Дерменжи
Способ изготовления силовых полупроводниковых приборов
Номер патента: 1616429
Опубликовано: 27.06.2000
Авторы: Дерменжи, Кондаков, Почуева, Шмелев
МПК: H01L 21/28
Метки: полупроводниковых, приборов, силовых
Способ изготовления силовых полупроводниковых приборов, включающий формирование в полупроводниковой подложке базовой области, создание в базовой области дискретных областей эмиттерных элементов, формирование первого слоя металлизации на поверхности базовой области и областей эмиттерных элементов, выявление неработоспособных эмиттерных элементов, нанесение изолирующего покрытия, закрепление на поверхности подложки с помощью магнитной кассеты маски с окнами над эмиттерными элементами и создание второго слоя металлизации путем напыления металла в окна маски, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных и снижение трудоемкости, изолирующее покрытие после выявления неработоспособных...
Полупроводниковый прибор
Номер патента: 1162357
Опубликовано: 20.06.2000
Авторы: Дерменжи, Шмелев
МПК: H01L 29/74
Метки: полупроводниковый, прибор
Полупроводниковый прибор, содержащий последовательно соединенные неразъемным омическим контактом тиристорную и диодную структуры с боковыми конусными поверхностями, отличающийся тем, что, с целью повышения эксплуатационной надежности прибора и снижения затрат на его изготовление, соединение выполнено единственным общим армирующим термокомпенсаторным элементом, являющимся основанием для боковых конусных поверхностей структур, диаметр которых уменьшается в направлении от этого элемента.
Силовой полупроводниковый прибор с прижимными контактами
Номер патента: 1274560
Опубликовано: 20.06.2000
Авторы: Белоногова, Дерменжи, Кузьмин, Куузик, Приходько, Шмелев
МПК: H01L 23/48
Метки: контактами, полупроводниковый, прибор, прижимными, силовой
Силовой полупроводниковый прибор с прижимными контактами и металлизированными контактными площадками к эмиттерным и базовым областям, отличающийся тем, что, с целью снижения электрических потерь во включенном состоянии и повышения выхода годных приборов, металлизация контактных площадок к эмиттерным областям выполнена из последовательно нанесенных слоев фосфорсодержащего никеля, гальванического никеля и алюминия, а толщина металлизированных контактных площадок к базовым областям не превышает суммарной толщины слоев фосфорсодержащего никеля и гальванического никеля.
Силовой быстровосстанавливающийся диод
Номер патента: 1101098
Опубликовано: 20.06.2000
Авторы: Асина, Белоногова, Дерменжи, Кузьмин, Рухамкин, Уверская, Юдицкий
МПК: H01L 29/36, H01L 29/86
Метки: быстровосстанавливающийся, диод, силовой
Силовой быстровосстанавливающийся диод, содержащий в базовой области рекомбинационную примесь, концентрация которой уменьшается от эмиттера вглубь базы, отличающийся тем, что, с целью уменьшения коммутационного перенапряжения и обратного тока утечки при сохранении нагрузочных характеристик в проводящем состоянии, в качестве рекомбинационной примеси вводят платину, распределение концентрации которой удовлетворяет следующим условиям:;0,3 NB Npt(xj) ...
Тиристор, проводящий в обратном направлении
Номер патента: 1085451
Опубликовано: 20.06.2000
Авторы: Дерменжи, Шмелев
МПК: H01L 29/74
Метки: направлении, обратном, проводящий, тиристор
Тиристор, проводящий в обратном направлении, полупроводниковая структура которого содержит первый эмиттерный слой, зашунтированный на отдельных участках с первым базовым слоем, однородно разветвленный управляющий электрод, контактирующий с первым базовым слоем, второй эмиттерный слой, зашунтированный с вторым базовым слоем, отличающийся тем, что, с целью повышения динамических параметров и температурной стабильности электрических характеристик, второй базовый слой имеет выход на поверхность второго эмиттерного слоя в виде локальных участков, которые расположены в пределах проекции разветвленного управляющего электрода.
