Патенты с меткой «структурам»

Номер патента: 312598

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Психоневрологическа, Рачков

МПК: A61B 17/00

Метки: доступа, медиобазальным, структурам

...ватным тампоном и отводят к средней линии, Одновременно медиальные отделы височной доли отводят кнаружи. Образующаяся щель между островком Рейля и медиальными отделами височной доли позволяет осмотреть бассейн средней мозговой артерии, островок и медиальные отделы первои, второи и крючко.видной извилин, а также провести электрокортикографию и субкортикографию этой области. После исключения патологии в указан ных структурах производят вскрытие верхнемедиальной стенки нижнего рога бокового желудочка. Для точного вскрытия нижнего рога бокового желудочка с обеспечением осмотра миндалевидного ядра и аммонова ро га после мобилизации медиальных отделоввисочной доли из точки, отстоящей от птериона на 3,5 сл по верхнему краю верхней височной...

Номер патента: 1144697

Опубликовано: 15.03.1985

Авторы: Грачев, Степанова, Яцук

МПК: A61B 19/00

Метки: доступа, мозговым, стереотаксического, структурам

...этого проводят одновременный контроль биоэлектрической активности всех указанных структур, осуществляют диагностические электрические воздействия на один из них З 5при оценке реакции других структур,в результате чего получают уточненные данные для диагностирования поражения контролируемых мозговыхструктур, На основании полученныхданных через введенные электродыпроизводят необходимые лечебные, воздействия под контролем состояниякорковых и многих подкорковых структур мозга.45П р и м е р 1. Больной Р 25 лет(история болезни У 58-76), поступилв клинику института по поводу ежедневных зрительных галлюцинаций,периодических приступов страха, неприятных ощущений в области сердца,жара в голове и больших судорожныхприпадков с частотой до 50...

Номер патента: 757048

Опубликовано: 20.06.2000

Авторы: Золотухин, Максимов, Марончук

МПК: H01L 21/28

Метки: балочных, выводов, контактов, металлических, омических, покрытий, полупроводниковым, структурам

Способ изготовления металлических покрытий, балочных выводов и омических контактов в полупроводниковым структурам, включающий нанесение расплавленного контактного металла на поверхность полупроводниковых структур и последующее вплавление, отличающийся тем, что, с целью увеличения однородности покрытий, структуры собирают в пакет с зазором 0,2 - 1 мм, который заполняют расплавом контактного металла при температуре на 10 - 20oC меньше температуры вплавления, после вплавления охлаждают до температуры не ниже температуры плавления контактного металла и удаляют излишний металл из зазора.