с градиентом концентрации примеси у контакта, препятствующим растеканию неосновных носителей, с, по крайней мере, одним участком с увеличивающейся к p-n-переходу шириной запрещенной зоны толщиной, большей обратной величины коэффициента поглощения для излучения светодиода и не превышающей нескольких диффузионных длин неосновных носителей.2. Светодиод по п.1, отличающийся...

Номер патента: 1277842

Опубликовано: 20.07.2012

Авторы: Бекирев, Дмитриев, Елкин, Казаков, Полторацкий, Семеников, Хитько, Шелюхин

МПК: H01L 21/46

Метки: диодных, матриц

Способ изготовления диодных матриц, включающий формирование контактов на противоположных поверхностях полупроводниковой структуры, состоящей из слоев p- и n-типа различной толщины, соединение контактов между собой параллельными проводящими шинами, перпендикулярными шинам на противоположной поверхности структуры, изготовление в тонком слое структуры изолирующих областей между проводящими шинами и формирование в толстом слое структуры канавок между проводящими шинами, отличающийся тем, что, с целью упрощения изготовления матриц, проводящие шины на поверхности более тонкого слоя структуры выполняют из пластичного металла, а после выполнения канавок в более толстом слое структуры ее...

Номер патента: 699926

Опубликовано: 20.07.2012

Авторы: Бекирев, Емельянов, Кононов, Лаврищев, Маслобоев, Михеев, Полторацкий, Шокин

МПК: G02B 6/00, G02B 6/12

Метки: интегральной, оптики, элемент

Элемент интегральной оптики, волноводные области которого ограничены с двух противоположных сторон слоями структуры, а с двух других сторон - областями с меньшим показателем преломления, отличающийся тем, что, с целью улучшения волноводных свойств элемента при одновременном создании его сложной конфигурации на глубине до 50 мкм, области с меньшим показателем преломления выполнены из собственного термического окисла полупроводникового материала.

Номер патента: 505248

Опубликовано: 20.07.2012

Авторы: Бекирев, Емельянов, Лаврищев, Полторацкий

МПК: H05B 33/02

Метки: гетероструктура

1. Гетероструктура с p-n-переходом, в которой суперинжекция и излучательная рекомбинация носителей осуществляются в узкозонном слое, отличающаяся тем, что, с целью повышения эффективности гетероструктуры и стабилизации ее излучательных параметров, область излучательной рекомбинации отделена от области объемного заряда p-n-перехода слоем с переменной шириной запрещенной зоны такой толщины, что время переноса инжектированных носителей через него меньше времени жизни носителей.2. Гетероструктура по п.1, отличающаяся тем, что, с целью повышения ее эффективности при одновременном уменьшении рабочих токов, область излучательной рекомбинации выполнена в виде потенциальной ямы, размеры...

Номер патента: 1700944

Опубликовано: 27.01.2001

Авторы: Бабич, Кепов, Полторацкий, Шпунт

МПК: C21C 1/02, C21C 5/52

Метки: выплавки, жаропрочных, никелевой, основе, сплавов

1. Способ выплавки жаропрочных сплавов на никелевой основе, включающий загрузку и расплавление в вакууме никеля и неактивных шихтовых материалов, рафинирование расплава редкоземельными металлами и его легирование, отличающийся тем, что, с целью повышения качества изделий за счет очистки от примесей и неметаллических включений, снижения количества поверхностных дефектов структуры и стабилизации свойств, перед загрузкой никель предварительно окисляют выдержкой в окислительной атмосфере до содержания кислорода в нем 0,3 - 0,6 мас.% или при загрузке никеля на его нижний слой дополнительно вводят закись никеля в количестве 0,8 - 3,2% от массы никеля, а редкоземельные металлы вводят в количестве...

