Нисневич

Номер патента: 1424632

Опубликовано: 27.06.2000

Автор: Нисневич

МПК: H01L 21/225

Метки: кремния, легирования, пластин, пленкообразующий, приготовления, раствор

1. Пленкообразующий раствор для легирования пластин кремния, содержащий этиловый спирт, катализатор, тетраэтоксисилан и соединения 1-й легирующей примеси - азотнокислый алюминий, гидрат и 2-й легирующей примеси, отличающийся тем, что, с целью повышения воспроизводимости легирования за счет повышения стабильности раствора и улучшения смачиваемости поверхности пластин, а также облегчения процесса удаления пленки с поверхности после окончания легирования, он содержит компоненты в следующем количественном соотношении, мас.%:Этиловый спирт 96o - 38,6 - 52,0Катализатор - 0,5 - 2,5Тетраэтоксисилан - 4,2 - 6,4Соединение 1-ой легирующей примеси - азотнокислый...

Номер патента: 1480665

Опубликовано: 27.06.2000

Авторы: Бахшецян, Варданян, Локтаев, Нисневич

МПК: H01L 21/225

Метки: диффузионного, кремния, легирования, раствор, фосфором

Раствор для диффузионного легирования кремния фосфором, содержащий органический растворитель, ортофосфорную кислоту и пленкообразующий компонент, отличающийся тем, что, с целью повышения уровня легирования диффузионных слоев толщиной более 50 мкм, в качестве пленкообразующего компонента используют эфир германия Ge(OCnH2n+1)4 где 3 n 6, при следующем соотношении компонентов, мас.%:Органический растворитель - 45 - 70Ортофосфорная кислота (70%-ная) - 20 - 40Эфир германия - 5 - 20

Номер патента: 1480664

Опубликовано: 27.06.2000

Авторы: Колоскова, Локтаев, Нисневич

МПК: H01L 21/225

Метки: многослойных, полупроводниковых, приборов, структур

Способ изготовления многослойных структур полупроводниковых приборов, включающий очистку пластин кремния, осаждение на одну поверхность пластин пленкообразующего раствора с легирующими примесями, осаждение на другую поверхность пластин кремния пленкообразующего раствора, содержащего этиловый спирт, азотнокислый алюминий, борную кислоту и тетраэтоксисилан, и проведение одновременной диффузии путем термообработки, отличающийся тем, что, с целью расширения области применения способа для изготовления многослойных структур тиристоров и транзисторов одной термообработкой, проводят осаждение на вторую поверхность пластин кремния пленкообразующего раствора, дополнительно содержащего ортомышьяковую...

Номер патента: 1593507

Опубликовано: 27.06.2000

Автор: Нисневич

МПК: H01L 21/225

Метки: диффузионного, донорный, кремния, легирования, раствор

Донорный раствор для диффузионного легирования кремния, содержащий растворитель, тетраэтоксисилан, катализатор, ортофосфорную кислоту и соединение мышьяка, отличающийся тем, что, с целью повышения глубины диффузионных слоев до 100 мкм при сохранении высокой поверхностной концентрации, в качестве катализатора использована азотная кислота, а в качестве соединения мышьяка использована ортомышьяковая кислота, причем соотношение ортофосфорной и ортомышьяковой кислот составляет от 8:1 до 1:1 по объему при следующем соотношении компонентов, мас.%:Растворитель - 45 - 62Тетраэтоксисилан - 19,4 - 28,5Азотная кислота - 0,2 - 1,5Ортофосфорная и ортомышьяковая кислота - 18 - 31

Номер патента: 1593508

Опубликовано: 27.06.2000

Авторы: Губарев, Локтаев, Нисневич

МПК: H01L 21/225

Метки: алюминия, галлия, диффузии, кремниевые, пластины

Способ диффузии алюминия и галлия в кремневые пластины, включающий очистку поверхности, осаждение из растворов легированных пленок, складывание пластин одноименными сторонами в стопку, загрузку в окислительной атмосфере в реактор диффузионной печи, нагретой до температуры ниже температуры диффузии, выдержку при этой температуре для проведения деструкции, нагрев до температуры диффузии в потоке газа и термообработку, отличающийся тем, что, с целью улучшения параметров изготавливаемых силовых полупроводниковых структур на основе полированных пластин за счет повышения времени жизни дырок и повышения воспроизводимости легирования, стопку пластин предварительно помещают в заваренный с одного...

