Асина

Номер патента: 1101098

Опубликовано: 20.06.2000

Авторы: Асина, Белоногова, Дерменжи, Кузьмин, Рухамкин, Уверская, Юдицкий

МПК: H01L 29/36, H01L 29/86

Метки: быстровосстанавливающийся, диод, силовой

Силовой быстровосстанавливающийся диод, содержащий в базовой области рекомбинационную примесь, концентрация которой уменьшается от эмиттера вглубь базы, отличающийся тем, что, с целью уменьшения коммутационного перенапряжения и обратного тока утечки при сохранении нагрузочных характеристик в проводящем состоянии, в качестве рекомбинационной примеси вводят платину, распределение концентрации которой удовлетворяет следующим условиям:;0,3 NB Npt(xj) ...

Номер патента: 1001830

Опубликовано: 20.06.2000

Авторы: Асина, Евсеев, Ефремов, Зи

МПК: H01L 29/76

Метки: полевым, полупроводниковый, прибор, силовой, управлением

1. Силовой полупроводниковый прибор с полевым управлением, например тиристор, содержащий не менее двух ячеек, каждая из которых включает базу с участками различного удельного сопротивления, p+ - анод и n+ - катод, окруженный p+ - затвором, отличающийся тем, что, с целью увеличения активной площади прибора с полевым управлением при сохранении высоких значений коэффициента запирания и быстродействия, база выполнена 3-х слойной, высокоомный слой базы расположен между низкоомными слоями, при этом удельное сопротивление высокоомного слоя базы по крайней мере на порядок выше удельного сопротивления низкоомных слоев.2. Прибор по п. 1, отличающийся тем, что...

Номер патента: 1261528

Опубликовано: 20.06.2000

Авторы: Асина, Кузнецов, Сурма

МПК: H01L 29/861

Метки: быстровосстанавливающийся, диод, силовой

1. Силовой быстровосстанавливающийся диод, выполненный на основе полупроводниковой p-n-структуры, содержащей рекомбинационные центры, отличающийся тем, что, с целью снижения коммутационных перегрузок по напряжению, p-n-структура содержит два типа областей с различным содержанием рекомбинационных центров, соотношения площадей и концентраций в которых определены следующими соотношениями:где S1, S2 - суммарные площади областей каждого типа; - концентрация рекомбинационных центров в областях с различным содержанием...

Номер патента: 1595274

Опубликовано: 10.06.2000

Авторы: Абросимова, Асина, Ковешников, Сурма, Уверская, Чернякин

МПК: H01L 21/26

Метки: быстровосстанавливающихся, диодов, силовых

Способ изготовления силовых быстровосстанавливающихся диодов, включающий облучение диодных структур ускоренными электронами с энергией 1 - 3 МэВ, дозой 5 1013 - 5 1014 см2 и последующий отжиг, отличающийся тем, что, с целью повышения производительности труда, отжиг проводят в нестационарном режиме импульсом некогерентного света от галогенных ламп накаливания, причем нагрев проводят со скоростью 1,7 - 1,9oC/с в течение импульса засветки 170 - 190 с от 20

Номер патента: 1151148

Опубликовано: 10.06.2000

Авторы: Асина, Кузнецов, Сурма

МПК: H01L 21/263

Метки: быстродействующих, мощных, тиристоров

Способ изготовления быстродействующих мощных тиристоров, включающий облучение тиристорных структур, выполненных из бестигельного кремния, электронами с последующим термоотжигом, отличающийся тем, что, с целью оптимизации параметров тиристоров, облучение проводят дозой (4 - 10) 1014 см-2 и термоотжиг проводят при температуре 425 - 440oC в течение 2 - 3 ч.

Номер патента: 1618211

Опубликовано: 10.06.2000

Авторы: Асина, Бромберг, Дороднев, Зумберов, Кузьмин, Ныгес, Сурма, Шмелев

МПК: H01L 21/26

Метки: полупроводниковых, приборов, силовых

Способ изготовления силовых полупроводниковых приборов, включающий облучение полупроводниковых структур через защитные маски дефектообразующим излучением до максимальной концентрации дефектов в базовой области 1011-1013 см-3, отличающийся тем, что, с целью улучшения статических и динамических характеристик приборов, облучение проводят электронами -распада от изотопного источника Sr90.

