Патенты с меткой «кремниевой»

Номер патента: 107276

Опубликовано: 01.01.1957

Авторы: Неймарк, Свинцова, Шейнфайн

МПК: C01B 33/158

Метки: аэрогеля, кислоты, кремниевой

...ЭТР ОВЫМ сг(ирто 1, с дальнсйим цагрсванисм в автоклаве до критической )смпсрп 1 ры и ЛРп 3 лсцпц цс ццжс крцтцчсс .1 1 1) с Л л 51 Г 11 (.1 ) 1 ы й с и О с О и 0 3 в 0; я (. т ПГ ("(ТЬ (Э0 СГ 1 КРл 1 Ц(3 Р( 11 СЛО-1. бс 3 црцм(1ц и 51 автГ)г 111 В 13 прР 1 Т:(1 сфсРЦМ;1 ГПЗЛ СЦЦИ.( 3 ц;цсть сцсР 1;31 л 10 частс 51 В 131, 11 тсхц 11с ж 1,чкс ссло с удельным весом 1,18 пл 13 сргаОт обработке б-нормальн(.тм растворгд 1 серюй дастГ)т 1 и образующийся Гц,рогсг посл наступления си( . ( .цс 1 р 13.(1 аьци 1, Т)1111 аОТ ОГ эл "трл;и 13,б 135(5 цот трц(рсзол и:юлц( р 1) г цц:рог(ьцц, ля отгонки воды до температуры кипения трикрезола. ЗРТем изоыток трикрезола сгцц 3 цот ц рсзогсгь нагревают в .вафельной печи ло 300 с после,(у 1 ним...

Номер патента: 335823

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Австри, Вальтер, Иностранна, Иностранцы, Федеративна

МПК: C01B 33/12

Метки: кислоты, кремниевой, топкодисперсной

...выходящий из электродуговой печи и содержащий 3,8,кг/час окиси. кремния и 2,4 кг/час окиси углеродачерез нижнюю;камеру 40 мз/час, а через верхнюю - 96 Ячас водяного пара. Получают белый продукт, содержащий 10,9 вес. % кремнемуравьиной кислоты, насыпной вес 29 г/л, удельная поверхность 161 м/г.Пример 4. Опыт ведут по примеру 3, но применяют электроды с отверстиями, через которые в электрическую дугу подают б м/час водорода. Получают рыхлый белый продукт с 24,3 вес. %,кремнемуравьиной,кислоты, с насыпным вес. 18 г/л и удельной, поверхностью214 м/г.При мер 5. В электродуговую печь непрерывно подают 5,45 кг/час кварцевого песка и 1,09 кг/час кокса. В выходящий из печи газовый поток с температурой около 1500 - 2500 С, содержащий окись...

Номер патента: 582482

Опубликовано: 30.11.1977

Авторы: Герзон, Гульман, Диденко, Саможенков

МПК: G01N 27/00

Метки: анионитных, кислоты, концентрации, кремниевой, фильтрате, фильтров

...д С целью упрощени цию кремниевой кисл личине изменения пленки, образующейсятх спосо троля, п ефицитньконтро огы опре потенциа на ципко На участках 2 - 4 напря ко возрастает, это объясн 25 мере увеличения концентр рате (в различных формах ная ЯО) происходит изм го потенциала путем адсо кислоты на поверхности 30 да (образование силикатнНа фиг,во, реализу фиг. 2 изоб потенциало концентрац рате.схематически показано ощее предлагаемый сп ажена кривая изменени на электродах в завис и кремнивой кислоты устроистсоб; на разности тмости от в фильтИзобретение относится к химической обработке воды для тепловых электростанций, промышленных и коммунальных предприятий и может быть использовано для контроля степени истощения и сигнализации...

