Силовой быстровосстанавливающийся диод

Номер патента: 1261528

Авторы: Асина, Кузнецов, Сурма

Описание

1. Силовой быстровосстанавливающийся диод, выполненный на основе полупроводниковой p-n-структуры, содержащей рекомбинационные центры, отличающийся тем, что, с целью снижения коммутационных перегрузок по напряжению, p-n-структура содержит два типа областей с различным содержанием рекомбинационных центров, соотношения площадей и концентраций в которых определены следующими соотношениями:

где S1, S2 - суммарные площади областей каждого типа;
- концентрация рекомбинационных центров в областях с различным содержанием рекомбинационных центров;
C1, C2 - коэффициенты захвата рекомбинационных центров в областях с различным содержанием рекомбинационных центров.
2. Диод по п.1, отличающийся тем, что, с целью улучшения токораспределения по площади диода, области с меньшим содержанием рекомбинационных центров равномерно распределяют по площади структуры, при этом диаметр d области и толщина W n-слоя структуры, границы которой совмещены с областью с большим содержанием рекомбинационных центров, определены соотношением d > 4W.

Заявка

3823614/25, 10.12.1984

Всесоюзный электротехнический институт им. В. И. Ленина

Сурма А. М, Асина С. С, Кузнецов В. М

МПК / Метки

МПК: H01L 29/861

Метки: быстровосстанавливающийся, диод, силовой

Опубликовано: 20.06.2000

Код ссылки

<a href="https://patents.su/0-1261528-silovojj-bystrovosstanavlivayushhijjsya-diod.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Силовой быстровосстанавливающийся диод</a>

Похожие патенты