Номер патента: 1574122

Опубликовано: 27.02.1997

Авторы: Асина, Бромберг, Васютинский, Иванов, Кузьмин, Сурма, Шмелев

МПК: H01L 29/74

Метки: быстродействующий, регенеративным, тиристор, управлением

Быстродействующий тиристор с регенеративным управлением, включающий многослойную полупроводниковую структуру с боковой фаской, содержащую области вспомогательной и основной n+- p n p+ -структур с шунтами, p-области управляющих электродов вспомогательной и основной n+- p n - p+ -структур, а также участки повышенной рекомбинации (УПР) носителей заряда в n-базе, отличающийся тем, что, с целью уменьшения падения напряжения в открытом состоянии и времени выключения при снижении энергии потерь и повышении стойкости к di/dt при включении, участки повышенной рекомбинации в n-базе расположены в области вспомогательной n+- p n - p+ -структуры, под p-областями...

Номер патента: 1525179

Опубликовано: 30.11.1989

Авторы: Асина, Гурьянова, Николаев

МПК: C08L 63/02

Метки: композиция, полимерная

...СН г 2 2 О 35 Малеиновый ангидридУказанный модификаторТ а б л и ц а 1 13,9-20,3 10-40Содержание уретановых групп,7. Содержаниеэпоксидныхгрупп, Е Содержаниефура нов ыхгрупп, Х Мол. масса е- Вычис Найде- Вычислено но лено айде- Вычисо лено Найде- Вычисно лено 10 14,3,7 231 14 578 Т аблица 2 ычис- Найде- Вычено но ле7,0 Вычис- Н лено н лис- Найдено но но 4,8,3 5 7 30 Физико-химические характеристики олигомера представлены в табл. 1 и 2.П р и м е р. Эпоксидную композицию готовят следующим образом.5В смеситель загружают диановую эпоксидную смолу ЭДи олигомер ЭТФ и тщательно перемешивают, Перед отверждением добавляют отвердитель и снова перемешиваютДля получения эпоксидной композиции готовят 6 смесей компонентов, содержащих каждая, мас.ч.:...

Номер патента: 1525170

Опубликовано: 30.11.1989

Авторы: Асина, Гурьянова, Николаев

МПК: C08F 212/08, C08F 218/16

Метки: полистирола, сшитого

...В трехгорлую круглодонную колбу, снабженную механической мешалкой, отводами для соединения с вакуумной системой и термо метром, загружают расчетное количе ство дифурилового эфир глицерина и растворителя (н-гептан в 4-кратном избытке), Затем по каплям добавляют 2,4-толуилендиизоцианат (2,4 ТДН), исходя из :квивалентных количеств реагирующих компонзнтов, Синтез про" водят -.ри температур 20-2" .С, Обр.": -51)с С 08 Р 212/08, 21 1 в присутствии инициатора и ускзритег"япри нагревании. 2 табл. эовавшееся монопроиэводное 2,4"ТДИ в С процессе перемешивания выпадает в осадок. Затем олигомер от н-геп;ана отделяют промывают н-гептаном дважды. : На второй стадии к полученному монопроизводному 2,4-ТДИ приливают в 4-крат", иом...

Номер патента: 710085

Опубликовано: 15.01.1980

Авторы: Асина, Думаневич, Евсеев

МПК: H01L 29/74

Метки: полупроводниковый, прибор, силовой

...Н. Потапова Техред З.Фанта Корректор В. Бутяга Заказ 8771/51 Тираж 844 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий113035, Москва, Ж - 35, Раушская наб., д. 4/5 Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4 3сопротивления утечки вдоль края эмиперногоперехода основной тиристорной структуры обес.печивается увеличением расстояния между шунтами по мере удаления от УЭ. Регулированиесопротивления утечки края п+ - р эмиттерногоперехода может быть выполнено также измене.нием геометрических размеров шунтов, приэтом увеличение размеров шунтов ведет куменьшению сопротивления утечки, Возможнаконструкция, в которой сопротивление утечкирегулируется сочетанием изменения плотностии размеров шунтов вдоль...