H01L 23/48 — приспособления для подвода или отвода электрического тока в процессе работы приборов на твердом теле, например провода или вводы

Номер патента: 232388

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Буганина, Дроздов, Зотов, Красилов, Ленин, Черн

МПК: H01L 23/48

Метки: 232388

...трещин в изоляторе, что нарушает герметичность. Кроме того, в зоне выхода из изолятора изгиб вывода производится около острой кромки, являющейся причиной его обрыва.Цель изобретения - устранить образование трещин в изоляторе и увеличить мехацическуо прочность вывода при неоднократных изгибах. Это достигается тем, что на внешней стороне вывода выполнено утолщение, вплотную примыкающее к поверхности стеклянного или керамического изолятора и спаянное с ним. 11 а чертеже изображси предложенный элекический вывод герметического устройства. Здесь 1 - изолятор, 2 - корпус, водс персходцыми диаметрами.Вывод 3 впаян в изолятор 1. Причем получаемый спай стекла с металлом образовался 5 не только по периметру меньшего диаметравывода, но и по...

Номер патента: 428483

Опубликовано: 15.05.1974

Авторы: Аржанов, Булкин, Воронин, Заворотний, Осипов, Трифонов

МПК: H01L 23/48

Метки: полупроводниковый, прибор, силовой

...приборов, например в тиристорах, дляобеспечения прижимного электрического контакта управляющего электрода с,полупроводниковой пластиной и изоляции управляющегоэлектрода от силовых электродов применяетсябольшое количество деталеи, что усложняетконструкцию и ее изготовление.С целью упрощения конструкции, а такжеповышения надежности работы предложеносовместить функции электрического проводника и диэлектрика в одной детали, для чегоуправляющий электрод в виде металлическогослоя наносят на стержень из диэлектрическогоматериала, например керамики,С помощью указанного стержня осуществляется прижим электрода.На чертеже приведена схема предлагаемогоприбора.Управляющий электрод 1, выполненный в поверхность стержня де кольцевой канавками,...

Номер патента: 682971

Опубликовано: 30.08.1979

Авторы: Абрамович, Либер, Сакович

МПК: H01L 23/48

Метки: полупроводниковый, прибор, силовой

...фиксирующие бандажи 31 и 32.Изолирующий стакан 26 фиксируется в заданном положении пружинными планками 33 и 34. Токоподводящпе фланцы 29 и 30 скреплены с крепежными фланцами 35 и 36, образующими жесткую конструкцию с изолятором 37, выполненным, например, цз стекла. Электрод управления 22 структуры 1 соединен изолированным проводом 23 с выводом 24,Крепежные и токоподводящце фланцы 35, 36 ц 29, 30 соединяются механически болтами или сваркой с системой токоподвода и охлаждения или, в случае последовательного соединения, с аналогичньтттт деталями других приборов.В качестве теплоотводя щей жидкости здесь используется дистиллированная децонизированная вода. Вода поступает через отверстия токоподводящего фланца 29, направляется конусом 27...

Номер патента: 750615

Опубликовано: 23.07.1980

Авторы: Дмитриенко, Колмыков, Платицын

МПК: H01L 23/48

Метки: биметаллический, контактов, электрических, элемент

...1 из никеля толщи-. ной 0,05 - 0,3 мм. На основном слое 1 на ширине, меньшей его ширины; нанесен слой твердого металлического припоя 2, который может быть нанесет . Формула Изобретения 1. Биметаллический элемент для15 изготовления электрических контактов,содержащий основной. слой с расположенным на нем планирующим слоем изсеребряного припоя, о т л и ч а ющ и й с я тем, что, с целью повы 20 шения надежности, основной слойвыполнен из никеля.2. Элемент по п, 1, о т л и -ч а ю щ и й с я тем, что ширинаплакирующего слоя составляет 0,1- 0,8 ширины основного слоя.Источники информации,принятые во внимание при экспертизе1. Патент СВЭ 9 3526860,кл. Н 01 С 17/00, опублик. 197030 (прототип). Изобретение относится к радиотехнике и может быть...

Номер патента: 832626

Опубликовано: 23.05.1981

Авторы: Дмитриев, Дмитриенко, Колмыков, Кузнецов

МПК: H01L 23/48

Метки: биметаллический, элемент

...возможность получать неразъемные контактные узлы, включающие пленочные или проволочные составляющие элементов радиоэлектронной техники, известными методами, например, сваркой, причем, механическая прочность этих контактных узлов возрастает по сравнению с прочностью контактных узлов, полученных с применением биметаллического элемента со слоем серебряного припоя.Стоимость же предлагаемоческого элемента значительноствие исключения серебра.На чертеже представлен а р ложения слоев биметалличес лем832626 Составитель В. Ленская Редактор А. Шандор Техред А. Бойкас Корректор В. Синицкая Заказ 342346 Тираж 784 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж - 35, Раушская наб., д. 4/5 Филиал ППП...

