Силовой полупроводниковый прибор с полевым управлением

Номер патента: 661435

Опубликовано: 05.05.1979

Автор: Хазен

МПК: G01R 31/26

Метки: полупроводниковых, приборов, приведенного, силовых, сопротивления, теплового

...полупроводникового прибора 40. С датчиком тока связана также катушка 5 управления, помещенная в защитный электромагнитный экран, внутри которой размещены, например, магнитоуправляемые контакты 6, 7 и 8 типа Геркон: нормально замкнутые 7 и 8 в цепях мостового измерителя 1 падения напряжения на р - п-переходе и нормально разомкнутый 6 в гальванической цепи 26 холлов ского преобразователя 3 мощности, Катушка 5 управления также может быть совмещена с датчиком 4 тока силовой цепи 42, если магнитоуправляемые контакты 6, 7 и 8 типа Геркон поместить в виток, образованный кабелем силовой цепи 42, Выходы блоков 1 и 3 через сглаживающие, например, Т или П-образные К - С фильтры 9и 10, с индуктивностями 32 и 37, емкостями 33, 34, 35 и 36,...

Номер патента: 788050

Опубликовано: 15.12.1980

Авторы: Бобров, Соболев

МПК: G01R 31/26

Метки: вентиля, внутреннего, полупроводникового, силового, сопротивления, теплового

...силовогополупроводникового вентиля с паянными контактами и одностороннимохлаждением измеряют и сравниваюттемпературы основания корпуса и гиб 25 кого силового вывода в месте его запрессовки, а предельно допустимоезначение теплового сопротивления фиксируют в момент появления превышениятемпературы гибкого силового выводаЗо над температурой корпуса,Всесоюзный ордена Трудоного Красного Знамени научноисследовательский институт железнодорожного транспортаЗаказ 8345/53 Тираж 1019 ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета СССРпо делам изобретений и открытий113035, Москва, Ж"35, Раушская наб., д. 4/5 Филиал ППП Патент, г. Ужгород, ул. Проектная, 4 Суцность предлагаемого способа контроля внутреннего теплового сопротивления силового...

Номер патента: 1725333

Опубликовано: 07.04.1992

Авторы: Артюшенко, Давиденко, Малахатка

МПК: H02M 1/08

Метки: мощным, полевым, транзистором

...и коллектор отпирающего транзисторов предназначены для подключения к затвору мощного полевого транзистора снабжено источником положительного отпирающего напряжения, запускающим резистором и опережающим источником отрицательного напряжения, минусовой вывод которого подключен к коллектору запирающего транзистора непосредственно и к эмиттеру через запускающий резистор, а плюсовой вывод подключен к эмиттеру отпирающего транзистора и к плюсовому выводу источника положительного отпирающего напряжения, . минусовой вывод которого предназначен для подключения к истоку мощного полевого транзистора, развязывающий трансформатор снабжен дополнительной вторичной обмоткой, а источник положительного отпирающего напряжения выполнен на...

Номер патента: 1690116

Опубликовано: 07.11.1991

Авторы: Артюшенко, Малохатка

МПК: H02M 1/08

Метки: мощным, полевым, транзистором

...импульс управляющего сигнала амплитудойОз, В результате вычитания отрицательногонапряжения заряженного конденсатора 7 иимпульса положительной полярности Оз аточке а схемы устройства управления формируется отпирающий импульс положительной полярности амплитудой Оа=Оз-От.Входная емкость Свх транзистора 4 заряжается и на время действия положительногоимпульса транзистор 4 открыт и насыщентоком, ограниченным резистором 6. Напряжение между стоком и истоком Оси открытого транзистора 4 достигает остаточногонапряженияОос 1 - В си 1 н,где Бси - сопротивление открытого транзистора; 1 н - ток через транзистор. В момент прихода очередного импульсаположительный полупериод запирает диод8, при этом конденсатор 7 незначительно разряжается, так как его...

Номер патента: 2003128

Опубликовано: 15.11.1993

Авторы: Сергеев, Юдин

МПК: G01R 31/26

Метки: диодов, корпус, переход, полупроводниковых, сопротивления, теплового

...мощности, которая определяется произведением действующего значения огибающей токана действующее значение огибающей напряжения О;ЬР= О, Р)НВЧаЛЬНЦЙТОКДИОДд нач, ПРОТЕКаЮЩИй в промежутках времени между действиями греющих импульсов тока, поддерживается постоянным и под действием переменной греощей мощности за период модуляции Тм создает переменное падение напряжения Отп на диоде.Выбирая период модуляции Тм из условия Ут,к-с Тм ю т.п-к, где т т,к-с - тепловая постоянная времени корпус-среда диода, а также период следования греющих импульсов тока Ттт,п-к, напряжение Огп будет отслеживать изменение греющей мощнбсти ЛР. Измерение реющей мощности ЬР можно осуществить ограничивая ток и напРЯжение на УРовне огр и Оогр (см. фиг, 2 а и 2 б)....