Силовой быстровосстанавливающийся диод

Описание

Силовой быстровосстанавливающийся диод, содержащий в базовой области рекомбинационную примесь, концентрация которой уменьшается от эмиттера вглубь базы, отличающийся тем, что, с целью уменьшения коммутационного перенапряжения и обратного тока утечки при сохранении нагрузочных характеристик в проводящем состоянии, в качестве рекомбинационной примеси вводят платину, распределение концентрации которой удовлетворяет следующим условиям:
;
0,3 NB Npt(xj) NB,
где Npt(xj) концентрация атомов платины в базовой области у p-n-перехода;
Npt(w) концентрация атомов платины в конце базовой области;
NB концентрация основных носителей в базе.

Заявка

3500771/25, 18.10.1982

Всесоюзный электротехнический институт им. В. И. Ленина

Дерменжи П. Г, Асина С. С, Юдицкий С. Б, Белоногова Л. Ю, Кузьмин В. Л, Уверская Т. А, Рухамкин В. М

МПК / Метки

МПК: H01L 29/36, H01L 29/86

Метки: быстровосстанавливающийся, диод, силовой

Опубликовано: 20.06.2000

Код ссылки

<a href="https://patents.su/0-1101098-silovojj-bystrovosstanavlivayushhijjsya-diod.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Силовой быстровосстанавливающийся диод</a>

Похожие патенты