H01L 39/00 — Приборы с использованием сверхпроводимости; способы или устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки таких приборов или их частей

Номер патента: 351277

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Аксенов, Гусев, Макаров, Тур

МПК: H01L 39/00

Метки: криогенных, питания, сверхпроводящих, токоввод, управляемый, устройств

...тем, что, теплопрцтока в крцостат, с потребителем тока цодва независимых управависимое от авт, свидетельстваИзобретение относится к области сверхпроводящих и криогенных устройств, а именно к конструкции сильноточных токовводов.Известные токовводы, обеспечивающие минимальный теплоподвод к хладоагенту только для одного значения тока, при питании устройств с изменяющимся током работают в неоптимальном режиме.Цель изобретения - создание токовводов, обеспечивающих минимальный теплоподвод при изменении тока в широком диапазоне.Для этого токоввод выполнен в виде нескольких параллельных токоведущих элементов с прерывателями.На чертеже представлена схема предлагаемого устройства.Параллельные токоведущие элементы 1 с контактами 2 и штоки 3...

Номер патента: 383140

Опубликовано: 01.01.1973

Автор: Динабург

МПК: H01L 39/00

Метки: istv, i••, lli•-••б, vibjgt, охлажденияг1»тг4туп, т5шг, циркуляционная

...Газообразный гелий, с)катый в компрессоре и предварительно охлажденный в азотной ванне и теплообменниках ожижителя 1, поступает в дроссель-э)кектор 2, где дросселируется до давления 1,5 - 2 ата и попадает в сборни с жидкости высокого давления 3, В сборнике 3 газообразный гелий уходит в обратный потокожижителя 1, а жидкий гелий (имеющи 1 температуру 4,7 - 5 К), часть которого можетбыть выведена из сбор шка 3 и использована,5 например, для охлаждения токовводов илидругих элементов сверхпроводяпцх устройств,направляется сначала в теплообмснник 4, азатем В переохладитель жид.Ости 5, Где переохлаждается до температуры 3 - 3,5"К, осО таваясь при давлении 1,5 - 2 ата,После переохладителя 5 жидки гелий подаетя ь змееьчк охлаждаемогО Объекта...

Номер патента: 408409

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Кан, Маркс, Рахубовский

МПК: H01L 39/00

Метки: коммутации, токов

...этого устройство содержит магнитоуправляемый контакт со сверхпроводящей обмоткой возбуждения, которая подключена параллельно вентилю управляющего криотрона.На чертеже приведена схема устройства,Устройство для коммутации токов содержит магнито-управляемые контакты (МУК) 1, обмотку 2 возбуждения МУК, изготовленную из сверхпроводящего материала, вентиль 3 5 управляющего криотрона, управляющую обмотку 4 криотрона.Устройство работает следующим образом.В исходном состоянии все устройство охлаждено до температуры, при которой обмот ка 2, вентиль 3 и обмотка 4 находятся всверхпроводящем состоянии. Ток питания схемы протекает при этом через вентиль 3.Обмотка 2 обесточена, контакты МУК разомкнуты и сопротивление между ними бес конечно...

Номер патента: 434486

Опубликовано: 30.06.1974

Авторы: Нов, Фрадков

МПК: H01B 17/26, H01L 39/00

Метки: ввод, электрический

...онце было ном. Таксеоковедущегриводит кдную зону Предлагаемыи ввод сми располагают на кртак, чтобы поперечноеэлемента па верхнем,больше, чем на нижнуменьшение поперечногго элемента вдоль егмспьшсн.ю теплоприткриостата. еский ввод для криог ержащий токоведущпй с ребрами и изолятор ичающийся тем, чт диаметрального габа енин притока тепла, ре сль трубы и имеют т сечение.енных устэлемент в с уплотнес целью рита ввода бра распо- реугольное Электрпч ройств, сод 25 виде трубы нпем, отл уменьшения при уз еньш ложены вд 30 продольноеВ этих изв положены и нежелательн габарита вво Цель изо рального га пригока тепл Для этого и имеют треЮ, Л, Буянов и А. Б. Фрадков рдена Ленина физический институт им. П, Н. ЛебедеваНа чертеже изображен предлагаемый...

