Способ изготовления структур кремний-на-изоляторе

Номер патента: 1395149

Опубликовано: 07.05.1988

Автор: Йорг

МПК: H04N 1/04

Метки: варианты, его, лучей, параметра, регулировки, световых, сигнала, сканирующих, управляющего, формирования

...ширина диафрагмы первогоФотопреобраэователя,Ьх - расстояние между центрами 20апертур сканирующих световых лучей сигналов;Р (х)- измеренные сигналы интенсивности сканирующих световых лучей,с последующим выделением максимального сигнала распределения интенсивности сканирующих световых лучей, формируютиз выделенного максимального сигнала .,сканирующих световых лучей пороговый , 30сигнал, соответствующий крайним, фронтамсканирующих световых лучей, формируютсигнал, соответствующий приращениюрассеяния при перемещении . сканирующихсветовых лучей по первому фотопреобразователю с диафрагмой, путем перемножения запомненного максимального сигнала распределения интенсивности сканирующих световых лучей на сигнал, соответствующий расстоянию между...

Номер патента: 1447390

Опубликовано: 30.12.1988

Авторы: Альжанов, Капбасов, Койлыбаев, Максимов, Талжанов

МПК: B01F 13/02

Метки: слоя, структуры, формирования

...скоростью потока, В то же время при послойной загрузке производят последовательную выгрузку сыпучих материалов из аппаратов отключением или по-. дачей газа в нижнюю часть плотного слоя.П р и м е р. Работоспособность предлагаемого устройства для Формирования структуры слоя проверена на лабораторной модели. Вертикальные аппараты высотой 400 мм выполнены в виде усеченных пирамид прямоугольного сечения и спарены. В нижней части задней стенки каждого аппарата, параллельно к плоскости днища, установлены по три сопла. Расстояние от среза сопла до отбойника равно длине зоны циркуляции 1, образующей при подаче максимального количества газа и определяется по зависимости1 = 0,92 тЧрЙ 4в,ц где шЧ - количество движения газа,р -...

Номер патента: 1582371

Опубликовано: 30.07.1990

Авторы: Гринфелдс, Розе, Цауне

МПК: H05K 13/02

Метки: корпуса, металлосодержащим, одной, ориентации, радиодеталей, слоем, сторон

...рабочей поверхности направляющеи 7, расположенной со стороны датчика 3, и к рабочей поверхности направляющей 9 для выводов расположилась под углом с 40-50 к основанию вибрационного лотка 1. Вдоль направляющей 7 со стороны датчика 3 может быть смонтирован поддерживающий элемент 1.Устройство работает следующимобразом.Радиодетали 6, например транзисторы с плоским корпусом, на одной из сторон которого нанесен металло- содержащий слой, с тремя односторонниьщ и расположенными в одной плоскости выводами, подаются иэ вибрационного бункера (не показан) на вибрационный лоток в положении, при котором выводы радиодетали располагаются в зазоре между направляющими 7 и 8. Перемещаясь по эаходной части вибрационного лотка 1, радиодетали ь...

Номер патента: 789613

Опубликовано: 23.12.1980

Авторы: Бадьялов, Буткарев, Власихин, Дегодя, Дюльдин, Еремин, Кузнецов, Майзель, Худорожков, Шаврин

МПК: C22B 1/14

Метки: окатышей, слоя, структуры, формирования

...должно быть не менее 92- 98. Меньшее содержание окатышей данного класса обусловливает попадание значительного количества окатышей мелких Фракций в просветы между крупными и, как следствие. пороэность слоя уменьшается. Это приводит к увеличению выхода класса 1 мм при барабанном испытании готовой продукции на истирание до 9-10%, а также к увеличению аэродинамического сопротивления обжиговых тележек и поэтому является недопустимым. Получение ока тыщей класса 0,040-0,052 мм/мм высот слоя свыше 98 на современных окомко вателях невозможно.При высоте слоя до 0,3 м/м его поперечного сечения крупность 92-98 окатьыей должна быть не менее0,040 мм/мм высоты слоя, Повышение высоты слоя свьые 0,3 м/м.сопровох- дается существенным увеличением его...

Номер патента: 1264440

Опубликовано: 30.01.1994

Авторы: Брюхно, Кобазева, Максименков

МПК: H01L 21/205

Метки: полупроводниковых, структур

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУР, включающий шлифование и полирование монокристаллической кремниевой пластины, наращивание на одну сторону пластины слоя поликристаллического кремния, удаление части слоя поликристаллического кремния, утонение монокристаллической пластины, отличающийся тем, что, с целью повышения процента выхода годных за счет уменьшения вероятности образования в нем дендритов и пустот, слой поликристаллического кремния наращивают на пластину после шлифования, а утонение монокристаллической пластины производят до толщины, равной сумме глубины нарушенного слоя после шлифования одной стороны пластины и толщины монокристаллического кремния, необходимого для формирования структуры.