Номер патента: 1340476

Опубликовано: 27.06.2000

Авторы: Грипас, Локтаев, Марквичева, Насекан, Нисневич, Павлынив

МПК: H01L 21/225

Метки: n+pnpp+, многослойных, структур, типа

1. Способ изготовления многослойных структур n+-p-n-p-p+ типа силовых тиристоров, включающий создание на p-n-p-структуре маскирующей пленки, локальной со стороны катода и сплошной со стороны анода, загонку донорной примеси, полное удаление маскирующей пленки, осаждение на анодную сторону раствора, содержащего соединения бора, складывание пластин в стопку и разгонку, отличающийся тем, что, с целью улучшения электрических параметров тиристора за счет повышения однородности подлегирования бором шунтов и управляющего электрода со стороны катода и создания неоднородного распределения времени жизни неосновных носителей заряда в n-базе, на анодную сторону осаждают раствор,...

Номер патента: 1340255

Опубликовано: 27.06.2000

Автор: Нисневич

МПК: C30B 31/02

Метки: пленкообразующего, приготовления, раствора

Способ приготовления пленкообразующего раствора для получения поверхностного источника диффузии примеси в кремний, включающий гидролиз тетраэтоксисилана в присутствии катализатора в растворе, содержащем органический растворитель и воду, с введением нескольких легирующих примесей в виде эфиров элементов III и V групп, отличающийся тем, что, с целью увеличения срока службы раствора, эфиры элементов III и V групп предварительно смешивают друг с другом, а в раствор смесь вводят после гидролиза тетраэтоксисилана.

Номер патента: 1400376

Опубликовано: 27.06.2000

Авторы: Локтаев, Нисневич, Пайвель

МПК: H01L 21/225

Метки: диффузии, источника, кремний, пленкообразующих, поверхностного, приготовления, примесей, растворов

Способ приготовления пленкообразующих растворов для получения поверхностного источника диффузии примесей в кремний, содержащих органический растворитель, воду, катализатор гидролиза тетраэтоксисилана, соединения легирующих примесей и тетраэтоксисилан, включающий растворение части компонентов, включая тетраэтоксисилан; гидролиз тетраэтоксисилана и растворение оставшихся компонентов в растворе гидролизованного тетраэтоксисилана, отличающийся тем, что, с целью улучшения параметров диффузионных слоев за счет повышения вязкости растворов, раствор гидролизованного тетраэтоксисилана перемешивают, нагревая до температуры 50 - 90oC, пока его объем не уменьшится в 1,2 - 2,5 раза.

Номер патента: 1568799

Опубликовано: 27.06.2000

Авторы: Губарев, Нисневич

МПК: H01L 21/225

Метки: кремниевых, многослойных, структур

Способ изготовления кремниевых многослойных структур, включающий создание n-n+- или n-p+-двухслойной кремниевой структуры, формирование на ее поверхности маскирующего покрытия, формирование слоя p-типа диффузией акцепторных примесей со стороны слоя n-типа, формирование термическим окислением пленки окисла кремния, фотолитографическое вскрытие в ней окон со стороны слоя p-типа и формирование n+ - областей диффузией донорной примеси в окна пленки окисла кремния, отличающийся тем, что, с целью упрощения технологии изготовления структур за счет сокращения количества высокотемпературных операций, маскирующее покрытие формируют толщиной 0,2-0,4 мкм путем нанесения...