Номер патента: 1376588

Опубликовано: 10.06.1997

Авторы: Голубовский, Калицев, Качанов, Кишкин, Кудрявцева, Пакратов, Полторацкий, Соловьева, Чирков, Шалин, Шерстенникова, Шпунт

МПК: C22C 19/05

Метки: никеля, основе, сплав

1. Сплав на основе никеля, преимущественно с монокристаллической структурой, содержащий углерод, хром, кобальт, алюминий, титан, ниобий, бор, гафний, ванадий, вольфрам, молибден, цирконий, иттрий, церий, лантан, отличающийся тем, что, с целью повышения жаропрочности и жаростойкости и улучшения технологичности, он содержит компоненты при следующем соотношении, мас.Углерод 0,001 0,12Хром 4,5 12,0Кобальт 2,0 9,0Алюминий 4,5 7,0Титан 0,7 2,5Ниобий 0,04 1,5Бор 0,001 0,004Гафний 0,001 0,25Ванадий 0,005 0,015Вольфрам 5,5 12,0Молибден 0,3 3,5Цирконий 0,001 0,005Иттрий 0,002 0,001Церий 0,0005 0,003Лантан 0,0005 0,003Никель Остальное2. Сплав по п.1,...

Номер патента: 1119523

Опубликовано: 27.12.1996

Авторы: Ильичев, Маслобоев, Полторацкий, Родионов, Слепнев

МПК: H01L 21/205

Метки: изолирующих, покрытий

Способ получения изолирующих покрытий по авт. св. N 940601,отличающийся тем, что, с целью увеличения времени хранения заряда в диэлектрических слоях при формировании диэлектрических слоев из газовой фазы, в нее дополнительно вводят триметилгаллий при мольном отношении к триметилалюминию (0,3 oC 10) 1 и моногерман при мольном отношении к триметилгаллию и триметилалюминию (10-4 10-6) 1.

Номер патента: 1378740

Опубликовано: 20.07.1996

Авторы: Алавердян, Артамонов, Афанасьев, Ильичев, Инкин, Минаждинов, Полторацкий, Шелюхин

МПК: H01S 3/18

Метки: лазер, периодической, структурой

Лазер с периодической структурой, включающий полупроводниковую подложку с расположенной на ней двойной гетероструктурой (ДГС) и омические контакты, отличающийся тем, что, с целью уменьшения управляющей мощности, управления диаграммой направленности и повышения граничной частоты модуляции, на верхнем слое ДГС расположен первый дополнительный слой того же типа проводимости, что и у прилегающего к нему слоя ДГС, на первом дополнительном слое расположен монокристаллический изолирующий слой Ga1-zAlzAs:O, в котором выполнены параллельные канавки с наклонными стенками, глубина канавок больше толщины изолирующего, но меньше суммы толщин изолирующего и первого дополнительного слоев, расстояние между канавками меньше 10 мкм,...

Номер патента: 1393291

Опубликовано: 10.07.1996

Авторы: Алавердян, Артамонов, Ильичев, Инкин, Полторацкий, Шелюхин

МПК: H01S 3/19

Метки: лазер, полевым, управлением

Лазер с полевым управлением, содержащий полуизолирующую подложку из GaAs i-типа проводимости с расположенными на ней слоями, которые образуют двойную гетероструктуру (ДГС), сильнолегированный полупроводниковый слой, изотипный внешнему слою ДГС и граничащий с ним, а также полупроводниковый слой с контактами истока, стока и электродом затвора, отличающийся тем, что, с целью достижения непрерывного режима работы лазера путем улучшения теплоотвода, в полуизолирующей подложке выполнена сильнолегированная область, проникающая на всю толщину подложки, а полупроводниковый слой с контактами истока, стока и электродом затвора расположен по другую сторону подложки относительно слоев, образующих ДГС, причем в упомянутом полупроводниковом слое под...

