H01L 21/365 — с использованием разложения газовых смесей с выходом твердого конденсата, т.е. химическое осаждение

Номер патента: 344777

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Пахомов, Попова, Тизенберг, Шевцов

МПК: H01L 21/365

Метки: полупроводниковыхприборов

...с различными коэффициентами диффузии до концентраций примесей, разность которых превышает по крайней мере два порядка.В процессе дальнейшей диффузии примесей из выращиваемого эпитаксиальцого слоя в исходцый полупроводниковый материал (подПроцесс осуществляют следующим образом.На пластине германия р-типа проводимости с базовым соединительным слоем г-типа проводимости известными методами фотолитографии и маскирования гермацця, например пленкой ЬЮа, локально путем, например, травлеция в газообразцом НС 1 создают окца (углублеция) для эмиттера, в которые эпитаксцальцо осаждается, например, хлоридцым методом монокристаллический слой германия, легированный в процессе эпитаксиальцого осаждения акцепторцой примесью, например бором,...

Номер патента: 774462

Опубликовано: 20.06.2000

Авторы: Асадов, Бахышев, Исмаилов, Максимов, Марончук, Соловьев

МПК: H01L 21/365

Метки: галлия, пленок, полупроводниковых, халькогенида

Способ получения полупроводниковых пленок халькогенида галлия в открытой газотранспортной системе с использованием жидкого источника галлия, включающий взаимодействие галогенсодержащего вещества с галлием, транспортирование галогенида галлия в зону роста, подачу в зону наращивания элемента VI группы потоком газа-носителя и наращивание монокристалла на подложку, отличающийся тем, что, с целью упрощения технологии и улучшения качества пленок, наращивание осуществляют в системе HCl-Ga-Se-H2 при температурах зон источников галлия и селена 400 - 600oC и 230 - 300oC соответственно, температуре зоны наращивания 700 - 750oC, потоке водорода над источником...