Номер патента: 1602275

Опубликовано: 27.06.2000

Авторы: Губарев, Марквичева, Нисневич

МПК: H01L 21/225

Метки: кремниевых, структур

Способ изготовления кремниевых структур, включающий химическую обработку пластин кремния n-типа проводимости, загрузку пластины и источника алюминия в печь, проведение первой термообработки - диффузии алюминия, выгрузку из печи, загрузку пластин и источника галлия в печь и проведение второй термообработки - диффузии галлия, отличающийся тем, что, с целью повышения времени жизни дырок в n-слое в качестве источника алюминия используют пленку оксида кремния толщиной 0,2-0,4 мкм, осажденную на кремниевую пластину из раствора и содержащую 0,3-4,8 мас.% оксида алюминия, а в качестве источника галлия используют пленку оксида кремния толщиной 0,2-0,4 мкм, осажденную на кремниевую пластину из...

Номер патента: 1127483

Опубликовано: 20.06.2000

Авторы: Колоскова, Локтаев, Нисневич

МПК: H01L 21/316

Метки: алюмосиликатного, осаждения, пленок, раствор, стекла

Раствор для осаждения пленок алюмосиликатного стекла, содержащий растворитель - этиловый спирт 96o, тетраэтоксисилан, катализатор и азотнокислый алюминий(гидрат) с концентрацией в растворителе более 0,15 г/см3, отличающийся тем, что, с целью увеличения маскирующей способности пленки при диффузии бора и фосфора с поверхностной концентрацией более 1019см-3, отношение массы азотнокислого алюминия к массе тетраэтоксисилана берут равным 1,5 - 4,0, а компоненты в следующем количественном соотношении, мас.%:Этиловый спирт 96o - 60 - 80Азотнокислый алюминий, гидрат - 15 - 32Тетраэтоксисилан - 5 - 10.

Номер патента: 1144566

Опубликовано: 20.06.2000

Авторы: Берлин, Колоскова, Нисневич, Попова, Почуева

МПК: H01L 21/316

Метки: алюмосиликатного, локальных, пленок, создания, стекла

Способ создания локальных пленок алюмосиликатного стекла на поверхности кремниевой пластины, включающий осаждение пленки по всей площади пластины, формирование на пленке маски из фоторезиста, травление пленки при температуре 15 - 30oC в водном растворе фтористоводородной кислоты, фтористого аммония и ортофосфорной кислоты и удаление фоторезиста, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества рисунка пленок алюмосиликатного стекла толщиной 0,3 - 1,5 мкм при содержании в нем окисла алюминия 7 - 70 мас.%, травление проводят при следующем количественном соотношении компонентов, мас.%:Фтористый аммоний - 13 - 18Фтористоводородная кислота 49o - 4 - 7

Номер патента: 1176782

Опубликовано: 10.06.2000

Авторы: Елисеев, Иванов, Колоскова, Локтаев, Лягушенко, Нисневич

МПК: H01L 21/314

Метки: n+-p-n-p-типа, многослойных, полупроводниковых, силовых, структур, тиристоров

1. Способ изготовления многослойных полупроводниковых структур силовых тиристоров n+-p-n-p-типа, включающий химическую обработку, осаждение из растворов на основе тетраэтоксисилана на обе поверхности кремниевых пластин n-типа проводимости легированных окисных пленок - источников диффузии алюминия и бора, термическую обработку в окислительной среде при температуре 1200 - 1300oC для формирования высоковольтных p-n переходов, создание маскирующей пленки по всей площади пластины, локальное травление маскирующей пленки и формирование n+-областей диффузией фосфора, отличающийся тем, что, с целью упрощения технологии и улучшения параметров тиристоров, для создания...

Номер патента: 1338709

Опубликовано: 10.06.2000

Автор: Нисневич

МПК: H01L 21/22

Метки: бором, диффузионных, легированных, пленкообразующий, раствор, слоев

1. Пленкообразующий раствор для получения легированных бором диффузионных слоев, содержащий растворитель, катализатор, соединение элементов IV группы и неорганическое соединение бора, отличающийся тем, что, с целью повышения уровня и однородности легирования толстых диффузионных слоев, раствор дополнительно содержит органическое соединение бора при массовом соотношении органического и неорганического соединения бора от 7,5 : 1 до 30 : 1 и следующем количественном соотношении компонентов, мас.%:Растворитель - 13 - 30Катализатор - 0,3 - 1,0Соединения бора - 28 - 55Соединение элементов IV группы - 19,7 - 412. Раствор по п.1, отличающийся тем, что в качестве...