Номер патента: 613420

Опубликовано: 30.06.1978

Авторы: Корнилов, Мирошникова, Пятышев

МПК: H01J 9/20

Метки: кремниевой, крепления, пластины, узел

...круглый диск, с одной стопоны которого имеется полученный ионной пмплантагццей бора сцльнолегированалый прцповерхностный слой 2, служаций сигнальной пл аст ной.На поверх 11 ость крецсво;1 и,1 аст 11 гы со стороны сильнолегированного слоя, вакуумным напылением нанесен слой никеля 3, толщиной 2 - 3 к,1, который обеспечивает хорошую адгезию всей металлцзаццц к поверхности крем ния. На слой никеля нанесен слой меди 4, толщиной 0,5+1 мк 1, обеспечивающий хорошую адгезию серебряного слоя 5, Серебряное покрытие кремниевой пластины ц молцбденового основания, полученное гальваническим способом, растворяется припоем 6 индий-серебро ц образует прочный паяцый шов, на основе твердого раствора индий-серебро, термостойкостью выше 450 С. Слой меди...

Номер патента: 622185

Опубликовано: 30.08.1978

Авторы: Антипова, Дворников, Морозов, Санин

МПК: H01J 9/20

Метки: диодно-мозаичной, кремниевой, мишени, передающей, телевизионной, трубки

...раздела В, -"51 0 в результате чего вместо ненасы 2 гшенных связей кремния, ответственныхза быстрые поверхностные состояния, образуются связи 5 т - Н . При достаточнойдлительности такого отжига практическиполностью гасятся быстрые поверхностЗаказ 4970/2 Тираж 960 ПодписноеЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССРпо делам изобретений и открытий113035, Москва, Ж, Раушская набд. 4/5 Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул, Проектная, 4 ные состояния и граница разделаб.50 достигает состояния равновесия.При проведении высокотемпературногооотжига (800-900 С) в атмосфере водо.рода также образуются связи Я-Н, но с меньшей вероятностью, и при малой длительности отжига эффект снижения плотноств быстрых поверхностных состояний...

Номер патента: 738995

Опубликовано: 05.06.1980

Авторы: Комогорцев, Рафиенко

МПК: C01B 33/12

Метки: активной, кислоты, кремниевой

...за степенью3738995нейтрализации щелочи осуществляют поокраске фенолфтапеина, или путем измерения рН нейтрализованного раствора (рН=7-10,0),Полученный раствор кремневой кислотй вызревает,время вызревания кремневой кислоты контролируют по мутностираствора на нефепометре, Затем послевызревания раствор кремнекислоты дополнительно обрабатывают кислЫм ревгентом 10до достижения постоянного рН в пределахот 2 до 0;8, В качестве кислого реагента может использоваться побая кислота,ипи соль, а также вещества, которые прирастворении образуют сильно диссоциируемую кислоту. Полученный таким образораствор активной кремнекислоты можетиспользоваться в качестве фпокупянта,ф2,8-0,5. ЭФфективность полученной активной кремнекиспоты проверялась в...

Номер патента: 1162752

Опубликовано: 23.06.1985

Авторы: Антонова, Вовк, Гаврилюк, Кретив, Огенко, Павлов, Солоный, Стась, Чуйко, Шейнфайн

МПК: C02F 1/60

Метки: кислоты, кремниевой, растворов

...и открытий113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5 Подписное Филиал ППП "Патент", г.ужгород, ул,Проектная, 4 1 11627Изобретение относится к способам очистки воды от кремниевой кислоты и может быть использовано для очистки промышленных рабочих растворов, сточных вод химической промыш ленности.Цель изобретения - повышение степени очистки.П р и м е р 1 известный способ). Исходный раствор подкисляют минеральО ной кислотой до концентрации 4 моль/л нагревают до 80 фС и выдерживают при этой температуре в течение часа. Затем в раствор вводят поливинилпирролидои из расчета 0,1 г/л и снова цо выдерживают раствор при 80 С в течение часа. Раствор отделяют от осадка путем декантации. Остаточная концентрация кремнекислоты 50-100 мг/л.П р и м е р 2. К...