Номер патента: 1559975

Опубликовано: 10.07.1996

Авторы: Артамонов, Ахинько, Гольдберг, Емельянов, Зыбин, Ильичев, Инкин, Кравченко, Липшиц, Полторацкий, Родионов, Шелюхин

МПК: H01L 21/283

Метки: арсениде, галлия, затвором, полевых, сбис, создания, транзисторов, шоттки

1. Способ создания полевых транзисторов с затвором Шоттки для СБИС ЗУ на арсениде галлия, включающий формирование истоковых и стоковых областей, нанесение защитного слоя, вскрытие в нем окон с помощью фотолитографии, локальное окисление подзатворной области, удаление оксида, формирование металлизации затвора, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных схем путем увеличения точности задания пороговых напряжений транзисторов посредством влияния на степень нестехиометрии поверхностного слоя арсенида галлия, локальное окисление проводят методом термического окисления в атмосфере сухого кислорода при 400 600oС в течение 5 90 мин, а удаление оксида проводят методом термического отжига в атмосфере водорода при 600...

Номер патента: 1549419

Опубликовано: 10.07.1996

Авторы: Ильичев, Полторацкий, Савченко

МПК: H01L 29/80

Метки: интерференционный, квантовый, полевой, транзистор

Квантовый интерференционный полевой транзистор, содержащий подложку из арсенида галлия с кристаллографической ориентацией (001) с последовательно расположенными на ней каналами в виде слоев арсенида галлия n-типа проводимости с барьерным слоем GaAlAs между ними и сформированные на подложке контакты стока, истока и затвора, отличающийся тем, что, с целью упрощения конструкции, барьерный слой выполнен в виде совокупности кластеров, образующих в кристаллографических направлениях (110) и (001) регулярную структуру с периодом, равным 1 3 длинам волн де Бройля, и имеющую толщину а каналы ориентированы вдоль кристаллографического направления (110).

Номер патента: 1649973

Опубликовано: 10.06.1996

Авторы: Емельянов, Зыбин, Ильичев, Инкин, Кравченко, Полторацкий, Родионов, Свешников, Шмелев

МПК: H01L 29/80

Метки: инвертор

Инвертор на комплементарных полевых транзисторах с затвором Шоттки с нормально закрытыми и открытыми каналами, выполненными на структуре, содержащей подложку из арсенида галлия, на которой последовательно расположены первый нелегированный слой арсенида галлия, первый сильнолегированный слой арсенида галлия, второй нелегированный слой арсенида галлия и контакты стоков, истоков и затворов, отличающийся тем, что, с целью уменьшения рассеиваемой мощности и уменьшения разброса параметров, между вторым нелегированным и первым сильнолегированным слоем арсенида галлия расположены два смежных слоя, один из которых является третьим нелегированным слоем, а другой вторым сильнолегированным слоем с типом проводимости, противоположным типу проводимости...

Номер патента: 1284439

Опубликовано: 10.06.1996

Авторы: Ильичев, Полторацкий

МПК: H01L 31/14

Метки: оптоэлектронный, памяти, элемент

Оптоэлектронный элемент памяти, выполненный на сильнолегированной подложке арсенида галлия, содержащий излучательный p n-гетеропереход, образованный гетерослоями Gа1-yAlyAs и Gа1-2Al2As, последний из которых граничит с подложкой и имеет с ней один тип проводимости при y>2, активный транзисторный слой с контактами истока и стока и электродом затвора, отделенный от указанных гетерослоев изолирующим слоем из твердого раствора Gа1-xAlxAs:О и имеющий сформированную в активном и изолирующем слоях до слоя Ga1-yAlyAs канавку, на дне которой сформирован омический контакт с площадью, меньшей площади дна канавки, и гальванически соединенный с контактом стока,...

Номер патента: 1391424

Опубликовано: 10.06.1996

Авторы: Алавердян, Артамонов, Афанасьев, Жуков, Иванютин, Ильичев, Инкин, Минаждинов, Полторацкий, Шелюхин

МПК: H01S 3/19

Метки: лазер, полевым, управлением

Лазер с полевым управлением, содержащий полупроводниковую сильнолегированную подложку, на которой расположены слои, образующие двойную р-n-гетероструктуру (ДГС), полупроводниковый слой n-GaAs с контактами истока, стока и электродом затвора, а также омический контакт к подложке, отличающийся тем, что, с целью обеспечения работы лазера в непрерывном режиме путем улучшения теплоотвода, указанный полупроводниковый слой с контактами истока, стока и электродом затвора расположен по другую сторону подложки относительно слоев, образующих ДГС, а между ним и подложкой размещен монокристаллический изолирующий слой AlGaAs:O, причем в полупроводниковом и монокристаллическом изолирующем слоях имеется канавка с наклонными стенками, глубина которой больше...

