Рухамкин

Силовой быстровосстанавливающийся диод

Номер патента: 1101098

Опубликовано: 20.06.2000

Авторы: Асина, Белоногова, Дерменжи, Кузьмин, Рухамкин, Уверская, Юдицкий

МПК: H01L 29/36, H01L 29/86

Метки: быстровосстанавливающийся, диод, силовой

Силовой быстровосстанавливающийся диод, содержащий в базовой области рекомбинационную примесь, концентрация которой уменьшается от эмиттера вглубь базы, отличающийся тем, что, с целью уменьшения коммутационного перенапряжения и обратного тока утечки при сохранении нагрузочных характеристик в проводящем состоянии, в качестве рекомбинационной примеси вводят платину, распределение концентрации которой удовлетворяет следующим условиям:;0,3 NB Npt(xj) ...

Тиристор

Номер патента: 908198

Опубликовано: 10.04.1996

Авторы: Генералов, Граужинис, Думаневич, Ковров, Кузьмин, Рухамкин

МПК: H01L 29/74

Метки: тиристор

1. ТИРИСТОР, содержащий вспомогательный n-эмиттер, расположенный в центре структуры вокруг управляющего электрода, снабженный выступами, приближенными по радиусу к управляющему электроду, основной эмиттер, охватывающий вспомогательный эмиттер и отделенный от него p- базовым слоем, отличающийся тем, что с целью повышения допустимой величины скорости нарастания анодного тока и повышения рабочей частоты, между выступами вспомогательного эмиттера расположены дополнительные изолированные эмиттерные области, при этом расстояние от управляющего электрода до дополнительных эмиттерных областей по крайней мере в два раза больше расстояния от управляющего электрода до выступов.2. Тиристор по п.1, отличающийся тем, что с целью улучшения...

Способ определения перегрузочной способности тиристоров

Загрузка...

Номер патента: 716008

Опубликовано: 15.02.1980

Авторы: Гусев, Кузьмин, Рухамкин, Соков, Тестоедов

МПК: G01R 31/02

Метки: перегрузочной, способности, тиристоров

...изобретений и открытий 113035, Москва, Ж - 35, Раушская иаб д. 4/5 филиал РПП Патент, г. Ужгород, ул. Проектная, 4При подаче на испытуемый тиристор импульсов силового токавозвращающей амплитуды температура структуры тиристора постепенно увеличивается. После окончания действия силового" тока через йсйытуе- мый тиристор протекает ток от источника анодного цапряжеция по амплитуде не преВышающей тока удержания тиристора. Вре мя выключения испытуемого тиристора, определяемое от момента окончания импульса силового тока до момента прерывания тока источника анодного напряжения, зависит от температуры разогретой области структуры тиристора. Причем интервал времени выключения состоит из двух частей: времени рассасывания избыточных носителей,...