Номер патента: 1275265

Опубликовано: 07.12.1986

Авторы: Толмачева, Шкробот

МПК: G01N 25/12, G01N 31/00

Метки: кислоты, кремниевой

...мин, охлаждают и затем вьпцелачивают водой(80 мл) в стакане из стеклоуглерода при нагревании на горячей плите. 20После охлаждения раствор нейтрализуют серной кислотой (20 мл, 1:1),а затем переносят в мерную колбуна 250 мл, доводя до метки водой,и перемешивают. 2Через 1,5 - 2,0 ч отбирают аликвотную часть (5 мг), добавляют 5 млводы, две капли фенолфталеина, нейтрализуют5 мл 47.-ного растворагидроксида натрия до появления розового окрашивания.Добавляют несколько капель 05 н,раствора серной кислоты до обесцвечивания раствора, приливают .5 млсерной кислоты и 5 мл 57.-ногораствора молибдата аммония, перемешивают и отстаивают 10 мин.Затем добавляют 14 мл 80 н. сернойкислоты, вводят 5 мл 0,67-ного раствора хлорида титана,...

Номер патента: 1321676

Опубликовано: 07.07.1987

Авторы: Заикин, Крупенко, Лебеденко, Семке, Якимцев

МПК: C01B 33/12

Метки: кислоты, кремниевой, тонкодисперсной

...этого осадка 6348,0 кг/чсмешивают с потоком 31740 кг/ч 1) =83,37.) разжиженной суспензии, иэту смесь подвергают гидромеханической обработке в дисковой мешалке прискорости рабочих срганов 15 м/с в течение периода времени (мин), определяемого соотношением7(10-ЯЗ 3) 1- 83,3 - поток разжиженногоосадка, возвращаемыйна гидромеханическуюобработку,;14 - содержание твердой фазы 5в осадке,;15 - окружная скорость дисковой мешалки, м/с.На выходе из мешалки суспензия имеет вязкость 3-4 сП и практически не 10 изменяется в течение 5-6 ч. Часть ее потока (16,7 .) направляют на распы - лительную сушку, а остаток (83,3%) на смешение с потоком влажного осадкаВ сушилке суспензия распыпяется 15 в потоке теплоносителя с температурой 773 К и высыхает с...

Номер патента: 1421256

Опубликовано: 30.08.1988

Авторы: Петер, Рудольф

МПК: C01B 33/18

Метки: кислоты, кремниевой, пирогенной

...входят со скоростью 65,4 М/си сгорают после воспламенения их пламенем. Количество водорода в оболочке 0,36 м /ч.Горячие продукты реакции зоны пламени всасываются в охлаждающую камеру. Удельная поверхность по БЭТ полу"2ченной кремниевой кислоты 333 м /г,35Вязкость ненасыщенного полиэфирного дтестового лака, сгущенного этим продуктом, составляющая 7 595 мПа, необычайно высока.В основной массе зубной пастыдостигают сгущения в 4 300 мПа. Крем 40ниевая кислота очень хорошо диспергируется в основной массе, Гомогенность сгущенной основной массы такж.хорошая. Нет твердых спекшихся частиц. При многодневном хранении сгу 45щенной основной пасты получается ещебольшее сгущение которое достигается более 6000 мПа.П р и м е р 2, Так же, как в примере...

Номер патента: 1465739

Опубликовано: 15.03.1989

Авторы: Головчанский, Марченко

МПК: G01N 1/28, G01N 23/225

Метки: исследований, кремниевой, микроскопических, нанесенных, образцов, пленок, поверхность, подложки, приготовления, электронно

...комбинат "Патент", г.ужгород, ул, Гагарина,101 3 14657 к мнатной температуре является насыщ иным),При температуре раствора менее Зф С увеличивается продолжительностьо процесса, а использование раствора с температурой более 80 С приводит к растворению,самой отделяемой пленки.В таблице приведены результаты р ализации способа приготовления о разцов при различных параметрах п оведения процесса.П р и м е р. Проводят отделенир пренки ниобия (%) толщиной 1000 А,апыленной на кремниевую подложку (100) в 453-ном растворе КОН при 65 С. Время отделения пленки составет около 5 мин при скорости растрения самой пленки .60-70 А/мин. осле отделения с помощью специальой сетки кусочки пленки помещают в стиллированную воду. Свертыванияки не...