Силовой запираемый тиристор
Номер патента: 1616450
Опубликовано: 30.01.1994
Авторы: Дерменжи, Шмелев
МПК: H01L 29/743
Метки: запираемый, силовой, тиристор
СИЛОВОЙ ЗАПИРАЕМЫЙ ТИРИСТОР, содержащий полупроводниковую структуру со множеством радиальных полосковых эмиттеров, сгруппированных в несколько концентрических участков, в пределах которых эмиттеры имеют одинаковые размеры и расположены под равными углами один к другому, и базовую область, охватывающую эмиттеры и снабженную металлизацией, контактирующей с управляющим электродом, причем ширина неметаллизированных частей базовой области в пределах каждого из концентрических участков одинакова, отличающийся тем, что, с целью повышения стойкости к высоким скоростям нарастания анодного тока при включении и повышения допустимого значения запираемого тока, ширина неметаллизированных частей базовой области увеличивается от одного из концентрических...
Способ изготовления силового полупроводникового прибора
Номер патента: 1519453
Опубликовано: 15.01.1994
Авторы: Дерменжи, Приходько, Шмелев
МПК: H01L 21/28
Метки: полупроводникового, прибора, силового
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СИЛОВОГО ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ПРИБОРА, включающий создание в полупроводнике базовой области, формирование окруженных базовой областью локальных эмиттерных участков, нанесение контактной металлизации на эмиттерные участки и базовую область, выявление непригодных эмиттерных участков, нанесение на полупроводник общего электрода, контактирующего с металлизацией пригодных эмиттерных участков, отличающийся тем, что, с целью снижения трудоемкости изготовления и повышения процента выхода годных приборов, перед нанесением на полупроводник общего электрода в последнем создают отверстия в тех его местах, которые при контактировании электрода с полупроводником располагаются над выявленными непригодными эмиттерными участками, с...
Способ изготовления силового запираемого тиристора
Номер патента: 1804663
Опубликовано: 23.03.1993
Автор: Дерменжи
МПК: H01L 21/332
Метки: запираемого, силового, тиристора
...выполнение процессов в следующей последовательности;в кремниевую пластину 1 проводят первую стадию диффузии акцепторных примесей для создания слаболегированной области 2 управляемой р-базы (фиг.1);осуществляют селективное травление кремниевой пластины со стороны управляемой р-базы, создавая меза-рельеф со впадинами 3 и выступами 4 (фиг.2);проводят вторую стадию диффузии акцепторных примесей в кремниевую пластину со стороны меэа-рельефа, создавая сильнолегированную область 5 управляемой р-баэы (фиг.3);проводят селективную диффузию донорных примесей, создавая дискретные эмиттерные и -слои 6 и р-и -переходы 7 на выступах меза-рельефа (фиг,4).На фиг.5 представлена готовая полупроводниковая структура, изготовленная по предлагаемому...
Тиристорный управляемый ключ
Номер патента: 1704243
Опубликовано: 07.01.1992
Авторы: Беркович, Дерменжи, Панасенко, Скоробогатов, Сушков, Шипилло, Эрлих
МПК: H02M 1/08
Метки: ключ, тиристорный, управляемый
...си 1 ныл уп):1 НЛЕН 75), И 01 От П 1 )с)ЕТСЯ. Тогдс) К УПР В/15- Ощему цереходу зацираемо;о трисгора црикл)дывастся сорицательное напряжение, пзвное сумме апре)17)л ис)очнлка 3 и заря,кеннпго конденсатора 7, По контуру 7 - 11- ) 3-1-7 про)екает ток. который явпясэтся отрицатепьнь)м относительно управляОщего электрода зппирземосо тирисора 1, и он в):пюаетсс Еонденсгтор 7 разряжаг;-ся, напряжение, приклады ваемое к уг)рагэл.;още)у персходу зацирае лого ти рис гора 1, сникается до у)овня напряжения и:точи .Кг 3 ,сЛ, 2). Отр)цатЕЛЬНЫй тОК уПраВПЕ- ния протекает по цепи 3 - 1-10.8-3, ЗсЗПИРс)ЕК 7 Ый тИРИСтОР 1 ВЫКЛЮЧаЕтСЯ, СХЕМо ожет наход 1)ться В зтом сос 10511 и 1 неОГраниченно долГО.При цеобход) .Ости снова включить за пираемый тиристор...
