Способ соединения кремниевой структуры с термокомпенсатором

Номер патента: 1378713

Опубликовано: 10.06.2000

Авторы: Беляева, Дученко, Майзанов, Митин, Потапчук, Фомичев

МПК: H01L 21/324

Метки: n-n+-структур, кремниевых, мощных, полупроводниковых, приборов, создания

Способ создания кремниевых n-n+-структур мощных полупроводниковых приборов, включающий операции одностороннего наращивания сильнолегированного n+-слоя на подложку n-типа, механического снятия части n-слоя и последующей термообработки при температуре 1220 - 1250oC, отличающийся тем, что, с целью упрощения технологического процесса изготовления n-n+-структур с заданными параметрами слоев и улучшения параметров приборов на их основе за счет достижения оптимальных профилей распределения примеси, термообработку ведут в течение 20 - 80 ч с последующим травлением n-слоя n-n+-структур в полирующем травителе на глубину 20 - 100 мкм.

Номер патента: 1829757

Опубликовано: 20.04.1996

Авторы: Аветисян, Енишерлова, Клемин, Орлов, Шмелева

МПК: H01L 21/225

Метки: p-p+-структур, кремниевых

...после изготовления омических контактов из структуры 5 вырезаются фотоприемники или линейкифотоприемников.Приборы, изготовленные в режимах, отличных от приведенных в изготовлении, имеют худшие по сравнению с теми прибо рами, которые изготавливаются согласноданному предложению, фотоэлектрические параметры, у них не оптимальные параметры барьерного слоя (см, таблицу, примеры 2-21). Например, прибор, изготовленный 15 при температуре отжига 1100 и времениотжига 3 ч имел до одного порядка хуже ампер-ваттную чувствительность. Такой же эффект наблюдается при изменении времени отжига, например, меньше 2 ч, при сохрэ нении температур отжига в пределах1150-1230 С.1829757 Продолжение таблицы Качество репою а структуре р .о в со.Концентрацию...

Номер патента: 207972

Опубликовано: 01.01.1968

Авторы: Немцев, Синельников

МПК: H03K 3/013, H03K 3/335

Метки: кремниевыми, последовательно, соединенными, тиристорами

...переключение тиристоров.На чертеже изображена принципиальная схема устройства управления тремя последовательно соединенными кремниевыми тиристорами,Плюс источника питания подается к зажиму 1, а минус - к зажиму 2. Плюс источника управляющего сигнала подключается к зажиму 8, а минус - к зажиму 2,Напряжение источника питания по величине меньше суммарного напряжения переключения последовательно соединенных тиристоров 4, б и б. Параллельно каждому из тиристоров подключены резисторы 7, 8 и 9, сопротивления которых равны,Управляющий электрод тиристора б через конденсатор 10 и резистор 11 подключен к катоду тиристора 4, а управляющий электрод тиристора б через конденсатор 12 и резистор 13 - к катоду тиристора б.При включении...

Номер патента: 1823031

Опубликовано: 23.06.1993

Авторы: Дьяков, Елисеев, Комаров, Учайкин

МПК: H01L 21/28

Метки: пластины, полупроводниковой, соединения, термокомпенсатором

...1 ых материалов. Верхняя граница зависит только от минимальной температуры плавления одного из соединяемых материалов, Создание избыточного давления определяется моментом равномерного прогрева структуры и установлением равновесного тел 1 пературного состояния лежду ней и окружающей средой.П р и и е р ы осуществления способа.Способ был асуьцествлен на специальной установке, позволяющей создавать вакуумдо 10 мм рт.ст, и избыточное давление до-в60 атм, а также осуществлять нагрев до 800 С, Перед проведением процесса собирают структуру, состоящую из термокомпенсатора - молибдена 55 мм, на нее накладывают силуминовую фольгу с 12содержанием кремния диаметром 54,6 мм, которую накрывают кремниевой пластиной диаметром 54 мм. Собранную...

Номер патента: 1523010

Опубликовано: 27.06.2000

Авторы: Бучнев, Дмитриев, Зайцев, Рюмшин, Сизова, Смыслов

МПК: H01L 21/58

Метки: кремниевых, мощных, полупроводниковых, приборов, термокомпенсатор

Термокомпенсатор мощных кремниевых полупроводниковых приборов, содержащий графитовое основание с приповерхностным слоем из карбида кремния, отличающийся тем, что, с целью расширения технологических возможностей термокомпенсатора за счет увеличения его смачиваемости алюминием и сплавами на основе алюминия, приповерхностный слой дополнительно пропитан кремнием с концентрацией по привесу 1 10-3 - 2,5 10-2 г/см2 поверхности.