Номер патента: 1526580

Опубликовано: 30.11.1989

Авторы: Джеймс, Том

МПК: C01B 33/04

Метки: катализированной, кремниевой, массы, медью, реакционной

...см) при 320 С дительность по метилхлорси свободно ,56 мас.7 лава.имог в пол уче го иамет ану(72) Джеймс ГербертЭнок Велз 111 и Том К(56) Патент США к 238кл, 260-448.2, 194 1. Изобретение относится колучения кремниевой реакци используемой в произво беэ непосредственнс дымовыми газамивиях: температурамассы 1200 г/ч; вь1030 г/ч; загрузкавремя пребывания 64800 см /мин; скор(0,018 м/с; Н.СцОПолученную реакают из печи и под при следу1000 С згрузка мапечи 5,31 мин, поость газа- 30:1.ционную мвергают а1526580 Формула изобретения Составитель Т.Чиликина Редактор М.Циткина Техред М,Ходанич Корректор С.ЧерниЗаказ 7250/59 Тираж 435 ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж, Раушская...

Номер патента: 1578238

Опубликовано: 15.07.1990

Авторы: Балюк, Полухин, Попов, Середин

МПК: C30B 19/02, C30B 29/06

Метки: кремниевой, структуры

...на основе алюминия толщиной40 мкм. Перекристаллиэацию пластиныис очника путем перемещения расплавленной роны осуществляют в течение2 ч при температуре 1200 С в поле температурного градиента. Затем полученную структуру охлаждают до комнатнойтемпературы .и сошлифовывают слой толщиной 30 мкм со стороны выхода эоны. Полученная структура и-р состоит из пластины-подложки (и-слой) и перекристаллизованной на ней.пластины- источника (р -слой), Перекристаллизо-. ванный слой однороден по электрофизическим параметрам (разброс удельного сопротивления по площади не превышает 47). Плотность дислокаций в нем-2составляет 8 10 смПредлагаемый способ обеспечивает получение .кремниевых структур,в которых в перекристаллиэованных областяхотсутствуют...

Номер патента: 1686041

Опубликовано: 23.10.1991

Авторы: Балюк, Вахер, Габова, Крыжановский, Середин

МПК: C30B 19/02, C30B 29/06

Метки: кремниевой, структуры

...р - и-переход большой площади и высоколегированные приповерхностные области, что позволяет создавать в дальнейшем хороший омический контакт.П р и м е р 2. На кремниевые пластины диаметром 76 мм наносят такой же фоторезист с добавкой диффузанта, как в примере 1, толщиной 1 мкм; на пластину-подложку и-типа фоторезист-диффузант, содержащий в качестве легирующего элемента фосфор, а на пластину-источник р-типа фотореэист-диффузант, содержащий бор. Затем формируют композицию пластина-подложка-источник, располагают ее в нагревательное устройство, где при 1000 С торца композиции методом капиллярного втягивания формируют алюминиевую зону толщиной 50 мкм, Для создания такой зоны берут навеску алюминия массой 560 мг, после чего повышают...

Номер патента: 1791469

Опубликовано: 30.01.1993

Авторы: Агаджанян, Громова, Зубков, Канакова, Ламберов, Лиакумович, Храмова

МПК: C01B 33/141, C25B 1/00

Метки: золя, кислоты, кремниевой

...ионообменной смолой КУв Н-форме. Раствор пропускают через Н-катионит под давлением 202 кПа, При этом происходит замена ионов натрия на ионы водорода с образованием кремневой кислоты с рН=2,8-3,0 которую собирают в сборник. РегенераЦию катионита проводят 6-8; раствором серной кислоты. Промывные воды, содержащие сульфат натрия и серную кислоту сливают в нейтрализатор. Ионообменная смола забивается кремнегелем и растрескивается, поэтому ее регенерация является длительным и трудоемким процессом и сопровождается потерей части катионита. Конечный продукт - золь кремневой кислоты с модулем Я 102/йа 2 О=85, Производительность установки 0,5 кг/час (в пересчете на 400-ный золь кремневой кислоты),П р и м е р 2 (прототип). Процесс проводят в...

