Способ полирования монокристаллов дифторида бария и травитель для полирования монокристаллов дифторида бария

Номер патента: 55430

Опубликовано: 01.01.1939

Автор: Терентьев

МПК: B24B 55/00

Метки: выполнения, конвейерных, полировальников, полирования, станках, стекла, устройства, форма

...и собирания с поверхностей полировальников грязи.В предлагаемом устройстве прорезы для снятия и собирания с поверхности полировальников грязи образованы подлежащими полированию стеклянными листами, укладываемыми с этой целью на вагонетке с промежутками.На чертеже фиг. 1 изображает вид сбоку вагонетки с устройством для очистки полировальников в кон. вейерных столах для полирования стекла; фиг. 2 - вид ее сверху,На рабочий стол вагонетки 7, обычных для данного конвейера размеров, настилается стекло иным способом, чем обычно на всех других столах.Два стекла 3 укладываются с промежутками поперек стола, два стекла 4 с промежутками вдоль стола, Стекла закрепляются на столе лишь по углам при помощи гипсовой замазки 2 и 1 и деревянных распорок...

Номер патента: 784635

Опубликовано: 30.01.1982

Авторы: Дмитриева, Луфт, Свердлин, Хусид

МПК: H01L 21/306

Метки: антимонидов, галлия, индия, полирования, травитель, химического

...зеркально гладкой поверхности антимонидов индия и галлия без окисной пленки,Поставленная цель достигается тем, что травитель для химического полирования антимснидов индия и галлия, содери(ащцй плавиковую кислоту, перекись водорода и воду, дополнительно содержит молочную кислоту при следующем соотношении компонентов (вес. ): НГ1.120,МолочнаялотаВода 2 - 10 кис 30 - И Остальное.При использовании составов травптеля вне указанных пределов содержания компонентов качество обрабатываемой поверхности значительно ухудшается. Введение в состав травителя молочной кислоты, которая такие, как и плавиковая кислота, образует с сурьмой в кислых растворах растворимые комплексные соединения, обеспечивает получение зеркально гладкой поверхности...

Номер патента: 1074327

Опубликовано: 30.09.1986

Авторы: Бакланов, Колесникова, Репинский, Свешникова

МПК: H01L 21/306

Метки: кремния, травитель

...скорости травлениякремния.При Се6 Е в области темпераотур 35-40 С увеличивается скоростьразложения дифторида ксенона и процесс становится нестабильным.П р и м е р. Раствор травителяготовят растворением навесок дифторида ксенона в ацетонитриле. Определение времени разложения дифторидаксенона и травление монокристалловкремния проводят в тефлоновом реакторе при непрерывном перемешиваниираствора травителя. Температуру травителя задают и поддерживают постоянной с помощью ультратермостата И.Определение времени разложения днфторида ксенона проводят периодическим титрованием проб раствора иодометрическнм методом.В таблице приведены времена полуразложения дифторида ксенона (с, ),растворенного в воде и ацетонитриле.Как видно из таблицы, растворы...

Номер патента: 1292882

Опубликовано: 28.02.1987

Авторы: Ларин, Попко, Тейковцев, Хандюк

МПК: B21D 43/13

Метки: возможностей, выдачи, выполнен, металлоемкости, механизм, отличающейся, поштучной, расширения, снижения, тем, технологических, толкателем, целью, что

...для посадки в гнездо поворотного стола и верхней планки 43 с вырезом по форме заготовки и пазом.Нижнее основание 4 с верхней планкой 43 соединено четырьмя круглыми стяжками 44. Для направления заготовок вертикальной плоскости между основанием 41 и верхней планкой 43 установлены круглые направляющие 45 с эксцентричными цапфами для регулировки зазора. Количество и расположение направляющих зависит от конфигурации детали, Для подачи заготовок с помощью ползунов 25 на круглые стяжки 44 установлена передвижная планка 46, которая средней частью поднимает заготовки, а выступающими концами опирается на выступ ползуна 25. Планка 46 установлена в каждом магазине 6. В магазины укладываются плоские заготовки, имеющие различную конфигурацию и...

Номер патента: 1693908

Опубликовано: 27.08.1995

Авторы: Бушуева, Захарюгина, Зверева, Петров

МПК: C30B 29/22, C30B 9/12

Метки: бария, гексаферрита, материал, монокристаллический, основе

МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИЙ МАТЕРИАЛ НА ОСНОВЕ ГЕКСАФЕРРИТА БАРИЯ, содержащего добавки цинка и марганца, отличающийся тем, что, с целью увеличения температуры Кюри, повышения за счет этого термостабильности рабочей частоты и расширения частотного диапазона при сохранении узкой ширины кривой ферромагнитного резонанса, материал дополнительно содержит никель и имеет соотношение компонентов, соответствующее кристаллохимической формулеBa2 Zn2-x-yNix MnyFe12O22,где x 0,2 0,35;y 0,2 0,3.