Номер патента: 1597018

Опубликовано: 27.05.1996

Авторы: Варламов, Емельянов, Ильичев, Инкин, Липшиц, Матына, Олейник, Пекарев, Полторацкий

МПК: H01L 21/205

Метки: мдп-транзисторов

Способ изготовления МДП-транзисторов, включающий формирование на подложке арсенида галлия n-типа проводимости областей истока и стока, осаждение слоя диэлектрика методом пиролиза, формирование электрода затвора, отличающийся тем, что, с целью повышения крутизны транзисторов, слой диэлектрика осаждают пиролитическим разложением диэтилдитиокарбамата цинка при температуре подложки 290 350oС и температуре испарителя диэтилдитиокарбамата 200250oС.

Номер патента: 1153768

Опубликовано: 27.05.1996

Авторы: Ильичев, Маслобоев, Полторацкий, Родионов, Слепнев

МПК: H01L 27/11

Метки: памяти, элемент

1. Элемент памяти, содержащий полупроводниковую подложку из арсенида галлия и активный полупроводниковый слой на ней с контактами стока и истока, а также электрод затвора, отделенный от активного слоя изолирующим слоем с захватом заряда, отличающийся тем, что, с целью повышения быстродействия и уменьшения величин пороговых напряжений записи и стирания, изолирующий слой расположен между активным слоем и подложкой и выполнен из монокристаллического слоя твердого раствора Ga1-xAlxAs (0,1 X 0,6), содержащего кислород в...

Номер патента: 940601

Опубликовано: 20.05.1996

Авторы: Емельянов, Ильичев, Инкин, Полторацкий, Родионов, Слепнев

МПК: H01L 21/205

Метки: диэлектрических, покрытий

1. Способ получения диэлектрических покрытий на подложках арсенида галлия и твердых растворов типа CaAlAs, включающий размещение подложек в реакторе, их нагрев, формирование пассивирующих и диэлектрических слоев, отличающийся тем, что, с целью улучшения электрофизических свойств границы раздела диэлектрический слой подложка за счет уменьшения плотности поверхностных состояний, диэлектрический слой формируют методом осаждения из газовой фазы, содержащей триметилалюминий, арсин, кислород при мольных соотношениях алюминия, мышьяка и кислорода 1:(5-10):(10-3 10-5) соответственно и температуре подложек 600 650oС.2. Способ получения диэлектрических покрытий по п. 1, отличающийся тем,...

Номер патента: 1655240

Опубликовано: 30.10.1994

Авторы: Емельянов, Полторацкий, Самсонов

МПК: G11C 11/40

Метки: записи, запоминающее, информации, постоянное

1. Постоянное запоминающее устройство, содержащее кристаллическую подложку, накопитель, состоящий из ячеек памяти первой и второй групп, формирователь, информационные входы - выходы которого являются информационными входами - выходами постоянного запоминающего устройства, адресный блок, адресные входы которого являются адресными входами постоянного запоминающего устройства, туннельный зонд, информационный вход которого соединен с информационным выходом - входом формирователя, отличающееся тем, что, с целью повышения его информационной емкости, ячейки памяти первой и второй групп состоят из упорядоченных структур поверхности материала кристаллической подложки, причем упорядоченные структуры ячеек памяти второй группы расположены на 0,1-10...

