Бахышев

Номер патента: 774462

Опубликовано: 20.06.2000

Авторы: Асадов, Бахышев, Исмаилов, Максимов, Марончук, Соловьев

МПК: H01L 21/365

Метки: галлия, пленок, полупроводниковых, халькогенида

Способ получения полупроводниковых пленок халькогенида галлия в открытой газотранспортной системе с использованием жидкого источника галлия, включающий взаимодействие галогенсодержащего вещества с галлием, транспортирование галогенида галлия в зону роста, подачу в зону наращивания элемента VI группы потоком газа-носителя и наращивание монокристалла на подложку, отличающийся тем, что, с целью упрощения технологии и улучшения качества пленок, наращивание осуществляют в системе HCl-Ga-Se-H2 при температурах зон источников галлия и селена 400 - 600oC и 230 - 300oC соответственно, температуре зоны наращивания 700 - 750oC, потоке водорода над источником...

Номер патента: 1836479

Опубликовано: 23.08.1993

Авторы: Алиев, Бахышев, Мамедов

МПК: B22F 1/00, C22C 33/02, C22C 38/00 ...

Метки: композиционного, спеченного, шихта

...материала.Содержание порошка латуни с 35-40 мас, Оцинка в шихте колеблется в пределах 5- 15 мас.о , В случае уменьшения содержания в шихте латуни5 мас.оснижается твердость и износостойкость образцов ввиду ухудшения общей прочности спеченного материала, Повышение содержания латуни в шихте свыше 15 мас. Оприводит к повышению вязкости и, как следствие, снижению твердости и износостойкости образцов, При использовании в шихте порошков латуни с крупностью частиц100 мкм, повышает гомогенность структуры материала, которая отрицательно сказывается на износостойкости образцов. Увеличение крупности частиц порошков латуни200 мкм также ведет к снижению общей прочности спеченного материала со всеми вытекаю цими отсюда последствиями,Содержание серы...