Номер патента: 1616419

Опубликовано: 10.06.2000

Автор: Нисневич

МПК: H01L 21/22

Метки: кремния, легирования, мышьяком, пленкообразующий, раствор

Пленкообразующий раствор для легирования кремния мышьяком, содержащий тетраэтоксисилан, этиловый спирт, ортомышьяковую кислоту и катализатор, отличающийся тем, что, с целью повышения однородности поверхностного сопротивления и снижения разброса по глубине диффузионных слоев толщиной до 8 мкм, раствор дополнительно содержит воду, а в качестве катализатора используют азотную или соляную кислоты при следующем количественном соотношении компонентов, об.%:Тетраэтоксисилан - 16,0 - 26,0Этиловый спирт - 61,3 - 73,9Ортомышьяковая кислота - 3,1 - 6,8Азотная (соляная) кислота - 0,5 - 1,4Вода - 4,5 - 6,5

Номер патента: 1082233

Опубликовано: 10.06.2000

Авторы: Колоскова, Корольков, Круус, Кузьмин, Локтаев, Марквичева, Нисневич, Сурженков, Фихтенгольц, Хуторянский

МПК: H01L 21/24

Метки: выпрямительных, элементов

Способ изготовления выпрямительных элементов силовых полупроводниковых приборов, включающий операции шлифовки и химической очистки пластин кремния, изготовления высоковольтных p-n-переходов и создания омических контактов методом диффузионной сварки, отличающийся тем, что, с целью увеличения процента выхода годных приборов, после изготовления высоковольтных p-n-переходов с обеих сторон пластины кремния удаляют нарушенный слой толщиной 5 - 20 мкм.

Номер патента: 1120644

Опубликовано: 27.12.1999

Авторы: Берлин, Богатырев, Гершенович, Занавескин, Коротков, Нисневич, Осипова, Резник, Сировский, Скибинская, Стефанович, Трегер, Юцис

МПК: C07C 17/34, C07C 25/10

Метки: трихлорбензола

Способ получения трихлорбензола водно-щелочным дегидрохлорированием нетоксичных изомеров гексахлорциклогексана при повышенной температуре в присутствии четвертичных аммониевых оснований или их солей, отличающийся тем, что, с целью увеличения выхода целевого продукта и упрощения технологии, процесс осуществляют многоступенчато при противоточной подаче исходных реагентов при температуре на последней по ходу нетоксичных изомеров гексахлорциклогексана ступени 100 - 140oC и концентрации щелочи на выходе из этой ступени в пределах 18 - 37 мас.% с последующей промывкой образующегося трихлорбензола подкисленной до pH 1 - 4 водой с рециклом образующейся при этом промывной воды на...

Номер патента: 2004903

Опубликовано: 15.12.1993

Авторы: Мейлер, Мельников, Нисневич, Пиянзов, Третьяков

МПК: E02B 1/02, G01M 10/00

Метки: воды, воздействия, моделирования, подводное, силового, сооружение

...тягах, причем опоры выполнены подъемными и соединены с механизмами управления, модель выполнена 10 в виде цилиндра, а регистрирующая аппаратура расположена на балке.На фиг.1 показан общий вид устройства,вид сбоку; на фиг.2 - то же, вид сверху; на фиг,З- сечение А-А на фиг,1; на фиг,4 - узел 15нафиг,З;Устройство для моделирования силового воздействия воды на подводное сооружение вклочает в себя гидролоток 1 с погруженной в него моделью сооружения в 20 виде цилиндра 2, установленного на имитаторе грунта - плоском щите 3 посредством опор 4 и Б с датчиками усилий 6 и 7, и регистрирующую аппаратуру 8, электрически соединенную посредством проводов 9 с 25 датчиками усилий 6 и 7. Устройство снабжено горизонтальной балкой 10, установленной...

