H01L 21/314 — из неорганических веществ

Номер патента: 384162

Опубликовано: 01.01.1973

МПК: H01L 21/314

Метки: германия, диэлектрического, защитного, поверхности, покрытия

...прпменсп для защиты интегральных схем типа Р-2. Прп этом удалось увел чпть максималысе Ооратное напряжене перехода оа за - кслле 1,тор с 10 - 12 8 дс 25 - 30 О, а так же уменыппть и стаоплпзи ровать обратныетоки этого перехода в условиях повышенной влажнос 1 и и теспературы. Споес Изобретение относится к области ф зик и техники полупроводников и может быть 11 спользовано при разрабопке и ысследсван 1 полупроводниковых приборов и интегральных схем на основе Бермания.Известны спосооы получения зацпт 1,х диэлектрических покрытий на,поверхности гврмания путем обработкп его в расплавленных солях сульфидов или в безводном сероводороде. При этом на поверхности германия образуется плотная пленка сульфида германия. Однако в силу плохой...

Номер патента: 428484

Опубликовано: 15.05.1974

Авторы: Кольцова, Коробов, Петручук

МПК: H01L 21/314

Метки: диэлектрик—кремний, структуры

...следующим образом.На пизкоомную подложку пз кремния электронной проводимости наносится эпитаксиальный слой 51 толщиной 2 якл с удельным сопротивлением 5 ом. слк Затем в реактор при температуре образца 800 в 12 С в течение 1 - 10 сек подавалась парогазовая смесь, содержащая ЫС 14, СОз, ХНз, Нз, с соотношением компонент смеси, обеспечивающим получение оксинитрида кремния. После обработки чистой поверхности Я в парогазовой смеси наносился методом реакций в парогазовой фазе диэлектрик ЯО 2 - 51 з 1 М 4 с толщиной слоев по 1000 А, Для сравнения были также приготовлены образцы Я с эпитаксиальным слоем ЯО, - .1 зХ 4, с аналогичным428484 Предмет изобретения Составитель П. Сорокина Текрсд Т. КурилкоКорректор В. Гутман Редактор Л. Цветкова...

Номер патента: 1160891

Опубликовано: 30.09.1992

Авторы: Камбалин, Кокорин, Сайбель, Слугина, Сухов

МПК: H01L 21/314

Метки: мноп-структур

...тем, чтов способе изготовления МНОП-структур,включающем химическую обработку полупроводниковой подложки, промывку ее вдеионизованной воде, последовательноеформирование в реакторе слоев двуокиси инитрида кремния и электрода, формирование слоев двуокиси кремния в реакторе проводят в атмосфере закиси азота дополучения двуокиси кремния требуемойтолщины, после чего закись азота откачивают; окисление проводят при давлении0,13 гПа - 2 атм и температуре 700-950 С;формирование слоев двуокиси кремния инитрида кремния проводят в одном рабочемобьеме.Устранение из маршрута изготовления МНОП-структур операции травления остаточного окисла в водном растворе фтористоводородной кислоты позволяет увеличить напряжение пробоя окисной изоляции...

Номер патента: 1132732

Опубликовано: 27.10.1995

Авторы: Анисимов, Годик, Матвеев

МПК: H01L 21/314

Метки: защиты, полупроводниковых, приборов

1. СПОСОБ ЗАЩИТЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ, содержащий нанесение слоев фосфорно-силикатного стекла и поликристаллического кремния, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности и эффективности защиты от ионов щелочных металлов, после нанесения поликристаллического кремния структуру подвергают термообработке в окислительной среде, содержащей пары фосфора, затем наносят второй слой поликристаллического кремния, который уплотняют термообработкой в окислительной среде.2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что термообработку слоем поликристаллического кремния ведут при температуре 1273 1373 К.3. Способ по п. 1, отличающийся тем, что содержание паров фосфора в окислительной среде составляет 0,1 0,2

Номер патента: 221176

Опубликовано: 20.05.2000

Авторы: Васильева, Покровская

МПК: H01L 21/314

Метки: поверхности, полупроводников

Способ обработки поверхности полупроводников, например германия, соединениями серы при температуре 430 - 450oC, отличающийся тем, что, с целью упрощения процесса сульфидирования, поверхность германия подвергают воздействию безводного сероводорода.

Номер патента: 1176782

Опубликовано: 10.06.2000

Авторы: Елисеев, Иванов, Колоскова, Локтаев, Лягушенко, Нисневич

МПК: H01L 21/314

Метки: n+-p-n-p-типа, многослойных, полупроводниковых, силовых, структур, тиристоров

1. Способ изготовления многослойных полупроводниковых структур силовых тиристоров n+-p-n-p-типа, включающий химическую обработку, осаждение из растворов на основе тетраэтоксисилана на обе поверхности кремниевых пластин n-типа проводимости легированных окисных пленок - источников диффузии алюминия и бора, термическую обработку в окислительной среде при температуре 1200 - 1300oC для формирования высоковольтных p-n переходов, создание маскирующей пленки по всей площади пластины, локальное травление маскирующей пленки и формирование n+-областей диффузией фосфора, отличающийся тем, что, с целью упрощения технологии и улучшения параметров тиристоров, для создания...

Номер патента: 1387797

Опубликовано: 20.06.2000

Автор: Фомин

МПК: H01L 21/314

Метки: геттера, кремния, монокристаллических, пластинах

Способ изготовления геттера в монокристаллических пластинах кремния, включающий термообработку пластин для формирования бездефектной приповерхностной области пластин, отличающийся тем, что, с целью устранения эррозии поверхности пластин и уменьшения плотности структурных дефектов, перед термообработкой пластин на их поверхности формируют слой термической двуокиси кремния толщиной 0,045 - 0,05 мкм, после чего осаждают слой поликремния толщиной 0,1 - 0,5 мкм.

Номер патента: 1115631

Опубликовано: 27.02.2004

Авторы: Грехов, Костина, Куракина, Мешковский, Семчинова

МПК: H01L 21/314

Метки: защитного, кремния, поверхности, покрытия, состав

Состав для получения защитного покрытия поверхности кремния от диффузии примесей, содержащий тетраэтоксисилан, воду и концентрированную соляную кислоту, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества защиты от диффузии примесей III и V групп и защиты от диффузии щелочных металлов, он содержит пересыщенный водный раствор азотнокислого циркония при следующем соотношении компонентов, мас.%:Азотнокислый цирконий - 21-23Тетраэтоксисилан - 57-59Соляная кислота концентрированная - 1,2-1,4Вода - Остальное