Номер патента: 439874

Опубликовано: 15.08.1974

Авторы: Васильев, Десюкевич, Моргун, Сенин

МПК: H01B 12/16, H01B 7/42, H01L 39/00 ...

Метки: кабель, сверхпроводящий

...элементами 6 и оболочкой 5 выполнен зазор а. Токоведущая часть с изоляцией, находящаяся в зоне герметичной оболочки 5, состоит из перфорированной ме 1 о таллической трубки 10, пористой электроизоляцпи 11 и пористых токоведущих элеменов 12. Трубка 10 выполнена с отверстиями по поверхности и является каналом для циркуляции хладагента (гелия) и одновременно не сущей частью конструкции токоведущих элементов 12 и электроизоляции 11. Размер трубки 1 О, количество и размер отверстий в ней зависят, соответственно, от тока кабеля и его требуемой эквивалентной проницаемости в ра днальном направлении.439874 7 ляпин жидким гелием существенно повышает ее электруческую прочность.Проводящие и электроизолирующие слои при изготовлении кабеля можно...

Номер патента: 453764

Опубликовано: 15.12.1974

Автор: Нов

МПК: F17C 3/02, H01L 39/00, H02G 1/00 ...

Метки: охлаждаемый, токоввод

...Это достигается тем, что корпус токоввода снабжен приводом для сообщения ему вращательного движения, а завихрители выполнены в виде плоских лопаток и закреплены на корпусе.Турбулизация охлаждающего газового потока лопатками при вращении корпуса увеличивает теплоотвод от поверхности токонесущего элемента.На фнг. 1 показан предлагаена фиг. 2 - то же, разрез поТоковвод содержит корпус 1,го размещен токонесущии элевки 3, завихряющие поток газа,крепленный на корпусе. Уплотни5 и б предотвращают утечку газкриогенного устройства 7 с устанем опорой вращения 8. Электрдается к токовводу через шинучерез шину 10.Корпус 1 токоввода приводитс10 ние при помощи шкива 4. Упузел 5, одновременно являющийсдает возможность корпусу вращтельно неподвижного...

Номер патента: 542268

Опубликовано: 05.01.1977

Авторы: Клименко, Новиков

МПК: H01F 6/06, H01L 39/00

Метки: магнитного, переменного, поля, создания

...дискретнымвозрастанием амплитуды, во время которого вовнешних секциях ток подцерживают постоянным иуменьшают его на время, когда ток во внутреннихсекциях подцерживают постоянным.На чертеже изображены кривые, поясняющиеизменение тока в секциях сверхпроводящей обмот.ки, и суперпозиция магнитных полей в рабочейобласти.Внутренние секции питают током ) а внешниетоком 32. При этом суперпозиция полей в рабочемобьеме имеет временной характер изменения согласно кривой Н = 1 (ю 1 Е ),Один из возможных примеров осуществленияпредлагаемого способа может быть реализован, например, с помощью двухсекционного селеноида дляполучения магнитного поля, меняющегося в рабочей области по закону Н=Н /1+ьп оз (,где Н - текущее значение магнитного поля в...

Номер патента: 546048

Опубликовано: 05.02.1977

Авторы: Бубнов, Краинский, Щеголев

МПК: H01F 6/00, H01L 39/00

Метки: возбуждения, магните, магнитного, поля, сверхпроводящем

...его затухания увеличивается до суток.Целью изобретения является уменьшение начальной величины дрейфа магнитного ноля.Поставленная цель достигается тем, что ток через обмотку в сверхпроводящем магните увеличивают до,величины, при которой магнитное поле, превышает требуемое на 0,5 - 1%, после чего уменьшают ток до величины, соответствующей требуемому магнитному, полю. Б сверхпроводящем мапните индуктивностью обмотки 42 гнвыполненной из сверхпроводящего материала - сплава КЬ - Т 1 - Лг, магнитное поле у 1 величизают на 1% выше требуемого магнитного поля, равного 4,700188 тл, затем магнитчое поле уменьшают до требуемого магнитного поля и переводят сверхпрозодящий магнит в режим работы,с замороженным потоком.В сверхпроводящем магните с...