Номер патента: 2002079

Опубликовано: 30.10.1993

Автор: Полторацкий

МПК: F02B 25/20, F02B 33/30

Метки: внутреннего, выхлопная, двигателя, двухтактного, сгорания

...развивается пульсирующее от такта к такту давление газов.Оно, усредняясь, через входной канал 10 воздействует на поршень 13 исполнительного цилиндра 11. Часть газов стравливается через отводной канал 15 и регулируемый жиклер 16 в коллекторный канал 17. Газоваядинамика этой системы такова, что давление на поршень оказывается приблизительно пропорциональным давлению в единичном импульсе, умноженному на частоту повторения, т.е. мощности двигателя, Коэффициент пропорциональности регулируется жиклером 16. Воздействие газов на поршень 16 исполнительного цилиндра 11 приводит к тому, что возвратная пружина 14сжимается и поршень 13 поворачивает поворотную заслонку 5, смещая ее торцовуючасть 7 вверх. Таким образом, с возрастанием мощности...

Номер патента: 2000452

Опубликовано: 07.09.1993

Автор: Полторацкий

МПК: F02B 25/20, F02B 33/30

Метки: внутреннего, выпускным, двигателя, двухтактного, окном, сгорания

...10 15 20 25 30 35 40 45 пружина 16 сжимается, золотник переходит в левое положение, рабочая полость 9 цилиндра 6 сообщается через выходное 14 и дренажное 15 отверстия золотника с коллекторным каналом 19, а входное отверстие золотника 13 закрывается, запирая ресивер 17. При дальнейшем движении поршня 4 вниз с началом выхлопа давление в зоне перепускного отверстия 5 падает и золотник 12 управляющей пружиной 16 переводится в исходное положение. При этом входное 13 и выходное 14 отверстия золотника начинают сообщаться, перепуская газы из ресивера 17 в рабочую полость 9 исполнительного цилиндра 6. Его поршень 8 переводит поворотную заслонку 1 в закрытое состояние. По времени этот процесс может быть согласован с моментом завершения такта...

Номер патента: 1455786

Опубликовано: 07.07.1993

Авторы: Ковтун, Полторацкий, Проценко

МПК: C30B 33/00

Метки: кристаллов, нарушенного, поверхности, слоя, толщины

...слоя. В качестве активного газа исг.альзуют газ из элементан, не нходягпих н состав .кристалла и потока, В процессе травления осушествляю; контроль степени дефектности структуры поверхности по концентрации активного газа на поверхности кристалла. За талпгиФ ну нарушенного слоя принимают толщину удаленного слоя, при каторгам концентрация составляет 107. ат первоначальной. Достигают точности апре- Саделения до 1 О А,Затем н камере откачивают вакуум и проводят травление кристалла патокам ионов аргсна с энергией 0,7 кэВ и плотностью тока 10 А см, В процессе травления осуществляют массспектрометрический контроль концрнрации кислорода нг поверхности кристалла и измеряют толцину удаленнго слоя, При тотнпине удаленного слоя, равной 80 А,...

Номер патента: 1699271

Опубликовано: 15.04.1993

Авторы: Гринев, Полторацкий, Тучин, Янкелевич

МПК: G01T 1/202

Метки: детектора, сцинтилляционного

...его нагрев в указанных условиях до 330-350 С, 40 выдержку при этой температуре 5 - 10 мин и охлаждение.В основу способа положен экспериментально установленный факт - максимальное очищение поверхности ЩГК при экспери ментально установленной температуре.условиями роста щелочно-галоидного кристалла и последующей обработкой догускаются взаимодействия с воздухом при получении сцинтиллятора на какой-либо из стадий технологического процесса до начала изготовления детектора.Этого достаточно, чтобы вода попала на поверхность и в объемный приповерхностный слой кристалла, Любая последующая обработка поверхности приводит к снижению содержания остаточной воды на повер" хности, но не удаляют ее полное.ью. Это и проявляется при изготовлении...

