Бротиковский

Номер патента: 1436429

Опубликовано: 10.07.2000

Автор: Бротиковский

МПК: C03B 1/00, C03C 17/10

Метки: низкотемпературных, покрытий, стекловидных

Способ получения низкотемпературных стекловидных покрытий путем приготовления водного раствора солей стеклообразующих компонентов и кремниевой кислоты, осаждения гидрооксидов раствором аммиака, просушивания полученного осадка, растирания, нанесения покрытия и оплавления, отличающийся тем, что, с целью повышения защитно-пассивационных характеристик, в качестве солей стеклообразующих компонентов используют хлориды.

Номер патента: 1535272

Опубликовано: 27.06.2000

Авторы: Бротиковский, Минков

МПК: H01L 21/78

Метки: высоковольтных, диодов, изготовлении, кремниевых, мезаструктур, формирования

Способ формирования мезаструктур при изготовлении кремниевых высоковольтных диодов, включающий изготовление на полупроводниковой пластине диффузионной структуры с р-n переходом контактов, нанесение защитной маски, формирование мезаструктур путем надрезания пластины алмазным диском с последующим химическим травлением по образованным надрезам, отличающийся тем, что, с целью увеличения выхода годных приборов с повышенными значениями обратных пробивных напряжений, надрезание осуществляется со стороны n-слоя структуры с частотой вращения диска от 20 до 50 тыс.об/мин со скоростью подачи от 1 до 30 мм/с при толщине алмазной режущей кромки от 150 до 400 мкм и величине алмазного зерна от 0,5 до 20...

Номер патента: 1340484

Опубликовано: 27.06.2000

Автор: Бротиковский

МПК: H01L 21/28

Метки: защищенных, мезаструктур, никелирования, пленками, свинцово, силикатными, стекловидными

Способ никелирования мезаструктур, защищенных свинцово-силикатными стекловидными пленками, включающий активацию поверхности структур в золотосодержащем активаторе и химическое осаждение никеля, отличающийся тем, что, с целью уменьшения себестоимости приборов, после активации мезаструктуры обрабатывают в кипящей азотной кислоте.

Номер патента: 1410776

Опубликовано: 20.06.2000

Автор: Бротиковский

МПК: H01L 21/316

Метки: защиты, исходного, покрытий, полупроводниковых, приборов, свинцово-силикатных, стекловидных

Способ получения исходного материала для изготовления свинцово-силикатных стекловидных покрытий для защиты полупроводниковых приборов, включающий приготовление водного раствора солей стеклообразующих компонент, основным из которых является свинец, и кремниевой кислоты, осаждение водным раствором аммиака гидрооксидов, просушивание и растирание осадка, отличающийся тем, что, с целью улучшения защитно-пассивационных характеристик покрытий путем повышения гомогенности процесса стеклообразования, свинец вводят в раствор солей стеклообразующих компонент в виде его ацетата.

Номер патента: 1056815

Опубликовано: 20.06.2000

Автор: Бротиковский

МПК: H01L 21/316

Метки: защитных, кремния, пленок, поверхности, свинцово-силикатных

Способ изготовления защитных свинцово-силикатных пленок на поверхности кремния, включающий нанесение на поверхность кремния слоя порошка окиси свинца, оплавление порошка и последующий отжиг пленки при 500oC, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности свойств пленок путем управления их составом, порошок окиси свинца наносят слоем толщиной 0,06 - 0,5 мм, а оплавление проводят при 750 - 900oC в течение не менее одного часа.

Номер патента: 1384112

Опубликовано: 20.06.2000

Автор: Бротиковский

МПК: H01L 21/316

Метки: низкотемпературных, покрытий, стекловидных

Способ получения низкотемпературных стекловидных покрытий для защиты полупроводниковых приборов, включающий приготовление водных растворов азотнокислых солей стеклообразующих компонентов кремниевой кислоты, аммиака, сливание растворов, просушивание и растирание образующегося осадка в порошок, нанесение и оплавление слоя порошка на поверхности полупроводниковых приборов, отличающийся тем, что, с целью повышения защитно-пассивационных характеристик покрытий путем повышения гомогенности осадка, растворы сливают в следующей последовательности: раствор кремниевой кислоты, раствор аммиака, раствор азотнокислых солей - стеклообразующих компонентов.