Номер патента: 551711

Опубликовано: 25.03.1977

Авторы: Бубнов, Краинский

МПК: H01F 6/06, H01L 39/00

Метки: градиентов, магнитного, поля, создания

...ключей; переключатель 8; подводящие провода 9,Устройство работает следующим образом. Включают регулируемый источник электрического тока 7, а на переключателе 8 включают нагреватель 3 первой сверхпроводящей корректирующей обмотки 1. Сверхпроводящая перемычка 2 этой обмотки переходит в нормальное состояние. Изменяют ток регулируемого источника электрического тока 5 так, чтобы уменьшить ширину и увеличить высоту сигнала ядерного магнитного резонанса на экране осциллографа. После этого на переключателе 8 отключают нагреватель 3 этой обмотки, уменьшают ток от источника электрического тока 5 до нуля и переводят таким образом эту сверхпроводящую корректирующую обмотку в режим работы с "замороженным" потоком.Переключателем 6 устанавливают нужное...

Номер патента: 564667

Опубликовано: 05.07.1977

Авторы: Алексеенко, Байков, Герасимов, Лузе

МПК: H01F 6/06, H01H 51/00, H01L 39/00 ...

Метки: реле, электромеханическое

...к источникам17, 18, 19 постоянного тока. .25Замыкание, штырей 2 мембраной 3 происходит после многократной подачи импульсов малой мощности вобмотку 11 в результате чего в соленоиде 4, замкнутомнакоротко перемычкой 10 образуется не- зОзатухающий ток, магнитный поток которого наводит ток на поверхности мембраны3 (глубина проникновения порядка сотеноА ). Этот ток создает магнитное поле,направленное навстречу магнитному полю 35соленоида 4, и в итоге их взаимодействиявозникает сила, преодолевающая силу упругости мембраны 3 и прижимающая ее к штырям 2. После уничтожения "незатухающего"тока мембрана 3 возвращается в первоначаль-,Оное положение под действием силы упругости.Принцип работы циклического сверхпрофводящего трансформатора...

Номер патента: 747370

Опубликовано: 23.09.1982

Авторы: Алфеев, Вербило, Колесников, Коноводченко, Тябликов

МПК: H01L 39/00

Метки: болометр, многоэлементный, сверхпроводящий

...1 из кремния ориентации (100) сформирована тонкая пленка аморфного диэлектрика 2, которым служит трехслойная композиция ЯзК 4 - 5 О - 51 з 1 х 14Толщина слоев этой композиции составляет соответственно 0,05, 10 и 0,05 мкм, 1-1 а поверхности аморфного диэлектрика с помощью вакуумного осаждения и последующей фотолитографии сформировацы тонкопленочные чувствительные дат(ики 3 Б форме меандра, занимающего площадь 100(100 мкм.Дл 5 уменьшения теплоотвода (гг чувствительных датчиков и устранения тепловой связи между ними через основание 1 сделана вышка 4 вплоть до пленки лцэлсктрцка 2. Д 1 я устра 1 ения тепловой связи между соседними элементами в лиэлектри;сской пленке выполнены прорези 5. Для увеличения коэффициента поглошения бо 10 15 Я) э...

Номер патента: 1043754

Опубликовано: 23.09.1983

Авторы: Веселов, Ширшов

МПК: H01F 6/00, H01L 39/00

Метки: вольт-амперных, значениях, индукции, магнитного, поля, разных, сверхпроводников, сильноточных, температуры, характеристик

...обеспечить работу СПтрансформатора при температуре до18 К, поэтому первичная обмотка должна быть выполнена из материала наоснове сплавов ИЬЗЯп или 73 Са скритической температурой Тс = 18 К,который более хрупкий по сравнениюсо сплавом ХЬТ 1 с Т= 9 К. Для замены СП образца необходимо произвести разборку устройства, что приводит к дополнительным затратамвремени и потерям жидкого гелия,связанным с охлаждением криостата до Т = 4,2 К.Цель изобретения - расширениефункциональных йозможностей устройства и повышение точности измеренийпутем повышения точности регулирования температурыи увеличения диа-пазонавнешнего магнитного поля.Поставленная цель достигаетсятем, что устройство дополнительносодержит источник внешнего магнитного поля в виде...

Номер патента: 1281182

Опубликовано: 30.12.1986

Авторы: Алан, Жан, Роланд, Сильвиан

МПК: F25D 3/10, G01T 1/24, H01L 39/00 ...

