Описание

Фотодиод, содержащий полупроводниковую структуру p+-n-n+-типа или p+-p-n+-типа с участком для доступа света, расположенным на свободной от электрических контактов поверхности n-слоя или p-слоя, отличающийся тем, что, с целью обеспечения возможности измерения абсолютной интенсивности широких пучков света при сохранении внутреннего квантового выхода, близкого к единице, свободная поверхность для доступа света образована плоскостью, расположенной под углом к плоскостям p+-n- или p-n+-переходов, или в виде углубления сферической формы с радиусом R со стороны слоя, имеющего тот же тип проводимости, что и средний слой, при этом должны выполняться следующие соотношения:



D = 1,1L,
L2/4d < R < 103d,
где d - толщина n- или p-слоев;
- внутренний квантовый выход;
- коэффициент поглощения света;
L - ширина или диаметр облучаемого участка;
N - концентрация примеси в среднем слое;
R, D - радиус кривизны и диаметр основания сферического сегмента;
A - (4 - 6) 1012 см-2;
gs = 1,1 эВ - константы, характерные для Si и Ge;
g - ширина запрещенной зоны полупроводникового материала фотодиода.

Заявка

4414123/25, 22.04.1988

Всесоюзный электротехнический институт им. В. И. Ленина

Кюрегян А. С, Шлыгин П. Н

МПК / Метки

МПК: H01L 31/0232

Метки: фотодиод

Опубликовано: 20.06.2000

Код ссылки

<a href="https://patents.su/0-1512430-fotodiod.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Фотодиод</a>

Похожие патенты