Патенты с меткой «p-n-переходом»

Номер патента: 1797413

Опубликовано: 15.01.1994

Автор: Кононов

МПК: H01L 21/337

Метки: p-n-переходом, вертикальным, каналом, полевых, полупроводниковых, структур, управляющим

...их последовательности, достаточны, чтобы отличить предлагаемый способ от других способов аналогичного назначения и характеризовать его в том качестве, которое проявляется в повышении процента выхода годных и улучшении электрических параметров структур.На фиг,1 показана структура полевого транзистора после выращивания на кремниевой подложке 1 эпитаксиального слоя 2 и формирования на нем фотолитографией маски из слоев оксида 2 и нитрида 4 кремния; на фиг.2 - структура после формирования щели 5 путем травления кремния в местах расположения затворов; на фиг.З - структура после окисления поверхности щели; на фиг.4 - структура после стравливания слоя 6 окисла со дна щели и легирования вскрытых областей 7 кремния; на фиг,5 - структура после...

Номер патента: 1433324

Опубликовано: 20.01.1995

Авторы: Билинец, Головач, Матвеев, Стусь, Талалакин

МПК: H01L 21/208

Метки: ingaas, p-n-переходом, системе, структур

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СТРУКТУР С p-n-ПЕРЕХОДОМ В СИСТЕМЕ InAs - InGaAs, включающий приготовление насыщенного раствора-расплава индий-галлий-мышьяк, приведение его в контакт с лицевой стороной подложки из арсенида индия, принудительное охлаждение системы, формирование p-n-перехода и сплошного индиевого омического контакта к тыльной стороне подложки, отличающийся тем, что, с целью упрощения технологии изготовления омического контакта и сокращения времени изготовления структур, предварительно тыльную сторону подложки толщиной 120 - 360 мкм приводят в контакт с пластиной сапфира, при температуре 970 - 1030 К лицевую поверхность подложки подвергают контактированию с раствором-расплавом, содержащим 0,01 - 0,06 ат. долей галлия, проводят...

Номер патента: 1812898

Опубликовано: 27.03.1995

Автор: Мац

МПК: H01L 29/808

Метки: p-n-переходом, полевой, транзистор, управляющим

...т" к 0 зи.отс,2-Отсо + р- приведенные напряжения отсечки участков с крутизнами 31 и 82 на ВАХ соответственно.40 Таим образом формируется ПТУА, обладающий на ВАХ изломом с О и отсД,2- -2,5) О , ,1. Однако при О,и=О, , 2 ток не стремится к нулю, т.к. остается участок протекания тока через разрыв - 9 во второй 45 замкнутой дискретной области затвора 7.Рассмотрим, что происходит далее в ПТУП при увеличении обратного напряжения Оэи.После перекрытия канала под второй дискретной областью затвора 7 областью про странственного заряда р-и-переходаподложка (нижний затвор) - канал, происходит "смыкание по напряжению" с плавающей областью 7. "Смыкание по напряжению" в трехслойной структуре р -и р+(нижний затвор - канал - верхний затвор7) происходит...

Номер патента: 1828339

Опубликовано: 27.02.1996

Автор: Мац

МПК: H01L 29/808

Метки: p-n-переходом, полевой, транзистор, управляющим

...которой формируются активные элементы транзистора. Одновременно с об.лас гью 3 формируются области 4, 9 первого типа проводимости. Стандартными методами в островной области формируют низкоомные области 5, 7 истока и стока. Завершают изготовление ПТУП формированием металлических контактов 8 к области истока, стока, затвора (изолирующей области и/или подложке). Рассмотрен режим работы ПТУП с элементом защиты промежутка затвор-исток. Аналогично работает и элемент защиты в виде области 9 расположенный под центральной частью стока. На фиг,3 представлена конструкция ПТУП с защитой как промежутка затвор-исток, так и затвор-сток,Пример конкретной реализации, ПТУП изготавливают на пластине монокристаллического кремния ориентации 100 ртипа...

Номер патента: 1828340

Опубликовано: 27.07.1996

Автор: Мац

МПК: H01L 29/808

Метки: p-n-переходом, полевой, транзистор, управляющим

...1 1 3 1 Ззи отс 2В настоящем решении выполняются основные требования, предъявляемые к ПТУП - входным транзистором электрометрического усилителя: обеспечение на выходной ВАХ линейного участка при изменении в широком диапазоне напряжения сток-исток: минимизация токов утечки затвора.1.В настоящем решении 11,о, связано с (.1 зо, соотношением (2) У = 4 +у - (Б +р )р ) (2) зиотс 1 зиотс 2 к зиотс 1 к оВ настоящем решении 1)зо, = (2,2 2,5) 1)так как 11,и о, определяет только одна область затвора, а Б,определяет как область второго затвора, так и подложка. При любом изменении значения 11 1),всегда в (2,2 - 2,5) раз будет больше, т.е. ПТУП 1- основной транзистор всегда будет работать на линейном участке выход1828340 б ной ВАХ, И реализуется...

Номер патента: 376029

Опубликовано: 20.06.2000

Авторы: Ободников, Серяпин, Серяпина

МПК: H01L 21/316

Метки: p-n-переходом, кремния, окисления

Способ окисления кремния с р-n-переходами в электролите при подаче на пластину кремния анодного напряжения, отличающийся тем, что, с целью селективного окисления n-области, пластину кремния предварительно обрабатывают в химическом травителе и при окислении анодное напряжение подают на n-область.