Номер патента: 1422957

Опубликовано: 15.10.1993

Автор: Романов

МПК: C30B 29/06, C30B 33/04

Метки: кремниевой, кристаллической, пленки

...аморфного Р толщиной 80 нмв реакторе пониженного давлению посредством разложения моносилана при 580 С,Облучение осуществляют ионами 75 Аз+с энергией 16 кэВ дозами 10-5 105 смЗОпри температуре аморфной пленки, изменяемой от ЗОО до 700 С,С помощью метода дифракции быстрыхэлектронов на отражение исследуют структуру пленок. 35Полученные данные сведены в таблицу. Как видно из таблицы, начиная от температуры 500 ОС и выше, в аморфной пленке под действием ионов Аз образуются ориентированные по с 110 направлению кристаллические зародыши. В результате получены кристаллические пленки с осью текстуры110, параллельной направлению пучка ионов.Далее проводят второе облучение ионами 31 с энергией 60 кэВ дозой 5 1016 см. при температуре кристалла,...

Номер патента: 1400019

Опубликовано: 30.09.1994

Авторы: Максимов, Михайлова, Соловьева

МПК: C03C 8/24

Метки: герметизации, головок, интегральных, кремниевой, магнитных, подложке, стекло

СТЕКЛО ДЛЯ ГЕРМЕТИЗАЦИИ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МАГНИТНЫХ ГОЛОВОК НА КРЕМНИЕВОЙ ПОДЛОЖКЕ, включающее B2O3, ZnO, GeO2, PbO и оксид ниобия, отличающееся тем, что, с целью повышения устойчивости к кристаллизации, в качестве оксида ниобия оно содержит Nb2O5 и дополнительно V2O5, Al2O3, Bi2O3 и Ta2O5 приследующем соотношении компонентов, мас.%:Ba2O3 15-20ZnO 22,8-35GeO2 15-21,5PbO 0,1-4Nb2O5 0,2-5V2O5 22,2-30,5Al2O3 3-6Bi2O3 0,1-5

Номер патента: 1602279

Опубликовано: 27.08.1995

Авторы: Абрамян, Мелкумян, Мкртчян, Петросян

МПК: H01L 21/28

Метки: контактов, кремниевой, подложке

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ КОНТАКТОВ К КРЕМНИЕВОЙ ПОДЛОЖКЕ, включающий вакуумное напыление алюминиевой пленки, формирование контактной площадки и термокомпрессионную сварку золотого микропровода с контактной площадкой, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности контактов, после напыления алюминия, не нарушая вакуума, на поверхность алюминиевого слоя напыляют слой меди толщиной 500 3000 .

Номер патента: 1611151

Опубликовано: 10.04.1996

Авторы: Абрамян, Есаян, Мкртчян, Петросян

МПК: H01L 21/00

Метки: золото-алюминий, контакта, кремниевой, подложке

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ КОНТАКТА ЗОЛОТО-АЛЮМИНИЙ НА КРЕМНИЕВОЙ ПОДЛОЖКЕ по авт. св. N 152975, отличающийся тем, что, с целью увеличения выхода годных и надежности приборов, перед напылением меди алюминиевый слой выдерживают в течение 5 10 мин не нарушая вакуума.

Номер патента: 1623492

Опубликовано: 20.06.2000

Автор: Мишанин

МПК: H01L 21/28

Метки: кремниевой, соединения, структуры, термокомпенсатором

Способ соединения кремниевой структуры с термокомпенсатором, включающий помещение припоя между кремниевой структурой и термокомпенсатором, нагрев до расплавления припоя, выдержку и охлаждение, отличающийся тем, что, с целью увеличения напряжения пробоя за счет улучшение качества соединения, охлаждение осуществляют со скоростью 0,2...1,5oC/мин.