Электропривод постоянного тока
Номер патента: 1638787
Опубликовано: 30.03.1991
Авторы: Гапчинский, Дерменжи, Натаров, Никулин, Панасенко
МПК: H02P 5/16
Метки: постоянного, электропривод
...то ток в нейпрерваться не может и продолжаетпротекать по цепи 2 - 4 - 1 " 7 -11 - 2. Ток нагрузки, протекающийчерез запираемый тиристор, его управляющий электрод,.диод 1 1, для запираемого тиристора 7 является запирающим и через интервал восстановленияего запирающих свойств .запираемыйтиристор 7 выключается. Источник пи"тания отключается от обмотки, а токпродолжает протекать по цепи 1 - 9 -4 - 1. Спустя длительность интервалапаузы вновь подаются импульсы управления на тиристоры 4 и 7 и транзисторный ключ 3. Далее процессы повторяются. Для реверсирования тока в. обмотке электродвигателя 1 импульсыуправления подаются на тиристоры 5 и б и транзисторный клкч, 3. Процессы,протекающие в схеме, аналогичны описанным.Электропривод постоянного...
Насос перистальтического типа
Номер патента: 1467251
Опубликовано: 23.03.1989
Авторы: Бирюков, Дерменжи
МПК: F04B 43/12
Метки: насос, перистальтического, типа
...зазорами между сосед,ними кольцами 8, причем каждое кольцо 8 имеет срез 9, на которьй опирается разделительный эластичный элемент 3, а ролики 4 ротора 6 выполненны в виде набора дисков, входящих взазоры между кольцами 8,Разделительный элемент 3 снабженсо стороны колец 8 дополнительнымэластичным слоем 10 магнитного мате- ЗОриала, а пакет колец 8 выполнен намаг-.ниченным. Кроме того, поверхность 11эластичного разделительного элемента 3, обращенная к рабочей полости2 выполнена из абразивостойкого материала.При вращении ротора 6 ролики 4перекатываются по эластичному разделительному элементу 3, деформируя его и создавая движение пережатого сечения рабочей полости 2 от входа к выходу. При этом перекачиваемая среда перемещается к потребителю....
Способ управления тиристорным автономным преобразователем
Номер патента: 1439720
Опубликовано: 23.11.1988
Авторы: Булатов, Гуния, Дерменжи, Ковров, Одынь
МПК: H02M 7/515
Метки: автономным, преобразователем, тиристорным
...и зависит от конкретного типа тиристора 1. На второй вход компаратора 12 поступает напряжение, пропорциональное анодному токупротекающему через тиристор 1. В случае ь ) 1 (Е = О) с компараторас ор овр12 на вход элемента И поступает сигнал, разрешающий прохождение импульсов блока 10 для отпирания коммутирующего тиристора 6, т,е. узел 5 коммутации функционирует и запирание тиристора 1 происходит при совместном воздействии импульсов отрицательного тока управления и обратного анод- ного напряжения. В режиме малых токов нагрузки, когда1 (С ,= О)Ь ПО 6 БР на элемент И 11 поступает сйгнаЛ, запрещающий прохождение штатных импульсов управления на тиристор 6 с блока 10, и запирание тиристора 1 происходит под воздействием только импульсов...