Номер патента: 991534

Опубликовано: 23.01.1983

Авторы: Золотаревский, Рябичев

МПК: H01L 23/48

Метки: закрепления

...прижимной плйн-ки риски, кривизна которой равна нулю при рабочем положении прижимной планкиеРиска выполнена в виде границы межв ду окрашенным и неокрашенным участками боковой поверхности прижимной "аланки.На чертеже изображено предлагаемое устройство.Устройство для зоснование 1, являюполупроводниковогонем горне которого2 О. Рирующий упоР 3, взприжимной планкойпомощью болтов 5 иповерхности прижимннепа риска 7, предсТираж 7 каз 156 ВНИИП одпнсное ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Пая 3 991нерабочем положении прижимной планкикривую второго порядка, уравнениекоторой учитывает зависимость усилия,с которым, полупроводниковый прибордолжен быть прижат к охлвдителю, отгеометрических размеров прижимнойпланки и механических свойств материала, из...

Номер патента: 1138961

Опубликовано: 07.02.1985

Авторы: Каликанов, Туник, Фомин

МПК: H01L 23/48, H05K 7/20

Метки: полупроводниковый, прибор, силовой

...испарительного охлаждения Ц . 25Однако д 5 чя сжатия прибора .с охладителем и токосъемными шинами сцелью получения надежного тепловогои электрического контактов, необходимо осевое усилие в пределах 20000- З 050000 Н, что приводит к увеличениюмассотабаритных параметров прижимного устройства и прибора в целом. Наличие в приборе термокомпенсаторов,яедных оснований, большого числа контактов ведет к возрастанию тепловогосопротивления между полупроводниковой структурой и окружающей средой,Кроме того, использование специальных медных или алюминиевых охладителей приводит к резкому увеличению массы и габаритов приборов, расходадефицитных цветных металлов..1Наиболее близким к предлагаемомуявляется СПП, содержащий кремниевуюпластину с р -...

Номер патента: 1167675

Опубликовано: 15.07.1985

Автор: Домбровский

МПК: H01L 23/34, H01L 23/48, H05K 7/20 ...

Метки: крепления, полупроводникового, прибора

...этом привод узла захвата полупроводникового прибора выполнен в виде зигзагообразной пластины, жестко соединенной одним концом с концом винтовой цилиндрической пружины растяжения, а другим - с втулкой и изготовленной из материала, обладающего термомеханической памятью редукции формы, причем из такого же материала может быть выполнена и винтовая цилиндрическая пружина растяжения, спиральные пазы втулки в этом случае должны быть выполнены с углом подъема равным 90. На фиг. 1 изображено устройство для крепления полупроводникового прибора, общий вид; на фиг. 2 - то же, сечение А - А на фиг. 1; на фиг. 3 - узел захвата с приводом при рабочем положении последнего.Устройство содержит теплопроводное основание 1 с нагревательным элементом 2...

Номер патента: 1188810

Опубликовано: 30.10.1985

Авторы: Волцит, Нечаев, Павлов, Чернявский, Шварц

МПК: H01L 23/48

Метки: кристаллодержатель, свч

...20с первой контактной площадкой 3 вторая и третья контактные площадки 7и 8, при этом на второй контактнойплощадке 7 размещен кристалл 6, стоккоторого и второй внешний вывод 5 г 5подключены к третьей контактной площадке 8 при этом длина и ширина па 1й.эа соответственно равны длине и ширине изолятора 2, а глубина паза. равнасуммарной толщине изолятора 2 и крис талла 6,Для увеличения широкололосностикристаллодержателя СВЧ частотныеограничения, вносимые его паразитнымиэлементами, уменьшены путем уменьше- цния самих паразитных элементов. Такуменьшение индуктивности в истокекристалла 6 достигается путем максимального сближения соединяемых по-верхностей или применения параллельных заземлений, уменьшением контактных площадок до 0,1-0,01 мм 2 и...