Номер патента: 1316501

Опубликовано: 20.06.2000

Автор: Бротиковский

МПК: H01L 21/316

Метки: защиты, исходного, низкотемпературных, поверхности, покрытий, полупроводниковых, приборов, стекловидных

Способ получения исходного материала для изготовления низкотемпературных стекловидных покрытий для защиты поверхности полупроводниковых приборов, включающий приготовление водного раствора азотнокислых солей стеклообразующих элементов, введение в раствор двуокиси кремния, приливание водного раствора аммиака до получения осадка гидроокисей, просушивание и растирание осадка, отличающийся тем, что, с целью улучшения защитно-пассивационных характеристик покрытий путем повышения гомогенности осадка, двуокись кремния вводят в водный раствор азотнокислых солей в виде водного раствора кремниевой кислоты.

Номер патента: 1085442

Опубликовано: 20.06.2000

Авторы: Ахтман, Бротиковский, Павлынев

МПК: H01L 21/316

Метки: меза-структур, полупроводниковых

Способ изготовления полупроводниковых меза-структур, включающий проведение фотолитографии и химического изотропного травления на глубину h, создающих выпрямительные меза-элементы, и защиту меза-элементов стекловидными пленками, отличающийся тем, что, с целью повышения пробивных напряжений меза-элементов, операцию фотолитографии проводят с использованием фотошаблона, рисунок которого представляет собой n дорожек (при n > 1) шириной h и расстоянием между центрами дорожек, равным +2b, где h/2...

Номер патента: 1200778

Опубликовано: 10.06.2000

Авторы: Бротиковский, Зайцев, Курцин, Рыбак

МПК: H01L 21/308

Метки: защищены, которых, кремниевых, никелирования, поверхности, полупроводниковых, свинцово-силикатными, стеклами, структур, участки

Способ никелирования кремниевых полупроводниковых структур, участки поверхности которых защищены свинцово-силикатными стеклами, включающий селективное травление поверхности структур через защитную маску, промывку в деионизированной воде, активацию поверхности в золотосодержащем растворе и химическое осаждение никеля, отличающийся тем, что, с целью повышения процента выхода годных приборов, после селективного травления структуру подвергают дополнительной ультразвуковой отмывке в 10 - 30%-ном водном растворе уксусной кислоты и все процессы отмывки и активации структуры проводят при сохранении на ее поверхности защитной маски.

Номер патента: 1578901

Опубликовано: 07.09.1991

Авторы: Бротиковский, Воскресенский, Самойленко, Тетерьвов

МПК: B01F 13/10

Метки: гидроокисного, защиты, многокомпонентного, полупроводниковых, преимущественно, приборов, раствора, стекловидного

...лереьГешивании их в сосудах выемки бака-сборника 5 из термокамерыи 2 и емкости 3 до наступления прозс целью выгрузки конечного продукта", рачности, т.е. наступления равновесия стекловидного порошка, Крдцы 1 О Уста-сртоэтилсиликата и кремниевой кислоты цовлены ца трубопроводах. На откидной, 25 в смешанном растворе, содержащем ионы крышке 11 бака-сборника 5 установле- свинца и:агюминия. После проведения на камера 12 смешения реактивов в виде перечисленных операций производят перевернутого стакана. Накопитель 13 , слияние растворов иэ емкости 3 и 4 в промывочной жидкости сообщен с поддо".камеру 12 смешения для проведения юм 7. Жосуды ф 2.ф и 3 ф 4 и30 стехиометрической реакцииф при это бак-накопитель 5 снабжены лопастными , через...

Номер патента: 796196

Опубликовано: 15.01.1981

Авторы: Бротиковский, Маркачева, Павлушкин, Ходаковская, Чернцов

МПК: C03C 3/10

Метки: защиты, кремниевыхпластин, стекло

...для покрытия5 кремния при температурах ниже 600 С. 2К недостаткам йзвестных стекол относятся высокие значения коэффициента линейного термического расширения (КЛТР) и малый температурный интервал использования защитного покрытия.Цель изобретения - снижение КЛТР стекла.Предлагаемая цель достигается тем, что стекло, включающее 8(0, В О, А( ОЗ, РЬО, гпО, содержит указанные компоненты в следующем соотношении, масс.%:8(0 з 30 - 42В 20 3 2 - 104 - 15РЬО 35 - 45гпО 8 - 15 Конкретные составы стекол приведены в табл.1.39,9 35,1 35,9 38,8 44,6 32,2 Состюитель М, ШойтовТехред Н. Граб Корректор Н. Бабинец Редактор Е. Кинив Заказ 9699/34 Тираж 529 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений. и открытий 113035, Москва, Ж,...