Метки: высокочувствительного, детектора, криостат, фотонов

...Внутренняя поверхность кожуха 1,наружная и внутренняя поверхности трубы 5и поверхность стержня 4 могут бытьотполированы, позолочены или покрыты фольгой,Криостат работает следующимобразом.40Перед каротажем через отверстиеб вводят хладагент, например жидкийазот или холодный штифт гелиевойхолодильной машины. В результатестержень 4 и труба 5 охлаждаютсядо точки кипения жидкого азота илиниже, После замены хладагента на сухой инертный гаэ - азот или гелий -для предотвращения конденсации влагиотверстие 6 закрывают пробкой, подсоединяют необходимые соединитель 50ные кабели (не показаны), Устройствовставляют в скважину и проводят необходимые измерения. Во время измерений детектор 2 поддерживается придостаточной для его нормальной рабо...

Номер патента: 1499419

Опубликовано: 07.08.1989

Авторы: Евстигнеев, Елесин, Опенов

МПК: H01L 39/00

Метки: перехода, пленок, плоских, сверхпроводящего, температуры, тонких

...тока.Сигнал с термометра 10 регистрируется графопостроителем 7 по координате Х. В результате перечисленных операций на графопостроителе 7 получаютзависимость ЭДС индукции в катушке 4индуктивности от температуры.Малость диаметра и длины катушкииндукзивности, являющейся источникоммагнитного поля, и малость расстоянияот нее до пленки приводит к тому, чтомагнитное поле, в котором находитсяисследуемая пленка, является неоднородным.Характерный масштаб неоднородности магнитного поля .в областирасположения, пленки равен расстояниюот катушки индуктивности, являющейсяисточником магнитного поля, до плен.ки. Экранирование неоднородного магнитного поля сверхпроводящвй пленкойпри Ь(Т)йюопределяется параметром1 с 1/Лф(Т), где 1 - характерный...

Номер патента: 1344161

Опубликовано: 07.02.1990

Авторы: Гришин, Пермяков

МПК: H01L 39/00

Метки: вихрей, магнитных, продвижения

...н точке закрепления нуль, Каждый МВ занимает место скрещения двух кацалон продвижения, где образовано локальное понижение толщины пленки на глубину двух каналов продвижения, размещенных с разных сторон пленки, На разрезе вдоль любого канала МВ 5 Фиксируются концами на поверхности снерхлроводящей пленки 3, пронизывая ее насквозь, т.е, опираясь одним концом ца дно канала продвижения 2, а другим на нторую поверхность в месте минимальной толщины, вблизи крутого участка смежного канала (фиг, 4, а), При подаче тока в пленку 3 в налранлеции, цс рцецликулярцом цасравлецию какацала 2 (фцг. 4, б) при заданномвыборе направления тока и полярности МВ 5, на последние цачицает действовать сила, смешающая МВ перпендикулярно направлению тока, те,вдоль...

Номер патента: 1344162

Опубликовано: 30.10.1990

Авторы: Гостищев, Хазов

МПК: H01L 39/00

Метки: гиперпроводящая, катушка

...радиусом г 1 и наружным г, где градиент поля максимален),Обмотка выполнена из проводника ленточного (прямоугольного поперечного сечения) типа с намоткой его ца широкую сторону, чем обеспечивается простота гибки и снижается деформация, а ".оответствецно и деформационцый прирост сопротивления проводника, послойно и последовательно с переходом по слоям изнутри наружу. Наиболее подходящим проводником является электроизолированная (методом оксидированич) шина из алюминия особой чистОты ЦАО 1-76 ТУМИ 426-77 сечением Ох 1Замоноличцвание обмотки может быть осуществлено либо за счет использования жидких связующих (например, на эпоксидной основе), либо, что технологичнее, твердопленочных клеев с последующей термофиксацией. Намоткой "враэбежку" в...