Номер патента: 1644258

Опубликовано: 23.04.1991

Авторы: Исхаков, Мальцев

МПК: H01L 23/34, H01L 23/48

Метки: полупроводниковый, прибор

...3 происходит постепенное осаждение порошка 5, большая часть которого опять осядет на крышку 2 или на поверхность монослоя 7. В результате уменьшается внутреннее тепловое сопротивление, а следовательно, и перегрев кристалла 3.Экспериментальная проверка предлагаемого прибора проводилась с применением микросхемы типа 198 НТ 1 В в металло-керамическом корпусе. ИС 198 НТВ представ 5 10 15 20 25 30 35 ляет собой матрицу п-р-п-транзисторов, расположенных в одном кристалле. Один из транзисторов использовался в качестве датчика температуры и подключался к вольтметру В 7-27 А, в котором предусмотрен режим измерения температуры. Другие транзисторы ИС использовались как нагревательные элементы. В качестве заполняющей диэлектрической жидкости...

Номер патента: 1691909

Опубликовано: 15.11.1991

Автор: Медведев

МПК: H01L 21/60, H01L 23/48

Метки: алюминиевой, золотой, кремниевую, нанесенной, пленке, подложку, присоединения, проволоки, тонкой

...до 320 С термопластичный компаунд сульфарил окунают конец золотой проволоки диаметром 30 мкм при вязкости сульфарила 200 10 Па с,-2 Размещают конец золотой проволоки на алюминиевой пленке и, прикладывают перпендикулярно к ее оси и поверхности пленки давление 70-100 Н/мм . Использование2данного способа позволяет повысить выходгодных до 99% щадь контактирования. В момент резкого поднятия инструмента вязкий компаунд тормозит движение проволоки вслед за инструментом, что облегчает отделение проволоки от инструмента и предотвращает возможность отрыва проволоки с частью металлического слоя от кристалла, Таким образом достигается увеличение механической прочности соединения,Экспериментально установлено, что вязкость термопластичного...

Номер патента: 1749954

Опубликовано: 23.07.1992

Авторы: Сидоров, Соха

МПК: H01L 23/48, H01L 25/00, H01L 27/00 ...

Метки: микросхема

...на расстояние не менее 0,1 мм ат термоизолированной платы обеспечивает тепловое сопротивление более 4 50000 к/Вт, что практически не оказывает шунтирующега теплового воздействия на термоизолированную плату 1.Микросхема совместима с гибридной технологией, поэтому с точки зрения технико-эканамической целесообразности возможен вариант реализации всей алектаической схемы в виде гибридной интегральной схемы, компоненты катоаай, реализующие вторичный преобразователь, размещены вне линии обрыва на фиг.1 и 2 на общей, например, паликаравой изотермической плате 9, Расстояниеопределяется из соотношения где Л - теплоправодность диэлектрической платы 8;Я - площадь поперечного сечения диэлектрической платы 8, в направлении рассматриваемого...

Номер патента: 1820493

Опубликовано: 07.06.1993

Автор: Каликанов

МПК: H01L 23/48, H01L 25/00, H05K 7/20 ...

Метки: полупроводниковый, прибор, силовой

...Противоламинарные наплывы 5 на металлических покрытиях, шахматное расположение контактов штырьков с покрытиями, квадратное сечение штырьков также повышают эффективность охлаждения за счет турбулизации потока жидкого диэлектрика : около охлаждаемых поверхностей металлических покрытий и штырьков, Силовой элек.трический ток подводится к полупроводниковой структуре через частично полые штырьки теплоотводов, заполненные жидким. металлом 8, например сплавом калия и натрия (25; Ка+ 75 О К), и металли.ческие покрытия кремниевой пластины со стороны анода и катода. Ток к металлическим покрытиям от штырьков подводится дискретно,. в местах контактов штырьков.с . поверхностью покрытий. Но далее ток растекается по толщине металлических...

Номер патента: 1498324

Опубликовано: 15.12.1994

Авторы: Калинин, Катин, Стадник

МПК: H01L 23/28, H01L 23/48

Метки: герметизации, микросхем, пресс-композицией

СПОСОБ ГЕРМЕТИЗАЦИИ МИКРОСХЕМ ПРЕСС-КОМПОЗИЦИЕЙ, заключающийся в укладке в гнездо нижней части пресс-формы для герметизации теплорастекателя, установке выводной рамки с кристаллодержателем, к дну которого, расположенного ниже плоскости выводной рамки, присоединен полупроводниковый кристалл с проволочными выводами, смыкании верхней и нижней частей пресс-формы и заполнении ее внутреннего объема пресс-композицией, отличающийся тем, что, с целью увеличения выхода годных за счет уменьшения вероятности замыкания проволочных выводов на край полупроводникового кристалла и повышения надежности микросхем за счет снижения теплового сопротивления кристалл - корпус микросхемы путем исключения попадания пресс - композиции между кристаллом и...