Номер патента: 1806421

Опубликовано: 30.03.1993

Авторы: Полторацкий, Решетников, Рычков

МПК: H01L 27/098

Метки: арсенида, галлия, интегральная, основе, схема

...заряда 7,В предлагаемой конструкции емкостьсвязи между электродом 6 и областью 5 азатвора возникает из-за образования барьера Шоттки и, так как при концентрации вобласти 5 а,равной 2 10 см, величина пз18 3при напряжении пробоя контакта ШотткиЧпр = 1 В не более 0,04 мкм. что меньшетолщины области 5 а, то эквивалентная схема структуры металл-полупроводник будеттой, которая дана на рис,2 а с ВАХ шунтирующего диода, представленной на фиг.2 бКанальный транзистор с р-и-переходом, рассмотренным выше, имеет пороговое напрякение %, равное 03 В при Н =0.55 мкм и Чт = - 0,7 В при Н = - 0,7 мкм, т.е,в зависимости от параметра Н, транзисторявляется либо транзистором с индуцированным каналом, либо со встроенным каналом, Причем, поскольку...

Номер патента: 1796538

Опубликовано: 23.02.1993

Автор: Полторацкий

МПК: B63B 17/04

Метки: леерное, ограждение

...так как имееттормозное приспособление,Цель изобретения - упрощение конструкции леерного устройства.Цель достигается тем, что упомянутый 15гравитационный привод выполнен с блокоми противовесом, причем тяговый леер запасован через этот блок, а упомянутый противовес закреплен на другом конце тяговоголеера, 20На чертеже схематично изображеноописываемое леерное ограждение, вид сбоку.Леерное ограждение содержит стойки1, которые закреплены в шарнирах 2 и расположены вдоль борта судна, между собойсоединенные гибкими леерами 3, и тяговыйлеер 4, который связан с приводом 5 заваливания стоек и фиксатором 6 их в рабочемположении. Леер 4 является верхним и соединен со стойками посредством муфт 7.Фиксатор 6 стоек 1 в рабочем положениивыполнен...

Номер патента: 1789947

Опубликовано: 23.01.1993

Авторы: Гринев, Полторацкий, Тучин, Янкелевич

МПК: G01T 1/202

Метки: детектора, сцинтилляционного

...нагрев сцинтиллятора производят дотемпературы 140-180 С, а время от окончания его обработки до начала нагрева не превышает 40-60 минут.На чертеже показан световыход сцинтиллятора в зависимости от температурынагрева,Как было показано в прототипе, на поверхности гигроскопических ЩГК образуется гидролиэная пленка, которая может бытьудалена путем нагрева. При этом на характерных пиках термодесорбции, напримервосемнадцатой массы наблюдаются двамаксимума: первый при температурах-150 С, а второй - 350 С (см; фиг.1),Известно, что во время обработки приполучении сцинтиллятора в настоящее время допускается взаимодействие с воздухом,либо остаточной влагой, Т.е. возникают условия, когда вода имеет возможность попасть на поверхность и в...

Номер патента: 1752774

Опубликовано: 07.08.1992

Авторы: Баяндин, Гильмитова, Еремина, Кленовская, Полторацкий, Пучкина

МПК: C14C 3/22, C14C 9/00

Метки: кож, наполнения

...образом, в поверхностных слоях 25 40-45 С в течение 36-48 ч, Жирование, сукожи, Применение сульфоароматического шильно-отделочные процессы проводят посоединения в количестве более 7,0 мас,ч, на типовой методике,1 ч сополимера обеспечивает преимущест- П р и м е р 1, Полуфабрикат хромовоговенное влияние сульфоароматического сое- дубления для верха обуви из шкур крупногодинения на свойства кож, что не позволяет 30 рогатого скота развесом 20-25 кг после нейдостичь указанной цели. Применение сопо- трализации обрабатывают по предлагаемолимера в количестве менее 0,5% от массы му способу водным раствором сополимерастроганых кож также не позволяет достичь метакриловой кислоты и нитрила акриловойуказанной цели, а именно недостаточно кислоты...