Номер патента: 1398707

Опубликовано: 15.12.1990

Авторы: Гришин, Пермяков

МПК: H01L 39/00

Метки: вихрях, информации, магнитных, накопитель

...канал продвижения 8. Пересечение 9 440канала 5, выполненное подобным образом соединяет канал 5 с соседним каналом 10. Между участками сверхпрово"дящей пЛеики, содержащими группы камалов с общим управлением, выполнены45мостики 11 из того же сверхпроводника, что и планки, и содержащие ответвления и пересечения каналов продвижения, принадлежащих смежным плен.кам. 50Устройство работает следующим образом.В начальный момент токи в сверхпро 55водящей пленке 4,и токовых шинах 2 отсутствуют. В каналах продвижения 5 находятся ранее введенные МВ б,стремя- щиеся занять место наименьшей толфщины сверхпроводящей пленки, Поэтому МВ фиксированы в каналах продвижения и дополнительно Фиксированы в местах скрещения щин с каналами. При подаче в...

Номер патента: 1632382

Опубликовано: 28.02.1991

Авторы: Вильхельмус, Корнелис, Хенрикус

МПК: H01L 39/00

Метки: сверхпроводящего, слоя, тонкого

...свойств, Взаимодействие УВаСцО- пленок с материалом подложки (МРО, 81),приводит к ухудшению сверхпроводящих свойств. Для исключения этого взаимодействия предложено перед нанесением планки УВаСцэО т наносить на подложку слоЯ У ВаСцО. Способ позволяет наносить пленки УВагСц 0 т-ЙТс" 90 К Нанлучщне результаты были получены при использовании подложек, поверхность которых состоит из У ВаСцО, .На фиг. прдставпена диаграмма фазового состояния У О - ВаО - СцО, на которой показаны как УВа СцзОт 6а так н ТВаСцО - соединения, находящиеся на линии раздела Фаз; на фиг.2 результат измерения электрического сопротивления сверхпроводящего тонкого слоя на подложке иэ У ВаСцО в зависимости от температуры.Свврхпрлводящий тонкий слой ТВаСцЗОт ,...

Номер патента: 1597055

Опубликовано: 23.05.1991

Авторы: Воронов, Гершензон, Гольцман, Федорец, Федосов

МПК: H01L 39/00

Метки: болометр, сверхпроводниковый, электронный

...УРМ,3.279.017, оснащенной источником магнетройного распыления, твк и катодным распылением в триодной системе (на установке УРМ 3,279.014. Подложками для Фотоприемников гелиевого уровня служили полированный лейкосап" Фир толщиной 0,3-0,5 мм и кварц толщиной 0,1-0,25 мм. Формирование топо- . логического рисунка ЧЭ по фиг.2 осуществлялось как методами фотолитографии с применением фоташаблонов, из" гОтовленных электронной литограФией, твк и прямой электронной литограФией.Ширина полоски, образующей замкнутую четырехзвенную прямоугольную структуру составляла 0,8 мкм, длина большей стороны прямоугольной Фигуры 500 мкм, длина меньшей стороны 3 мкм, размеры соединительных перемычек 30 ф 30 мкм. Один ЧЭ содержит 210 последовательно...

Номер патента: 1702269

Опубликовано: 30.12.1991

Авторы: Веневцев, Калева, Колганова, Политова, Томашпольский

МПК: G01N 23/227, H01L 39/00

Метки: высокотемпературных, качества, сверхпроводящих

...эоны) проявляется при содержании кислорода, близком к стехиометрии, При потере кислорода происходит изменение в электронной структуре сверхпроводника. заклнчающееся, в частности, в непрерывном ум: ньшении концентрации свободных носителей .- зоне проодмоси с ростом дефицита кислорода. В этом случае независимо от донорн ого или акцепторного типа проводимости число эмиттированных вторичных электронов будет возрастать за счет уменьшения электрон-электронного взаимодейств я, Таким образом, уровень вторичной электронной эмиссии в ВТСП-материалах является функцией степени кислородного дефицита, цто позволяет провести измерения относительного содержания кислорода, Для абсолютных измерений следует применять эталоны.Определим возможность...