Номер патента: 1716925

Опубликовано: 09.01.1995

Авторы: Афонов, Скулкин

МПК: H01L 23/48

Метки: интегральной, корпуса, металлокерамического, микросхемы

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МЕТАЛЛОКЕРАМИЧЕСКОГО КОРПУСА ДЛЯ ИНТЕГРАЛЬНОЙ МИКРОСХЕМЫ, включающий изготовление основания корпуса с металлизированными площадками и выводной рамки из железо-никелевого сплава, нанесение на выводную рамку слоя никеля, совмещение выводов выводной рамки с металлизированными площадками и соединение их пайкой медно-серебряным припоем, отличающийся тем, что, с целью упрощения способа и повышения коррозионной стойкости корпуса, нанесение слоя никеля осуществляют холодным плакированием со стороны, обращенной к металлизированным площадкам, а толщину слоя никеля устанавливают равной 5 - 15% от толщины выводов выводной рамки.

Номер патента: 1588262

Опубликовано: 20.10.1995

Авторы: Дмитриев, Каптюг, Майборода, Максимов, Славинский, Стручев

МПК: H01L 23/48, H05K 1/14

Метки: блок, радиоэлектронный

1. РАДИОЭЛЕКТРОННЫЙ БЛОК, содержащий герметичный теплоотводящий корпус, выполненный в виде соединенных между собой основания и крышки с образованием между ними полости и размещенной на основании матрицы электрически изолированных между собой внешних выводов, микроплаты с контактными площадками, расположенные в корпусе одна над другой и электрически соединенные с внешними выводами и контактными площадками смежных микроплат, и электрорадиоэлементы установленные на микроплатах, отличающийся тем, что, с целью повышения плотности компоновки, он снабжен дополнительными матрицами электрически изолированных между собой внешних выводов, которые установлены на крышке герметичного теплоотводящего корпуса, теплоотводами, расположенными перпендикулярно...

Номер патента: 1799203

Опубликовано: 10.10.1996

Авторы: Буляк, Довнар, Кастрицкий, Красницкий, Турцевич, Химко

МПК: H01L 23/48

Метки: интегральных, межэлементных, соединений, схем

...перекрыло покрытие из ФСС на 0,1-6,0 мкм.Приборы собирали в пластмассовые корпуса и проводили ускоренные испытания попарно 8 групп по 15 приборов на безотказность (при температуре 120 С, влажности 950 ). На специальных тестовых структурах методом поляризационного сопротивления системы электрод - раствор определялась скорость коррозии межэлементных соединений,Испытательной средой служил раствор ортофосфорной кислоты. Дополнительно провели сравнительные испытания пластин со сформированным защитным покрытием (16 групп пластин по 5 шт.) путем обработки в автоклаве под давлением 1,2 атм при повышенной температуре и влажности, Контроль на наличие следов коррозии проводили при помощи микроскопа 1 епа(ееЬ.Рассчитывалось отношение скорости...

Номер патента: 1178272

Опубликовано: 27.11.1996

Автор: Павельев

МПК: H01L 23/48

Метки: диод, полупроводниковый, свч

Полупроводниковый СВЧ-диод, содержащий полупроводниковую меза-структуру, расположенную на диэлектрической пластине, омический и барьерный контакты и расположенные на краях диэлектрической пластины пленочные металлические выводы, отличающийся тем, что, с целью расширения диапазона рабочих частот, пленочные металлические выводы расположены на стороне диэлектрической пластины, контактирующей с меза-структурой, а барьерный и омический контакты выполнены в виде продолжения соответствующих пленочных металлических выводов и расположены между диэлектрической пластиной и меза-структурой.

Номер патента: 1274560

Опубликовано: 20.06.2000

Авторы: Белоногова, Дерменжи, Кузьмин, Куузик, Приходько, Шмелев

МПК: H01L 23/48

Метки: контактами, полупроводниковый, прибор, прижимными, силовой

Силовой полупроводниковый прибор с прижимными контактами и металлизированными контактными площадками к эмиттерным и базовым областям, отличающийся тем, что, с целью снижения электрических потерь во включенном состоянии и повышения выхода годных приборов, металлизация контактных площадок к эмиттерным областям выполнена из последовательно нанесенных слоев фосфорсодержащего никеля, гальванического никеля и алюминия, а толщина металлизированных контактных площадок к базовым областям не превышает суммарной толщины слоев фосфорсодержащего никеля и гальванического никеля.