Номер патента: 1715124

Опубликовано: 15.12.1993

Авторы: Думаневич, Нисневич

МПК: H01L 21/22

Метки: внутренних, изолированных, областей, формирования

...нецелесообразно брать р80 Ом см, так как 15максимальную толщину формируемой изолированной и-области практически нельзяполучить больше 220 мкм. Максимальнаятемпература 1300 С ограничена при длительной работе возможностями современного диффузионного оборудования, а такжеопределяется тем, что с повышением температуры ухудшаются параметры исходногокремния и увеличивается деформация тонких пластин, а при температуре ниже 251240 С сильно возрастает время термообработки.Для изготовления многослойных структур силовых тиристоров и симисторов с повторяющимся напряжением 800-1200 В 30необходимо изготовить р-и-р-структуру столщиной р-слоя Х) = 60-70 мкм и поверхностной концентрацией примеси Й (1-2) 10см, что соответствует поверхностному...

Номер патента: 1810233

Опубликовано: 23.04.1993

Авторы: Котова, Мельников, Нисневич, Пиянзов

МПК: B64D 1/00, B64D 9/00

Метки: буксировки, воздухе, моделирования, несущей, поверхности, процесса

...поверхности, то есть к определению угла атаки Р 1, при котором модель несущей поверхности находится в равновесии при ее 55 закреплении в точке Б, Производят это следующим образом. Принимают, например, что угол равновесия 81=10", тогда по кривым 14, 15, 16 и 17 определяют Сх 1, Су 1, К 1,Сд 1, Ослабляют винт 11 и перемещают хомут 10 в то положение на стержне 3, которое соответствует центру давления (Са, чему способствуют деления, нанесенные на стержне). Затягивая винт 11, закрепляют хомут 10. К нити 8 подвешивают груз 6, вес которого 01 имитирует аэродинамическое сопротивление несущей поверхности и должен быть равен где а - масштабный коэффициент;р- плотность воздуха;Ч - скорость движения несущей поверхности. Нить 9 перекидывают...

Номер патента: 1775190

Опубликовано: 15.11.1992

Авторы: Жолондзь, Кульбицкий, Мовсиков, Нисневич, Петрусевич, Шишков

МПК: B05B 17/04, B05B 7/12

Метки: пневматическая, форсунка

...системы приводит х интенсификации процесса распыления в результате снижения сопротивления состава разрыву струи; что позволяет при заданном качестве распыления сократить расход воздуха. 1 ил. жимную гайку, кольцевая камера 3 в корпусе 1 образована коническим соплом 6 и седлом 5, при этом прижимная гайка 7 установлена с возможностью перемещения для регулирования усилия прижима сопла 6 к седлу 5, Внутри камеры 3 между седлом 5 и соплом 6 образован кольцевой канал 8,Форсунка пневматическая работает следующим образом,Сжатый воздух по патрубку 4 поступает в воздушную кольцевую камеру 3. а затем в стык между сопрягаемыми поверхностями сопла 6 и седла 5. При прохождении потока воздуха между жестким коническим седлом 5 и эластичным коническим...

Номер патента: 1767600

Опубликовано: 07.10.1992

Авторы: Нисневич, Пиянзов, Томецкий, Третьяков, Федоров

МПК: H02G 15/08

Метки: кабелей, многожильных, муфта, соединения

...поверхностью, разъемной в продольном направлении, каждый элемент, установленный с внешней стороны, выполней с продольным сквозным отверстием и скреплен со втулкой, при этом цилиндрическое кольца выполнены с длйной, обеспечивающей при их сомкйутомположении перекрытие втулки по всей длине, и с продольными пазами на внутренней поверхности, соответствующими продольными пазами крайних частей,На фиг. 1 показан общий вид муфты; на фиг. 2 - сечение по А-А.Муфта для соединения многожильных кабелей содержит центральную часть опор.ного приспособления, выполненную за одной целое с ее крайними частями в виде полой втулки 1 со ступенчатой наружной поверхностью (в средней части диаметр меньше чем по краям), Втулка 1 изготовлена из...