Номер патента: 1749430

Опубликовано: 23.07.1992

Авторы: Клевченков, Корчаго, Полторацкий

МПК: E04G 17/00

Метки: опалубки, соединения, щитов

...17 регулировочньй элемент 7 дополнительно зафиксированный контргэйкой 8.Устройство работает следуюсцим образом,Регулировочный элемент, перемещаясь по стякному стержню 9 путем вращения по концевой резьбе 17 до заданной отметки, скимэет прукины 3 и б, которые в свою очередь переда;от усилие нэ прижимные чэсти 4 и 5. При регулировке во избежание прокручивэния консольные упоры 15 стопорного элемента 2 контэктируют с ребрами 14 опорной пяты 13, Прижимные части 4 и 5, взаимодействуя с опэлубочными щитами 1, изгибэют (преднапрягэют) их, при этом величина прогиба также определена упором трубки во внутренний кольцевой уступ 12 прижимных частей 4 и 5. После заполнения полости опалубки или армоопэлубочных пакетов бетонной смесью 18 толщина...

Номер патента: 1739960

Опубликовано: 15.06.1992

Авторы: Александров, Горбань, Полторацкий

МПК: A23N 7/02

Метки: картофеля

...камеры, при этом неподвижная частьрабочей камеры имеет сквозные наклонные20 отверстия для прохода воды, а внутренняяповерхность рабочей камеры имеет формуэллипсаида,Крометого,целесообразноснабдить устройство сердечником, вертикально уста 25 навленным с вазможностью вращения нанижней части рабочей камеры и выполненным в виде усеченного конуса с абразивнойповерхностью,На чертеже дана схема устрбйства, по 30 перечнае сечение,Устройство для очистки картофеля состоит из цилиндрического корпуса 1, внутрикоторого размещаются верхняя неподвижная часть 2 рабочей камеры 3 и нижняя35 подвижная часть 4 рабочей камеры 3, Последняя состоит иэ основания 5 с закрепленной на нем чашей 6 из абразивногоматериала. Верхняя часть 2 рабочей камеры3...

Номер патента: 1730166

Опубликовано: 30.04.1992

Авторы: Бейсеуов, Дильдабеков, Досхожаев, Желнов, Карпович, Мубаракшина, Оздоева, Полторацкий

МПК: C14C 3/08

Метки: выработки, кожи

...от массы голья при ЖК 0,8-0,9.При использовании предлагаемого способа достигается улучшение экологического состояния окружающей среды, так как расход хромового экстракта в пересчете на окись хрома сокращается более чем в два раза (в предлагаемом 0,3 - 0,4 О, в известном 0,8 - 0,9,4); в конце дубления достигается полная отработка солей хрома, По известному способу в барабан загружают мочевину и уротропин, заливают серную кислоту и через 1 ч туда же загружают обеззоленное голье. Известно, что за такое короткое время полного образования смолы не происходит, поэтому растворы содержат свободный формальдегид, который отрицательно влияет на здоровье рабочих при загрузке полуфабриката. По изобретению смолообразование происходит в закрытом...

Номер патента: 1728431

Опубликовано: 23.04.1992

Авторы: Клевченков, Корчаго, Окуньков, Полторацкий

МПК: E04G 9/00

Метки: опалубка, преднапряженная

...фиг. 7 - конструктивное решение распорно-прижимного болта,Конструкция преднапряженной опалубки или армоопалубочного пакета состоит из щитов или панелей 1, раздвижных соединительных элементов 2, полурам с одной или несколькими парами распорно-прижимных болтов 3, снабженных вертикальными пластинами 4, а при необходимости и горизонтальными пластинами 5 либо точечными опорами 6. При этом раздвижные соединительные элементы 2 фиксируют верх 7 щитов или панелей 1, а верхние пояса полурам представляют собой гибкие напрягаемые1728431 55 тяги(ванты) 8, пропущенныечерез раздвижные соединительные элементы 2 с роликами 9, и распорно-прижимные болты 3, одновременно закрепленные карабинами 10 к закладным деталям 11.Последние также служатдля установки в...