Номер патента: 1618230

Опубликовано: 07.04.1992

Авторы: Горчаков, Француз, Хавинсон, Шишигин

МПК: H01L 39/00

Метки: компарирования, магнитного, механической, поля, работы, сверхпроводниковая, электромеханическая, энергии

...тело 4, выполненное в виде тонкостенной оболочки иэ сверхпроводника, например ниобия, в форме усеченного конуса, сопряженного с катушкой 1, правильную призму 5 из сверхпроводника, например ниобия, прикрепленную к основанию усеченного конуса 4 так, чтобы оси конуса и призмы совпадали, причем призма внутри имеет коаксиальную цилиндрическую полость для прохождения каркаса 2 к основанию системы 3. На теле 4 закреплено плоское зеркало 6, а около граней призмы 5 расположены прикрепленные к основанию 3 системы дополнительные электромагнитные катушки 7, каждая из которых подключена через выводы 8 к отдельному регулируемому источнику тока, Для измерения взаимных перемещений на левитирующем теле 4 и каркасе основной катушки 2 закреплены отражатели...

Номер патента: 1632311

Опубликовано: 27.01.1995

Авторы: Бессольцев, Вернер, Неволин

МПК: H01L 39/00

Метки: высокой, микропроводников, проводимости, формирования

СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ МИКРОПРОВОДНИКОВ ВЫСОКОЙ ПРОВОДИМОСТИ, включающий подачу постоянного напряжения между поверхностью подложки с эпоксидной смолой и погруженным в нее игольчатым электродом, перемещение его от подложки на длину формируемого микропроводника с последующей полимеризацией эпоксидной смолы, отличающийся тем, что, с целью повышения технологичности за счет снижения температуры формирования, после подачи напряжения игольчатый электрод перемещают к подложке до возникновения туннельного тока, затем повышают напряжение при неподвижном игольчатом электроде до возникновения тока короткого замыкания, отводят игольчатый электрод от подложки со скоростью, удовлетворяющей условиюV

Номер патента: 1829810

Опубликовано: 10.02.1996

Автор: Нарыкин

МПК: H01L 39/00

Метки: болометр, криогенный

...ВоЯ; - 1 ф оВ(3) где Й 1 - сопротивление нагрузочного резистора в электрической цепи болометра, и по ней определяют величину оя.Восприимчивость болометра к поглощенной мощности излучения характеризует вольт-вэттная чувствительность 3, которая с учетом (2) и (3) Можно видеть, что чувствительность болометра при фиксированных параметрах 6, Тб, Т а, и В определяется величиной отношения О,/сто, Настоящее изобретение направлено на увеличение величины этого отношения. Зависимость изменения температурыо от вызвавшей ее мощности О С учетом изменения при этом рассеиваемой на сопротивлении Й электрической мощности Р определяет величина, обозначаемая как динамическая тепловая проводимость болометра 6 е ЧС= - =С-а РГ е сыч (5) где 6 о - динамическая...

Номер патента: 1393272

Опубликовано: 20.06.2000

Авторы: Абрамов, Кокуркина, Селезнев, Туркот

МПК: H01L 39/00

Метки: высоковольтное, криогенное

Высоковольтное криогенное устройство, содержащее трубу для криоагента, электроды, тепловые экраны и камеру с корпусом из диэлектрика, отличающееся тем, что, с целью повышения надежности и снижения расхода криоагента, труба для криоагента снабжена по крайней мере двумя вставками из диэлектрика и по крайней мере одной металлической вставкой с вакуумной теплоизоляцией, камера заполнена многослойной изоляцией, охватывающей трубу и образующей изоляционный остов, в котором размещены указанные электроды, выполненные полыми, а в корпус из диэлектрика вмонтирован полый диэлектрический экран, причем наружная поверхность корпуса выполнена с ребром и закрыта дополнительным внешним корпусом в виде двух...

Номер патента: 638200

Опубликовано: 20.07.2000

Авторы: Куликов, Рубинов

МПК: H01L 39/00, H01P 7/06

Метки: криостат, резонансной, сверхпроводящей, цепи

Криостат для сверхпроводящей резонансной цепи, содержащий узкогорлый сосуд с герметичной крышкой, заполненный жидким гелием, и расположенную в нем закрытую снизу герметичную камеру со сверхпроводящей резонансной цепью, снабженную крышкой, узлом вакуумного уплотнения и патрубком, соединяющим ее с откачным устройством, отличающийся тем, что, с целью повышения стабильности сверхпроводящей резонансной цепи, герметичная камера выполнена в виде жесткой тонкостенной трубы, крышка и узел вакуумного уплотнения герметичной камеры размещены вне узкогорлого сосуда, а внутренняя полость герметичной камеры соединена через патрубок с дополнительной системой заполнения газообразным гелием.