Номер патента: 1767188

Опубликовано: 07.10.1992

Авторы: Авижа, Клуссон, Нисневич, Петрусевич, Серегин, Френкель, Шишков

МПК: E21D 11/10, E21D 13/04

Метки: выработок, горных, креплении, подачи, составов

...такого движения возникают неуравновешенные силы, передающиеся через статор 2 на бункер 3.В известной конструкции динамические усилия воспринимаются жесткой рамой,которая препятствует развитию колебания.В предлагаемой конструкции упругие опоры 8 и 9 способствуют развитию вынужденных колебаний бункера 3 с находящимся в нем перекачиваемым составом, а винтовой насос играет роль источника вынужденныхх колебаний.Конструкция опор 8 и 9 и их симметричное расположение относительно оси статора 2 обусловили то, что колебания бункера направлены перпендикулярно оси статора и вокруг этой оси. А так как источник колебаний находится в непосредственной близости к нижним опорам 9, их деформация значительно превосходит деформацию опор 8, что приводит к...

Номер патента: 1762382

Опубликовано: 15.09.1992

Авторы: Гусев, Нисневич

МПК: H03B 19/00

Метки: дискретной, сетки, синтезатор, частот

...счетчика 15 осуществляется последовательное программирование всех ДПКД 4, 5, 10, 11 первого и второгоконтуров ФАПЧ 3, 9,5 Распределение коэффициентов деления осуществляется в соответствии с выражениями (1) - (3) следующим образом,Область(1), Первый и третий ДПКД 4, 10программируются для деления на Х, второй10 ДПКД 5 - на(Х+1) или(Х); четвертый ДПКД11 - на (Х) или (Х+1). Для такого распределения коэффициентов деления Х - 1215 твых = 1 огХ(7) Область (2), Второй и четвертый ДПКД 5, 11 программируются для деления на Х:первый ДПКД 4 - на (Х+1) или (Х), третий ДП КД 10 - на (Х) или (Х+1), Для такого распределения коэффициентов деления 25 Х вых=аког Х - 1 г(8) Область (3), Все ДПКД 4, 5, 10, 11 программируются для деления на Х,30 В...

Номер патента: 1761589

Опубликовано: 15.09.1992

Авторы: Козаков, Мельников, Нисневич, Пиянзов, Поливанов, Третьяков

МПК: B63G 8/41

Метки: аппарата, модуля, платформы, погружной, подводного, самоходного, стыковки

...кабеля 5, На гнездо 6 снаружи оперты защелки 7,8 и 9, снабженные зубчатыми секторами 13,14 и 15, находящимися во внутреннем зацеплении с зубчатым венцом 16, связанным с приводом поворота 17 защелок 7,8 и 9,Каждая защелка 7,8 и 9 может поворачиваться вокруг своей оси 18,19 и 20, установленных на диске 21 и входящих в отверстия, в крышке 22, в которой выполнены два паза "а" и два паза "б". Лазы "а" предназначены для размещения в них штырей 23 и 24, ввернутых в венец 16, а пазы "б" - штырей 25 и 26, также ввернутых в венец 16. Венец 16 при помощи фигурного рычага 27 связан с приводом поворота 17, Штыри 23 и 24 соединены со штоками 28 и 29, связанными с пружинами 30 и 31. Эти пружины создают на венце 16 крутящий момент, Пружины...

Номер патента: 1759357

Опубликовано: 07.09.1992

Авторы: Каранов, Мельников, Нисневич, Пиянзов, Третьяков

МПК: A01K 61/00, A01K 79/00

Метки: наблюдения, объектами, подводными

...на фиг.2 - верхняя часть трубы (узелна фиг.1); на фиг.3 - сечение А - А на фиг.2,Устройство для контроля и наблюдения за подводными объектами содержит корпус в виде трубы 1, источник питания 2, например электрогенератор, расположенный на поверхности воды (понтоне, обеспечивающем судне и т.п,), смонтированные на трубе 1 контролирующий прибор 3 и светильник 4, подключенный к источнику питания 2. В качестве контролирующего прибора 3 может 5 10 15 20 25 быть использован фотоаппарат, телекамер; или приборы анализа параметров воды- химсостава, температуры, плотности и т.п Устройство снабжено направляющим тро сом 5 и смонтированной на нем посредст вом втулок б с возможностью перемещени. опорной рамой 7. Направляющий трос 5 со единяет подводный...

