Силовой быстровосстанавливающийся диод
Описание | Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Описание

где S1, S2 - суммарные площади областей каждого типа;

C1, C2 - коэффициенты захвата рекомбинационных центров в областях с различным содержанием рекомбинационных центров.
2. Диод по п.1, отличающийся тем, что, с целью улучшения токораспределения по площади диода, области с меньшим содержанием рекомбинационных центров равномерно распределяют по площади структуры, при этом диаметр d области и толщина W n-слоя структуры, границы которой совмещены с областью с большим содержанием рекомбинационных центров, определены соотношением d > 4W.
Заявка
3823614/25, 10.12.1984
Всесоюзный электротехнический институт им. В. И. Ленина
Сурма А. М, Асина С. С, Кузнецов В. М
МПК / Метки
МПК: H01L 29/861
Метки: быстровосстанавливающийся, диод, силовой
Опубликовано: 20.06.2000
Код ссылки
<a href="https://patents.su/0-1261528-silovojj-bystrovosstanavlivayushhijjsya-diod.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Силовой быстровосстанавливающийся диод</a>
Предыдущий патент: Фильтр на поверхностных акустических волнах
Следующий патент: Способ получения низкотемпературных стекловидных покрытий
Случайный патент: Многопозиционный автомат для сборки узлов