Блок для управления и защиты полупроводникового переключателя
Номер патента: 1105989
Опубликовано: 30.07.1984
Авторы: Васильев, Дерменжи, Кутлер
МПК: H02M 1/18
Метки: блок, защиты, переключателя, полупроводникового
...И,выход которого является выходом блока управления и защиты.На чертеже приведена принципиальнаяэлектрическая схема блока управленияи защиты полупроводникового переключателя,Схема содержит элемент задержки 1,вход которого объединен с первым входом первого элемента И 2 и прямым входом третьего элемента И 3, выходэлемента задержки 1 соединен с вторымвходом первого элемента И 2, выходкоторого соединен с первым входомвторого элемента И 4, выход которого через одновибратор 5 подключен к инверсному входу третьего элемента И 3, выход которого предназначен для подключения к точке соединения транзистора б и тиристора 7 полупроводникового переключателя, двухполюсник 8,включенный между управляющим электродом тиристора 7 и эмиттером транзистора 6,...
Переключатель
Номер патента: 1039031
Опубликовано: 30.08.1983
Авторы: Васильев, Дерменжи, Кутлер, Ратнер
МПК: H03K 17/567
Метки: переключатель
...питания, первая управляющая шина блока управления и защиты, вторая управляющая шина которого подключена к точкесоединения запираемого тиристора и транзистора, соединена с управляющей шинойпереключателя, а выходная шина блокауправления и зашиты подключена к базетранзистора.Блок управления и защиты содержит четыре транзистора, конденсатор, шесть резисторов и пять диодов, коллектор первого транзистора, база и эмиттер которого соединеньГ соответственно с первойуправляющей шиной блока управления и запаты н с первой шиной источника питания, через первый диод подключен к эмиттеру второго транзистора и непосредственно соединен с базой этого транзистора, эмит тер второго транзистора, коллектор которого непосредственно, а база через первый...
Способ неразрушающего определения предельной для тиристора скорости нарастания анодного тока
Номер патента: 949554
Опубликовано: 07.08.1982
Авторы: Боронин, Гусев, Дерменжи, Думаневич, Соков, Тестоедов, Чесноков
МПК: G01R 31/26
Метки: анодного, нарастания, неразрушающего, предельной, скорости, тиристора
...4 ь изобретения - повышение точности и производительности нераэрушающего определения предельной длятиристора скорости нарастания анодного тока во всем диапазоне рабочихтемператур (до 125 О С) . 5Поставленная цель достигаетсятем, что согласно способу, включающему пропускание через тиристор импульсов силового тока возрастающейамплитуды, пропускание в момент про- (Охождения импульсов контрольного тока,величина которого превышает ток утечки тиристора, измерение временноготермочувствительного параметра, контрольный ток пропускают через управляющий и анодный электроды тиристора и измеряют время восстановленияблокирукщих свойств р-и-р-транзисторной секции исследуемого тиристора.,используемое в качестве термочувстви тельного...
Тиристор
Номер патента: 363410
Опубликовано: 25.08.1976
Авторы: Дерменжи, Думаневич, Евсеев, Конюхов, Локтаев
МПК: H01L 21/00
Метки: тиристор
...фронтом на части плошади структуры в состоянии низкой проводимости реализуются повышенные плотности тока, где и происходит первоначально включение тиристора, Как правило, в этой же области тиристорная структура обладает максимапьным значением коэффициента усиления, 15Приборы с такой конструкцией допускают скорости нарастания ансдного напряжения в лучшем спучае до 100 в/мксек,Цель изобретения - повышения стойкости к эффекту ди/1 Ф и устранение самовкпюО чения тиристора эа счет наводок в цепи управпения.В предлагаемом тиристоренимуму ипи вообще устраненываюшие неравномерное распред тока в эак лойную ст разницы в рного р-иециапьной рного р и ственно пр оду.чертеже и тирис тора, и и типа363410 ЮГПОЛЛ Составитель О. ФедюкинаТехредМ....