Номер патента: 1756907

Опубликовано: 23.08.1992

Авторы: Нисневич, Пиянзов, Симонов

МПК: G06G 7/48

Метки: моделирования, поля, физического

...аОднако известное устройство не пааво- вывод па:ледней из них подквочен к выхоляет моделировать физическое йоле, в част- ду генератора 1. переменного напряжения ности аэродинамическое йале тел, 45 через переменный резистор 6 и амперметр трайспартируемых вертолетом, чта сужает 7, Цилиндрическиешайбы 4 имеют различега функцибнальные возможности ный диаметр и нанизаны на горизонтальныйЦелью изобретения является расшире- . стержень 8, установленный на вертикальниефункциональных вазможностей за счет ных стойках 9 и 10. Шайбы 4 собраны таким йсследования"аэродинамического поля те образам, что они создают тело, подобное ла, транспортируемого вертолетом под уг- телу, транспортируемому вертолетом, Влом к вектору скорости, - . "шайбы 4,...

Номер патента: 1752848

Опубликовано: 07.08.1992

Авторы: Мельников, Нисневич, Пиянзов, Третьяков

МПК: E02B 1/00

Метки: открытого, параметров, потока, русла

...гибкой связью 2 с якорем 3маркированные поплавки 4, На канате1 предварительно наносят маркировку,позволяющую определить длину егоучастка, погруженную в воду, Маркировку каната 1 производят с помощьюналожения марок, узлов или нанесением полос красителем, Маркированные, Скорость потока на участке между двумя соседними фиксированными глубинами определяют по следующим зависимостям. ссч= ч;сЧг Ь+(и)ЛЬЗ - Чл-Ь+(и) Л Ь 1п= где 7- скорость потока на участке от поверхности воды допервого положения якоря,м/с;скорость потока на участкеот пдо и положений якоря,м/с- глубина первого положенияякоря, м;- шаг погружения якоря, м; - полученная при испытаниях вопытном бассейне скоростьнабегающего потока для д-гоучастка между соседними положениями...

Номер патента: 1735112

Опубликовано: 23.05.1992

Авторы: Ионычева, Мейлер, Мельников, Нисневич, Пиянзов

МПК: B63B 9/02, G01M 10/00

Метки: бассейне, испытания, моделей, объектов, опытовом, подводных

...вертикальные штанги 3 и 4, одна из которых подвижная установлена с возможностью перемещения по дуге и по вертикали относительно другой неподвижной штанги, а на конце штанги 3 при помощи прилива 5 установлен ролик 6 с заведенным на него тросом 7. В установку входят модель 8 подводного объекта (например, модель погружной платформы), включающая модель кабель-троса, выполненного в виде тросика 9, На раме 2 установлено вытравливающее устройство, состоящее из корпуса 10, в котором закреплены блоки 11 и 12 и стопорный узел 13, включающий в себя гнездо 14 с пружиной 15 и кнопкой 16, В вытравливающем устройстве закреплен конец тросика 9, соединенный с коренным концом модели подводного объекта, для чего он пропущен через блок 11, заведен в...

Номер патента: 1730546

Опубликовано: 30.04.1992

Авторы: Мейлер, Мельников, Нисневич, Пиянзов, Третьяков

МПК: G01M 10/00

Метки: воды, воздействия, моделирования, подводное, стендовая

...воэможность присоединения одним концом к модели, а другой конец которой уложен на подвесную платформу,На фиг. 1 показана стендовая установка, общий вид; на фиг. 2 - то же, вид сверху,Стендовая установка для моделирования воздействия воды на подводное устройство содержит гидролоток 1, в который погружены модель 2 подводного устройства и подвесная платформа, выполненная в виде горизонтального щита 3, закрепленного с возможностью изменения глубины его погружения Н. Для этого к щиту 3 в его углах прикреплены четыре вертикальные штанги 4, верхние концы которых закреплены на двух поперечных перекладинах 5 и 6. Перекладины 5 и 6 связаны между собой дугами 7 и 8, надетыми на винты 9 и 10, На бортах гидролотка 1 под дугами 7 и 8 установлены...